專利名稱：微機(jī)械加工的麥克風(fēng)和多傳感器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總的說來涉及微機(jī)械加工的器件，更具體地，涉及微機(jī)械 加工的麥克風(fēng)和慣性傳感器。
背景技術(shù)：
微機(jī)械加工的麥克風(fēng)典型地包括薄的隔膜(diaphragm)電極以及 布置在該隔膜電極旁邊的固定的傳感電極。該隔膜電極和固定的傳感 電極作為電容器的極板。在麥克風(fēng)的操作期間，在隔膜電極和固定的 傳感電極上布置電荷。當(dāng)隔膜電極響應(yīng)聲波而振動(dòng)時(shí)，在隔膜電極和 固定的傳感電極之間的距離的改變導(dǎo)致了與聲波對應(yīng)的電容變化。
圖1示出了本領(lǐng)域中已知的微機(jī)械加工的麥克風(fēng)的大體結(jié)構(gòu)。其 中，微機(jī)械加工的麥克風(fēng)包括隔膜102和橋104。隔膜102和橋104作 為用于電容電路的電極。如所示，可以對橋104打孔以允許聲波到達(dá) 隔膜102。可選擇地或另外地，可以使得聲波通過其他通道到達(dá)隔膜。 在任何情況下，聲波導(dǎo)致隔膜振動(dòng)，并且振動(dòng)可以被感應(yīng)為在隔膜102 和橋104之間的電容的變化。微機(jī)械加工的麥克風(fēng)典型地包括在隔膜 102后面的充足空腔(substantial cavity) 106，以允許隔膜102自由地 移動(dòng)。
在典型的微機(jī)械加工的麥克風(fēng)中，聲波通過在固定的傳感電極中 的穿孔到達(dá)隔膜。穿孔的尺寸和深度可以影響聲音再現(xiàn)的質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例包括可以非常小并且非常薄的微機(jī)械加工的麥克 風(fēng)以及微機(jī)械加工的多傳感器(在單個(gè)芯片上包括麥克風(fēng)和慣性傳感 器)。微機(jī)械加工的器件的特定市場，例如蜂窩電話和個(gè)人數(shù)字助手 (PDA)，非常重視小而薄的元件。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種用于從具有至少第一硅層的 晶片制造微機(jī)械加工的麥克風(fēng)的方法。該方法包括在第一硅層的正 面上形成至少一個(gè)氧化物層；在該至少一個(gè)氧化物層上，形成多個(gè)包
括隔膜的多晶硅麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)；以及通過貫穿第一硅層形成的多個(gè)溝槽， 從第一硅層的背面去除在所述多個(gè)多晶硅麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)下面的該至少一 個(gè)氧化物層的一部分。該多個(gè)溝槽允許聲波從第一硅層的背面到達(dá)隔 膜。為了描述的目的，在該示例性實(shí)例中聲音路徑被描述為從背面到 達(dá)隔膜。然而，正面聲音路徑是等效的，并且被包括在這里描述的所 有工序和設(shè)計(jì)變化的描述中。
在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，可以通過在第一硅層的正面上淀積單 個(gè)氧化物層，來在第一硅層的正面上形成至少一個(gè)氧化物層。在本發(fā) 明的其他實(shí)施例中，可以通過如下步驟來在第一硅層的正面上形成該
至少一個(gè)氧化物層形成貫穿第一硅層的溝槽；淀積覆蓋第一硅層的 正面并且對溝槽加襯的第一氧化物層；在該第一氧化物層上形成多個(gè) 犧牲多晶硅麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)；在第一氧化物層和犧牲多晶硅麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)上 淀積第二氧化物層；以及去除犧牲多晶硅麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明的一 些實(shí)施例中，通過如下步驟來在第一氧化物層上形成多個(gè)犧牲多晶硅 結(jié)構(gòu)淀積覆蓋第一氧化物層并且填充被加襯的溝槽的多晶硅層；并 且對多晶硅層形成圖案以形成多個(gè)犧牲多晶硅麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)。使用XeF2 作為貫穿本說明書描述的多晶硅犧牲蝕刻材料和蝕刻過程的一個(gè)示例
性例子。然而，也可以使用其他的硅蝕刻劑和蝕刻過程，并且這被包 括在這里描述的所有過程和設(shè)計(jì)變化的描述中。
在去除在多個(gè)多晶硅結(jié)構(gòu)下面的至少一個(gè)氧化物層的這部分之 前，可以在該至少一個(gè)氧化物層和多個(gè)多晶硅結(jié)構(gòu)上形成另外的氧化 物層，可以對該另外的氧化物層形成圖案以暴露多晶硅結(jié)構(gòu)的一部分
和第一硅層的一部分，可以將金屬電極形成到至少多晶硅結(jié)構(gòu)的暴露 部分和第一硅層的暴露部分。此時(shí)，還可以形成至少一個(gè)金屬焊接焊
盤(bond pad)?？梢栽诮饘匐姌O上形成鈍化層(典型地包括被氮化物
層覆蓋的氧化物層)。可以對鈍化層形成圖案以暴露隔膜的邊緣的至
少一部分；并且可以通過例如如下的步驟來在該隔膜的邊緣下面形成 支座在該隔膜的該邊緣的暴露部分上淀積第一光致抗蝕劑層；對光 致抗蝕劑材料形成圖案以再次暴露該隔膜的該邊緣的該部分；去除在 該隔膜的邊緣的該部分下面的一部分氧化物；并且在該隔膜的該邊緣 下面淀積形成支座的第二光致抗蝕劑層。類似地，可以在該隔膜中的 孔上對光致抗蝕劑形成圖案，以允許在該隔膜下面去除一部分氧化物。 在多個(gè)這些位置處的第二光致抗蝕層形成就在該隔膜下面的多個(gè)支 座。支座在去除在該多個(gè)多晶硅結(jié)構(gòu)下面的該至少一個(gè)氧化物層的該 部分時(shí)支持隔膜。在去除該多個(gè)多晶硅結(jié)構(gòu)下面的該至少一個(gè)氧化物 層的該部分之后，去除支座。要知道，用于形成在隔膜下面的支座、 去除犧牲材料以及去除支座的所述技術(shù)可以與在標(biāo)題為"Method for Fabricating Microstructures"的美國專利5,314,572中描述的技術(shù)相似或 相關(guān)，通過引用將該專利完全包括在這里。
