專利名稱：應(yīng)答器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及應(yīng)答器，該應(yīng)答器用于通過以相應(yīng)于代碼的節(jié)律改變來自基站的射頻(RF)信號(hào)而把代碼提供給基站。
尚未公布的國(guó)際專利申請(qǐng)EP 01/09620描述一種識(shí)別應(yīng)答器，它與基站或掃描儀一起被顯示在

圖1?；綛S發(fā)出RF信號(hào)，該RF信號(hào)的一部分藉助于耦合P1；P3，P2；P4(在本例中是電容耦合)被提供到整流器RTF，該整流器RTF由二極管D1與負(fù)載晶體管TL以及平滑電容器C構(gòu)成。結(jié)果，在整流器RTF的輸出端1和2之間有可用的電源電壓V。識(shí)別應(yīng)答器IDT還包括識(shí)別代碼生成器IDCG，該識(shí)別代碼生成器IDCG包括都被饋以電源電壓V的所謂的只讀存儲(chǔ)器(ROM)和調(diào)制器。負(fù)載晶體管TL被連接到在極板(pad)P1與輸出端2之間的主電流路徑。在工作期間，識(shí)別代碼生成器IDCG發(fā)送串行比特模式到負(fù)載晶體管TL的控制電極。該串行比特模式由被存儲(chǔ)在ROM中的數(shù)據(jù)確定。結(jié)果，在輸出端1和2之間的負(fù)載以串行比特模式的節(jié)律變化。整流器RTF的輸入電流隨之以上述的節(jié)律變化。這個(gè)節(jié)律可以由基站BS藉助于耦合P1；P3，P2；P4檢測(cè)。例如，ROM可以是物品上的條形碼，該代碼包含有關(guān)物品的信息，例如物品的價(jià)格。這個(gè)信息通過與基站BS的臨時(shí)耦合被傳送到基站BS。識(shí)別應(yīng)答器IDT例如可被安排在由有機(jī)材料(例如聚合物)制成的集成電路中。這提供了識(shí)別應(yīng)答器可以用這種材料被制造成具有小的厚度和大的機(jī)械柔韌性的優(yōu)點(diǎn)。通常，但特別當(dāng)電子電路由有機(jī)材料制造時(shí)，使得所需要的電子部件的數(shù)目最小化是有利的。在圖1所示的識(shí)別應(yīng)答器IDT中，負(fù)載晶體管TL因而具有雙重功能，也就是，可變負(fù)載的功能和整流器元件的功能。這節(jié)省一個(gè)電子部件。最后，整流器RTF于是少需要一個(gè)二極管，而(由此)并沒有額外部件在別處被加到電子電路。
本發(fā)明的目的是提高應(yīng)答器的效率或增加RF信號(hào)的調(diào)制深度。
本發(fā)明由此提供一個(gè)應(yīng)答器，用于通過以相應(yīng)于代碼的節(jié)律改變來自基站的射頻信號(hào)而把代碼提供給基站，應(yīng)答器包括識(shí)別代碼生成裝置，用于生成代碼；整流器裝置，被安排成與射頻信號(hào)進(jìn)行交流耦合以用于把電源電壓加到該生成裝置，該整流器裝置包括至少一個(gè)用作為整流器的電路；調(diào)制晶體管，其具有主電流路徑并包括控制電極，該控制電極被耦合來用于接收代碼以用于產(chǎn)生整流器裝置的可變負(fù)載，其結(jié)果是使該射頻信號(hào)以所述節(jié)律變化，所述至少一個(gè)用作為整流器的電路包括調(diào)制晶體管的主電流路徑；電壓適配裝置，用于適配代碼的電壓電平和用于把具有經(jīng)適配的電壓電平的代碼提供給調(diào)制晶體管的控制電極；以及另外的整流器裝置，用于把一個(gè)分開的電源電壓加到電壓適配裝置。
