專利名稱：可調(diào)整調(diào)制系數(shù)的幅移鍵控發(fā)送機(jī)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種模擬發(fā)送機(jī)，且更具體而言，涉及一種幅移鍵控 (amplitude shift keying; ASK)發(fā)送機(jī)。
背景技術(shù)：
幅移鍵控(ASK)是一種調(diào)制方案，在該調(diào)制方案中，載波幅值隨數(shù)字信 號(hào)信息而變化。例如，在該調(diào)制方案中，若要調(diào)制二進(jìn)制數(shù)字信號(hào)，則在數(shù)字 信號(hào)的值為1時(shí)發(fā)送具有預(yù)定幅值大小的載波，而在數(shù)字信號(hào)的值為0時(shí)則中 止載波的發(fā)送。其中載波具有存在(ON)狀態(tài)或不存在(OFF)狀態(tài)的幅移鍵 控調(diào)制方案被稱為開關(guān)鍵控(on-off keying; 00K)調(diào)制方案。調(diào)頻方案中的調(diào)制系數(shù)與調(diào)幅方案中的調(diào)制因數(shù)一同屬于用于決定發(fā)送 機(jī)及接收機(jī)性能的其中一個(gè)最重要的電特性。調(diào)制因數(shù)被定義為在調(diào)幅中所要 發(fā)送的信號(hào)波的幅值m與載波幅值M之比m/M。此處，載波幅值M是指尚未調(diào) 制的載波的幅值。以百分比形式表示的比值m/M即稱為調(diào)制率。調(diào)頻方案中的 調(diào)制系數(shù)相當(dāng)于調(diào)幅方案中的調(diào)制因數(shù)，其表示調(diào)制的程度或效率。當(dāng)調(diào)制系 數(shù)減小時(shí)，載波功率(能量)增大，且被調(diào)制波的功率(能量)減小。在本文 中，調(diào)制系數(shù)與調(diào)制因數(shù)是通用的。圖1圖解說明當(dāng)調(diào)制系數(shù)m為0. 5 (稱為50%)時(shí)的調(diào)幅(amplitude modulation; AM)波開鄉(xiāng)。圖2圖解說明當(dāng)調(diào)制系數(shù)m為1 (稱為100%)時(shí)的調(diào)幅波形。圖3圖解說明當(dāng)調(diào)制系數(shù)m大于1時(shí)的調(diào)幅波形。參見圖1至3，由圖中可見，值略小于1 (稱為100%)的調(diào)制系數(shù)m相對(duì) 比較有效。然而，調(diào)制系數(shù)是根據(jù)使用發(fā)送機(jī)及接收機(jī)的通信系統(tǒng)而被確定為不同的 值，因而無法固定一最佳的調(diào)制系數(shù)。調(diào)制系數(shù)的值是在制造發(fā)送機(jī)及接收機(jī)用戶隨意改動(dòng)。因此，存在如下問題所制造的用于特定 通信系統(tǒng)的發(fā)送機(jī)及接收機(jī)無法用于具有不同電特性的另一通信系統(tǒng)。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種可調(diào)整調(diào)制系數(shù)的幅移鍵控(ASK)發(fā)送機(jī)。 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種可調(diào)整調(diào)制系數(shù)的幅移鍵控發(fā)送機(jī)，其包含偏流提供單元，其相應(yīng)所要發(fā)送的數(shù)字信號(hào)及一個(gè)或多個(gè)偏流控制信號(hào) 而提供一個(gè)或多個(gè)偏流；以及調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生器，其相應(yīng)所述一個(gè)或多個(gè)偏流而 對(duì)載波信號(hào)進(jìn)行調(diào)制，以產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于所述數(shù)字信號(hào)的調(diào)制信號(hào)。


通過參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)例性實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明，本發(fā)明的上述及其 他特征及優(yōu)點(diǎn)將變得更加一目了然，附圖中圖1圖解說明當(dāng)調(diào)制系數(shù)m為O. 5 (稱為50%)時(shí)的調(diào)幅(AM)波形； 圖2圖解說明當(dāng)調(diào)制系數(shù)m為1 (稱為100%)時(shí)的調(diào)幅波形； 圖3圖解說明當(dāng)調(diào)制系數(shù)m大于1時(shí)的調(diào)幅波形；圖4為一方塊圖，其圖解說明根據(jù)本發(fā)明的可調(diào)整調(diào)制系數(shù)的幅移鍵控 (ASK)發(fā)送機(jī)；圖5為圖4所示第一偏流提供單元的內(nèi)部電路圖；圖6圖解說明模擬調(diào)制信號(hào)的波形變化量隨可變電阻器電阻值的變化；以及圖7至9圖解說明根據(jù)本發(fā)明由發(fā)送機(jī)輸出的具有不同調(diào)制系數(shù)的模擬調(diào) 制信號(hào)的實(shí)例。