在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，可以在相同的晶片上形成包括麥克風(fēng)
和慣性傳感器的多傳感器。通過如下步驟部分地形成慣性傳感器在 多晶硅麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)的形成期間，形成多個(gè)多晶硅慣性傳感器結(jié)構(gòu)；以 及在去除該多個(gè)多晶硅麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)下面的至少一個(gè)氧化物層的部分期 間，經(jīng)由貫穿第一硅層的至少一個(gè)溝槽，從第一硅層的背面去除該多 個(gè)多晶硅慣性傳感器結(jié)構(gòu)下面的該至少一個(gè)氧化物層的一部分。如同 麥克風(fēng)那樣，可以在多個(gè)犧牲多晶硅麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)的形成期間，在第一 氧化物層上形成多個(gè)犧牲多晶硅慣性傳感器結(jié)構(gòu)，可以在該犧牲多晶 硅慣性傳感器結(jié)構(gòu)上淀積第二氧化物層，以及可以去除該犧牲多晶硅 慣性傳感器結(jié)構(gòu)。優(yōu)選在犧牲多晶硅麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)的形成期間，對多晶 硅層形成圖案以形成該多個(gè)犧牲多晶硅慣性傳感器結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，晶片是SOI晶片，該SOI晶片進(jìn)一步 包括第二硅層以及在第一硅層和第二硅層之間的中間氧化物層。在這 種情況下，從第一硅層的背面去除該多個(gè)多晶硅麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)下面的至 少一個(gè)氧化物層的該部分可以包括去除第二硅層和中間氧化物層的
下面部分以形成背面空腔；以及通過該背面空腔，去除該多個(gè)多晶硅 麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)下面的該至少一個(gè)氧化物層的該部分。在多傳感器的情況 下，可以對麥克風(fēng)和慣性傳感器都形成背面空腔，并且通過該背面空 腔去除在該麥克風(fēng)和慣性傳感器結(jié)構(gòu)下面的該氧化物層的該部分?？?以在第二硅層的背面上形成玻璃層，從而覆蓋和密封慣性傳感器的背 面空腔但是不覆蓋和密封麥克風(fēng)的背面空腔。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種包括如下的晶片的裝置該晶 片至少具有第一硅層，并包括貫穿第一硅層形成的多個(gè)溝槽和多個(gè)多晶硅麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)，該多晶硅麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)形成在第一硅層的正面上并包 括隔膜。通過如下步驟來形成該多個(gè)多晶硅麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)在第一硅層 的正面上淀積至少一個(gè)氧化物層；在該至少一個(gè)氧化物層上形成多晶 硅麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)；并接著通過多個(gè)溝槽從第一硅層的背面去除在該多個(gè) 多晶硅麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)下面的該至少一個(gè)氧化物層的一部分。該多個(gè)溝槽 允許聲波從第一硅層的背面到達(dá)隔膜。
在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，該裝置還可以包括形成在第一硅晶片 的正面上的多個(gè)多晶硅慣性傳感器結(jié)構(gòu)，其中，該多個(gè)多晶硅麥克風(fēng) 結(jié)構(gòu)和多個(gè)多晶硅慣性傳感器結(jié)構(gòu)基本上使用相同的工序基本同時(shí)地 形成。
在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述晶片是包括第二硅層和在第一硅層和第二硅層之間的中間氧化物層的SOI晶片，在這種情況下，去除第二硅層和中間氧化物層的下面的部分以形成暴露溝槽的背面空腔。 可以通過該背面空腔形成貫穿第一硅層的這些溝槽。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了包括形成在相同晶片上的微機(jī)械 加工的麥克風(fēng)和微機(jī)械加工的慣性傳感器的裝置。該麥克風(fēng)和慣性傳 感器包括在該晶片的頂硅層的正面上形成的多晶硅結(jié)構(gòu)。頂硅層包括 多個(gè)溝槽，該多個(gè)溝槽允許在制造期間從頂硅層的背面去除該多晶硅 結(jié)構(gòu)下面的氧化物，并且允許聲波從背面到達(dá)麥克風(fēng)隔膜。


本申請文件包含彩色制作的至少一個(gè)附圖。在請求和付需要費(fèi)用 之后，將由官方提供具有彩色附圖的本專利申請公開的副本。
本發(fā)明的前述優(yōu)點(diǎn)參考附圖從以下的進(jìn)一步描述中將得到完全的 理解，在附圖中
圖1示出本領(lǐng)域中已知的微機(jī)械加工的麥克風(fēng)的大體結(jié)構(gòu)；
圖2A-2N示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的從SOI晶片形成微機(jī)械加工的 麥克風(fēng)的第一示例性工序；
圖3示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)合IC晶片與微機(jī)械加工的麥克風(fēng) 或多傳感器的器件的示例性結(jié)構(gòu)；
