專利名稱：BiCMOS對數(shù)放大器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種BiCMOS對數(shù)放大器，屬于集成電路設(shè)計(jì)及信號處理的技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
隨著微電子技術(shù)與通信技術(shù)的日新月異，人們對于無線產(chǎn)品的需求也越來越大。特別在一些高性能的接收機(jī)中都需要對數(shù)放大器來對大范圍的中頻信號進(jìn)行信號壓制，產(chǎn)生包含輸入信號相位與頻率信息的方波，供下一級電路進(jìn)行處理。對數(shù)放大器為信號解調(diào)電路的一個組成部分。同時，對數(shù)放大器還完成了接收信號強(qiáng)度指示(RSSI)的功能。利用對數(shù)放大器RSSI端輸出的電壓與輸入信號分貝值成正比的特性來完成對輸入信號強(qiáng)度的測量。當(dāng)前普遍采用的對數(shù)放大器的電路是由一個限幅放大器和一個檢波器(也叫跨導(dǎo)單元)來組成單個限幅檢波單元，再將多個完全相同的單級限幅檢波單元級聯(lián)成連續(xù)檢測對數(shù)放大器(SDLA)，從而實(shí)現(xiàn)對輸入信號進(jìn)行對數(shù)放大，即實(shí)現(xiàn)輸入信號-輸出信號傳輸曲線呈對數(shù)形的功能。見圖1。對于單級限幅檢波單元，目前已報(bào)道的技術(shù)都是CMOS電路或Bipolar電路，CMOS限幅檢波單元結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜，例如Katsuji Kimura在1993年1月IEEE的《固態(tài)電路》雜志上發(fā)表的‘A CMOS logarithmic IFamplifier with unbalanced source-coupled pairs(一種含不平衡源極耦合型差分對的CMOS中頻對數(shù)放大器)’。見圖2。同時，CMOS限幅檢波單元的線性度也不高。Bipolar限幅檢波單元功耗比較高，相對于CMOS限幅檢波單元而言，需要大量電阻，而且負(fù)載電阻的尺寸比較大，要占用較大的芯片面積，增加了成本，同時負(fù)載電阻的精度不高，會直接影響到限幅放大器的增益的穩(wěn)定度，進(jìn)而影響到對數(shù)放大器RSSI輸出的動態(tài)范圍。例如Tsuneo Tsukahara在1997年的IEEE國際固態(tài)電路會議上發(fā)表的‘A 2 GHz 60dB dynamic-range Silogarithmic limiting amplifier with low phase deviations(一種2GHz的、動態(tài)范圍為60dB的和具有低相位偏差的硅對數(shù)限幅放大器)’。見圖3。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是推出一種BiCMOS對數(shù)放大器。它的優(yōu)點(diǎn)是它結(jié)合了Bipolar電路和CMOS電路兩者的特點(diǎn)，結(jié)構(gòu)簡單，線性度好，功耗低，芯片占用面積少，RSSI的動態(tài)范圍可調(diào)。
本發(fā)明的技術(shù)方案是一種BiCMOS對數(shù)放大器，具有與已有的CMOS或Bipolar對數(shù)放大器相同的電路結(jié)構(gòu)由直流電平反饋電路、單端-差分轉(zhuǎn)換電路、電流相加電路和電流-電壓轉(zhuǎn)換電路與五個單級限幅檢波單元級聯(lián)的模塊組成，其特征在于，所述的單級限幅檢波單元是由Bipolar電路與CMOS電路組成的單級限幅檢波單元。
現(xiàn)結(jié)合附圖，詳細(xì)描述本發(fā)明的技術(shù)方案。
