專利名稱：固態(tài)成像裝置以及該裝置和攝像機模塊的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種固態(tài)成像裝置及其制造方法，具體地說，涉及一種在像素中包括將光電轉(zhuǎn)換單元產(chǎn)生的電荷轉(zhuǎn)化為像素信號的單元的固態(tài)成像裝置，例如CMOS(互補金屬氧化物半導(dǎo)體)圖像傳感器，及其制造方法。這里CMOS圖像傳感器被描述為通過應(yīng)用CMOS工藝或部分采用CMOS工藝的圖像傳感器。而且，本發(fā)明涉及一種包括該固態(tài)成像裝置的攝像模塊。
背景技術(shù)：
CMOS圖像傳感器是一種固態(tài)成像裝置，其包括光電轉(zhuǎn)換元件和多個MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管形成的多個像素，該像素排列成二維陣列形式，其中由光電轉(zhuǎn)換單元(photoelectric converting unit)產(chǎn)生的電荷被轉(zhuǎn)化為像素信號并被讀取。近年來，這種CMOS圖像傳感器作為電子裝置，例如移動電話單元的內(nèi)置攝像頭，數(shù)字?jǐn)z像頭和數(shù)字?jǐn)z像機的成像元件已經(jīng)成為持續(xù)關(guān)注的焦點。
圖1展示了典型CMOS圖像傳感器(圖像傳感器芯片)的示意性設(shè)置。如圖1所示，CMOS圖像傳感器1包括半導(dǎo)體基板上(半導(dǎo)體基片)的像素陣列模塊(成像區(qū)域)2，以及作為外圍電路部分的豎直驅(qū)動電路3、快柵極驅(qū)動電路4、CDS(對應(yīng)于雙重采樣)電路5、水平驅(qū)動電路6、AGC(自動增益控制(automatic gain control)電路7、A/D(模擬-數(shù)字)轉(zhuǎn)換器(模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換電路)8、定時發(fā)生器9等。
如圖1所示，像素陣列模塊2包括二維陣列形式的多個像素，每個像素包括一個或多個光電轉(zhuǎn)換元件和MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管；各個像素的輸出信號線；和驅(qū)動每個像素的多個信號線。豎直驅(qū)動電路3向像素陣列提供信號，以選擇像素的讀取行。與豎直驅(qū)動電路3相同，快柵極驅(qū)動電路4用于選擇行，并可以通過與豎直驅(qū)動電路3一起調(diào)整時間間隔來調(diào)整(儲存)光電轉(zhuǎn)換元件的曝光時間。
從豎直驅(qū)動電路3選擇的行所讀取的信號輸入到每個列或多個列的CDS電路5。CDS電路5接受復(fù)位電平和來自每個像素的信號電平，并通過計算復(fù)位電平和信號電平的差值來除去每個像素的固定模式噪聲。水平驅(qū)動電路6順序選擇CDS處理的執(zhí)行信號和保留在各列當(dāng)中的信號。被選列的信號在下一階段提供到AGC電路7，施加適當(dāng)?shù)脑鲆妫ㄟ^A/D轉(zhuǎn)換器8轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，再輸出到圖像傳感器芯片的外面。而且，各電路模塊(豎直驅(qū)動電路3、快柵極驅(qū)動電路4、CDS電路5、水平驅(qū)動電路6、AGC電路7、A/D轉(zhuǎn)換器8等)通過定時發(fā)生器9中產(chǎn)生的信號被驅(qū)動。
圖1中圖解的模塊設(shè)置展示了CMOS圖像傳感器的實例。也可以使用其他的CMOS圖像傳感器，如芯片內(nèi)部不包括A/D轉(zhuǎn)換器的CMOS圖像傳感器、各列中包括A/D轉(zhuǎn)換器的CMOS圖像傳感器、包括單CDS電路的CMOS圖像傳感器、包括多個輸出系統(tǒng)如CDS電路、AGC電路和類似物的CMOS圖像傳感器。通過提供到每列的像素輸出線10信號從像素被讀取到CDS電路5。
圖2展示了上述CMOS圖像傳感器的像素和外圍電路的實例。如圖2所示，CMOS圖像傳感器21包括多個像素(單元晶胞)23構(gòu)成的二維陣列所形成的像素陣列模塊(成像區(qū)域)24，每個像素包括一個例如由光電二極管制成的光電轉(zhuǎn)換元件22和多個MOS晶體管及外圍電路部分。
光電轉(zhuǎn)換元件22接收光并儲存光電轉(zhuǎn)化產(chǎn)生的信號電荷。每個像素設(shè)置有多個MOS晶體管，在本例中有4個晶體管，具體地講是轉(zhuǎn)換晶體管26、復(fù)位晶體管27，放大晶體管28和選擇晶體管29。轉(zhuǎn)換晶體管26將儲存在光電轉(zhuǎn)換元件22中的信號電荷轉(zhuǎn)換為漂流擴散(floating diffusion)(FD)，換言之，即放大晶體管28的柵極。復(fù)位晶體管27將放大晶體管28的柵極電位復(fù)位。放大晶體管28放大信號電荷。選擇晶體管29選擇輸出像素。
在像素23中，轉(zhuǎn)換晶體管26的源極連接到光電轉(zhuǎn)換元件22，而轉(zhuǎn)換晶體管26的漏極連接到復(fù)位晶體管27的源極?？刂茤艠O電位的轉(zhuǎn)換信號線31連接到轉(zhuǎn)換晶體管26的柵極上。復(fù)位晶體管27的漏極連接到電源電位提供線30，而其柵極連接到復(fù)位信號線32，以控制柵極電位。放大晶體管28的漏極連接到電源電位提供線30，其源極連接到選擇晶體管29的漏極，而其柵極連接到轉(zhuǎn)換晶體管26和復(fù)位晶體管27之間的漂流擴散(FD)。選擇晶體管29的源極連接到像素輸出線34，而其柵極連接到選擇信號線33，以控制柵極電位。
提供恒定電流的晶體管36連接到像素輸出線34，并向選通的放大晶體管28提供恒定電流，使得放大晶體管28作為源輸出晶體管運行，并向像素輸出線34輸出放大晶體管28的柵極電位和與放大晶體管28具有恒定電壓差的電位。提供恒定電位的恒定電位提供線37連接到晶體管36的柵極上，使得晶體管36處在提供恒定電流的飽和區(qū)運行。