可以看到，RF信號(hào)的調(diào)制深度強(qiáng)烈地取決于在調(diào)制晶體管的控制電極上的(代碼)信號(hào)的電壓電平(該調(diào)制晶體管相應(yīng)于圖1的負(fù)載晶體管TL)。這特別適用于由有機(jī)材料(諸如聚合物)制成的電子部件的應(yīng)用。在EP01/09620中描述的應(yīng)答器中，這些電壓電平被直接與由整流器提供的電壓耦合。通過應(yīng)用按照本發(fā)明的應(yīng)答器中的另外的整流器裝置和電壓適配裝置，所述電壓電平可以自由地確定，即，與由整流器裝置加到(識(shí)別代碼)生成裝置的電源電壓無關(guān)。結(jié)果，可以產(chǎn)生RF信號(hào)的較高的效率或較大的調(diào)制深度。
本發(fā)明的另外的有利的實(shí)施例在權(quán)利要求2中被規(guī)定。
現(xiàn)在參照附圖進(jìn)一步討論本發(fā)明，其中圖1顯示如在EP01/09620中描述的識(shí)別應(yīng)答器；圖2顯示按照本發(fā)明的識(shí)別應(yīng)答器的第一實(shí)施例的電路圖；圖3顯示在按照本發(fā)明的應(yīng)答器中使用的另外的整流器裝置的第一實(shí)施例的電路圖；圖4顯示在按照本發(fā)明的應(yīng)答器中使用的另外的整流器裝置的第二實(shí)施例的電路圖；圖5顯示在按照本發(fā)明的應(yīng)答器中使用的電壓適配裝置的一個(gè)實(shí)施例的電路圖；圖6顯示按照本發(fā)明的識(shí)別應(yīng)答器的第二實(shí)施例的電路圖；圖7顯示按照本發(fā)明的識(shí)別應(yīng)答器的第三實(shí)施例的電路圖；圖8顯示按照本發(fā)明的識(shí)別應(yīng)答器的第四實(shí)施例的電路圖；圖9顯示按照本發(fā)明的識(shí)別應(yīng)答器的第五實(shí)施例的電路圖；圖10顯示按照本發(fā)明的識(shí)別應(yīng)答器的第六實(shí)施例的電路圖；以及圖11顯示可以在按照本發(fā)明的應(yīng)答器中使用的識(shí)別代碼生成裝置的電路圖的例子。
在這些圖上相同的部件或元件用相同的參考符號(hào)表示。
圖2顯示按照本發(fā)明的識(shí)別應(yīng)答器IDT的第一實(shí)施例的電路圖。圖2也示意地顯示用于發(fā)送RF信號(hào)的基站BS。識(shí)別應(yīng)答器IDT包括被耦合到基站BS的導(dǎo)電極板P3的導(dǎo)電極板P1，以及被耦合到基站BS的導(dǎo)電極板P4的導(dǎo)電極板P2。識(shí)別應(yīng)答器IDT還包括整流器裝置RTF，另外的整流器裝置FRTF，電壓適配裝置VADPT和識(shí)別代碼生成裝置IDCG。整流器裝置RTF包括二極管D1，調(diào)制場(chǎng)效應(yīng)晶體管TM，和平滑電容器C。二極管D1分別通過陰極和陽(yáng)極被連接到導(dǎo)電極板P1和導(dǎo)電極板P2。識(shí)別代碼生成裝置IDCG的第一電源端1被連接到第二導(dǎo)電極板P2。調(diào)制晶體管TM的源極被連接到導(dǎo)電極板P1。調(diào)制晶體管TM的漏極被連接到識(shí)別代碼生成裝置IDCG的第二電源端2。平滑電容器C被連接在第一電源端1與第二電源端2之間。在第一電源端1與第二電源端2之間的電源電壓被稱為V1。識(shí)別代碼生成裝置IDCG的信號(hào)輸出端3被耦合到電壓適配裝置VADPT的輸入端8。電壓適配裝置VADPT的輸出端9被耦合到調(diào)制晶體管TM的柵極。在電壓適配裝置VADPT的連接點(diǎn)11和10之間存在有另一個(gè)電源電壓V2，該另一個(gè)電源電壓V2由另外的整流器裝置FRTF通過該另外的整流器裝置FRTF的連接點(diǎn)6和7分別與電壓適配裝置VADPT的連接點(diǎn)11和10的耦合而被產(chǎn)生。電壓適配裝置VADPT的連接點(diǎn)4和5被連接到導(dǎo)電極板P1和導(dǎo)電極板P2。