一種BiCMOS對數(shù)放大器，由直流電平反饋電路1、單端-差分轉(zhuǎn)換電路2、電流相加電路3、電流-電壓轉(zhuǎn)換電路4和五個單級限幅檢波單元級聯(lián)的模塊5組成，直流電平反饋電路1有正向輸入端in11、反向輸入端in12、正向輸出端out11和反向輸出端out12，單端-差分轉(zhuǎn)換電路2有正向輸入端in21、反向輸入端in22、正向輸出端out21和反向輸出端out22，電流相加電路3有電流輸入端in31、電流輸入端in32、電流輸入端in33、電流輸入端in34、電流輸入端in35、電流輸出端out31和電流輸出端out32，電流-電壓轉(zhuǎn)換電路4有電流輸入端in41和電壓輸出端out41，五個單級限幅檢波單元級聯(lián)的模塊5有正向輸入端input11、反向輸入端input12、電壓控制端ctr1、正向輸出端out51、反向輸出端out52、電流輸出端output1、電流輸出端output2、電流輸出端output3、電流輸出端output4和電流輸出端output5，五個單級限幅檢波單元級聯(lián)的模塊5的正向輸出端out51和反向輸出端out52分別與直流電平反饋電路1的正向輸入端in11和反向輸入端in12連接，直流電平反饋電路1的正向輸出端out11和反向輸出端out12分別與單端-差分轉(zhuǎn)換電路2的正向輸入端in21和反向輸入端in22連接，單端-差分轉(zhuǎn)換電路2的正向輸入端in21為所述的對數(shù)放大器的單端信號輸入端，電流相加電路3的電流輸出端out31為對數(shù)放大器的RSSI輸出端，電流相加電路3的電流輸出端out32與電流-電壓轉(zhuǎn)換電路4的電流輸入端in41連接，電流-電壓轉(zhuǎn)換電路4的電壓輸出端out41為所述的對數(shù)放大器的輸出端，其特征在于，所述的單級限幅檢波單元是BiCMOS單級限幅檢波單元，五個單級限幅檢波單元級聯(lián)的模塊5中的第一個單級限幅檢波單元51由第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第一晶體管Q1、第二晶體管Q2、第三晶體管Q3、第四晶體管Q4、第五晶體管Q5、第一二極管D1、第二二極管D2、第一電流源I1、第二電流源I2、第三電流源I3、第一電阻R1和第二電阻R2組成，第一晶體管Q1、第二晶體管Q2、第三晶體管Q3、第四晶體管Q4、第五晶體管Q5是雙極型的NPN管，第一MOS管M1、第三MOS管M3是PMOS管，第二MOS管M2、第四MOS管M4是NMOS管，第三晶體管Q3為跨導(dǎo)單元，第一晶體管Q1、第二晶體管Q2和第三晶體管Q3的發(fā)射極連在一起后與第一電流源I1的一端連接，第一電流源I1的另一端接地，第一晶體管Q1的基極和第二晶體管Q2的基極分別是正向輸入端input11和反向輸入端input12，第一電阻R1跨接在第一晶體管Q1的基極和第三晶體管Q3的基極之間，第二電阻R2跨接在第二晶體管Q2的基極和第三晶體管Q3的基極之間，第一晶體管Q1的集電極、第一MOS管M1的漏級、第二MOS管M2的源級連接，第三晶體管Q3的集電極為電流輸出端output1，第二MOS管M2的柵極和漏級與電源正端Vcc連接，第二MOS管M2的襯底接地，第一MOS管M1的源級和襯底與電源正端Vcc連接，第一MOS管M1的柵極為電壓控制端ctr11，第二晶體管Q2的集電極、第三MOS管M3的漏級、第四MOS管M4的源級連接，第四MOS管M4的柵極和漏級與電源正端Vcc連接，第四MOS管M4的襯底接地，第三MOS管M3的源級和襯底與電源正端Vcc連接，第三MOS管M3的柵極與電壓控制端ctr11連接，第四晶體管Q4的基極和第五晶體管Q5的基極分別與第一晶體管Q1的集電極和第二晶體管Q2的集電極連接，第四晶體管Q4的集電極和第五晶體管Q5的集電極與電源正端Vcc連接，第一二極管D1的陽極和陰極分別與第四晶體管Q4的發(fā)射極和第二電流源I2的一端連接，第二電流源I2的另一端接地，第二二極管D2的陽極和陰極分別與第五晶體管Q5的發(fā)射極和第三電流源I3的一端連接，第三電流源I3的另一端接地，第一二極管D1的陰極和第二二極管D2的陰極分別與反向輸出端out12和正向輸出端out11連接，第一個單級限幅檢波單元51有正向輸入端input11、反向輸入端input12、正向輸出端out11、反向輸出端out12、電壓控制端ctr11和電流輸出端output1，第二個單級限幅檢波單元52有正向輸入端input21、反向輸入端input22、正向輸出端out21、反向輸出端out22、電壓控制端