圖4示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的第一示例性兩軸(X-Y)加速度計(jì) 的大體布局圖5示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的第二示例性兩軸(X-Y)加速度計(jì) 的大體布局圖6示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的示例性Z軸加速度計(jì)的大體布局圖7A-7N示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于從SOI晶片形成結(jié)合的麥 克風(fēng)和兩軸加速度計(jì)的示例性工序；
圖8A-8M示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于從SOI晶片形成結(jié)合的麥 克風(fēng)和三軸加速度計(jì)的示例性工序；以及
圖9A-90示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于從常規(guī)(regular)硅晶 片形成結(jié)合的麥克風(fēng)和三軸加速度計(jì)的示例性工序。
除非另外指出，附圖不是按比例繪制的。
具體實(shí)施例方式
在本發(fā)明的實(shí)施例中，從硅或絕緣體上硅(SOI)晶片形成微機(jī)械 加工的麥克風(fēng)。如本領(lǐng)域中已知的，SOI晶片包括通常被稱為器件層的 頂硅層、中間絕緣體(氧化物)層以及底硅層，該底硅層典型地比頂
硅層厚得多(大約650微米)。在本發(fā)明中，在硅或SOI晶片中形成 的頂層在本發(fā)明的一些實(shí)施例中可以是大約IO微米厚，或者在其他實(shí) 施例中可以更厚，大約50微米厚。在本發(fā)明的實(shí)施例中，從晶片的頂 硅層形成固定的傳感電極(這里也被稱為"背板")，并且形成隔膜 以便被懸置在頂硅層上方。在固定的傳感電極中形成穿孔，以允許聲 波從晶片的底側(cè)到達(dá)隔膜。使用在頂硅層的背面上的氧化物作為用于 控制固定的傳感電極的加工的蝕刻停止層，該氧化物層可以是SOI晶 片的固有(inherent)氧化物層或者淀積在硅晶片上的氧化物層。在本 發(fā)明的一些實(shí)施例中，在與麥克風(fēng)相同的晶片上，形成慣性傳感器， 例如微機(jī)械加工的加速度計(jì)或陀螺儀。因?yàn)檫@樣的布置在單個(gè)芯片上 包括多個(gè)微機(jī)械加工的傳感器元件，所以為了方便，在下文中可以將 其稱為"多傳感器"。規(guī)定使麥克風(fēng)隔膜對空氣開放，而慣性傳感器 被密封。
參考圖2A-2N描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于從SOI晶片形成微機(jī) 械加工的麥克風(fēng)的第一示例性工序。
在圖2A中，穿過空白SOI晶片的頂硅層202蝕刻溝槽并且該溝 槽被蝕刻到中間氧化物層204中，并且可選地，通到底硅層206。然后， 溝槽被襯以氧化物材料208。然后，淀積多晶硅材料210，從而填充被 加襯的溝槽并覆蓋頂硅層。
在圖2B中，多晶硅材料被形成圖案并被蝕刻，以形成稍后將去除 的多種犧牲結(jié)構(gòu)212。
在圖2C中，淀積另外的氧化物材料214。突出顯示了下面將描述
的未來的氧化物支座216的部位。
在圖2D中，從多晶硅材料淀積包括麥克風(fēng)隔膜218和懸置彈簧 220的特征并使這些特征形成圖案。隔膜典型地是圓形的，雖然這對于 本發(fā)明不是必需的。隔膜可以是實(shí)心的或被穿孔。在隔膜和周圍多晶 硅之間的間隙優(yōu)選非常小，以致于聲波基本上只作用在隔膜的一側(cè)上。
在圖2E中，淀積氧化物222，并蝕刻孔224。如下所述，這些孔 224被用于與隔膜和背板進(jìn)行電連接的電極。
在圖2F中，淀積金屬并對該金屬形成圖案，以形成用于將電荷 放置在隔膜上的電極226;用于將電荷放置在背板上的電極228;以及 多個(gè)焊接焊盤230。在焊接焊盤230和電極226及228之間可以存在電 連接(未示出)。
在圖2G中，淀積鈍化層232。鈍化層典型地包括被氮化物層覆蓋 的氧化物層，其是用于集成電路的標(biāo)準(zhǔn)鈍化層。在234處對鈍化層232 進(jìn)行蝕刻以暴露焊接焊盤230。
在圖2H中，對鈍化層232進(jìn)行蝕刻以暴露隔膜218。
在圖2I中，淀積光致抗蝕材料236并然后使之形成圖案，以暴露 未來的支座區(qū)域238。然后，通過蝕刻來去除在未來的支座區(qū)域處的氧 化物。
在圖2J中，去除剩余的光致抗蝕材料，并且利用包括蝕刻、研磨 和拋光的多種方法的任一種，可選地將底硅層206從大約650微米減 薄到大約350微米。
在圖2K中，在晶片的正面上淀積光致抗蝕材料240，從而形成光致抗蝕劑支座242。并且，在晶片的背面上淀積光致抗蝕劑材料244并 對其形成圖案，以形成背面空腔246的輪廓。通過蝕刻掉底硅層206 的一部分，來將背面空腔246形成到中間氧化物層204。在示例性實(shí)施 例中，封裝后的背面空腔246體積大約是1立方毫米。
在圖2L中，去除空腔246中的中間氧化物層的一部分，從而暴露 犧牲多晶硅結(jié)構(gòu)。
在圖2M中，優(yōu)選通過背面空腔246將多晶硅暴露給XeF2氣或其 他適合的硅蝕刻劑，來去除犧牲多晶硅結(jié)構(gòu)。應(yīng)該注意，雖然不期望， 但是XeF2氣可能去除一些暴露的底硅層。
在圖2N中，優(yōu)選通過放置在適當(dāng)?shù)囊后w中，來去除隔膜218后面 的氧化物。然后，優(yōu)選以干法蝕刻(不是液體)來去除正面光致抗蝕 劑材料240 (包括支座)。這實(shí)際上釋放了隔膜和相關(guān)結(jié)構(gòu)。應(yīng)該注意， 在釋放期間，支座被用來支持精密的麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)，并且不是在所有實(shí) 施例中都需要支座，尤其是如果使用氣相HF代替液體來去除氧化物的 話。