另一方面，豎直選擇器41、列選擇器42和CDS(相關(guān)重采樣)電路43配置為外圍電路。而且，像素23的每行提供有行選擇“與”元件45，其輸出端連接到轉(zhuǎn)換信號線31上；行選擇“與”元件46，其輸出端連接到復(fù)位信號線32上；和行選擇“與”元件47，其輸出端連接到選擇信號線33。
每行的行選擇“與”元件45的一個輸入端連接到用以向轉(zhuǎn)換信號線31提供轉(zhuǎn)換脈沖的脈沖終端48上，而其另一輸入端連接到豎直選擇器41的輸出。每行的行選擇“與”元件46的一個輸入端連接到用以向復(fù)位信號線32提供復(fù)位脈沖的脈沖終端49上，而另一輸入端連接到豎直選擇器41的輸出。每行的行選擇“與”元件47的一個輸入端連接到用以向選擇信號線33提供選擇脈沖的脈沖終端50上，而其另一輸入端連接到豎直選擇器41的輸出。
根據(jù)上述設(shè)置，每個控制脈沖只提供給豎直選擇器41選擇的信號線。從每個像素23的讀取操作按照如下說明與圖3所示的驅(qū)動信號一起執(zhí)行。
如圖3所示，轉(zhuǎn)換信號(脈沖)S1提供給轉(zhuǎn)換信號線31，復(fù)位信號(脈沖)S2提供給復(fù)位信號線32，而選擇信號(脈沖)S3提供給選擇信號線33。
首先，提供選擇脈沖S3和復(fù)位脈沖S2。待讀取行的選擇晶體管29和復(fù)位晶體管27導(dǎo)通，而放大晶體管28的柵極(漂流擴散FD)復(fù)位。復(fù)位晶體管27截止后，對應(yīng)每個像素23的復(fù)位電平的電壓在下一狀態(tài)讀入到CDS電路43。此后，提供轉(zhuǎn)換脈沖S1，而且轉(zhuǎn)換晶體管26導(dǎo)通，以轉(zhuǎn)換儲存在光電轉(zhuǎn)換元件22中的電荷到漂流擴散(FD)，換言之，即放大晶體管28的柵極。電荷轉(zhuǎn)換后，轉(zhuǎn)換晶體管26截止，而對應(yīng)電荷儲存量的電壓在下一狀態(tài)讀入到CDS電路43。
CDS電路43計算先前讀取的復(fù)位電平與信號電平之間的差值，并根據(jù)每個像素的放大晶體管28的柵極限電壓Vth的變化來除去固定模式噪聲。當(dāng)CDS電路43內(nèi)的儲存信號被列選擇器42選定時，選通信號通過水平信號線44在下一狀態(tài)如AGC(自動增益控制)電路開始處理的狀態(tài)讀入到電路中。
圖4是展示圖1所示的像素陣列模塊2的示意性剖面結(jié)構(gòu)的示意圖。在該像素陣列部分，對應(yīng)各像素的多個光電轉(zhuǎn)換元件22形成在半導(dǎo)體基板51上。雖然圖4只示出了光電轉(zhuǎn)換元件22，但是上述的其他MOS晶體管26、27、28和29也形成在相應(yīng)的像素上。多個布線層，在該例中三個布線層53、54和55，通過絕緣中間層52形成在半導(dǎo)體基板51上。這些布線層對應(yīng)于豎直信號線34、復(fù)位信號線32、轉(zhuǎn)換信號線31、選擇信號線33、電源提供線30和獨立提供到這些線30至34上的連接電極(連接各信號線和MOS晶體管)。
這里，水平和豎直方向上的信號線(34、32、31、33和連接電極)設(shè)置為形成圍繞光電轉(zhuǎn)換元件22的口開部分。電源布線30對應(yīng)于第三布線層55，并形成在最上層。如圖5所示，該布線層55作為電源提供線30形成為具有對應(yīng)于光電轉(zhuǎn)換元件22[220、221、222…]的開口61。這些布線層53至55還可以作為遮光層。顏色濾光片63形成在最上層的絕緣中間層(即平坦化膜(planarized film)62)上，而片裝微型透鏡64形成在顏色濾光片63上。
當(dāng)前，如上所述的固態(tài)成像裝置典型地包括片裝微型透鏡，以提高光學(xué)聚焦率。但是，在光傾斜入射的成像區(qū)域的外圍部分，由片裝微型透鏡聚焦的光中心從光電轉(zhuǎn)換元件的中心移位。因此，降低了光學(xué)聚焦率，進(jìn)而降低了靈敏度。與中心相比成像區(qū)域的外圍部分靈敏度的下降更大，而且導(dǎo)致“遮光”的結(jié)果。因此片裝微型透鏡被移位以控制該遮光現(xiàn)象。
而且，由于CMOS圖像傳感器包括多個布線層，布線層遮擋入射光而造成遮光。由于CCD(電荷耦合裝置)固態(tài)成像裝置具有與CMOS圖像傳感器不同的結(jié)構(gòu)，入射光不被布線層遮擋。日本未審查專利申請2004-253568號和2003-273342號已經(jīng)提出了通過移位布線層來控制遮光的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
在CMOS圖像傳感器中，有必要移位布線層并保持電連接。因此，在整個表面例如圖5所示的形成電源提供線的布線層55的布線中，布線層可以相對容易地移位。例如上述在水平和豎直方向延伸的布線層53和54的布線連接到外圍電路，因此不能移位。結(jié)果，入射光可能被布線層53和54遮擋造成遮光現(xiàn)象。
具體地講，如圖6所示，連接到像素的布線63(對應(yīng)于布線層53和54)包括各光電轉(zhuǎn)換元件22[220、221、222]，形成在成像區(qū)域61中；并且豎直驅(qū)動電路，這里，構(gòu)成豎直驅(qū)動的MOS晶體管65形成在外圍電路62中。該MOS晶體管65包括一對源/漏區(qū)域66和67及柵極電極68。電極(布線)69和70連接到各源/漏區(qū)域66和67。構(gòu)成豎直驅(qū)動器的MOS晶體管65形成為使得電極69和70和接觸部分71的位置可以固定到預(yù)定的位置。因此，為了連接成像區(qū)域61的布線63與源/漏區(qū)域66中的電極69，即為了延伸布線63以連接到圖6所示的接觸部分71，布線63應(yīng)該形成在預(yù)定的位置上，而且不可以根據(jù)成像區(qū)域的光瞳校正量(pupil correction amount)移位。