主要組件標(biāo)記說明400:幅移鍵控發(fā)送機(jī)410:偏流提供單元420:偏流提供電路430:偏流提供電路440:偏流提供電路450:調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生器451:信號(hào)處理單元452:信號(hào)處理單元453::信號(hào)處理單元510::參考偏壓提供單元520::偏流控制電路530:下降緣調(diào)整電路540::偏壓改變塊550:上升緣調(diào)整電路560::偏流輸出電路CS1:第一電流源CS2::第二電流源Rl:第一電阻器R2:第二電阻器Cl:第一電容器C2:第二電容器Ml:第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M2:第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M3:第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M4:第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管具體實(shí)施方式
下文將參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)例性實(shí)施例。圖4為一方塊圖，其圖解說明根據(jù)本發(fā)明的可調(diào)整調(diào)制系數(shù)的幅移鍵控 (ASK)發(fā)送機(jī)。參見圖4，可調(diào)整調(diào)制系數(shù)的幅移鍵控發(fā)送機(jī)400包含偏流提供單元410 及調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生器450。偏流提供單元410包含一個(gè)或多個(gè)偏流提供電路420至440，用于相應(yīng)所 要發(fā)送的數(shù)字信號(hào)D—in及一個(gè)或多個(gè)偏流控制信號(hào)bcl至bcn而提供一個(gè)或 多個(gè)偏流ccl至ccn。第一偏流提供電路420相應(yīng)數(shù)字信號(hào)D_in及第一偏流控制信號(hào)bcl而產(chǎn) 生第一偏流ccl。第二偏流提供電路430相應(yīng)數(shù)字信號(hào)D一in及第二偏流控制信 號(hào)bc2而產(chǎn)生第二偏流cc2。第n偏流提供電路440則相應(yīng)數(shù)字信號(hào)D—in及第 n偏流控制信號(hào)bcn而產(chǎn)生第n偏流ccn。7此處，每一偏流控制信號(hào)bcl至bcn均代表兩個(gè)或更多個(gè)不同控制信號(hào)。 具體而言，第一偏流控制信號(hào)bcl包含用于決定調(diào)制信號(hào)A—out的上升緣躍遷 時(shí)間的上升緣控制信號(hào)bcl—1及用于決定調(diào)制信號(hào)A_out的下降緣躍遷時(shí)間的 下降緣控制信號(hào)bc1—2。調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生器450包含一個(gè)或多個(gè)信號(hào)處理單元451至453，用于相應(yīng) 所述一個(gè)或多個(gè)偏流ccl至ccn而調(diào)制載波信號(hào)Carrier,以產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于數(shù)字 信號(hào)Djn的調(diào)制信號(hào)A一out。第一信號(hào)處理單元451相應(yīng)第一偏流ccl而對(duì)載波信號(hào)Carrier實(shí)施緩沖。 第二信號(hào)處理單元452相應(yīng)第二偏流cc2而對(duì)第一信號(hào)處理單元451所輸出的 信號(hào)實(shí)施緩沖。第n信號(hào)處理單元453相應(yīng)第n偏流ccn而對(duì)第二信號(hào)處理單 元452所輸出的信號(hào)實(shí)施緩沖。第一至第n信號(hào)處理單元451至453可使用串 聯(lián)連接的緩沖器構(gòu)建而成。每一信號(hào)處理單元451至453均在預(yù)定延時(shí)后產(chǎn)生 一輸出信號(hào)，該輸出信號(hào)對(duì)應(yīng)于施加至每一信號(hào)處理單元451至453的輸入信 號(hào)。該預(yù)定延時(shí)稱為信號(hào)處理單元的響應(yīng)延遲。