在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，微機(jī)械加工的麥克風(fēng)和慣性傳感器(例 如陀螺儀或加速度計(jì))在相同的晶片上形成并且被集成到單個(gè)芯片中。 雖然慣性傳感器可能被密封在晶片上，但是麥克風(fēng)通常向空氣開放， 從而允許聲波到達(dá)麥克風(fēng)隔膜。
圖4示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的第一示例性兩軸(X-Y)加速度計(jì) 的大體布局。加速度計(jì)包括框架402和利用多個(gè)懸置彈簧406從框架 懸置的質(zhì)塊404。該質(zhì)塊包括與許多固定的傳感指叉指(interdigitated) 的許多指狀結(jié)構(gòu)。在該例子中，存在兩組固定的傳感指408和410用 于感應(yīng)質(zhì)塊404相對于框架402在X軸上的移動(dòng)，并且存在兩組固定 的傳感指412和414用于感應(yīng)質(zhì)塊404相對于框架402在Y軸上的移
動(dòng)。在圖4所示的例子中，固定的傳感指是偏離中心的(也就是距離
一個(gè)質(zhì)塊指比鄰近質(zhì)塊指更近)，其允許差分電容(differential capacitance)測量《
圖5示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的第二示例性兩軸(X-Y)加速度計(jì) 的大體布局。該加速度計(jì)包括框架502和利用多個(gè)懸置彈簧506從該 框架懸置的質(zhì)塊504。在該例子中，存在用于感應(yīng)質(zhì)塊504相對于框架 502在X軸上的移動(dòng)的兩個(gè)電極508和510，以及存在用于感應(yīng)質(zhì)塊 504相對于框架502在Y軸上的移動(dòng)的兩個(gè)電極512和514。
圖6示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的示例性Z軸加速度計(jì)的大體布局。 該加速度計(jì)包括框架602和利用多個(gè)懸置彈簧606從該框架懸置的質(zhì) 塊604。在該例子中，質(zhì)塊604被設(shè)計(jì)為在Z軸加速度作用下圍繞彈簧 606樞轉(zhuǎn)或"蹺蹺板式運(yùn)動(dòng)(teeter-totter)"，使得存在該質(zhì)塊離開框 架/質(zhì)塊的平面的位移。定位電極(未示出)以檢測質(zhì)塊604的這種偏 離平面(out-of-plane)的移動(dòng)。
參考圖7A-7N描述了用于從SOI晶片形成結(jié)合的麥克風(fēng)和兩軸加 速度計(jì)的示例性工序。為了示出在每個(gè)步驟中的晶片的麥克風(fēng)區(qū)域和 加速度計(jì)區(qū)域，麥克風(fēng)區(qū)域被示出為在加速度計(jì)區(qū)域上方，雖然這些 區(qū)域?qū)嶋H上在晶片上是在彼此旁邊的。應(yīng)該注意，該工序是參考圖 2A-2N的上述工序的變體，并且這些工序可以被用來就生產(chǎn)微機(jī)械加 工的麥克風(fēng)，或就此而論，用來就生產(chǎn)加速度計(jì)。
在圖7A中，在麥克風(fēng)區(qū)域和加速度計(jì)區(qū)域兩者中，通過SOI晶 片的頂硅層蝕刻溝槽。去除在這些溝槽下面的中間氧化物層的部分。
在圖7B中，生長熱氧化物材料。這對溝槽和在中間氧化物層的空 腔加襯，并且覆蓋晶片的頂層。
在圖7C中，對多晶硅材料形成圖案并進(jìn)行蝕刻，從而形成稍后將 去除的多種犧牲結(jié)構(gòu)。
在圖7D中，淀積另外的氧化物材料。突出顯示將在下面描述的未 來的氧化物支座的部位。
在圖7E中，從多晶硅材料淀積包括麥克風(fēng)隔膜、麥克風(fēng)懸置彈簧 以及加速度計(jì)電極的特征并對這些特征形成圖案。隔膜典型地是圓形 的，雖然這不是本發(fā)明必需的。隔膜可以是實(shí)心的或穿孔的。在隔膜 和周圍多晶硅之間的間隙優(yōu)選非常小，使得聲波基本上僅僅作用在隔 膜的一側(cè)上。
在圖7F中，淀積氧化物，并蝕刻孔。如下所述，這些孔被用于到 麥克風(fēng)隔膜和背板的電極，以及被用于到加速度計(jì)電極和中間氧化物 層的電極。
在圖7G中，淀積金屬并對該金屬形成圖案，以形成用于在麥克風(fēng) 隔膜和背板上以及在加速度計(jì)電極和中間氧化物層上布置電荷的電極 和焊接焊盤。在焊接焊盤和這些電極的一個(gè)或多個(gè)之間可以存在電連 接(未示出)。
在圖7H中，淀積光致抗蝕劑材料并使其形成圖案。然后，蝕刻溝 槽以暴露犧牲多晶硅。去除該犧牲多晶硅，并且去除光致抗蝕劑材料。
在圖7I中，淀積鈍化層。鈍化層典型地包括被氮化物層覆蓋的氧
化物層，其是用于集成電路的標(biāo)準(zhǔn)鈍化層。對鈍化層進(jìn)行蝕刻，以暴 露焊接焊盤和麥克風(fēng)隔膜。
在圖7J中，在麥克風(fēng)區(qū)域周圍淀積光致抗蝕材料，并然后對該材 料形成圖案，以暴露未來的支座區(qū)域。然后，通過蝕刻來去除在該未
來的支座區(qū)域處的氧化物。
在圖7K中，去除剩余的光致抗蝕劑材料，并且利用包括蝕刻、研
磨和拋光的多種方法的任何一種可選地將底硅層從大約650微米減薄 到大約350微米。
在圖7L中，在晶片的正面上淀積光致抗蝕劑材料，以形成光致抗 蝕劑支座。還在晶片的背面上淀積光致抗蝕劑材料，并使其形成圖案， 以形成用于麥克風(fēng)的背面空腔的輪廓。通過蝕刻掉底硅層的一部分到 中間氧化物層，來部分地形成背面空腔。
在圖7M中，去除在該空腔內(nèi)的中間氧化物層的一部分，從而暴 露對溝槽加襯并且在麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)下面的氧化物。然后，優(yōu)選地通過放 置再適當(dāng)?shù)奈g刻劑例如HF水溶液浴中來去除在隔膜后面的氧化物。
在圖7N中，優(yōu)選地以干法蝕刻(非液體)來去除正面光致抗蝕劑 材料(包括支座)。這實(shí)質(zhì)上釋放了隔膜和相關(guān)結(jié)構(gòu)。應(yīng)該注意，在 釋放期間支座被用來支持精密的麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)，并且并不是在所有實(shí)施 例中都需要支座，尤其是如果使用氣相HF代替液體來去除氧化物的 話。