換言之，外圍電路的布線位置是固定的。因此，如果上述布線層53和54移位，并且形成為防止遮擋傾斜入射的光，則布線53和54可以不連接到外圍電路62的布線69上。因此，布線層53和54的位置可以不移位。
另一方面，日本未審查專利申請2003-273342號(見圖7)提出了一種方法，其中每個外圍電路84的布線84A和像素陣列80中根據(jù)光瞳校正量移位的每個信號線82通過都設(shè)置在外圍電路84中的布線單元元件86連接。因此，在信號線和外圍電路位置不對準(zhǔn)的情況下，配線可以連接到外圍電路上。但是，當(dāng)布線圖案形成為使得信號線82和外圍電路的布線84A使用配線單元元件86集成時，根據(jù)光瞳校正量的每一布線圖案應(yīng)該需要不同的排布，從而使得用以布置配線的掩模設(shè)計變得困難。
希望提供一種通過成像區(qū)域布線移位來有效控制遮光并且用以布置配線的掩模設(shè)計也很容易的固態(tài)成像裝置及其制造方法。
同樣，希望提供包括這樣的固態(tài)成像裝置的攝像模塊。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供了包括成像區(qū)域和外圍電路的固態(tài)成像裝置，該成像區(qū)域包括具有光電轉(zhuǎn)換單元和晶體管元件的陣列像素，其中，在該成像區(qū)域中，根據(jù)光瞳校正量而移位的布線和在外圍電路中不移位的布線通過與該布線中一個或全部兩個整體形成在一起的連接擴展部分(connection expanded portion)而連接。
在根據(jù)本發(fā)明實施例的固態(tài)成像裝置中，由于連接擴展部分形成在成像區(qū)域中的移位布線和在外圍電路中的未移位布線中的一個或兩者上，在成像區(qū)域中的布線可以在連接擴展部分的范圍內(nèi)移位，而移位的布線和外圍電路中的未移位布線可以連接。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供了包括成像區(qū)域和外圍電路的固態(tài)成像裝置，該成像區(qū)域包括具有光電轉(zhuǎn)換單元和晶體管元件的陣列像素，其中在該成像區(qū)域中根據(jù)光瞳校正量而移位的布線通過與該布線整體形成的連接擴展部分連接到外圍電路中的元件的接觸區(qū)域。
在根據(jù)本發(fā)明實施例的固態(tài)成像裝置中，由于連接擴展部分整體形成在移位的布線上，而且該連接擴展部分和外圍電路元件的接觸部分在該連接擴展部分的范圍內(nèi)連接，因此該成像區(qū)域內(nèi)的布線可移位。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供了包括成像區(qū)域和外圍電路的固態(tài)成像裝置的制造方法，該成像區(qū)域包括具有光電轉(zhuǎn)換單元和晶體管元件的陣列像素，其中在該成像區(qū)域中根據(jù)光瞳校正量而移位的布線和在外圍電路中不移位的布線相連接。該方法包括以下步驟在不同層上形成成像區(qū)域布線和外圍電路布線；并且通過與該布線中一個或兩者整體形成的連接擴展部分來連接所述兩個布線。
在根據(jù)本發(fā)明實施例的固態(tài)成像裝置的制造方法中，由于成像區(qū)域的布線和外圍電路的布線通過連接擴展部分連接，因此只有成像區(qū)域中的布線可以移位，而外圍電路的布線不移位。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供了包括成像區(qū)域和外圍電路的固態(tài)成像裝置，該成像區(qū)域包括具有光電轉(zhuǎn)換單元和晶體管元件的陣列像素，其中在該成像區(qū)域中根據(jù)光瞳校正量而移位的布線和在外圍電路中不移位的布線相連接。該方法包括用單布線層形成通過擴展部分連接的在成像區(qū)域中的布線和在外圍電路中的布線的步驟。
在根據(jù)本發(fā)明實施例的固態(tài)成像裝置的制造方法中，由于成像區(qū)域中的布線和外圍電路中的布線通過連接擴展部分連接，因此只有成像區(qū)域中的布線可以移位，而外圍電路中的布線不移位。而且由于彼此連接的外圍電路中的布線和成像區(qū)域的布線由單布線層形成，可以減少制造工序。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供了包括成像區(qū)域和外圍電路的固態(tài)成像裝置，該成像區(qū)域包括具有光電轉(zhuǎn)換單元和晶體管元件的陣列像素，其中在該成像區(qū)域中根據(jù)光瞳校正量而移位的布線和在外圍電路中不移位的元件相連接。該方法包括以下步驟使用單布線層形成在成像區(qū)域中的布線和在該布線的延伸端部分的連接擴展部分；并且連接該連接擴展部分和元件的接觸區(qū)域。
在根據(jù)本發(fā)明實施例的固態(tài)成像裝置中，由于在成像區(qū)域中的布線和在延伸端部分的連接擴展部分由單布線層形成，而且成像區(qū)域中的布線和外圍電路中的元件的接觸部分通過連接擴展部分連接，因此只有成像區(qū)域中的布線可以移位，而外圍電路元件的接觸區(qū)域不移位。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供了包括固態(tài)成像裝置和光學(xué)透鏡系統(tǒng)的攝像機模塊，其中，固態(tài)成像裝置包括成像區(qū)域和外圍電路，該成像區(qū)域包括具有光電轉(zhuǎn)換單元和晶體管元件的陣列像素。成像區(qū)域中根據(jù)光瞳校正量而移位的布線與外圍電路中不移位的布線通過與該布線中一個或兩者整體形成的連接擴展部分相連接。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供了包括固態(tài)成像裝置和光學(xué)透鏡系統(tǒng)的攝像機模塊，其中，固態(tài)成像裝置包括成像區(qū)域和外圍電路，該成像區(qū)域包括具有光電轉(zhuǎn)換單元和晶體管元件的陣列像素。成像區(qū)域中根據(jù)光瞳校正量而移位的布線通過與該布線整體形成的連接擴展部分連接到外圍電路中的元件的接觸區(qū)域。