如圖2所示的電子系統(tǒng)如下地工作。導(dǎo)電極板P1到P4構(gòu)成在基站RF與識(shí)別應(yīng)答器IDT之間的電容性耦合。結(jié)果，RF信號(hào)的一部分被提供到整流器裝置RTF和另外的整流器裝置FRTF。另外的整流器裝置FRTF的用途是能夠把另一個(gè)電源電壓V2加到電壓適配裝置VADPT，有可能選擇不同于電源電壓值V1的另一個(gè)電源電壓值V2。被提供給另外的整流器裝置FRTF的RF信號(hào)的部分通常比起被提供給整流器裝置RTF的RF信號(hào)的部分小得多。電壓適配裝置VADPT在信號(hào)輸出端3與第一電源端1之間提供代碼信號(hào)。電壓適配裝置VADPT適配代碼信號(hào)的電壓電平。具有經(jīng)適配的電壓電平的代碼信號(hào)被提供到連接點(diǎn)9并因此被加到調(diào)制晶體管TM的柵極。調(diào)制晶體管TM的導(dǎo)通依賴于經(jīng)電壓適配的代碼信號(hào)而變化。如果調(diào)制晶體管TM導(dǎo)通，則它取代二極管(諸如圖7的二極管D2)的功能。二極管D1的功能是使得流到(或來自)導(dǎo)電極板P1至P4的平均電流平均地等于零。這避免分別在導(dǎo)電極板P1與P3之間和在P2與P4之間建立直流電壓。這會(huì)阻滯識(shí)別應(yīng)答器IDT的工作。整流的RF信號(hào)被平滑電容器C平滑。因此，在識(shí)別代碼生成裝置IDCG的第一和第二電源端1和2之間有基本上恒定的電源電壓V1。整流器裝置RTF的負(fù)載不單由識(shí)別代碼生成裝置IDCG確定，而且也由調(diào)制晶體管TM確定。識(shí)別代碼生成裝置IDCG被安排用于在信號(hào)輸出端3上提供代碼信號(hào)。這個(gè)信號(hào)按相應(yīng)于識(shí)別代碼的節(jié)律變化。識(shí)別代碼例如表示要被掃描的物品的價(jià)格。由于該可變信號(hào)最后被加到調(diào)制晶體管的柵極(經(jīng)由經(jīng)電壓電平適配的代碼信號(hào))，調(diào)制晶體管TM按相應(yīng)于識(shí)別代碼的節(jié)律變化。結(jié)果，從基站提取的RF信號(hào)的量也按所述的節(jié)律變化。RF信號(hào)的這個(gè)變化可以按已知的方式被檢測(cè)，例如按公布號(hào)為WO99/30432的國(guó)際專利申請(qǐng)的圖2中所示的方式。
其中調(diào)制晶體管TM的主電流路徑被連接在導(dǎo)電極板P2和電源端1之間(而不是被連接在導(dǎo)電極板P1和電源端2之間)的圖6的電路圖可被用作為圖2所示的電路圖的等效替換例。
圖7顯示按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電路圖，其中二極管D2的功能(例如見圖7)未被調(diào)制晶體管TM取代，這正是圖2和6上的情形，但二極管D1的功能(例如見圖2)被調(diào)制晶體管TM取代。
圖8顯示形成圖7的電路圖的等效替換例的電路圖。二極管D2被連接在導(dǎo)電極板P2和電源端1之間，而不是被連接在導(dǎo)電極板P1和電源端2之間。
圖9和10顯示分別相應(yīng)于圖2和6所示的實(shí)施例的、按照本發(fā)明的實(shí)施例的電路圖，條件是基站BS與識(shí)別應(yīng)答器IDT之間的耦合不是通過容性方式而是通過電感性方式達(dá)到的。為此，識(shí)別應(yīng)答器IDT的線圈L1與基站BS的線圈L2相耦合。由于是電感性耦合，如圖2和6所示的二極管D1在如圖9和10所示的電路圖中是冗余的。
