專利名稱：駐極體電容傳聲器及其組裝方法
技術領域：
本發(fā)明涉及駐極體電容傳聲器及其組裝方法。
作為該種駐極體電容傳聲器，例如，人們知道在日本實用新案登錄第3011048號公報中公開的那種駐極體電容傳聲器。在該實用新案登錄第3011048號公報中公開的駐極體電容傳聲器中，具有一端用前面板閉塞起來的圓筒狀的金屬殼體。在前面板的中心穿設有聲孔。在金屬殼體內(nèi)，收容粘貼在隔膜環(huán)上的隔膜，隔膜環(huán)的前面與金屬殼體的前面板接觸。在隔膜的后方，通過襯墊隔以規(guī)定的間隔地對置設有作為固定電極的背電極板。在背電極板的后部一側配置圓筒狀的支持體，背電極板嵌合并定位在在該支持體上形成的臺階部分上，被支持得與隔膜相對置。結果變成為由該隔膜和背電極板形成電容部分。
此外，在背電極的后方，設置有已裝配了把電容部分的靜電電容變換成電阻抗的阻抗變換器的印制基板。在上邊所說的構成的駐極體電容傳聲器的組裝的最后工序中，金屬殼體的開口部分側端邊緣被鉚接為使得開口部分側端邊緣朝向其內(nèi)側地卷曲起來與在印制基板上形成的接地圖形電連接。
但是，在實用新案登錄第3011048號公報中公開的那種駐極體電容傳聲器中，為了確保背電極板與殼體之間的絕緣性，存在著必須提高在支持體上形成的臺階部分的加工精度，使支持體的加工變得復雜起來的問題。為此存在著提高駐極體電容傳聲器的生產(chǎn)效率的界限。
此外，在實用新案登錄第3011048號公報中公開的那種駐極體電容傳聲器中，由于成為采用對金屬殼體的開口部分側端邊緣進行鉚接的辦法把背電極板、支持體、印制基板等的構成部件組裝到金屬殼體內(nèi)的構成，故還具有在開口部分的鉚接不充分的情況下，在金屬殼體內(nèi)形成的空間的氣密性會降低的問題。
本發(fā)明就是鑒于上述那些問題而發(fā)明的，目的是提供可以提高生產(chǎn)效率的駐極體電容傳聲器及其組裝方法。
為實現(xiàn)上邊所說的目的，本發(fā)明的駐極體電容傳聲器，是一種具備在一端具有用作前面板的底面部分，同時另一端已形成了開口的筒狀的殼體，按照順序從開口部分插入振動膜和背電極板，把振動膜和背電極板具有規(guī)定地間隔地配設到殼體內(nèi)的駐極體電容傳聲器，其特征是具有從殼體的開口壓入，抵接到背電極板的殼體的開口一側的面上的絕緣套筒，采用從殼體的開口一側對絕緣性套筒加上規(guī)定的力的辦法，使絕緣性套筒變形以嵌合到殼體的內(nèi)周面與背電極板的端部之間。
由于具有從殼體的開口壓入，抵接到背電極板的殼體的開口一側的面上的絕緣性套筒，采用從殼體的開口一側對絕緣性套筒加上規(guī)定的力的辦法，使絕緣性套筒變形以嵌合到殼體的內(nèi)周面與背電極板的端部之間，故結果背電極板可以對殼體進行固定，同時可以確保背電極板與殼體之間的絕緣性。借助于此，絕緣性套筒所要求的加工精度降低，因而可以容易地加工絕緣性套筒。結果是可以提高駐極體電容傳聲器的生產(chǎn)效率。
在本發(fā)明的駐極體電容傳聲器中，也可以是還具有配設了使振動膜與背電極板之間的靜電電容的變化變換成電阻抗的阻抗變換器的基板、從基板配設到殼體的開口一側的固定環(huán)，在已把絕緣性套筒壓入到殼體內(nèi)的狀態(tài)下從殼體的開口插入基板和固定環(huán)，在已對固定環(huán)加上了規(guī)定的壓力的狀態(tài)下，把固定環(huán)和殼體焊接固定起來。