在根據(jù)實施例的固態(tài)成像裝置中，由于只有成像區(qū)域內(nèi)的布線可以移位，而形成在外圍電路中的布線或元件的接觸區(qū)域不移位，因此可以更有效地控制由多層布線引起的遮光現(xiàn)象。而且當(dāng)設(shè)計用于布置配線的掩模時，由于掩?？梢栽O(shè)計成使得與連接擴展部分集成在一起的布線上的圖案數(shù)據(jù)為不變的，而連接位置可以根據(jù)光瞳校正量而改變，因此掩模容易設(shè)計。
而且，在根據(jù)實施例的固態(tài)成像裝置的制造方法中，只有成像區(qū)域中的布線可以移位，而且形成在外圍電路中的布線或元件的接觸區(qū)域不移位，因此可以更有效地控制由多層布線引起的遮光現(xiàn)象。
此外，在根據(jù)實施例的攝像機模塊中，由于攝像機模塊包括上述可控制遮光的固態(tài)成像裝置，因此可以提高圖像質(zhì)量。


圖1是展示CMOS攝像傳感器實例的框圖；圖2是展示CMOS攝像傳感器的像素和外圍電路實例的示意圖；圖3是與圖2所示的CMOS攝像傳感器一起使用的驅(qū)動信號的波形圖；圖4是展示根據(jù)相關(guān)技術(shù)的成像區(qū)域剖面結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖5是展示整個表面布線上的布線從成像區(qū)域中移位的實例的平面圖；圖6是展示成像區(qū)域內(nèi)布線和根據(jù)相關(guān)技術(shù)的外圍電路布線的連接實例的平面圖；圖7是展示成像區(qū)域內(nèi)布線和根據(jù)相關(guān)技術(shù)的外圍電路布線的連接的另一實例的平面圖；圖8是展示根據(jù)本發(fā)明第一實施例的固態(tài)成像裝置的主要部分的框圖；圖9是展示根據(jù)本發(fā)明第一實施例的連接擴展部分的實例的示意圖；圖10A和圖10B分別是展示根據(jù)本發(fā)明第一實施例的連接擴展部分實例的示意圖；圖11是展示根據(jù)本發(fā)明第一實施例的成像區(qū)域剖面結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖12是展示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的固態(tài)成像裝置的主要部分的框圖；圖13是展示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的連接擴展部分的實例的示意圖；圖14A和圖14B分別是展示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的連接擴展部分的實例的示意圖；圖15是展示根據(jù)本發(fā)明第三實施例的固態(tài)成像裝置的主要部分的框圖；圖16是展示根據(jù)本發(fā)明實施例的模塊的框圖。
具體實施例方式
下面參照附圖描述本發(fā)明的實施例。
圖8至圖11是展示根據(jù)本發(fā)明第一實施例的固體成像裝置的示意圖。如圖8所示，固態(tài)成像裝置101包括成像區(qū)域和外圍電路，其中，在所述成像區(qū)域中，由光電轉(zhuǎn)換元件形成的多個單位晶胞和用以從該光電轉(zhuǎn)換元件讀取信號的MOS晶體管排列成二維陣列。單位晶胞可以是由一個光電轉(zhuǎn)換元件和多個MOS晶體管形成的一個像素，或者可以由包括多個光電轉(zhuǎn)換元件共享的多個MOS晶體管的多個像素所形成。
例如，圖1和圖2所示的前面提到的CMOS攝像傳感器，或者其改變后的CMOS攝像傳感器部分可以應(yīng)用于根據(jù)本發(fā)明實施例的固態(tài)成像裝置101。
應(yīng)該注意的是，圖2中的像素輸出線34、傳輸信號線31、復(fù)位信號線32和選擇信號線33例如由除了最上層之外的不同的布線層形成，而電源電位提供線(電源線)30由最上層的布線層形成。復(fù)位信號線32和選擇信號線33由同一布線層形成。
如圖8所示，在本發(fā)明的實施例中，布線106、107、108連接到成像區(qū)域102中包括光電轉(zhuǎn)換元件110、111和112的各自像素上，而且根據(jù)光瞳校正量移位。布線106、107、108通過與布線層125整體地形成在一起的連接擴展部分130連接到外圍電路103中不移位的布線125上。圖8展示了圖1所示的像素陣列模塊部分，即成像區(qū)域2與豎直驅(qū)動電路3連接。
在該實施例中，在根據(jù)光瞳校正量而移位的布線方向上具有預(yù)定寬度的連接擴展部分130設(shè)置在從豎直驅(qū)動電路延伸出的布線125的尖端部分，這里，豎直驅(qū)動器127、128和129由MOS晶體管121形成。更具體地講，連接擴展部分130的寬度至少為相對于距成像區(qū)域102中心的距離的最大移位寬度。豎直驅(qū)動器127至129中的布線125沒有移位，而是固定在預(yù)定的位置。
另一方面，成像區(qū)域102中的布線106至108形成在對應(yīng)光瞳校正量的位移的位置上，該光瞳校正量根據(jù)成像區(qū)域102中心到外圍的距離而改變，進(jìn)而連接端在豎直驅(qū)動器127到129中連接到布線125的連接擴展部分130上。布線106至108形成為使得移位量從成像區(qū)域102中心到外圍逐漸增加。
豎直驅(qū)動器127到129中的每個MOS晶體管121包括一對源/漏區(qū)域122、123，以及通過柵極絕緣膜形成的柵極電極124，而布線(電極)125和126通過接觸區(qū)域120形成在源/漏區(qū)域122和123上。連接擴展部分130形成在一個源/漏區(qū)域122的布線125上。
作為信號線的布線106至108連接到連接擴展部分130上的依次分布的位置上，該連接擴展部分130設(shè)置在豎直驅(qū)動器127至129中的布線125上。根據(jù)本發(fā)明的第一實施例，成像區(qū)域102中的布線106至108、豎直驅(qū)動器127至129中的布線125和連接擴展部分130通過第一布線層整體形成。