圖3顯示在按照本發(fā)明的應(yīng)答器IDT中使用的另外的整流器裝置FRTF的第一實(shí)施例的電路圖。該電路是整流器電路的最基本的形式，它包括被連接在連接點(diǎn)4和6之間的二極管d1；以及平滑電容器C1，它一方面被連接到連接點(diǎn)6、另一方面被連接到互聯(lián)的連接點(diǎn)5與7。在連接點(diǎn)6上有相對(duì)于連接點(diǎn)7的電位的正的電位。如果想要的話，二極管d1的極性可被交換，這樣，在連接點(diǎn)6上的電位相對(duì)于連接點(diǎn)7的電位是負(fù)的。由于續(xù)流二極管(freewheeling)D1已存在于應(yīng)答器IDT中的別處(參照?qǐng)D2中)，在其中圖3的二極管d1被連接到所指示的極性的情形下，續(xù)流二極管在如圖3所示的電路中就不再是必須的。如果二極管d1有相反的極性(為了在連接點(diǎn)6上創(chuàng)建相對(duì)于連接點(diǎn)7的負(fù)的電位)，則需要一個(gè)附加的續(xù)流二極管。這個(gè)附加的續(xù)流二極管在圖3上用d3表示，以及在連接點(diǎn)4和5之間用虛線畫出。應(yīng)當(dāng)看到，這個(gè)附加的續(xù)流二極管d3實(shí)際上被反并聯(lián)到續(xù)流二極管D1(見圖2)。由于在導(dǎo)電極板P1上有相對(duì)于導(dǎo)電極板P2的正的極性的事實(shí)(圖2)，附加的續(xù)流二極管實(shí)際上在整流器裝置RTF的輸入端形成不想要的(損耗)負(fù)載。由于另外的整流器裝置FRTF需要傳遞相對(duì)較少的電流(與整流器裝置RTF相比較)，附加的續(xù)流二極管d3的尺寸，比起續(xù)流二極管D1的尺寸也是相對(duì)較小的。結(jié)果，由附加的續(xù)流二極管d3引起的能量損耗很小。
圖4顯示在按照本發(fā)明的應(yīng)答器IDT中使用的另外的整流器裝置FRTF的第二實(shí)施例的電路圖。這個(gè)電路實(shí)際上是圖3所示的電路的雙重安排，其中在在連接點(diǎn)6上有相對(duì)于地(＝圖2的電源端1)的正的電位，以及在連接點(diǎn)7上有相對(duì)于地的負(fù)的電位。
應(yīng)當(dāng)看到，在圖9和10所示的應(yīng)答器IDT中不需要續(xù)流二極管，因?yàn)榫€圈L1已建立到整流器裝置RTF和另外的整流器裝置FRTF的輸入端的DC連接。
圖5顯示在按照本發(fā)明的應(yīng)答器中使用的電壓適配裝置VADPT的實(shí)施例的電路圖。該電路包括適配晶體管Tadpt的主電流路徑和電阻元件R的串聯(lián)組合。本例中的電阻元件R以被源極與柵極短路的P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管來體現(xiàn)。適配晶體管Tadpt的源極形成連接點(diǎn)11。適配晶體管Tadpt的柵極形成連接點(diǎn)8。適配晶體管Tadpt的漏極與電阻元件R的公共接點(diǎn)形成連接點(diǎn)9。電阻元件的另一側(cè)(漏極)形成連接點(diǎn)10。適配晶體管Tadpt的柵極接收來自信號(hào)輸出端3的代碼信號(hào)。響應(yīng)于此，適配晶體管Tadpt把電流傳遞到電阻元件R，所述電流按照代碼信號(hào)變化。結(jié)果，具有經(jīng)適配的電壓電平的代碼信號(hào)出現(xiàn)在連接點(diǎn)9處。