在該情況下，可以把基板等的構成部件組裝到殼體內(nèi)而無須鉚接開口一側的端部，因而可以容易地組裝駐極體電容傳聲器。此外，由于可以在已對固定環(huán)加上了規(guī)定的壓力的狀態(tài)下，把固定環(huán)和殼體焊接固定起來，故可以抑制用基板和振動膜劃分的空間的氣密性的降低。
此外，在本發(fā)明的駐極體電容傳聲器中，其特征是振動膜與背電極板，中介襯墊具有規(guī)定的間隔地進行配設，從開口一側對絕緣性套筒加上的規(guī)定的力，被設定為使得已嵌合到殼體的內(nèi)周面與背電極板的端部之間的部分抵接到襯墊上那樣地使絕緣性套筒進行變形的值。
在該情況下，可以容易地進行從開口一側對絕緣性套筒加上的規(guī)定的力的控制。
為了實現(xiàn)上邊所說的目的，本發(fā)明的駐極體電容傳聲器的組裝方法，是一種具備在一端具有用作前面板的底面部分，同時另一端已形成了開口的筒狀的殼體，按照順序從開口部分插入振動膜和背電極板，把振動膜和背電極板具有規(guī)定地間隔地配設到殼體內(nèi)的駐極體電容傳聲器的組裝方法，其特征是采用在已插入了振動膜和背電極板的狀態(tài)下，從殼體的開口向殼體內(nèi)壓入絕緣性套筒，從殼體的開口一側對絕緣性套筒加上規(guī)定的力的辦法，使絕緣性套筒變形，嵌合到殼體的內(nèi)周面與背電極板的端部之間，并把背電極板固定到殼體上。
由于采用在已插入了振動膜和背電極板的狀態(tài)下，從殼體的開口向殼體內(nèi)壓入絕緣性套筒，從殼體的開口一側對絕緣性套筒加上規(guī)定的力的辦法，使絕緣性套筒變形，嵌合到殼體的內(nèi)周面與背電極板的端部之間，并把背電極板固定到殼體上，故結果可以確保與背電極板之間的絕緣性。借助于此，絕緣性套筒所要求的加工精度降低，因而可以容易地加工絕緣性套筒。結果是可以提高駐極體電容傳聲器的生產(chǎn)性。
在本發(fā)明的駐極體電容傳聲器的組裝方法中，也可以是在已把絕緣性套筒壓入到殼體內(nèi)的狀態(tài)下，從殼體的開口插入配設有使振動膜與背電極板之間的靜電電容的變化變換成電阻抗的阻抗變換器的基板和固定環(huán)，在已對固定環(huán)加上了規(guī)定的壓力的狀態(tài)下，把固定環(huán)和殼體焊接固定起來。
在該情況下，可以把基板等的構成部件組裝到殼體內(nèi)而無須鉚接開口一側的端部，因而可以容易地組裝駐極體電容傳聲器。此外，由于可以在已對固定環(huán)加上了規(guī)定的壓力的狀態(tài)下，把固定環(huán)和殼體焊接固定起來，故可以抑制用基板和振動膜劃分的空間的氣密性的降低。
此外，在本發(fā)明的駐極體電容傳聲器的組裝方法中，其特征是在振動膜與背電極板之間設置襯墊，把從開口一側對絕緣性套筒加上的規(guī)定的力，設定為使得已嵌合到殼體的內(nèi)周面與背電極板的端部之間的部分抵接到襯墊上那樣地使絕緣性套筒進行變形的值。
在該情況下，可以容易地進行從開口一側對絕緣性套筒加上的規(guī)定的力的控制。


圖1的斜視圖示出了駐極體電容傳聲器的全體的外觀。
圖2的斜視圖示出了駐極體電容傳聲器的全體的外觀。
圖3是駐極體電容傳聲器的剖面圖。
圖4的分解斜視圖示出了駐極體電容傳聲器的構成。
圖5的分解斜視圖示出了駐極體電容傳聲器的構成。
圖6的分解斜視圖示出了含于駐極體電容傳聲器中的隔膜子部件的構成。
圖7的分解斜視圖示出了含于駐極體電容傳聲器中的背電部分的構成。
圖8A是駐極體電容傳聲器的要部剖面圖，示出的是給固定環(huán)加上力之前的狀態(tài)。