參考圖8A-8M描述了用于從SOI晶片形成結(jié)合的麥克風(fēng)和三軸加 速度計(jì)的示例性工序。為了示出在每個(gè)步驟的晶片的麥克風(fēng)區(qū)域和加 速度計(jì)區(qū)域，雖然知道這些區(qū)域?qū)嶋H上在晶片上位于彼此旁邊，但是 仍將麥克風(fēng)區(qū)域示出在加速度計(jì)區(qū)域上方。應(yīng)注意，該工序是前面參 考圖7A-7N描述的一個(gè)工序的變體，并且此工序可以被用來僅生產(chǎn)微 機(jī)械加工的麥克風(fēng)，或就此而論，僅僅生產(chǎn)加速度計(jì)。
在圖8A中，通過SOI晶片的頂硅層蝕刻溝槽，并對這些溝槽襯 以氮化物并填充以多晶硅。
在圖8B中，通過淀積氧化物材料的層，蝕刻出錨位置，并且淀積
氮化物，從而在加速度計(jì)區(qū)域中形成蓋錨(cap anchor)。
在圖8C中，對多晶硅材料形成圖案并進(jìn)行蝕刻，以形成多個(gè)麥克 風(fēng)結(jié)構(gòu)(包括隔膜)以及用于加速度計(jì)的蓋。
在圖8D中，淀積氧化物，并蝕刻孔。這些孔被用于到麥克風(fēng)隔膜 和背板以及到加速度計(jì)蓋和頂硅層的電極，如下所述。
在圖8E中，淀積金屬并對該金屬形成圖案，從而形成用于在麥克 風(fēng)隔膜和背板上以及在加速度計(jì)蓋和頂硅層上放置電荷的電極和焊接
焊盤。在焊接焊盤和一個(gè)或多個(gè)電極之間可以存在電連接(未示出)。
在圖8F中，淀積鈍化層。鈍化層典型地包括被氮化物層覆蓋的氧 化物層，其是用于集成電路的標(biāo)準(zhǔn)鈍化層。對鈍化層進(jìn)行蝕刻，以暴 露焊接焊盤。
在圖8G中，去除在麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)上方的鈍化層的一部分，并且去除 在多晶硅結(jié)構(gòu)上方以及部分地在多晶硅結(jié)構(gòu)下面的氧化物，從而形成 抗蝕劑支座區(qū)域。
在圖8H中，利用包括蝕刻、研磨和拋光的多種方法的任一種將底 硅層可選地從大約650微米減薄到大約350微米，并且淀積氧化物層。
在圖8I中，在晶片的正面上淀積光致抗蝕劑材料，并且對在晶片 的背面上的氧化物形成圖案。
在圖SJ中，在晶片的背面上淀積光致抗蝕劑材料并對該材料形成 圖案，以及通過晶片的底硅層和中間氧化物層蝕刻溝槽。
在圖8K中，通過晶片的頂硅層蝕刻溝槽到麥克風(fēng)區(qū)域的抗蝕劑支 座區(qū)域以及到加速度計(jì)區(qū)域的蓋下面的氧化物。然后從正面和背面都 去除光致抗蝕劑材料，并且為了保護(hù)，在正面上淀積光致抗蝕劑材料 的新層。然后使用存在的氧化物作為硬掩膜，在晶片的背面中蝕刻空 腔。
在圖8L中，優(yōu)選地通過暴露給HF氣體，來去除通過空腔暴露的 氧化物。
在圖8M中，硼硅玻璃被對準(zhǔn)到并且陽極粘結(jié)到晶片的背面上。 在粘結(jié)之前，優(yōu)選地在玻璃中超聲切割出麥克風(fēng)孔。從晶片的正面去 除剩余的光致抗蝕劑材料，從而釋放麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)。
參考圖9A-90描述用于從常規(guī)硅晶片形成結(jié)合的麥克風(fēng)和三軸加 速度計(jì)的示例性工序。為了示出在每個(gè)步驟的晶片的麥克風(fēng)區(qū)域和加 速度計(jì)區(qū)域，雖然知道這些區(qū)域?qū)嶋H上在晶片上是在彼此旁邊的，但 是還是將麥克風(fēng)區(qū)域顯示在加速度計(jì)區(qū)域的上方。應(yīng)該注意，此工序 是以上參考圖8A-8M描述的一個(gè)工序的變體，并且此工序可以被用來 生產(chǎn)僅僅微機(jī)械加工的麥克風(fēng)，或就此而論被用來生產(chǎn)僅僅微機(jī)械加 工的加速度計(jì)。
在圖9A中，在硅晶片上淀積氧化物層。然后，淀積光致抗蝕劑材 料并對該材料形成圖案。然后，蝕刻溝槽到硅中，用于加速度計(jì)電極。 然后，去除剩余的光致抗蝕劑和氧化物硬掩膜。應(yīng)注意，對于僅有麥 克風(fēng)的產(chǎn)品是不需要該步驟的。
在圖9B中，在晶片的正面和背面上生長氧化物層到大約1.6微米。 然后，被加襯的溝槽被填充以多晶硅材料。應(yīng)注意，對于僅有麥克風(fēng) 的產(chǎn)品是不需要該步驟的。在圖9C中，例如通過暴露給HF氣，剝除剩余的氧化物。然后， 在加速度計(jì)區(qū)域上淀積氮化物錨墊(anchor pad)并且對該氮化物錨墊 形成圖案。然后，淀積Novellus氧化物的層作為犧牲層。應(yīng)注意，對 于僅有麥克風(fēng)的產(chǎn)品是不需要該步驟的。
在圖9D中，對氧化物層進(jìn)行蝕刻以暴露氮化物墊。然后，對多晶 硅材料形成圖案并進(jìn)行蝕刻，以形成多個(gè)麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)(包括隔膜)以 及用于加速度計(jì)的蓋(cap)。
在圖9E中，淀積氧化物材料，并蝕刻孔。這些孔被用于到麥克風(fēng) 隔膜和背板以及到加速度計(jì)蓋和硅層的電極，如下所述。
在圖9F中，淀積金屬并對該金屬形成圖案，從而形成用于在麥克 風(fēng)隔膜和背板上以及在加速度計(jì)蓋和硅層上放置電荷的焊接焊盤和電
極。在焊接焊盤和這些電極的一個(gè)或多個(gè)之間可以存在電連接(未示 出)。
在圖9G中，淀積鈍化層。鈍化層典型地包括被氮化物層覆蓋的氧 化物層，其是用于集成電路的標(biāo)準(zhǔn)鈍化層。對鈍化層進(jìn)行蝕刻以暴露 焊接焊盤。
在圖9H中，去除在麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)上面的鈍化層的一部分，并且去除 在多晶硅結(jié)構(gòu)上面以及部分地在多晶硅結(jié)構(gòu)下面的氧化物，從而形成 抗蝕劑支座區(qū)域。
在圖9I中，利用包括蝕刻、研磨和拋光背面的多種方法的任何一 種，來將硅晶片可選地從大約650微米減薄到大約350微米，并且淀 積氧化物層。
在圖9J中，在晶片的正面上淀積光致抗蝕劑材料，以及對晶片的 背面上的氧化物形成圖案。