每一偏流ccl至ccn均調(diào)整對(duì)應(yīng)信號(hào)處理單元451至453的輸出信號(hào)相對(duì) 于輸入信號(hào)的響應(yīng)延遲，以最終決定調(diào)制信號(hào)A—out的上升緣或下降緣。圖5為圖4中所示第一偏流提供單元420的內(nèi)部電路圖。參見圖5，第一偏流提供單元420包含參考偏壓提供單元510、偏流控制 電路520、及偏流輸出電路560。參考偏壓提供電路510包含第一金屬氧化物半導(dǎo)體 (metal-oxide-semiconductor; M0S)晶體管Ml及第一電流源CS1 ，以用于相 應(yīng)數(shù)字信號(hào)D—in而產(chǎn)生第一參考偏壓Vbl。第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管Ml 包含一連接至第一電源電壓Vdd的端子、另一端子、及用于產(chǎn)生第一參考偏壓 Vbl的柵極端子。第一電流源CS1包含連接至一節(jié)點(diǎn)的端子以及連接至第二電 源電壓GND的另一端子，其中該節(jié)點(diǎn)用于產(chǎn)生第一參考偏壓Vbl。此處，第一 電流源CS1是用于吸收電流的可變電流源，所吸收電流的值隨數(shù)字信號(hào)D—in 而變化。偏流控制電路520相應(yīng)第一參考偏壓Vbl、下降緣控制信號(hào)bcl—1、及上 升緣控制信號(hào)bc1—2而產(chǎn)生偏壓控制電壓Vc，并包含下降緣調(diào)整電路530、偏壓改變塊540及上升緣調(diào)整電路550。如上文所述，下降緣控制信號(hào)bcl一l及 上升緣控制信號(hào)bcl—2是自第一偏流控制信號(hào)bcl獲得。下降緣調(diào)整電路530包含第一電阻器Rl及第一電容器Cl，以用于相應(yīng)下 降緣控制信號(hào)bcl—1而將第一參考偏壓Vbl延遲一預(yù)定時(shí)間，從而產(chǎn)生第二參 考偏壓Vb2。第一電阻器Rl包含一連接至第一參考偏壓Vbl的端子，且其電阻 值隨下降緣控制信號(hào)bcl_l而改變。第一電容器Cl包含一端子、以及連接至 第二源電壓的另一端子，其中所述一端子連接至第一電阻器Rl的另一端子， 以產(chǎn)生第二參考偏壓Vb2。偏壓改變塊540包含第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M2、第三金屬氧化物半 導(dǎo)體晶體管M3、及第二電流源CS2，以用于產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于第二參考偏壓Vb2的第 三參考偏壓Vb3。第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M2包含一連接至第一源電壓的 端子、以及一被施加第二參考偏壓Vb2的柵極端子。第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶 體管M3包含一連接至第一源電壓的端子、另一端子、以及一用于產(chǎn)生第三參 考偏壓Vb3的柵極端子。第二電流源CS2是靜態(tài)電流源，可流出恒定電流it， 其包含連接至一節(jié)點(diǎn)的端子以及連接至第二電流源的另一端子，其中該節(jié)點(diǎn)用 于產(chǎn)生第三參考偏壓Vb3。上升緣調(diào)整電路550包含第二電阻器R2及第二電容器C2，以用于相應(yīng)上 升緣控制信號(hào)bcl一2而將第三參考偏壓Vb3延遲一預(yù)定時(shí)間，從而產(chǎn)生偏壓控 制電壓Vc。第二電阻器R2包含一連接至第三參考偏壓Vb3的端子，且其電阻 值隨上升緣控制信號(hào)bcl—2而改變。第二電容器C2包含一端子、以及連接至 第二源電壓的另一端子，其中所述一端子連接至第二電阻器R2的另一端子， 以產(chǎn)生偏壓控制電壓Vc。偏流輸出電路560相應(yīng)偏壓控制電壓Vc而產(chǎn)生偏流ccl。偏流輸出電路 560可使用第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管構(gòu)建而成，該第四金屬氧化物半導(dǎo)體 晶體管包含一連接至第一源電壓的端子，產(chǎn)生與施加至其柵極端子的偏壓控制 電壓Vc相對(duì)應(yīng)的偏流iccl，并經(jīng)由其另一端子輸出偏流iccl。此處，下降緣調(diào)整電路530及上升緣調(diào)整電路550具有與低通濾波器相同 的結(jié)構(gòu)。然而，下降緣調(diào)整電路530及上升緣調(diào)整電路550的結(jié)構(gòu)并非僅限于 低通濾波器結(jié)構(gòu)，而是可修改為各種形式。機(jī)的運(yùn)行以及一種用于調(diào)整調(diào)制系數(shù)的方法。首先，對(duì)根據(jù)輸入至發(fā)送機(jī)的數(shù)字信號(hào)D_in的狀態(tài)進(jìn)行模擬調(diào)制信號(hào)發(fā) 的送進(jìn)行說明。第一參考偏壓Vbl取決于用于吸收電流id的電流源CS1，電流id的值隨 數(shù)字信號(hào)D一in而改變。