參照?qǐng)D2中應(yīng)當(dāng)看到，在調(diào)制晶體管TM的源極與柵極之間的可能有AC(交流)串?dāng)_。這個(gè)AC串?dāng)_因此出現(xiàn)在電壓適配裝置VADPT的連接點(diǎn)9處。這個(gè)AC串?dāng)_會(huì)降低應(yīng)答器IDT的效率。為了避免這一點(diǎn)，圖5中以虛線表示的電容器可被插入在連接點(diǎn)9和10之間。這個(gè)電容器的電容量被選擇為足夠大，以便充分抑制AC串?dāng)_。然而，該電容量不能被選擇為具有任意值，因?yàn)榇a信號(hào)(具有經(jīng)適配的電壓電平)不能被抑制。最好的電容量可以通過實(shí)驗(yàn)被確定，例如藉助于計(jì)算機(jī)仿真。
參照?qǐng)D6、8和10，應(yīng)當(dāng)看到，另外的整流器裝置FRTF的連接點(diǎn)4也可被連接到電源端1，而不是電源端2。
對(duì)于圖7和8，應(yīng)當(dāng)看到，在這個(gè)結(jié)構(gòu)中調(diào)制晶體管TM在它的一個(gè)功能上工作得不太好，也就是續(xù)流二極管D1的功能(是見圖2中)。為了改進(jìn)在這個(gè)結(jié)構(gòu)中應(yīng)答器IDT的運(yùn)行，續(xù)流二極管可被并聯(lián)到調(diào)制晶體管TM的主電流路徑。這個(gè)續(xù)流二極管在圖7和8上以虛線表示。這個(gè)續(xù)流二極管相對(duì)于調(diào)制晶體管TM的尺寸的最佳表面可以藉助于計(jì)算機(jī)仿真被確定。
對(duì)于圖9和10，應(yīng)當(dāng)看到，調(diào)諧電容器(以虛線表示)可以與線圈L1并聯(lián)連接。結(jié)果，可以進(jìn)行調(diào)諧到RF信號(hào)的頻率，這樣，達(dá)到較高的效率。
而且，對(duì)于所有的實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)看到，代替單向整流(例如二極管D2)，也可以使用雙向整流，例如通過應(yīng)用通常已知的“Wien電橋”(4個(gè)二極管)。
對(duì)于所顯示的實(shí)施例，同樣可以代替P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管而使用N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管作為調(diào)制晶體管TM。甚至有可能使用雙極型晶體管。根據(jù)作出的選擇，二極管D1和二極管D2的陰極和陽(yáng)極連接可被交換，以及可變信號(hào)的極性可被適配于信號(hào)輸出端3和連接點(diǎn)9。二極管D1或D2例如可被設(shè)計(jì)成用晶體管安排為二極管。
圖11顯示識(shí)別代碼生成器IDCG的電路圖的例子。識(shí)別代碼例如可以由每個(gè)字4比特的兩個(gè)字組合-例如正如方塊BLK2顯示的，該方塊可以接收兩個(gè)4比特的字，也就是，包括B0到B3的第一個(gè)字以及包括B4到B7的第二個(gè)字。方塊BLK1由在時(shí)鐘輸入端clk上的、來自時(shí)鐘生成器CLKG的時(shí)鐘頻率f控制，該方塊BLK1生成和發(fā)送二進(jìn)制信號(hào)BA、BB、BC和BD到方塊BLK2。在二進(jìn)制信號(hào)BA的控制下，比特B0和B4分別被傳送到輸出端OLA和OLB。在二進(jìn)制信號(hào)BB的控制下，比特B1和B5分別被傳送到輸出端OLA和OLB。在二進(jìn)制信號(hào)BC的控制下，比特B2和B6分別被傳送到輸出端OLA和OLB。在二進(jìn)制信號(hào)BD的控制下，比特B3和B7分別被傳送到輸出端OLA和OLB。