在圖9K中，在晶片的背面上淀積光致抗蝕劑材料并對該材料形成 圖案，以及蝕刻溝槽到硅晶片中。
在圖9L中，從正面和背面去除光致抗蝕材料，并在正面上淀積光
致抗蝕劑材料的新層用于保護(hù)。然后，使用現(xiàn)有的氧化物作為硬掩膜， 在晶片的背面中蝕刻出空腔。然后，進(jìn)一步蝕刻溝槽通過硅層到麥克 風(fēng)區(qū)域的抗蝕劑支座區(qū)域和加速度計(jì)區(qū)域的蓋下面的氧化物。
在圖9M中，優(yōu)選地通過暴露給HF氣，去除通過空腔暴露的氧化物。
在圖9N中，從晶片的正面去除剩余的光致抗蝕劑材料，從而釋放 麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)。
在圖90中，將硼硅玻璃對準(zhǔn)并陽極粘結(jié)到晶片的背面上。在粘結(jié) 之前，在玻璃中優(yōu)選超聲地切割出麥克風(fēng)孔。
可以在單個(gè)封裝中將微機(jī)械加工的麥克風(fēng)或多傳感器與集成電路 (IC)管芯組裝到一起。圖3示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的在預(yù)先模制的 塑料封裝中將微機(jī)械加工的麥克風(fēng)或多傳感器與IC管芯組裝到一起的 器件的結(jié)構(gòu)。該封裝包含MEMS (微機(jī)電系統(tǒng))管芯312，其包括微 機(jī)械加工的麥克風(fēng)；和集成電路(IC)管芯314，其包括用于處理信號 的多個(gè)電子元件，該信號包括那些由MEMS管芯312產(chǎn)生的信號。 MEMS管芯312和IC管芯314是附著到封裝引線框架(leadframe)上 的管芯。在引線結(jié)合之后，密封該封裝，包括蓋302和封裝體303。當(dāng) 安裝在所示實(shí)施例中的基板上時(shí)，聲波沿著聲音路徑318通過面向下 的聲音端口 306到達(dá)麥克風(fēng)隔膜，該聲音路徑318包括在引線框架316和基板304之間的空間。利用焊料焊盤的高度，和可選地利用蝕刻到引線框架316的底面中的通道，來形成這些空間。典型地，在基于光致抗蝕劑的工序中使用適當(dāng)?shù)膱D案，或其他適當(dāng)?shù)男纬蓤D案方法，來從金屬箔蝕刻引線框架316時(shí)，形成這樣的通道。例如可以包括多孔 疏水過濾器308或其他過濾器，以保護(hù)微機(jī)械加工的麥克風(fēng)隔膜和其 他暴露特征避免濕氣、微?；蚱渌蛩氐挠绊?。過濾器308可以被層 壓到支持織物上以增強(qiáng)可制造性和耐久性。在一個(gè)可選擇實(shí)施例中， 基板304可以包括孔以允許聲波到達(dá)麥克風(fēng)隔膜。在另一個(gè)可選擇實(shí) 施例中，蓋(lid) 302可以包括孔以允許聲波通過封裝頂部到達(dá)麥克風(fēng) 隔膜。在另一個(gè)可選擇實(shí)施例中，封裝的塑料側(cè)壁303可以具有多個(gè) 槽，以允許聲波到達(dá)麥克風(fēng)隔膜。在另一個(gè)可選擇實(shí)施例中，向下面 對聲音端口 306的蓋302和基板304可以包括孔以允許聲波從不同位 置到達(dá)麥克風(fēng)隔膜。在另一可選擇實(shí)施例中，將包括微機(jī)械加工的麥 克風(fēng)的MEMS管芯312和包括用于處理信號的多種電子部件以及包含 至少一個(gè)密封的慣性傳感器的MEMS管芯的集成電路(IC)管芯314 組裝在一個(gè)封裝中，其中，所述信號包括由MEMS管芯312產(chǎn)生的信 號。
要注意，所述的用于形成麥克風(fēng)和懸置在頂硅層的正面上的慣性 傳感器的技術(shù)可以與由Thomas Kieran Nunan禾B Timothy J. Brosnihan 在2005年1月3日提交的標(biāo)題為"Method of Forming a MEMS Device" 的美國專利申請No. 11/028,249中描述的技術(shù)相似或相關(guān)，該專利申請 通過參考全部包括在這里。
要注意，本發(fā)明不局限于麥克風(fēng)隔膜的任何特定形狀或結(jié)構(gòu)。麥 克風(fēng)可以是例如圓形或方形的、實(shí)心或穿了一個(gè)或多個(gè)孔的、和/或平 坦或具有波紋的。不同的隔膜結(jié)構(gòu)可能需要與那些所描述的不同或另 外的工序。例如，可能需要另外的工序來形成在隔膜中的孔或波紋。
要注意，描述的工序僅僅是示例性的。對于任何特定的實(shí)現(xiàn)方式，可能需要更少、另外或不同的步驟或工序。在一些情況下，不同于那 些所述材料的材料可能適用于特定的步驟或工序。實(shí)際上，不可能描 述在本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施例中可能采用的材料和工序的每個(gè)組合和排 列。因此，本發(fā)明意圖包括所有這樣的材料和工序，其包括所述材料 和工序的適當(dāng)變體。
本發(fā)明可以被實(shí)施為其他特定形式而不偏離本發(fā)明的真實(shí)范圍。 所述的實(shí)施例將被認(rèn)為在任何方面都僅僅是描述性的而不是限制性 的。
權(quán)利要求
1.一種用于從具有至少第一硅層的晶片生產(chǎn)微機(jī)械加工的麥克風(fēng)的方法，該方法包括在所述第一硅層的正面上形成至少一個(gè)氧化物層；在至少一個(gè)氧化物層上形成包括隔膜的多個(gè)多晶硅麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)；以及通過貫穿所述第一硅層形成的多個(gè)溝槽，從所述第一硅層的背面，去除在所述多個(gè)多晶硅麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)下面的至少一個(gè)氧化物層的一部分。