第一及第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管Ml及M2呈電流 鏡形式，盡管其間設(shè)置有第一電阻器R1，因而流至第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體 管M2的電流值取決于被施加至其柵極端子的第一參考偏壓Vbl。此處，如果第 一及第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管Ml及M2具有相同的電特性，則流至第二金 屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M2的電流值與流經(jīng)第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M1的 電流id的值相同。第二及第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M2及M3的共用端子連接至第二電流 源CS2，且在作為靜態(tài)電流源的第二電流源CS2中所流過的電流it是固定不變 的。由于第二及第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M2及M3所提供的電流之和是可 提供至第二電流源CS2的電流總量it，因而從電流總量it中減去流經(jīng)第二金 屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M2的電流id，便會(huì)獲得流經(jīng)第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶 體管M3的電流。第三及第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M3及M4也呈電流鏡形 式，盡管其間設(shè)置有第二電阻器R2，因而如果第三及第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶 體管具有相同的電特性，則流經(jīng)第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M4的電流iccl 與流經(jīng)第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M3的電流it-id相同。當(dāng)流經(jīng)第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M4的偏流iccl增大時(shí)，可構(gòu)建為緩 沖器形式的第一信號(hào)處理單元451的增益增大，且載波信號(hào)Carrier得到正常 的輸出緩沖。換句話說，可正常地發(fā)送模擬調(diào)制信號(hào)A一out。相反，當(dāng)?shù)谌齾?考偏壓Vb3降低時(shí)，由第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M4所產(chǎn)生的偏流iccl會(huì) 減小。在圖5所示的第一偏流提供電路420中，在每一級(jí)處流動(dòng)的電流之間的關(guān) 系可由方程式1表示。 [方程式1]it=id+iccl參見方程式l，由于流至第二電流源CS2的電流it是固定的，因而當(dāng)將流 經(jīng)第一電流源CS1的電流id與流經(jīng)第二電流源CS2的電流it調(diào)整至同時(shí)相同 (稱為id^it)時(shí)，偏流iw可最小化(稱為i「id)。相反，當(dāng)將流經(jīng)第一電 流源CSl的電流id調(diào)整至實(shí)質(zhì)為O時(shí)，it-id可最大化(稱為it)。因此，當(dāng)數(shù)字信號(hào)D—in的值為1時(shí)，流經(jīng)第一電流源CS1的電流id被調(diào) 整至實(shí)質(zhì)為0，從而使流經(jīng)第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M4的電流i。。,可最大 化(稱為it)。而當(dāng)數(shù)字信號(hào)D一in的值為0時(shí)，則將流經(jīng)第一電流源CS1的 電流id與流經(jīng)第二電流源CS2的電流it控制至相同的值，以減小流經(jīng)第四金屬 氧化物半導(dǎo)體晶體管M4的電流i。。,。調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生器450用于產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于改變 后電流i^的調(diào)制信號(hào)。下文將對(duì)改變模擬調(diào)制信號(hào)A—out的波形以調(diào)整調(diào)制系數(shù)進(jìn)行說明。在上文中已對(duì)通過調(diào)整第一偏流i^而調(diào)整第一信號(hào)處理單元451的增益 進(jìn)行了說明。