圖8B是駐極體電容傳聲器的要部剖面圖，示出的是已給固定環(huán)加上力的狀態(tài)。
圖8C是駐極體電容傳聲器的要部剖面圖，示出的是已給固定環(huán)加上力的狀態(tài)。
圖9的曲線圖示出了駐極體電容傳聲器中加到固定環(huán)上的力與絕緣性套筒的壓潰量之間的關系。
以下，邊參看附圖邊詳細地對本發(fā)明的駐極體電容傳聲器的優(yōu)選實施形態(tài)進行說明。另外，在各個圖中，對于同一要素或具有同一功能的要素，使用同一標號而省略重復的說明。
駐極體電容傳聲器1，如圖1和圖2所示，具有殼體2。該殼體2，由在一端具有用作前面板的底面部分3，另一端形成了開口的圓筒狀的金屬制造(例如，不銹鋼等)的構件構成。殼體2借助于沖壓加工形成為具有底面部分3(前面板)的圓筒狀。在殼體2的底面部分3上，形成有規(guī)定形狀(例如，圓形形狀)的開口部分4。在殼體2內(nèi)，如圖3～圖5所示，收容配設有隔膜子部件11、襯墊21，背電極部分31、絕緣性套筒41、基板51和固定環(huán)61。
隔膜子部件11，如圖6所示，具有振動膜12(隔膜)和振動膜框13。振動膜12，由厚度15微米左右的PET(PolyethyleneTerephthalate，聚對苯二甲酸乙二醇酯)薄膜構成，已張貼到振動膜框13上。在振動膜12的粘接到振動膜框13上的一側的面上已蒸鍍上Au。在振動膜12的中央部分上設置有駐極體電容傳聲器1的內(nèi)外氣壓調(diào)整用的彎曲孔(貫通孔)14。彎曲孔14的直徑，例如被設定為65微米左右。
振動膜框13由大體上呈圓板狀的金屬制造(例如，磷青銅等)的構件構成，振動膜框13的外周直徑被設定得比殼體2的內(nèi)周直徑還小。振動膜框13的外周直徑，例如被設定為8.2mm左右。殼體2的內(nèi)周直徑，例如被設定為8.5mm左右。
在振動膜框13的與粘貼振動膜12的一側的面相反的一側(背面一側)的面上，一體地形成有環(huán)狀的定位突出部分15。該定位突出部分15，設置在與底面部分3的開口部分4對應的位置上，在把振動膜框13配設到殼體2內(nèi)時嵌合到底面部分3的開口部分4內(nèi)。如上所述，采用使定位突出部分15嵌合到底面部分3的開口部分4內(nèi)的辦法，就可以進行隔膜子部件11(振動膜框13)對殼體2的定位。此外，在振動膜框13的定位突出部分15的內(nèi)周部分上，形成有聲孔16。
隔膜子部件11(振動膜框13)已配設到殼體2內(nèi)且在與定位突出部分15的開口部分4互相嵌合的狀態(tài)下，如圖3所示，在振動膜框13的外周面與殼體2的內(nèi)周面之間，設置有規(guī)定的間隙。此外，在定位突出部分15已嵌合到底面部分3的開口部分4內(nèi)的狀態(tài)下，與振動膜框13的粘貼振動膜12的一側的面相反的一側的面和底面部分3抵接，振動膜框13與殼體2電連接起來。
振動膜12向振動膜框13上的粘貼，如下所述地進行。首先在已向構成振動膜12的薄片狀的PET薄膜上加上規(guī)定的張力的狀態(tài)下粘接多個振動膜框13。然后，在振動膜框13與振動膜12已粘接的狀態(tài)下沿著振動膜框13的外形形狀切斷薄片。