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中，在所述第一硅層的正面上 形成至少一個(gè)氧化物層包括形成通過所述第一硅層的溝槽；淀積覆蓋所述第一硅層的所述正面并對所述溝槽加襯的至少一個(gè)氧化物層；在所述第一氧化物層上形成多個(gè)犧牲多晶硅麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)； 在所述第一氧化物層和所述犧牲多晶硅麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)上淀積第二氧 化物層；以及去除所述犧牲多晶硅麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，在所述第一氧化物層上形 成多個(gè)犧牲多晶硅結(jié)構(gòu)包括淀積覆蓋所述第一氧化物層并填充被加襯的溝槽的多晶硅層；以及對所述多晶硅層形成圖案，以形成所述多個(gè)犧牲多晶硅麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，進(jìn)一步包括，在去除在所述多個(gè) 多晶硅結(jié)構(gòu)下面的所述至少一個(gè)氧化物層的所述部分之前在所述至少一個(gè)氧化物層和所述多個(gè)多晶硅結(jié)構(gòu)上，形成另外的 氧化物層；對所述另外的氧化物層形成圖案，以暴露多晶硅結(jié)構(gòu)的一部分和所述第一硅層的一部分；形成到至少所述多晶硅結(jié)構(gòu)的暴露部分和所述第一硅層的暴露部 分的金屬電極。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，進(jìn)一步包括，在去除在所述多個(gè)多晶硅結(jié)構(gòu)下面的所述至少一個(gè)氧化物層的所述部分之前 對所述晶片形成圖案，以暴露所述隔膜的至少一部分；在所述隔膜中的至少一個(gè)孔上在所述隔膜的暴露部分上淀積第一光致抗蝕劑層；對光致抗蝕劑材料形成圖案，以再暴露所述隔膜的所述部分； 去除在所述隔膜中的所述至少一個(gè)孔下面的一部分氧化物；以及 淀積在所述隔膜中的所述至少一個(gè)孔下面形成支座的第二光致抗蝕劑層，其中，在去除所述多個(gè)多晶硅結(jié)構(gòu)下面的所述至少一個(gè)氧化物層的所述部分期間，所述支座支持所述隔膜；在去除了在所述多個(gè)多晶硅結(jié)構(gòu)下面的所述至少一個(gè)氧化物層的所述部分之后，去除所述支座。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，進(jìn)一步包括 在形成所述多晶硅麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)期間，形成多個(gè)慣性傳感器結(jié)構(gòu)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，進(jìn)一步包括 在形成所述多個(gè)犧牲多晶硅麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)期間，在所述第一氧化物層上形成多個(gè)犧牲多晶硅慣性傳感器結(jié)構(gòu)；在所述犧牲多晶硅慣性傳感器結(jié)構(gòu)上淀積所述第二氧化物層；以及去除所述犧牲多晶硅慣性傳感器結(jié)構(gòu)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，進(jìn)一步包括在形成所述犧牲多晶硅麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)期間，對所述多晶硅層形成圖 案，以形成多個(gè)犧牲多晶硅慣性傳感器結(jié)構(gòu)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中，所述晶片進(jìn)一步包括第二 硅層和在所述第一硅層和所述第二硅層之間的中間氧化物層，以及其 中，從所述第一硅層的背面去除在所述多個(gè)多晶硅麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)下面的 所述至少一個(gè)氧化物層的所述部分包括去除所述第二硅層和所述中間氧化物層的下面部分，以形成背面 空腔；以及通過所述背面空腔去除在所述多個(gè)多晶硅麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)下面的所述 至少一個(gè)氧化物層的所述部分。
10. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述晶片進(jìn)一步包括第二硅層以及在所述第一硅層和所述第二硅層之間的中間氧化物層，以 及其中，從所述第一硅層的所述背面去除在所述多個(gè)多晶硅麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)下面的所述至少一個(gè)氧化物層的所述部分包括去除所述第二硅層和所述至少一個(gè)中間氧化物層的下面部分，以 形成用于麥克風(fēng)和慣性傳感器的背面空腔；以及通過所述背面空腔，去除在所述麥克風(fēng)和所述慣性傳感器結(jié)構(gòu)下 面的至少 一個(gè)中間材料的所述部分。
11. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的方法，進(jìn)一步包括在所述第二硅層的背面上形成玻璃層，所述玻璃層覆蓋并密封所 述慣性傳感器的背面空腔，但是不覆蓋所述麥克風(fēng)的背面空腔。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述多個(gè)溝槽允許聲波 從所述第一硅層的背面到達(dá)所述隔膜。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一硅層是SOI晶片的器件層。