此外，可通過改變第一偏流i。。，的調(diào)整時(shí)間而改變模擬調(diào)制信號(hào) A—out的波形。如上文所述，第一偏流控制信號(hào)bcl包含下降緣控制信號(hào)bcl一l及上升緣 控制信號(hào)bcl—2，這兩個(gè)控制信號(hào)bcl—1及bcl_2用于改變可變電阻器Rl及 R2的電阻值。參見圖5，下降緣調(diào)整電路530及上升緣調(diào)整電路550具有與低 通濾波器相同的結(jié)構(gòu)。因此，電阻值的改變會(huì)影響輸出電壓Vb2及Vc相對(duì)于 輸入電壓Vbl及Vb3的響應(yīng)速度。延遲特性會(huì)使第一偏流iw發(fā)生改變。換句話說，因用于產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于數(shù)字信號(hào)D—in之模擬調(diào)制信號(hào)A—out的第 一信號(hào)處理單元451的增益緩慢增大或緩慢減小，因而模擬調(diào)制信號(hào)A—out的 強(qiáng)度會(huì)發(fā)生改變。在信號(hào)自邏輯高狀態(tài)躍遷至邏輯低狀態(tài)的下降緣處，數(shù)字信號(hào)D_in的值 為0，因而流經(jīng)第一電流源CS1的電流id驟然增大，進(jìn)而使第一參考偏壓Vbl 減小。此處，下降緣調(diào)整電路530通過使第一參考偏壓Vbl延遲一預(yù)定時(shí)間而 產(chǎn)生第二參考偏壓Vb2。第一及第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管Ml及M2構(gòu)成電 流鏡，且第三及第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M3及M4也構(gòu)成電流鏡。因此， 當(dāng)流經(jīng)第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管Ml的電流id增大時(shí)，流經(jīng)第二金屬氧化11物半導(dǎo)體晶體管M2的電流增大，且流經(jīng)第三及第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M3及M4的電流發(fā)生改變，其改變量對(duì)應(yīng)于電流it-id，此是通過從可流經(jīng)第二 電流源CS2的總電流it中減去流經(jīng)第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M2的電流id 而計(jì)算得出。電流的改變會(huì)影響模擬調(diào)制信號(hào)A—out的下降緣。如上文所述， 下降緣調(diào)整電路530相應(yīng)下降緣控制信號(hào)bclj通過使第一參考偏壓Vbl延遲 一預(yù)定時(shí)間，從而產(chǎn)生第二參考偏壓Vb2，并可使用隨第二參考偏壓Vb2改變 的偏壓控制電壓Vc來調(diào)整流經(jīng)第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M4的電流的減小在信號(hào)自邏輯低狀態(tài)躍迀至邏輯高狀態(tài)的上升緣處，數(shù)字信號(hào)D一in的值 為1，因而流經(jīng)第一電流源CS1的電流id驟然變?yōu)閷?shí)質(zhì)為0。此處，流經(jīng)下降 緣調(diào)整電路530的電流id暫時(shí)中止，因而延時(shí)不受影響。然而，當(dāng)?shù)谝粎⒖?偏壓Vbl升高時(shí)，第二偏壓Vb2也升高。因第一及第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體 管Ml及M2形成電流鏡，故流經(jīng)第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的電流實(shí)質(zhì)變?yōu)?0。因此，流經(jīng)第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M3的電流實(shí)質(zhì)與流經(jīng)第二電流源 CS2的電流it相同。此外，因第三及第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M3及M4形 成電流鏡，故流經(jīng)第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M4的電流i。。,與流經(jīng)第三金屬 氧化物半導(dǎo)體晶體管M3的電流it相同。然而，流經(jīng)第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶 體管M4的電流通過偏壓控制信號(hào)Vc得到調(diào)整，且在第三參考偏壓Vb3流經(jīng)上 升緣調(diào)整電路550時(shí)，產(chǎn)生偏壓控制電壓Vc。