背電極部分31，被配設在隔膜子部件11的后方一側，就是說被配設在比隔膜子部件11還靠近殼體2的開口(另一端)一側。背電極部分31，如圖7所示，具有背電極板32、駐極體33。駐極體33由FEP(Fluorinated ethylene propylene，氟化乙丙烯)薄膜構成。背電極板32由大體上呈三角形狀的金屬制造(例如，不銹鋼等)的構件構成，在另一方的面上已熱熔敷(疊層)上駐極體33。背電極部分31，被配設得背電極板32的已熱熔敷上駐極體33的一側的面與隔膜子部件11的振動膜12相對置。背電極板32，其大小被設定為使得在背電極部分31(背電極板32)的中心位置與殼體2的中心位置相吻合地配設在殼體2內(nèi)的狀態(tài)下，在殼體2的內(nèi)周面與背電極板32的端部之間可以形成規(guī)定的間隙(例如，0.1mm左右)。
背電極部分31，可以采用對構成背電極板32的母材上已熱熔敷上駐極體33的物體施行大體上沖壓成三角狀的沖壓加工的辦法形成。在施行沖壓加工形成了背電極部分31之后，駐極體33被電暈帶電為規(guī)定的表面帶電(例如，-360V左右)。
在背電極部分31與隔膜子部件11之間配置有襯墊21，該襯墊21由不銹鋼等構成，襯墊21的厚度被設定為40微米左右。借助于此，振動膜12與背電極板32(駐極體33)就成為中間具有襯墊21地具有規(guī)定的間隔(40微米左右)。結果成為由這些振動膜12和背電極板32形成電容部分。
絕緣性套筒41，由樹脂、彈性體等構成，被壓入到殼體內(nèi)。絕緣性套筒41，例如由PTFE(Polytetrafluoroethylene，聚四氟乙烯)構成。絕緣性套筒41被配設在背電極部分31的后方一側，就是說配設在比背電極部分31還靠近殼體2的開口一側，抵接到背電極板32的殼體2的開口一側的面上。
絕緣性套筒41，如后所述，采用從殼體2的開口一側加上規(guī)定的力的辦法使之變形，嵌合到在殼體2的內(nèi)周面與背電極板32的端部之間形成的間隙內(nèi)。采用使絕緣性套筒41嵌合到殼體2的內(nèi)周面與背電極板32的端部之間的辦法，結果就成為在背電極板32與殼體2電絕緣的狀態(tài)下，背電極板32(背電極部分31)可以對于殼體2進行定位。
基板51裝配、配設作為把振動膜12與背電極板32之間(電容部分)的靜電電容的變化變換成電阻抗的阻抗變換器的JEFT(JunctionField-Effect Transistor，結型場效應晶體管)芯片52。在JEFT芯片52的上表面上形成柵極電極53。該柵極電極53用導電性的粘接劑54粘接固定到背電極板32上，中介粘接劑54地電連接到背電極板32上。
在基板51的背面(與配設有JFET芯片52的面相反的一側的面)上立設有電源端子引腳55、輸出端子引腳56和接地端子引腳57。接地端子引腳57，通過殼體2電連接到振動膜12上。電源端子引腳55和輸出端子引腳56分別電連接到LFET芯片52的漏極電極(未畫出來)和源極電極(未畫出來)上。
固定環(huán)61被配設在基板51的后方一側，就是說被配設在比基板51還靠近殼體2的開口一側，并抵接到基板51的背面(與配設有JFET芯片52的面相反的一側的面)上。該固定環(huán)61由不銹鋼等構成。固定環(huán)61與殼體2，在從開口一側對固定環(huán)61加上了規(guī)定的力的狀態(tài)下，可以借助于激光焊接等互相固定。
其次，對駐極體電容傳聲器的組裝方法進行說明。
首先，依次向殼體2內(nèi)插入隔膜子部件11和襯墊21。隔膜子部件11采用使振動膜框3的定位突出部分15嵌合到殼體的開口部分4內(nèi)的辦法，進行對殼體的定位。