對于對應(yīng)于成像區(qū)域102豎直方向上的所有像素而形成的所有的豎直驅(qū)動器，包括連接擴展部分130的布線125的圖案形狀可以制成與布線125相同。具體地講，提供了一種布線圖案。在這一情況下，如圖9所示，圖案成形為使得布線125從連接擴展部分130的中心延伸出來。因此，連接擴展部分130的整個寬度W3對應(yīng)于相對于距成像區(qū)域102中心的距離的最大移位寬度的兩倍，而且能夠接觸。
在圖9所示的圖案形狀的情況下，由于作為信號線的布線(106至108)在以通過成像區(qū)域102中心的水平軸為界限的上下區(qū)域內(nèi)的相反方向上移位，結(jié)果對應(yīng)的連接擴展部分130大約一半的區(qū)域沒有用于連接。
因此，如圖10A和10B所示，可以除去連接擴展部分130的未使用部分，而且與連接擴展部分130一起的布線125的圖案可以形成為如下描述的形狀。具體地講，該連接擴展部分130關(guān)于以通過成像區(qū)域102中心的水平軸為界限的上下區(qū)域內(nèi)具有對稱的圖案形狀，即連接擴展部分130[130A，130B]的寬度等于對應(yīng)光瞳校正量的最大移位量W2，而且具有接觸寬度W3。圖10A展示了成像區(qū)域102的上區(qū)域的布線圖案，而圖10B展示了成像區(qū)域102的下區(qū)域的布線圖案。更具體地講，兩種布線圖案按照外圍電路103的布線圖案形成。應(yīng)該注意的是，圖10A和10B所示的布線圖案是根據(jù)布線63的狀態(tài)形成的，其中布線63在圖6所示成像區(qū)域中的相關(guān)技術(shù)中沒有移位。
雖然沒有示出，但是可以通過上面提到的提供給外圍電路103的布線的連接擴展部分130來連接移位的像素輸出線34(見圖2)和外圍電路中沒有移位的布線。這種情況下，像素輸出線34可以由第一層的布線層以外的布線層形成，外圍電路103的布線和連接擴展部分130可以由第一布線層形成，而連接擴展部分130和像素輸出線34可以通過埋入導(dǎo)電層(buried conductivelayer)連接。
仍如前述，最上布線層的電源提供線30形成為使得對應(yīng)于光電轉(zhuǎn)換元件的開口位置可以根據(jù)光瞳校正量從中心向外圍移位。類似地，片裝微型透鏡(on-chip microlens)和顏色濾光片(color filter)形成為使得其移位量從中心向外圍增加。
圖11展示了根據(jù)本發(fā)明實施例的成像區(qū)域的示意性剖面結(jié)構(gòu)。在該成像區(qū)域中，對應(yīng)各像素的多個光電轉(zhuǎn)換元件22形成在半導(dǎo)體基板91上。雖然圖11只示出了光電轉(zhuǎn)換元件，但是多個以上描述的其他MOS晶體管也形成在相應(yīng)的像素上。如圖11所示，多個布線層(在此例中為三個布線層93、94和95)穿過絕緣中間層92形成在半導(dǎo)體基板91上。三個布線層93、94和95形成為使得開口中心可以從光電轉(zhuǎn)換元件22的中心移位，即根據(jù)光瞳校正量從成像區(qū)域的中心向外圍移位。顏色濾光片97和片裝微型透鏡98形成在最上層的絕緣中間層(即平坦化膜96)上。顏色濾光片97和片裝微型透鏡98也形成為使得其中心從光電轉(zhuǎn)換元件22的中心移位。
根據(jù)本發(fā)明第一實施例的固態(tài)成像裝置可以按如下制造。在半導(dǎo)體基板中形成成像區(qū)域的區(qū)域上，形成由光電轉(zhuǎn)換元件和晶體管形成的像素二維陣列，并且在形成外圍電路的區(qū)域上形成相應(yīng)的電路。然后，第一布線層形成為穿過絕緣中間層，并且通過在第一布線層上進(jìn)行一次圖案成形來形成彼此連接的成像區(qū)域中的布線106至108、連接擴展部分130和外圍電路中的布線125。而且，連接到像素輸出線的外圍電路中的布線例如由第一布線層形成，以致包括連接擴展部分。此后，形成絕緣中間層，并且在該絕緣中間層上形成連接到上述連接擴展部分的埋入導(dǎo)電層。接下來，由第二布線層形成連接到該埋入導(dǎo)電層的像素輸出線。隨后，穿過絕緣中間層由第三布線層形成電源線，并通過平坦化膜形成顏色濾光片和片裝微型透鏡。
在根據(jù)本發(fā)明第一實施例的固態(tài)成像裝置101中，具有對應(yīng)于根據(jù)光瞳校正量的至少最大移位寬度或更大預(yù)定寬度的連接擴展部分130形成在外圍電路103中的布線上，例如，在豎直驅(qū)動電路的布線125上，而且成像區(qū)域102中的移位的布線106至108通過該連接擴展部分130連接到外圍電路上。因此，只有成像區(qū)域102的布線106至108在不需豎直驅(qū)動電路內(nèi)的布線125移位的情況下移動。因此，可以提供有效控制遮光的固態(tài)成像裝置。而且，當(dāng)設(shè)計用于布置配線的掩模時，可以使用這樣的數(shù)據(jù)進(jìn)行設(shè)計，即外圍電路布線125和提供在尖端的連接擴展部分130的布線圖案數(shù)據(jù)一致，而且連接到成像區(qū)域內(nèi)移位的布線106至108上的布線位置根據(jù)光瞳校正量的不同而不同。因此，與上述根據(jù)2003-273342號日本未審查專利申請中每個布線數(shù)據(jù)都不同的情況相比，掩模更容易設(shè)計。
根據(jù)該第一實施例，連接擴展部分130與作為外圍電路103的豎直驅(qū)動電路內(nèi)未移位的布線125整體形成，而連接擴展部分130可以與成像區(qū)域102內(nèi)移位的布線106至108整體地形成。
圖12是展示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的固態(tài)成像裝置的示意圖。固態(tài)成像裝置138包括成像區(qū)域和外圍電路，其中，在所述成像區(qū)域中，每個由多個光電轉(zhuǎn)換元件和用以從該光電轉(zhuǎn)換元件讀取信號的多個MOS晶體管所形成的多個單位晶胞設(shè)置成二維陣列。單位晶胞的設(shè)置與本發(fā)明第一實施例中描述的相同。