ctr12和電流輸出端output2，第三個單級限幅檢波單元53有正向輸入端input31、反向輸入端input32、正向輸出端out31、反向輸出端out32、電壓控制端ctr13和電流輸出端output3，第四個單級限幅檢波單元54有正向輸入端input41、反向輸入端input42、正向輸出端out41、反向輸出端out42、電壓控制端ctr14和電流輸出端output4，第五個單級限幅檢波單元55有正向輸入端input51、反向輸入端input52、正向輸出端out51、反向輸出端out52、電壓控制端ctr15和電流輸出端output5，電壓控制端ctr11、電壓控制端ctr12、電壓控制端ctr13、電壓控制端ctr14和電壓控制端ctr15連接在一起組成五個單級限幅檢波單元級聯(lián)的模塊5的電壓控制端ctr1，第一個單級限幅檢波單元51的正向輸出端out11和反向輸出端out12分別與第二個BiCMOS單級限幅檢波單元52的正向輸入端input21和反向輸入端input22連接，第二個單級限幅檢波單元52的正向輸出端out21和反向輸出端out22分別與第三個單級限幅檢波單元53的正向輸入端input31和反向輸入端input32連接，第三個單級限幅檢波單元53的正向輸出端out31和反向輸出端out32分別與第四個單級限幅檢波單元54的正向輸入端input41和反向輸入端input42連接，第四個單級限幅檢波單元54的正向輸出端out41和反向輸出端out42分別與第五個單級限幅檢波單元55的正向輸入端input51和反向輸入端input52連接，電流輸出端output1、電流輸出端output2、電流輸出端output3、電流輸出端output4和電流輸出端output5分別與電流相加電路3的電流輸入端in31、電流輸入端in32、電流輸入端in33、電流輸入端in34和電流輸入端in35連接，單端-差分轉(zhuǎn)換電路2的正向輸出端out21和反向輸出端out22分別與五個單級限幅檢波單元級聯(lián)的模塊5的正向輸入端input11和反向輸入端input12連接。
本發(fā)明的有益效果是1、在實(shí)現(xiàn)對信號對數(shù)放大的功能的同時，能通過饋加在電壓控制端ctr1的外部電壓來改變每級BiCMOS限幅檢波單元的增益，從而可以根據(jù)需要改變所述的對數(shù)放大器的總增益和動態(tài)范圍。
2、由于它結(jié)構(gòu)簡單，同時跨導(dǎo)單元與BiCMOS限幅檢波單元共用一個電流源，因此它的功耗比較低。
3、在BiCMOS限幅檢波單元中，充分利用了BiCMOS的技術(shù)特點(diǎn)，用CMOS管作為負(fù)載管代替了一般負(fù)載電阻，這樣，在制作BiCMOS對數(shù)放大器的集成電路時，可以節(jié)省很大的芯片面積。與Bipolar集成電路工藝相比，用0.8μm的CMOS集成電路工藝制作代替負(fù)載電阻的CMOS管，即MOS電阻，可節(jié)省75％到80％的芯片面積。而且，MOS電阻的精度也比一般的電阻的精度高得多。BiCMOS限幅檢波單元的級數(shù)越多，節(jié)省芯片面積的效果越明顯。此外，利用了Bipolar晶體管，即雙極型晶體管作為跨導(dǎo)單元能得到很好的線性度。


圖1為本發(fā)明的對數(shù)放大器的輸入-輸出特性曲線。
圖2為已有的對數(shù)放大器的單級CMOS限幅檢波單元的電路圖。
圖3為已有的對數(shù)放大器的單級Bipolar限幅檢波單元的電路圖。
圖4為已有的對數(shù)放大器的電路結(jié)構(gòu)框圖。
圖5為本發(fā)明的對數(shù)放大器的單級BiCMOS限幅檢波單元的電路圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的技術(shù)方案就是具體的實(shí)施例，這里就不再附加實(shí)施例。下面詳盡介紹本發(fā)明技術(shù)方案的工作原理。如前所述，本發(fā)明的對數(shù)放大器含五個BiCMOS單級限幅檢波單元級聯(lián)的電路，利用每一級的限幅曲線的疊加來完成向?qū)?shù)曲線的逼近?，F(xiàn)以第一個單級限幅檢波單元51，即BiCMOS單級限幅檢波單元為例說明之。