當向殼體2的隔膜子部件11和襯墊21的插入結束后，用自動組裝機插入背電極部分31和絕緣性套筒41。背電極部分31，用圖象識別技術等檢測殼體2的中心位置，使得另行用圖象識別技術等檢測出來的背電極部分31(背電極板32)的中心位置與所檢測出來的殼體2的中心位置相吻合那樣地，插入到殼體2內(nèi)。當插入背電極部分31時，一直到與背電極部分32進行接觸為止向殼體2內(nèi)壓入(插入)絕緣性套筒41。如上所述，采用一直到與背電極部分32進行接觸為止向殼體2內(nèi)壓入(插入)絕緣性套筒41的辦法，就可以在用殼體2的底面部分3和絕緣性套筒41把隔膜子部件11、襯墊21和背電極部分31夾在中間的狀態(tài)下保持這些構成部件。采用壓入絕緣性套筒41保持隔膜子部件11、襯墊21和背電極部分的辦法，就可以抑制因在之后向組裝工序移送時產(chǎn)生的振動等的要因背電極部分31(背電極板32)的位置偏離。
在把JFET芯片52裝配到基板52上，并向JFET芯片52的上表面的柵極電極53上適量涂敷上導電性粘接劑54之后，把基板51插入到殼體2內(nèi)(圖8A所示的狀態(tài))。在把基板51插入到殼體2內(nèi)之后，把固定環(huán)61插入到殼體2內(nèi)，從殼體2的開口一側對固定環(huán)61的上表面加上規(guī)定的力(例如，49.0N左右)。加到固定環(huán)61上的力，通過基板51傳給絕緣性套筒41，絕緣性套筒41壓潰變形，逐漸嵌合到殼體2的內(nèi)周面與背電極板32的端部之間(圖8B所示的狀態(tài))。最后，如圖8C所示，絕緣性套筒41抵接到襯墊21上。如上所述，采用把絕緣性套筒41嵌合到殼體2的內(nèi)周面與背電極板32的端部之間的辦法，就可以在背電極板32與殼體2電絕緣的狀態(tài)下對殼體定位、固定背電極板32(背電極部分31)。
然后，在從殼體2的開口一側對固定環(huán)61的上表面加上規(guī)定的力的狀態(tài)下從殼體2的外周一側用激光焊接機對固定環(huán)61的厚度成為大體上中央附近的位置，照射激光，把殼體2和固定環(huán)61焊接固定起來。殼體2與固定環(huán)61之間的焊接部位隔以90度間隔在4個部位上設定。
加到固定環(huán)61上的力，如下那樣地設定。當絕緣性套筒41被壓潰陷入背電極板32的厚度那么大的量，絕緣性套筒41的一部分抵接到襯墊21上時，如圖9所示，即便是加到固定環(huán)61上的力大絕緣性套筒41的壓潰量也幾乎不變化，絕緣性套筒41的壓潰量變成為飽和狀態(tài)。于是，加到固定環(huán)61上的力要設定為絕緣性套筒41的壓潰量變成為飽和狀態(tài)的力。在本實施形態(tài)中，作為絕緣性套筒41的壓潰量變成為飽和狀態(tài)的區(qū)域A的大體上中間的值，把加到固定環(huán)61上的力設定為49.0N左右。
采用一直到與背電極板32接觸為止，向殼體2內(nèi)壓入絕緣性套筒41，從殼體2的開口一側對固定環(huán)61加上力的辦法，結果就成為可以在殼體2與絕緣性套筒41之間和基板51與絕緣性套筒41之間形成密封部分。采用形成這樣的密封部分的辦法，就可以提高由基板51與隔膜子部件11(振動膜12)劃分成的空間的氣密性。