而且在本發(fā)明的第二實施例中，與第一實施例相類似，可以采用圖1和圖2所示的前面提到的CMOS攝像傳感器。與本發(fā)明第一實施例中的情況類似，可以選擇各信號線和多層布線層之間的關(guān)系。
如圖12所示，根據(jù)本發(fā)明第二實施例，布線106、107、108通過連接擴展部分140和141彼此連接，其中，所述布線106、107、108作為信號線連接到成像區(qū)域102內(nèi)包括光電轉(zhuǎn)換元件110、111和112的各像素上，并根據(jù)光瞳校正量移位，而布線125在外圍電路103中未移位。圖12展示了前面提到的圖1所示的像素陣列模塊，即成像區(qū)域2，和形成外圍電路的豎直驅(qū)動電路3連接。
在該第二實施例中，在根據(jù)光瞳校正量而移位的布線方向上具有預(yù)定寬度的連接擴展部分140設(shè)置在成像區(qū)域102中的各布線106至108的尖端。另一方面，在根據(jù)光瞳校正量而移位的布線方向上具有預(yù)定寬度的連接擴展部分141設(shè)置在從豎直驅(qū)動電路延伸出的布線125的尖端部分，這里，豎直驅(qū)動器127、128和129由MOS晶體管121形成。即，連接擴展部分140和141的寬度可以至少為對應(yīng)于距成像區(qū)域102中心的距離的最大移位寬度。
豎直驅(qū)動器127至129中的布線125沒有移位，而固定到預(yù)定的位置。成像區(qū)域中的布線106至108形成在對應(yīng)光瞳校正量而分布的位置上，該光瞳校正量根據(jù)成像區(qū)域中心到外圍的距離而變化。布線106至108形成為使得移位量從成像區(qū)域102中心到外圍逐漸增加。連接擴展部分140和141形成在成像區(qū)域102和外圍電路103之間的界限附近。
在第二實施例中，豎直驅(qū)動器127至129中的布線125和該布線125尖端的連接擴展部分141由預(yù)定的布線層(在本例中是第一層)整體形成。作為信號線的布線106至108和該布線106至108尖端的連接擴展部分140由預(yù)定的布線層(在本例中是第二層)整體形成。對應(yīng)的連接擴展部分140和141通過形成在絕緣中間層中的埋入導(dǎo)電層連接。具體地講，在根據(jù)光瞳校正量依次移位的位置上，作為信號線的布線106至108的連接擴展部分140連接到為豎直驅(qū)動器127至129的布線125所提供的連接擴展部分141。
每個豎直驅(qū)動器127至129中MOS晶體管121的設(shè)置與第一實施例中的說明情況類似，因此不再詳細(xì)描述。
布線106至108和125包括形成在其尖端的連接擴展部分140和141，其圖案形狀可以制成為使得對應(yīng)成像區(qū)域102豎直方向的所有像素所形成的所有豎直驅(qū)動器內(nèi)的布線125相同(見圖13)。即提供一種布線圖案。
而且，在圖13所示的圖案形狀的情況下，由于布線(106至108)作為信號線在通過成像區(qū)域102中心的水平軸為界限的上下區(qū)域內(nèi)以相反的方向移位，結(jié)果各連接擴展部分140和141大約一半的區(qū)域沒有用于連接。
因此，如圖14A和14B所示，可以除去連接擴展部分140和141的未使用部分，而且布線106至108和125及連接擴展部分140和141的圖案可以形成為如下描述的形狀。具體地講，該連接擴展部分140關(guān)于以通過成像區(qū)域102中心的水平軸為界限的上下區(qū)域具有對稱的圖案形狀，即連接擴展部分140[140A，140B]和141[141A，141B]的寬度等于對應(yīng)光瞳校正量的最大移位量W2，而且具有接觸寬度W3。圖14A展示了上區(qū)域的布線圖案，而圖10B展示了下區(qū)域的布線圖案。更具體地講，在此情況下，兩種布線圖案分別形成為成像區(qū)域102的布線圖案和外圍電路103的布線圖案。應(yīng)該注意的是，圖14A和14B所示的布線圖案是根據(jù)布線63的狀態(tài)形成的，其中布線63在圖6所示成像區(qū)域中的相關(guān)技術(shù)中沒有移位。
此外，未移位的布線125的連接擴展部分141可以具有足夠的接觸寬度，而且移位的布線106至108內(nèi)的單獨的連接擴展部分140可以具有圖13、圖14A和14B所示的設(shè)置形式。而且連接擴展部分140和141之間的關(guān)系可以顛倒過來。
雖然圖中沒有示出，但是可以使用連接擴展部分來連接移位的像素輸出線34和未移位的外圍電路的布線，類似于上面描述的通過形成在絕緣中間層內(nèi)的埋入導(dǎo)電層提供在各布線上的情況。作為選擇，與第一實施例相同，像素輸出線34和連接到該像素輸出線34的外圍電路內(nèi)的布線可以由第一層的布線層形成。而且，由最上布線層形成的電源提供線可以形成為使得對應(yīng)光電轉(zhuǎn)換元件的開口位置根據(jù)光瞳校正量從中心向外圍移位，同時片裝微型透鏡和顏色濾光片也可以從中心向外圍移位。根據(jù)本發(fā)明第二實施例的成像區(qū)域的示意性剖面結(jié)構(gòu)可以與圖11中展示的相同。
根據(jù)本發(fā)明第二實施例的固態(tài)成像裝置可以按如下制造。在半導(dǎo)體基板形成成像區(qū)域的區(qū)域上，形成由光電轉(zhuǎn)換元件和晶體管形成的像素二維陣列，并且在形成外圍電路的區(qū)域上形成相應(yīng)的電路。然后，通過絕緣中間層構(gòu)第一布線層圖案可以形成在外圍電路例如整體形成的豎直驅(qū)動電路中的具有連接擴展部分141的布線。同樣，像素輸出線和外圍電路中連接到該像素輸出線的布線例如由第一布線層形成。此后，形成絕緣中間層，并且在該絕緣中間層上形成連接到上述連接擴展部分141的埋入導(dǎo)電層。之后，形成第二布線層，并給該第二布線層構(gòu)圖來形成具有整體形成在成像區(qū)域內(nèi)的連接擴展部分140的布線。這里，布線形成為使得連接擴展部分140可以連接到埋入導(dǎo)電層。接下來，可以通過絕緣中間層由第三布線層形成電源提供線，并通過平坦化膜形成顏色濾光片和片裝微型透鏡。