假設(shè)加在第一晶體管Q1基極的正向輸入信號為Vin+=Vic+Vid2,]]>加在第二晶體管Q2的基極的反向輸入信號為Vin-=Vic-Vid2,]]>其中Vic為共模信號，Vid為差模信號。則第三晶體管Q3基極電壓為VB=Vin++Vin-2=Vic,]]>第三晶體管Q3的基極和發(fā)射極的壓降為Vbe3=VB-(Vic+|Vid2|-VBE),]]>VBE為第三晶體管Q3的BE結(jié)壓降。第三晶體管Q3的發(fā)射極電壓始終是三個管子中基極電壓最高值減去一個VBE。那么第三晶體管Q3的集電極輸出電流為Ic3=ISexpVbe3VT=ISexpVB-(Vic+|Vid2|-VBE)VT,]]>其中Is為第三晶體管Q3的飽和電流，VT為第三晶體管Q3的熱電壓值，在溫度為300K時VT≈26mV。當(dāng)輸入差分信號的值相差很大時(一般為300mV)，則BiCMOS單級限幅檢波單元呈現(xiàn)ECL電路特性。例如第一晶體管Q1的基極電壓比第二晶體管Q2的基極電壓高300mV，那么第一晶體管Q1導(dǎo)通，而第二晶體管Q2和第三晶體管Q3截止，跨導(dǎo)單元輸出電流為0。當(dāng)對數(shù)放大器輸入信號幅度很小時，每一級BiCMOS單級限幅檢波單元的限幅放大器都正常放大，跨導(dǎo)單元輸出電流與輸入信號幅度成正比。當(dāng)輸入信號增大到一定值時，第五個BiCMOS單級限幅檢波單元55的限幅放大器達(dá)到飽和狀態(tài)，跨導(dǎo)單元輸出電流為0，其他四個BiCMOS單級限幅檢波單元的限幅放大器依然正常放大。隨著信號幅度的逐漸增大，從BiCMOS單級限幅檢波單元55的限幅放大器開始，BiCMOS單級限幅檢波單元54的限幅放大器，BiCMOS單級限幅檢波單元53的限幅放大器，BiCMOS單級限幅檢波單元52的限幅放大器，一直到BiCMOS單級限幅檢波單元51的限幅放大器相繼達(dá)到飽和狀態(tài)，各級電路的跨導(dǎo)單元輸出的電流之和與輸入信號成對數(shù)關(guān)系。對于每一個限幅放大器，本發(fā)明都采用了MOS管作為其負(fù)載，利用其有源電阻來代替一般的無源電阻，這樣，制作所述的BiCMOS對數(shù)放大器的集成電路時，就可以節(jié)約很大的芯片面積。第二MOS管M2柵極和漏級短接，它所呈現(xiàn)的線性電阻值為1gm=12IDuCoxWL,]]>其中ID為流過這個管子的電流，u為電子遷移率，Cox為柵電容，W和L分別為MOS管的寬度和長度。在限幅放大器的電流源一定的情況下要得到高的增益就必須要有高的負(fù)載，從負(fù)載電阻的公式中可以看出，要提高負(fù)載電阻，可以減小ID和W/L的比值。第一MOS管M1的作用就是一個電流源，通過改變其柵極電壓來改變流過第MOS管M2的電流，從而達(dá)到調(diào)節(jié)整個限幅放大器的增益和控制整個限幅放大器的動態(tài)范圍的目的。如圖4所示，將多級上述的限幅放大器和跨導(dǎo)單元串聯(lián)，將每一級跨導(dǎo)單元輸出的電流通過電流相加電路3進(jìn)行相加，就能得到RSSI輸出。同時將電流相加電路3的輸出電流通過電流-電壓轉(zhuǎn)換電路4，就能得到與輸入信號呈對數(shù)關(guān)系的輸出信號。
權(quán)利要求
1.一種BiCMOS對數(shù)放大器，具有與已有的CMOS或Bipolar對數(shù)放大器相同的電路結(jié)構(gòu)由直流電平反饋電路、單端-差分轉(zhuǎn)換電路、電流相加電路和電流-電壓轉(zhuǎn)換電路與五個單級限幅檢波單元級聯(lián)的模塊組成，其特征在于，所述的單級限幅檢波單元是由Bipolar電路與CMOS電路組成的單級限幅檢波單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的BiCMOS對數(shù)放大器，由直流電平反饋電路(1)、單端-差分轉(zhuǎn)換電路(2)、電流相加電路(3)、電流-電壓轉(zhuǎn)換電路(4)和五個單級限幅檢波單元級聯(lián)的模塊(5)組成，直流電平反饋電路(1)有正向輸入端(in11)、反向輸入端(in12)、正向輸出端(out11)和反向輸出端(out12)，單端-差分轉(zhuǎn)換電路(2