14. 一種裝置，包括具有至少第一硅層的晶片，所述晶片包括穿過所述第一硅層形成 的多個(gè)溝槽；以及形成在所述第一硅層的正面上的多個(gè)多晶硅麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)，其包括 隔膜，所述多個(gè)多晶硅麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)通過如下步驟形成在所述第一硅層的所述正面上淀積至少一個(gè)氧化物層； 在所述至少一個(gè)氧化物層上形成所述多晶硅麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)；以及 隨后通過所述多個(gè)溝槽從所述第一硅層的背面，去除在所述多個(gè) 多晶硅麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)下面的所述至少一個(gè)氧化物層的一部分， 其中，所述多個(gè)溝槽的設(shè)計(jì)影響所述麥克風(fēng)的聲學(xué)特性。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，進(jìn)一步包括在所述第一硅晶片的所述正面上面形成的多個(gè)多晶硅慣性傳感器 結(jié)構(gòu)，其中，所述多個(gè)多晶硅麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)和所述多個(gè)多晶硅慣性傳感器結(jié)構(gòu)使用基本相同的工藝基本上同時(shí)形成。
16. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中，所述晶片進(jìn)一步包括第 二硅層和在所述第一硅層和所述第二硅層之間的中間氧化物層，以及 其中，所述第二硅層和所述中間氧化物層的下面部分被去除，以形成 暴露所述溝槽的背面空腔。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其中，通過所述背面空腔，形 成通過所述第一硅層的所述溝槽。
18. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中，所述多個(gè)溝槽允許聲波 從所述第一硅層的背面到達(dá)所述隔膜。
19. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中，所述隔膜被支持在被形成圖案的彈簧上。
20. —種包括形成在相同的管芯上的微機(jī)械加工的麥克風(fēng)和微機(jī) 械加工的慣性傳感器的裝置。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的裝置，其中，所述麥克風(fēng)和所述慣性傳感器包括形成在所述管芯的頂硅層的正面上面的多晶硅結(jié)構(gòu)，以及 其中，所述頂硅層包括多個(gè)溝槽，所述多個(gè)溝槽允許在生產(chǎn)期間從所 述頂硅層的背面去除在所述多晶硅結(jié)構(gòu)下面的氧化物。
22. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的裝置，其中，所述微機(jī)械加工的慣性 傳感器被密封。
23. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的裝置，其中，所述管芯被組裝在具有 空腔和至少一個(gè)端口的封裝中。
24. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的裝置，其中，過濾器跨過所述端口。
25. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的裝置，其中，利用機(jī)械支持件來加強(qiáng) 所述過濾器。
26. —種包括微機(jī)械加工的麥克風(fēng)的裝置，具有至少一個(gè)第一硅層，其具有貫穿所述第一硅層形成的多個(gè)溝 槽；以及形成在所述第一硅層的正面上面的包括隔膜的多個(gè)多晶硅麥克風(fēng) 結(jié)構(gòu)；以及被組裝在具有空腔和至少一個(gè)端口的封裝中。
27. 根據(jù)權(quán)利要求26所述的裝置，進(jìn)一步包括具有在多個(gè)表面中 的所述至少一個(gè)端口的封裝。
28. 根據(jù)權(quán)利要求26所述的裝置，進(jìn)一步包括具有在底表面中的端口的封裝。
29. 根據(jù)權(quán)利要求26所述的裝置，進(jìn)一步包括具有在底表面中的 多個(gè)通道的封裝，所述通道向所述端口提供聲音路徑。
30. —種包括微機(jī)械加工的麥克風(fēng)的裝置，具有至少第一硅層，其具有貫穿所述第一硅層形成的多個(gè)溝槽；以及形成在所述第一硅層的正面上面的包括隔膜的多個(gè)多晶硅麥克風(fēng) 結(jié)構(gòu)；以及被制造在SOI晶片上。
31. —種裝置，其包括在硅晶片上制造的微機(jī)械加工的麥克風(fēng)； 以及在將所述晶片單顆化之前被減薄。
32. 根據(jù)權(quán)利要求31所述的裝置，進(jìn)一步包括使用SOI晶片。
33. 根據(jù)權(quán)利要求31所述的裝置，進(jìn)一步包括在相同封裝中的慣 性傳感器。
34. 根據(jù)權(quán)利要求31所述的裝置，進(jìn)一步包括在相同管芯上的慣 性傳感器。
全文摘要
一種從硅或絕緣體上硅結(jié)構(gòu)(SOI)晶片形成的微機(jī)械加工的麥克風(fēng)。從晶片的頂硅層形成用于麥克風(fēng)的固定的傳感電極。通過淀積至少一個(gè)氧化物層、形成結(jié)構(gòu)、然后通過貫穿頂硅層形成的溝槽從頂硅層的背面去除在該結(jié)構(gòu)下面的氧化物的一部分，來在頂硅層的正面上形成多個(gè)多晶硅麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)。這些溝槽允許聲波從頂硅層的背面到達(dá)隔膜。在SOI晶片中，貫穿底硅層和中間氧化物層形成空腔，以暴露用于去除氧化物并允許聲波到達(dá)隔膜的溝槽?？梢栽谙嗤木闲纬蓱T性傳感器，并且使用基本上與對應(yīng)的麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)相同的工序基本同時(shí)地形成多個(gè)慣性傳感器結(jié)構(gòu)。
文檔編號H04R19/00GK101208990SQ200680022953
公開日2008年6月25日 申請日期2006年4月21日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月25日
發(fā)明者克雷格·考爾, 欣 張, 托馬斯·努南, 約翰·R·馬丁, 蒂莫西·J·布勞斯尼漢, 賈森·魏戈?duì)柕?申請人:模擬設(shè)備公司