如上所述，在駐極體電容傳聲器1中，采用具有從殼體2的開口壓入，抵接到背電極板32的殼體2的開口一側的面上的絕緣性套筒41，并從殼體2的開口一側對絕緣性套筒41加上規(guī)定的力的辦法，由于絕緣性套筒41變形并被嵌合到殼體2的內(nèi)周面與背電極板32的端部之間，故結果成為在背電極板32(背電極部分31)可以對殼體2進行固定的同時，還可以確保背電極板32與殼體2之間的絕緣性。借助于此，絕緣性套筒所要求的加工精度降低，因而可以容易地加工絕緣性套筒。結果是可以提高駐極體電容傳聲器的生產(chǎn)效率。
此外，駐極體電容傳聲器1，還具有已裝配、配設上JFET芯片的基板51和用基板1配設在殼體的開口一側的固定環(huán)61。這樣，在駐極體電容傳聲器1中，在已把絕緣性套筒41壓入到殼體2內(nèi)的狀態(tài)下，從殼體2的開口部分插入基板51和固定環(huán)61，在對固定環(huán)61加上規(guī)定的力的狀態(tài)下，把固定環(huán)61和殼體2焊接固定起來。借助于此，就可以把基板51等的構成部件組裝進殼體2內(nèi)而無須鉚接殼體2的開口一側的端部，因而可以容易地組裝駐極體電容傳聲器。此外，由于在已對固定環(huán)61加上了規(guī)定的力的狀態(tài)下，焊接固定固定環(huán)61和殼體2，故可以抑制由基板51和隔膜子部件11(振動膜12)劃分成的空間的氣密性的降低。
此外，在駐極體電容傳聲器1中，隔膜子部件11(振動膜12)和背電極部分31(背電極板32)被配設為中介襯墊21地具有規(guī)定的間隔，由于把從殼體2的開口一側對絕緣性套筒41加上的力，設定為使得已嵌合到殼體2的內(nèi)周面與背電極板32的端部之間的部分抵接到襯墊21上那樣地使絕緣性套筒41變形的值，故可以容易地進行從殼體2的開口一側對絕緣性套筒41加上規(guī)定的力的控制。
此外，在駐極體電容傳聲器1中，由于加到固定環(huán)61上的力被設定為使絕緣性套筒41的壓潰量對于加到固定環(huán)61上的變成為飽和狀態(tài)的值，故可以使絕緣性套筒41進行變形，一直到抵接到襯墊21上為止。結果是可以抑制絕緣性套筒41的厚度(壓潰量)在每一個產(chǎn)品之間波動。
在本實施形態(tài)中，作為絕緣性套筒41采用的是沒有形成使背電極板32進行嵌合的臺階部分的形狀的絕緣性套筒。但是，本發(fā)明也可以應用于具備形成了臺階部分的絕緣性套筒的駐極體電容傳聲器。在該情況下，也可以提高駐極體電容傳聲器1的生產(chǎn)性。即便是在具備形成了臺階部分的絕緣性套筒的駐極體電容傳聲器中，也能產(chǎn)生上邊所說的本發(fā)明的效果的理由，在于可以壓低對臺階部分的形成所要求的加工精度，故與現(xiàn)有的傳聲器比也可以降低加工精度地形成臺階部分。
權利要求
1.一種具備在一端具有用作前面板的底面部分，同時另一端已形成了開口的筒狀的殼體，按照順序從上述殼體的上述開口部分插入振動膜和背電極板，把振動膜和背電極板具有規(guī)定地間隔地配設到上述殼體內(nèi)的駐極體電容傳聲器，其特征是具有從上述殼體的開口壓入，抵接到上述背電極板的上述殼體的上述開口一側的面上的絕緣套筒，采用從上述殼體的上述開口一側對上述絕緣性套筒加上規(guī)定的力的辦法，使上述絕緣性套筒變形以嵌合到上述殼體的內(nèi)周面與上述背電極板的端部之間。
2.權利要求1所述的駐極體電容傳聲器，其特征是上述振動膜和上述背電極板中介襯墊地被配設為具有上述規(guī)定的間隔，從上述殼體的上述開口一側對上述絕緣性套筒施加的規(guī)定的力，被設定為使得已嵌合到上述殼體的內(nèi)周面與上述背電極板的端部之間的部分抵接到上述襯墊上那樣地使上述絕緣性套筒進行變形的值。