)有正向輸入端(in21)、反向輸入端(in22)、正向輸出端(out21)和反向輸出端(out22)，電流相加電路(3)有電流輸入端(in31)、電流輸入端(in32)、電流輸入端(in33)、電流輸入端(in34)、電流輸入端(in35)、電流輸出端(out31)和電流輸出端(out32)，電流-電壓轉(zhuǎn)換電路(4)有電流輸入端(in41)和電壓輸出端(out41)，五個單級限幅檢波單元級聯(lián)的模塊(5)有正向輸入端(input11)、反向輸入端(input12)、電壓控制端(ctrl)、正向輸出端(out51)、反向輸出端(out52)、電流輸出端(output1)、電流輸出端(output2)、電流輸出端(output3)、電流輸出端(output4)和電流輸出端(output5)，五個單級限幅檢波單元級聯(lián)的模塊(5)的正向輸出端(out51)和反向輸出端(out52)分別與直流電平反饋電路(1)的正向輸入端(in11)和反向輸入端(in12)連接，直流電平反饋電路(1)的正向輸出端(out11)和反向輸出端(out12)分別與單端-差分轉(zhuǎn)換電路(2)的正向輸入端(in21)和反向輸入端(in22)連接，單端-差分轉(zhuǎn)換電路(2)的正向輸入端(in21)為所述的對數(shù)放大器的單端信號輸入端，電流相加電路(3)的電流輸出端(out31)為對數(shù)放大器的RSSI輸出端，電流相加電路(3)的電流輸出端(out32)與電流-電壓轉(zhuǎn)換電路(4)的電流輸入端(in41)連接，電流-電壓轉(zhuǎn)換電路(4)的電壓輸出端(out41)為所述的對數(shù)放大器的輸出端，其特征在于，所述的單級限幅檢波單元是BiCMOS單級限幅檢波單元，五個單級限幅檢波單元級聯(lián)的模塊(5)中的第一個單級限幅檢波單元(51)由第一MOS管(M1)、第MOS管(M2)、第三MOS管(M3)、第四MOS管(M4)、第一晶體管(Q1)、第二晶體管(Q2)、第三晶體管(Q3)、第四晶體管(Q4)、第五晶體管(Q5)、第一二極管(D1)、第二二極管(D2)、第一電流源(I1)、第二電流源(I2)、第三電流源(I3)、第一電阻(R1)和第二電阻(R2)組成，第一晶體管(Q1)、第二晶體管(Q2)、第三晶體管(Q3)、第四晶體管(Q4)、第五晶體管(Q5)是雙極型的NPN管，第一MOS管(M1)、第三MOS管(M3)是PMOS管，第二MOS管(M2)、第四MOS管(M4)是NMOS管，第三晶體管(Q3)為跨導(dǎo)單元，第一晶體管(Q1)、第二晶體管(Q2)和第三晶體管(Q3)的發(fā)射極連在一起后與第一電流源(I1)的一端連接，第一電流源(I1)的另一端接地，第一晶體管(Q1)的基極和第二晶體管(Q2)的基極分別是正向輸入端(input11)和反向輸入端(input12)，第一電阻R1跨接在第一晶體管(Q1)的基極和第三晶體管(Q3)的基極之間，第二電阻(R2)跨接在第二晶體管(Q2)的基極和第三晶體管(Q3)的基極之間，第一晶體管(Q1)的集電極、第一MOS管(M1)的漏級、第MOS管(M2)的源級連接，第三晶體管(Q3)的集電極為電流輸出端(output1)，第二MOS管(M2)的柵極和漏級與電源正端(Vcc)連接，第二MOS管(M2)的襯底接地，第一MOS管(M1)的源級和襯底與電源正端(Vcc)連接，第一MOS管(M1)的柵極為電壓控制端(ctrl1)，第二晶體管(Q2)的集電極、第三MOS管(M3)的漏級、第四MOS管(M4)的源級連接，第四MOS管(M4)的柵極和漏級與電源正端(Vcc)連接，第四MOS管(M4)的襯底接地，第三MOS管(M3)的源級和襯底與電源正端(Vcc)連接，第三MOS管(M3)的柵極與電壓控制端(ctrl1)連接，第四晶體管(Q4)的基極和第五晶體管(Q5)的基極分別與第一晶體管(Q1)的集電極和第二晶體管(Q2)的集電極連接，第四晶體管(Q4)的集電極和第五晶體管(Q5)的集電極與電源正端(Vcc)連接，第一二極管(D1)的陽極和陰極分別與第四晶體管(Q4)的發(fā)射極和第二電流源(I2)的一端連接，第二電流源(I2)的另一端接地，第二二極管(D2)的陽極和陰極分別與第五晶體管(Q5)的發(fā)射極和第三電流源(I3)的一端連接，