二進(jìn)制信號(hào)BA、BB、BC、和BD被順序地傳送到方塊BLK2。結(jié)果，第一個(gè)字從方塊BLK2的輸出端OLA順序地傳送到方塊BLK3的輸入端OLA。同時(shí)，第二個(gè)字從方塊BLK2的輸出端OLB被傳送到方塊BLK3的輸入端OLB。方塊BLK1的一個(gè)輸出端與方塊BLK4的時(shí)鐘輸入端clk連接，用于提供具有速率(f/4)的時(shí)鐘頻率，它是方塊BLK1的時(shí)鐘頻率的四分之一。字選擇信號(hào)WA和WB從方塊BLK4發(fā)送到方塊BLK3，用來指示來自方塊BLK2的第一個(gè)字還是第二個(gè)字要被傳送到信號(hào)輸出端3。通過順序地激活字信號(hào)WA和WB，首先，第一個(gè)字被切換到信號(hào)輸出端3，然后第二個(gè)字被切換到信號(hào)輸出端3，這樣，比特B0到B7順序地出現(xiàn)在信號(hào)輸出端3。而且，固定模式字FP被順序地切換到信號(hào)輸出端3。這些固定模式字FP的用途是當(dāng)?shù)谝槐忍谺O開始及最后比特結(jié)束時(shí)通知基站BS。固定模式例如可以是一串4個(gè)邏輯零，后面跟隨一串4個(gè)邏輯1。然而，也可以選擇其他模式，只要基站BS以某種方式認(rèn)出這個(gè)模式。
權(quán)利要求
1.一種應(yīng)答器(IDT)，用于通過以相應(yīng)于代碼的節(jié)律改變來自基站(BS)的射頻(RF)信號(hào)而把代碼提供給基站(BS)，應(yīng)答器(IDT)包括識(shí)別代碼生成裝置(IDCG)，用于生成代碼；整流器裝置(RTF)，被安排成與射頻信號(hào)(RF)進(jìn)行交流耦合以用于把電源電壓(V1)加到該生成裝置(IDCG)，該整流器裝置(RTF)包括至少一個(gè)用作為整流器的電路；調(diào)制晶體管(TM)，其具有主電流路徑，并包括控制電極，該控制電極被耦合來用于接收代碼以用于產(chǎn)生整流器裝置(RTF)的可變負(fù)載，其結(jié)果是使該射頻信號(hào)(RF)以所述節(jié)律變化，所述至少一個(gè)用作為整流器的電路包括調(diào)制晶體管(TM)的主電流路徑；電壓適配裝置(VADPT)，用于適配代碼的電壓電平和用于把具有經(jīng)適配的電壓電平的代碼提供給調(diào)制晶體管(TM)的控制電極；以及另外的整流器裝置(FRTF)，用于把一個(gè)分開的電源電壓(V2)加到電壓適配裝置(VADPT)。
2.如權(quán)利要求1中要求的應(yīng)答器(IDT)，其特征在于，電壓適配裝置(VADPT)包括適配晶體管(Tadpt)的主電流路徑和電阻元件(R)的串聯(lián)組合，該串聯(lián)組合被耦合來用于接收該分開的電源電壓(V2)，以及其中適配晶體管(Tadpt)的控制電極被耦合來用于接收由識(shí)別代碼生成裝置(IDCG)提供的代碼，以及其中適配晶體管(Tadpt)與電阻元件R的公共接點(diǎn)(9)被耦合到調(diào)制晶體管(TM)的控制電極。
3.如權(quán)利要求1或2中要求的應(yīng)答器(IDT)，其特征在于，AC耦合是電容性耦合(P1；P3，P2；P4)，因?yàn)閼?yīng)答器(IDT)包括用于與基站(BS)的第一接觸極板(P3)電容耦合的第一接觸極板(P1)，以及因?yàn)閼?yīng)答器(IDT)包括用于與基站(BS)的第二接觸極板(P4)電容耦合的第二接觸極板P(2)，以及整流器裝置(RTF)包括用作為整流器的電路(D1)而不是調(diào)制晶體管(TM)，該電路(D1)被耦合在應(yīng)答器(IDT)的第一接觸極板(P1)與應(yīng)答器(IDT)的第二接觸極板(P2)之間，以及調(diào)制晶體管(TM)的主電流路徑與識(shí)別代碼生成裝置(IDCG)的電源端(1，2)串聯(lián)連接，以及另外的整流器裝置(FRTF)被安排成經(jīng)由電容性耦合(P1；P3，P2；P4)被耦合到射頻信號(hào)(RF)。