3.權利要求1所述的駐極體電容傳聲器，其特征是還具有配設有使上述振動膜與上述背電極板之間的靜電電容的變化變換成電阻抗的阻抗變換器的基板、從上述基板配設到上述殼體的上述開口一側的固定環(huán)，在已把絕緣性套筒壓入到上述殼體內(nèi)的狀態(tài)下從上述殼體的上述開口插入上述基板和上述固定環(huán)，在已對上述固定環(huán)加上了上述規(guī)定的壓力的狀態(tài)下，把上述固定環(huán)和上述殼體焊接固定起來。
4.權利要求3所述的駐極體電容傳聲器，其特征是上述振動膜與上述背電極板，中介襯墊具有上述規(guī)定的間隔地進行配設，從上述殼體的上述開口一側對上述絕緣性套筒加上的上述規(guī)定的力，被設定為使得已嵌合到上述殼體的內(nèi)周面與上述背電極板的端部之間的部分抵接到上述襯墊上那樣地使上述絕緣性套筒進行變形的值。
5.一種具備在一端具有用作前面板的底面部分，同時另一端已形成了開口的筒狀的殼體，按照順序從上述殼體的上述開口插入并配設振動膜和背電極的駐極體電容傳聲器的組裝方法，其特征是在已插入了上述振動膜和上述背電極板的狀態(tài)下，從上述殼體的上述開口向上述殼體內(nèi)壓入上述絕緣性套筒，采用從上述殼體的上述開口一側對上述絕緣性套筒加上規(guī)定的力的辦法，使上述絕緣性套筒變形，嵌合到上述殼體的內(nèi)周面與上述背電極板的端部之間，并把上述背電極板固定到上述殼體上。
6.權利要求5所述的駐極體電容傳聲器的組裝方法，其特征是在上述振動膜與上述背電極板之間配設襯墊，從上述殼體的上述開口一側對上述絕緣性套筒加上的上述規(guī)定的力，被設定為使得已嵌合到上述殼體的內(nèi)周面與上述背電極板的端部之間的部分抵接到上述襯墊上那樣地使上述絕緣性套筒進行變形的值。
7.權利要求5所述的駐極體電容傳聲器的組裝方法，其特征是在已把絕緣性套筒壓入到上述殼體內(nèi)的狀態(tài)下，從上述殼體的上述開口按照順序插入配設有使上述振動膜與上述背電極板之間的靜電電容的變化變換成電阻抗的阻抗變換器的基板和固定環(huán)，在已對上述固定環(huán)加上了上述規(guī)定的壓力的狀態(tài)下，把上述固定環(huán)和上述殼體焊接固定起來。
8.權利要求7所述的駐極體電容傳聲器的組裝方法，其特征是在上述振動膜與上述背電極板之間設置襯墊，從上述殼體的上述開口一側對上述絕緣性套筒加上的上述規(guī)定的力，被設定為使得已嵌合到上述殼體的內(nèi)周面與上述背電極板的端部之間的部分抵接到上述襯墊上那樣地使上述絕緣性套筒進行變形的值。
全文摘要
駐極體電容傳聲器的絕緣性套筒,配設在背電極部分的后方一側,并抵接到背電極板的殼體的開口一側的面上。該絕緣性套筒,采用通過固定環(huán)和基板從殼體的開口一側加上規(guī)定的力的辦法進行變形,嵌合到在殼體的內(nèi)周面與背電極板的端部之間形成的間隙內(nèi)。采用使絕緣性套筒嵌合到殼體的內(nèi)周面有背電極板的端部之間的辦法,就可以在背電極板與殼體電絕緣的狀態(tài)下對于殼體定位、固定背電極板。
文檔編號H04R19/00GK1327357SQ0111934
公開日2001年12月19日 申請日期2001年5月30日 優(yōu)先權日2000年5月30日
發(fā)明者伊藤元陽, 鈴木美紀夫, 鈴木智也, 佃保德 申請人:星精密株式會社