如上文所述，上升緣調(diào)整電路 550相應(yīng)上升緣控制信號(hào)bcl—2而使第三參考偏壓Vb3延遲一預(yù)定時(shí)間，從而 產(chǎn)生偏壓控制信號(hào)Vc，并可借助偏壓控制電壓Vc而調(diào)整增大的電流。圖6圖解說明模擬調(diào)制信號(hào)A_out的波形變化量隨可變電阻器電阻值的變化。參見圖6，當(dāng)電阻值改變時(shí)，模擬調(diào)制信號(hào)A—out自矩形波變至鋸齒形波。 矩形波的能量與鋸齒形波的能量互不相同，因而顯然其調(diào)制系數(shù)值發(fā)生改變。根據(jù)本發(fā)明，提供一種可通過改變電阻值而自適應(yīng)性地隨系統(tǒng)環(huán)境改變調(diào) 制系數(shù)的發(fā)送機(jī)。圖7至9圖解說明根據(jù)本發(fā)明由發(fā)送機(jī)輸出的具有不同調(diào)制系數(shù)的模擬調(diào) 制信號(hào)A—out的實(shí)例。如上文所述，根據(jù)本發(fā)明的可調(diào)整調(diào)制系數(shù)的幅移鍵控發(fā)送機(jī)的優(yōu)點(diǎn)在 于，在實(shí)施幅移鍵控調(diào)制的模擬發(fā)送機(jī)中，可通過直接調(diào)整調(diào)制波形而產(chǎn)生具 有所需調(diào)制系數(shù)的發(fā)送信號(hào)。盡管上文是參照本發(fā)明的實(shí)例性實(shí)施例具體顯示及說明本發(fā)明，然而所屬 領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，可在形式及細(xì)節(jié)上對(duì)其作出各種改動(dòng)，此并不背離由 隨附權(quán)利要求書所界定的本發(fā)明的精神及范圍。
權(quán)利要求
1. 一種可調(diào)整調(diào)制系數(shù)的幅移鍵控發(fā)送機(jī)，其包含偏流提供單元，用于相應(yīng)所要發(fā)送的數(shù)字信號(hào)及一個(gè)或多個(gè)偏流控制信號(hào)而提供一個(gè)或多個(gè)偏流；以及調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生器，用于相應(yīng)所述一個(gè)或多個(gè)偏流而調(diào)制載波信號(hào)，從而產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于所述數(shù)字信號(hào)的調(diào)制信號(hào)。
2. 如權(quán)利要求1所述的幅移鍵控發(fā)送機(jī)，其特征在于所述一個(gè)或多個(gè)偏 流控制信號(hào)中的每一個(gè)均包含用于決定所述調(diào)制信號(hào)的下降緣躍遷時(shí)間的下 降緣控制信號(hào)以及用于決定所述調(diào)制信號(hào)的上升緣躍遷時(shí)間的上升緣控制信 號(hào)。
3. 如權(quán)利要求2所述的幅移鍵控發(fā)送機(jī)，其特征在于所述偏流提供單元 包含一個(gè)或多個(gè)偏流提供電路，以用于相應(yīng)所述數(shù)字信號(hào)及所述偏流控制信號(hào) 而產(chǎn)生所述偏流。
4. 如權(quán)利要求1所述的幅移鍵控發(fā)送機(jī)，其特征在于所述調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生 器包含一個(gè)或多個(gè)信號(hào)處理單元，用于相應(yīng)所述偏流而調(diào)制所述載波信號(hào)。
5. 如權(quán)利要求4所述的幅移鍵控發(fā)送機(jī)，其特征在于所述信號(hào)處理單元包含緩沖器。
6. 如權(quán)利要求4所述的幅移鍵控發(fā)送機(jī)，其特征在于所述偏流改變所述 信號(hào)處理單元的電特性。
7. 如權(quán)利要求6所述的幅移鍵控發(fā)送機(jī)，其特征在于所述信號(hào)處理單元 的電特性是所述信號(hào)處理單元的輸出信號(hào)相對(duì)于輸入信號(hào)的響應(yīng)延遲。
8. 如權(quán)利要求3所述的幅移鍵控發(fā)送機(jī)，其特征在于所述偏流提供單元 包含參考偏壓提供電路，用于相應(yīng)所述數(shù)字信號(hào)而提供第一參考偏壓；偏流控制電路，用于相應(yīng)所述第一參考偏壓、所述上升緣控制信號(hào)、及所述下降緣控制信號(hào)而產(chǎn)生偏壓控制電壓；以及偏流輸出電路，用于相應(yīng)所述偏壓控制電壓而產(chǎn)生所述偏流。
9. 如權(quán)利要求8所述的幅移鍵控發(fā)送機(jī)，其特征在于所述參考偏壓提供電路包含第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，其包含連接至第一源電壓的端子、另一端 子、及用于產(chǎn)生所述第一參考偏壓的柵極端子；以及第一電流源，其包含連接至一用于產(chǎn)生所述第一參考偏壓的節(jié)點(diǎn)的端子以 及連接至第二源電壓的另一端子，以相應(yīng)所述數(shù)字信號(hào)而調(diào)整電流。