第三電流源(I3)的另一端接地，第一二極管(D1)的陰極和第二二極管(D2)的陰極分別與反向輸出端(out12)和正向輸出端(out11)連接，第一個單級限幅檢波單元(51)有正向輸入端(input11)、反向輸入端(input12)、正向輸出端(out11)、反向輸出端(out12)、電壓控制端(ctrl1)和電流輸出端(output1)，第二個單級限幅檢波單元(52)有正向輸入端(input21)、反向輸入端(input22)、正向輸出端(out21)、反向輸出端(out22)、電壓控制端(ctrl2)和電流輸出端(output2)，第三個單級限幅檢波單元(53)有正向輸入端(input31)、反向輸入端(input32)、正向輸出端(out31)、反向輸出端(out32)、電壓控制端(ctrl3)和電流輸出端(output3)，第四個單級限幅檢波單元(54)有正向輸入端(input41)、反向輸入端(input42)、正向輸出端(out41)、反向輸出端(out42)、電壓控制端(ctrl4)和電流輸出端(output4)，第五個單級限幅檢波單元(55)有正向輸入端(input51)、反向輸入端(input52)、正向輸出端(out51)、反向輸出端(out52)、電壓控制端(ctrl5)和電流輸出端(output5)，電壓控制端(ctrl1)、電壓控制端(ctrl2)、電壓控制端(ctrl3)、電壓控制端(ctrl4)和電壓控制端(ctrl5)連接在一起組成五個單級限幅檢波單元級聯(lián)的模塊(5)的電壓控制端(ctrl)，第一個單級限幅檢波單元(51)的正向輸出端(out11)和反向輸出端(out12)分別與第二個單級限幅檢波單元(52)的正向輸入端(input21)和反向輸入端(input22)連接，第二個單級限幅檢波單元(52)的正向輸出端(out21)和反向輸出端(out22)分別與第三個單級限幅檢波單元(53)的正向輸入端(input31)和反向輸入端(input32)連接，第三個單級限幅檢波單元(53)的正向輸出端(out31)和反向輸出端(out32)分別與第四個單級限幅檢波單元(54)的正向輸入端(input41)和反向輸入端(input42)連接，第四個單級限幅檢波單元(54)的正向輸出端(out41)和反向輸出端(out42)分別與第五個單級限幅檢波單元(55)的正向輸入端(input51)和反向輸入端(input52)連接，電流輸出端(output1)、電流輸出端(output2)、電流輸出端(output3)、電流輸出端(output4)和電流輸出端(output5)分別與電流相加電路(3)的電流輸入端(in31)、電流輸入端(in32)、電流輸入端(in33)、電流輸入端(in34)和電流輸入端(in35)連接，單端-差分轉(zhuǎn)換電路(2)的正向輸出端(out21)和反向輸出端(out22)分別與五個單級限幅檢波單元級聯(lián)的模塊(5)的正向輸入端(input11)和反向輸入端(input12)連接。
全文摘要
一種BiCMOS對數(shù)放大器，屬于集成電路設(shè)計(jì)及信號處理的技術(shù)領(lǐng)域。該放大器具有與已有的CMOS或Bipolar對數(shù)放大器相同的電路結(jié)構(gòu)由直流電平反饋電路、單端－差分轉(zhuǎn)換電路、電流相加電路和電流－電壓轉(zhuǎn)換電路與五個單級限幅檢波單元級聯(lián)的模塊組成，其特征在于，所述的單級限幅檢波單元是由Bipolar電路與CMOS電路組成的單級限幅檢波單元。該放大器結(jié)合了Bipolar電路和CMOS電路的特點(diǎn)，有結(jié)構(gòu)簡單，線性度好，功耗低，芯片占用面積少，RSSI的動態(tài)范圍可調(diào)的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號H04B17/00GK1728544SQ20051002688
公開日2006年2月1日 申請日期2005年6月17日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月17日
發(fā)明者許永生, 陶永剛, 賴宗聲, 石春琦, 金瑋, 俞惠, 洪亮, 李勇 申請人:華東師范大學(xué)