在根據(jù)本發(fā)明第二實施例的固態(tài)成像裝置138中，具有至少對應(yīng)根據(jù)光瞳校正量的最大移位寬度或更大預(yù)定寬度的連接擴展部分140和141形成在外圍電路103中的一個或全部兩個布線上，例如，在豎直驅(qū)動電路的布線125和成像區(qū)域102中的布線106至108上，而且連接擴展部分140和141都是連接的。所以，只有成像區(qū)域102內(nèi)的布線106至108的設(shè)置不需豎直驅(qū)動電路內(nèi)布線125的移位。因此，可以提供有效控制遮光的固態(tài)成像裝置。而且，當(dāng)設(shè)計用于布置配線的掩模時，可以使用這樣的數(shù)據(jù)進(jìn)行設(shè)計掩模，即布線125和提供在尖端的連接擴展部分141的布線圖案數(shù)據(jù)一致，而且提供在布線106至108的尖端上的連接擴展部分140和連接擴展部分141的連接位置根據(jù)光瞳校正量的不同而不同。因此，與上述日本未審查專利申請2003-273342號中每個布線數(shù)據(jù)都不同的情況相比，掩模更容易設(shè)計。
圖15是展示根據(jù)本發(fā)明第三實施例的固態(tài)成像裝置的示意圖。根據(jù)本發(fā)明第三實施例的固態(tài)成像裝置151包括成像區(qū)域和外圍電路，其中，在所述成像區(qū)域中，由光電轉(zhuǎn)換元件形成的多個單位晶胞和用以從該光電轉(zhuǎn)換元件讀取信號的多MOS晶體管排列成二維陣列。單位晶胞的設(shè)置與本發(fā)明第一實施例中描述的類似。
而且，與第一實施例相類似，在本發(fā)明的第三實施例中可以應(yīng)用圖1和圖2所示的前面提到的CMOS攝像傳感器。各信號線和多層布線層之間的關(guān)系可以制造為與本發(fā)明第一實施例中的情況相類似。
如圖15所示，根據(jù)本發(fā)明的第三實施例，布線106至108連接到成像區(qū)域102中的包括光電轉(zhuǎn)換元件110、111和112的各像素上，而且根據(jù)光瞳校正量移位。連接擴展部分156分別形成在向外圍電路103延伸的布線106至108的延伸端153、154和155上。而且，根據(jù)第三實施例，延伸端153、154和155通過連接擴展部分156連接到外圍電路103的元件上，在該例中，連接到構(gòu)成豎直驅(qū)動電路中的各豎直驅(qū)動器127至129的MOS晶體管121的接觸區(qū)域120。圖15展示了圖1所示的像素陣列模塊的部分，即成像區(qū)域2與形成周圍電路的豎直驅(qū)動電路3連接。
在該第三實施例中，在根據(jù)光瞳校正量的布線移位方向上具有預(yù)定寬度的連接擴展部分156設(shè)置在從成像區(qū)域102內(nèi)的布線106至108的延伸端153至155上。該連接擴展部分156可以具有對應(yīng)于根據(jù)光瞳校正量的至少最大移位寬度或更大的預(yù)定寬度。該連接擴展部分156連接到形成豎直驅(qū)動器127至129的MOS晶體管121的一個源/漏區(qū)域122的接觸區(qū)域120上。該接觸區(qū)域的位置是固定的。
由于布線106至108根據(jù)光瞳校正量設(shè)置，與延伸端153至155整體形成的該連接擴展部分156按照依次移位的位置連接到MOS晶體管121的源/漏區(qū)域122的接觸區(qū)域120上。在該第三實施例中，布線106至108和延伸端153至155上的連接擴展部分156由相同的布線層例如第一布線層形成，而且連接擴展部分156和源/漏區(qū)域122的接觸區(qū)域120通過形成在絕緣中間層中的埋入導(dǎo)電層連接。
連接擴展部分156的圖案形狀可以形成為與對應(yīng)成像區(qū)域102豎直方向的所有像素所形成的所有豎直驅(qū)動器的布線125相同。具體地講，提供一種布線圖案。該連接擴展部分156的設(shè)置與本發(fā)明第一實施例中的說明相類似。
而且，由于成為信號線的布線(106至108)在以通過成像區(qū)域102中心的水平軸為界限的上下區(qū)域內(nèi)的相反方向上移位，連接擴展部分156的圖案形狀可以關(guān)于該上下區(qū)域?qū)ΨQ。具體地講，該連接擴展部分156具有這樣的圖案形狀，該圖案形狀具有等于對應(yīng)光瞳校正量的最大移位量的寬度，并且具有可接觸的寬度。
雖然沒有示出，但是移位的像素輸出線(布線)和布線未移位的外圍電路中元件的接觸區(qū)域同樣可以按照以上描述連接。而且，由最上布線層形成的電源提供線形成為使得對應(yīng)光電轉(zhuǎn)換元件的開口位置可以根據(jù)光瞳校正量從中心向外圍移位。同樣，片裝微型透鏡和顏色濾光片可以從中心向外圍移位。根據(jù)本發(fā)明第三實施例的成像區(qū)域的示意性剖面結(jié)構(gòu)可以與圖9中展示的相類似。
在根據(jù)本發(fā)明第三實施例的固態(tài)成像裝置151中，具有根據(jù)光瞳校正量的預(yù)定寬度的連接擴展部分156提供到成像區(qū)域102中的布線106至108的延伸端153至155上。該連接擴展部分156和外圍電路中的元件的接觸區(qū)域，在該例中，形成豎直驅(qū)動電路的MOS晶體管121的源/漏區(qū)域122的接觸區(qū)域120連接在一起。所以，在不移位豎直驅(qū)動電路中的接觸區(qū)域120的情況下，只移動成像區(qū)域102中的布線106至108。因此，可以提供有效控制遮光的固態(tài)成像裝置。而且，當(dāng)設(shè)計用于布置配線的掩模時，可以使用這樣的數(shù)據(jù)進(jìn)行設(shè)計，即連接擴展部分156的布線圖案數(shù)據(jù)是一致的，而且連接擴展部分156和布線106至108的連接位置根據(jù)光瞳校正量的不同而不同。因此，與上述日本未審查專利申請2003-273342號中的每個布線數(shù)據(jù)都不同的情況相比，掩模更容易設(shè)計。