10. 如權(quán)利要求8所述的幅移鍵控發(fā)送機(jī)，其特征在于所述偏流控制電路 包含下降緣控制電路，用于相應(yīng)所述下降緣調(diào)整信號(hào)而延遲所述第一參考偏壓，以產(chǎn)生第二參考偏壓；偏壓改變塊，用于產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于所述第二參考偏壓的第三偏壓；以及 上升緣調(diào)整電路，用于相應(yīng)所述上升緣控制信號(hào)而將所述第三參考偏壓延遲一預(yù)定時(shí)間，以產(chǎn)生所述偏壓控制電壓。
11. 如權(quán)利要求10所述的幅移鍵控發(fā)送機(jī)，其特征在于所述下降緣調(diào)整 電路包含第一電阻器，其包含連接至所述第一參考偏壓的端子，并具有相應(yīng)所述下 降緣控制信號(hào)而改變的電阻值；以及第一電容器，其包含一端子及連接至所述第二源電壓的另一端子，所述一 端子連接至所述第一電阻器的另一端子，以產(chǎn)生所述第二參考偏壓。
12. 如權(quán)利要求10所述的幅移鍵控發(fā)送機(jī)，其特征在于所述偏壓改變塊 包含第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，其包含連接至所述第一源電壓的端子及被 施加所述第二參考偏壓的柵極端子；第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，其包含連接至所述第一源電壓的端子、另 一端子、及用于產(chǎn)生所述第三參考偏壓的柵極端子；以及第二電流源，其包含連接至一節(jié)點(diǎn)的端子及連接至所述第二源電壓的另一 端子，其中所述節(jié)點(diǎn)用于產(chǎn)生所述第三參考偏壓。
13. 如權(quán)利要求12所述的幅移鍵控發(fā)送機(jī)，其特征在于所述第二電流源 是用于吸收電流的靜態(tài)電流源，所述電流的值是固定的。
14. 如權(quán)利要求11所述的幅移鍵控發(fā)送機(jī)，其特征在于所述上升緣調(diào)整電路包含第二電阻器，其包含連接至所述第三參考偏壓的端子，并具有相應(yīng)所述上 升緣控制信號(hào)而改變的電阻值；以及第二電容器，其包含一端子及連接至所述第二源電壓的另一端子，所述一 端子連接至所述第二電阻器的另一端子，以產(chǎn)生所述偏壓控制電壓。
15. 如權(quán)利要求13所述的幅移鍵控發(fā)送機(jī)，其特征在于所述偏流輸出電 路包含第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，所述第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管包含 連接至所述第一源電壓的端子，產(chǎn)生與施加至其柵極端子上的所述偏壓控制電 壓相對(duì)應(yīng)的所述偏流，并經(jīng)由其另一端子輸出所述偏流。
16. 如權(quán)利要求15所述的幅移鍵控發(fā)送機(jī)，其特征在于所述第三或第四 金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的類型是p型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管或n型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，且所述第三及第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的類型互不相 同。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可調(diào)整調(diào)制系數(shù)的幅移鍵控(ASK)發(fā)送機(jī)，其包含偏流提供單元，用于相應(yīng)所要發(fā)送的數(shù)字信號(hào)及一個(gè)或多個(gè)偏流控制信號(hào)而提供一個(gè)或多個(gè)偏流；以及調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生器，用于相應(yīng)所述一個(gè)或多個(gè)偏流而調(diào)制載波信號(hào)，從而產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于所述數(shù)字信號(hào)的調(diào)制信號(hào)。
文檔編號(hào)H04L27/20GK101262459SQ20071019970
公開日2008年9月10日 申請(qǐng)日期2007年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月8日
發(fā)明者林奎炫, 金泰晉 申請(qǐng)人:慧國(上海)軟件科技有限公司;慧榮科技股份有限公司