4.如權(quán)利要求1或2中要求的應(yīng)答器(IDT)，其特征在于，AC耦合是電容性耦合(P1；P3，P2；P4)，因?yàn)閼?yīng)答器(IDT)包括，用于與基站(BS)的第一接觸極板(P3)電容耦合的第一接觸極板(P1)，以及因?yàn)閼?yīng)答器(IDT)包括用于與基站(BS)的第二接觸極板(P4)電容耦合的第二接觸極板P(2)，以及調(diào)制晶體管(TM)的主電流路徑被耦合在應(yīng)答器(IDT)的第一接觸極板(P1)與應(yīng)答器(IDT)的第二接觸極板(P2)之間，以及整流器裝置(RTF)包括用作為整流器的電路(D2)而不是調(diào)制晶體管(TM)，它與生成裝置(IDCG)的電源端(1，2)串聯(lián)連接，以及另外的整流器裝置(FRTF)被安排成經(jīng)由電容性耦合(P1；P3，P2；P4)被與射頻信號(hào)(RF)耦合。
5.如權(quán)利要求1或2中要求的應(yīng)答器(IDT)，其特征在于，AC耦合是電感性耦合(L1，L2)，因?yàn)閼?yīng)答器(IDT)包括用于與基站(BS)的線圈(L2)電感耦合的線圈(L1)，該線圈(L1)被電耦合到整流器裝置(RTF)和另外的整流器裝置(FRTF)，用于接收射頻信號(hào)(RF)，以及調(diào)制晶體管(TM)的主電流路徑與識(shí)別代碼生成裝置(IDCG)的電源端(1，2)串聯(lián)連接。
6.如前述權(quán)利要求之一要求的應(yīng)答器(IDT)，其特征在于，應(yīng)答器包括主要由一種或多種有機(jī)材料制造的電子部件。
7.如權(quán)利要求6中要求的應(yīng)答器(IDT)，其特征在于，至少一種有機(jī)材料是聚合物。
全文摘要
一種用于把識(shí)別代碼提供給基站(BS)的識(shí)別應(yīng)答器(IDT)，它以相應(yīng)于識(shí)別代碼的節(jié)律改變由基站(BS)發(fā)送的射頻(RF)信號(hào)。識(shí)別應(yīng)答器(IDT)具有識(shí)別代碼生成裝置(IDCG)，用于識(shí)別代碼；整流器裝置(RTF)，用于與基站(BS)交流耦合以便把電源電壓(V1)加到識(shí)別代碼生成裝置(IDCG)；調(diào)制晶體管(TM)；電壓適配裝置(VADPT)，用于適配識(shí)別代碼的電壓電平和用于把具有經(jīng)適配的電壓電平的代碼提供給調(diào)制晶體管(TM)的一個(gè)控制端；以及另外的整流器裝置(FRTF)，用于上述的到基站(BS)的AC耦合，以便把一個(gè)分開的電源電壓(V2)加到電壓適配裝置(VADPT)。調(diào)制晶體管(TM)可執(zhí)行兩個(gè)任務(wù)整流RF信號(hào)的任務(wù)和給整流器裝置(RTF)提供可變負(fù)載的任務(wù)?？勺冐?fù)載按節(jié)律變化。結(jié)果，整流器裝置(RTF)的輸入電流按節(jié)律變化，它接下來又改變RF信號(hào)。RF信號(hào)的這個(gè)變化在基站(BS)處被檢測(cè)。
文檔編號(hào)H04B5/02GK1608275SQ02825977
公開日2005年4月20日 申請(qǐng)日期2002年11月27日 優(yōu)先權(quán)日2001年12月24日
發(fā)明者E·坎塔托爾 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司