根據(jù)本發(fā)明實施例的固態(tài)成像裝置可以應(yīng)用于電子裝置模塊和攝像機模塊。圖16展示了電子裝置模塊和攝像機模塊的示意性構(gòu)造。圖16所示的模塊可以用作電子裝置模塊和攝像機模塊。模塊160在此可以結(jié)合根據(jù)上述實施例的任何固態(tài)成像裝置；即CMOS圖像傳感器101、138或151、光學(xué)透鏡系統(tǒng)161、輸入/輸出單元162、信號處理單元(數(shù)字信號處理器)163和控制光學(xué)透鏡系統(tǒng)的中央處理單元(CPU)164結(jié)合起來。而且，該電子裝置模塊或攝像機模塊165可以只形成有CMOS圖像傳感器101、138或151、光學(xué)透鏡系統(tǒng)161、輸入/輸出單元162。該模塊還可以包括CMOS圖像傳感器101、138或151、光學(xué)透鏡系統(tǒng)161、輸入/輸出單元162和信號處理設(shè)備163。
根據(jù)該電子裝置模塊和攝像機模塊，CMOS圖像傳感器中的遮光可以更有效的控制，而且可以提高圖像質(zhì)量。
本領(lǐng)域中的技術(shù)人員應(yīng)該理解的是，根據(jù)設(shè)計需要和其他因素可以在所附權(quán)利要求或其等同物的范圍內(nèi)做出各種修改、結(jié)合、部分結(jié)合或替換。
權(quán)利要求
1.一種固態(tài)成像裝置，其包括成像區(qū)域，其包括具有光電轉(zhuǎn)換單元和晶體管元件的陣列像素；和外圍電路，其中在所述成像區(qū)域中根據(jù)光瞳校正量而移位的布線和在所述外圍電路中不移位的布線通過連接擴展部分連接起來，所述連接擴展部分與所述布線中一個或全部兩個整體形成在一起。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的固態(tài)成像裝置，其中所述連接擴展部分相對于距所述成像區(qū)域中心的距離，具有對應(yīng)于最大移位寬度的寬度或更大的寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的固態(tài)成像裝置，其中所述連接擴展部分形成在所述成像區(qū)域和所述外圍電路之間的界限附近。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的固態(tài)成像裝置，其中在所述成像區(qū)域中的所述布線和在所述外圍電路中的所述布線由彼此不同的布線層形成。
5.一種固態(tài)成像裝置，其包括成像區(qū)域，其包括具有光電轉(zhuǎn)換單元和晶體管元件的陣列像素；和外圍電路，其中在所述成像區(qū)域中根據(jù)光瞳校正量而移位的布線通過與所述布線整體形成的連接擴展部分連接到所述外圍電路元件的接觸區(qū)域。
6.一種固態(tài)成像裝置的制造方法，所述固態(tài)成像裝置包括成像區(qū)域和外圍電路，所述成像區(qū)域包括具有光電轉(zhuǎn)換單元和晶體管元件的陣列像素，其中在所述成像區(qū)域中根據(jù)光瞳校正量而移位的布線和在所述外圍電路中不移位的布線相連接，所述方法包括以下步驟用不同的層形成所述成像區(qū)域中的布線和所述外圍電路中的布線；并且通過與所述布線中一個或兩者整體形成的連接擴展部分連接所述兩個布線。
7.一種固態(tài)成像裝置的制造方法，所述固態(tài)成像裝置包括成像區(qū)域和外圍電路，所述成像區(qū)域包括具有光電轉(zhuǎn)換單元和晶體管元件的陣列像素，其中在所述成像區(qū)域中根據(jù)光瞳校正量而移位的布線和在所述外圍電路中不移位的布線相連接，所述方法包括以下步驟通過具有單布線層的連接擴展部分形成彼此連接的在所述成像區(qū)域中的布線和在所述外圍電路中的布線。
8.一種固態(tài)成像裝置的制造方法，所述固態(tài)成像裝置包括成像區(qū)域和外圍電路，所述成像區(qū)域包括具有光電轉(zhuǎn)換單元和晶體管元件的陣列像素，其中在所述成像區(qū)域中根據(jù)光瞳校正量而移位的布線和在所述外圍電路中不移位的元件相連接，所述方法包括以下步驟用單布線層形成在所述成像區(qū)域中的所述布線和在所述布線的延伸端部分的連接擴展部分；和連接所述連接擴展部分和所述元件的接觸區(qū)域。
9.一種攝像機模塊，其包括固態(tài)成像裝置；和光學(xué)透鏡系統(tǒng)，其中所述固態(tài)成像裝置包括成像區(qū)域和外圍電路，所述成像區(qū)域包括具有光電轉(zhuǎn)換單元和晶體管元件的陣列像素，在所述成像區(qū)域中根據(jù)光瞳校正量而移位的布線與在所述外圍電路中不移位的布線通過與所述布線中一個或兩者整體形成的連接擴展部分相連接。
10.一種攝像機模塊，其包括固態(tài)成像裝置；和光學(xué)透鏡系統(tǒng)，其中所述固態(tài)成像裝置包括成像區(qū)域和外圍電路，所述成像區(qū)域包括具有光電轉(zhuǎn)換單元和晶體管元件的陣列像素，在所述成像區(qū)域中根據(jù)光瞳校正量而移位的布線通過與所述布線整體形成的連接擴展部分連接到所述外圍電路中的元件的接觸區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明提供一種固態(tài)成像裝置。所述固態(tài)成像裝置包括成像區(qū)域和外圍電路，其中，所述成像區(qū)域包括具有光電轉(zhuǎn)換單元和晶體管元件的陣列像素；其中在所述成像區(qū)域中根據(jù)光瞳校正量而移位的布線與在所述外圍電路中不移位的布線通過與所述布線中一個或兩者整體形成的連接擴展部分相連接。
文檔編號H04N5/335GK101079436SQ20071010519
公開日2007年11月28日 申請日期2007年5月24日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月25日
發(fā)明者阿部高志, 鈴木亮司, 工藤義治 申請人:索尼株式會社