一種高隔離度的射頻開(kāi)關(guān)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種射頻開(kāi)關(guān)，尤其涉及一種高隔離度的射頻開(kāi)關(guān)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著產(chǎn)品功能的不斷更新和豐富，現(xiàn)在對(duì)于射頻開(kāi)關(guān)的多路選擇已經(jīng)應(yīng)用得越來(lái)越廣了，但是對(duì)于單個(gè)頻率范圍在0.0lGHZ到6GHZ的SP4T射頻開(kāi)關(guān)各端口之間，其隔離度在20-23dB左右，這樣的隔離度比較低，在要求高隔離度的場(chǎng)合不適用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是需要提供一種提高隔離度，使得射頻開(kāi)關(guān)各個(gè)端口之間的測(cè)試不受影響的射頻開(kāi)關(guān)。
[0004]對(duì)此，本實(shí)用新型提供一種高隔離度的射頻開(kāi)關(guān)，包括:SP4T射頻開(kāi)關(guān)、第一級(jí)射頻開(kāi)關(guān)組和終端電阻；所述第一級(jí)射頻開(kāi)關(guān)組包括第一射頻開(kāi)關(guān)、第二射頻開(kāi)關(guān)、第三射頻開(kāi)關(guān)和第四射頻開(kāi)關(guān)；所述SP4T射頻開(kāi)關(guān)的公共端口與測(cè)試儀器相連接，另一端的各個(gè)端口分別與第一射頻開(kāi)關(guān)、第二射頻開(kāi)關(guān)、第三射頻開(kāi)關(guān)和第四射頻開(kāi)關(guān)的公共端口相連接；所述第一射頻開(kāi)關(guān)、第二射頻開(kāi)關(guān)、第三射頻開(kāi)關(guān)和第四射頻開(kāi)關(guān)的不使用端口分別與終端電阻相連接。所述不使用端口指的是未與下一級(jí)射頻開(kāi)關(guān)組或設(shè)備相連接的端口。
[0005]本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)在于，所述第一射頻開(kāi)關(guān)、第二射頻開(kāi)關(guān)、第三射頻開(kāi)關(guān)和第四射頻開(kāi)關(guān)均為單刀雙擲的SPDT射頻開(kāi)關(guān)；所述第一射頻開(kāi)關(guān)、第二射頻開(kāi)關(guān)、第三射頻開(kāi)關(guān)和第四射頻開(kāi)關(guān)的不使用端口分別與終端電阻相連接，另一個(gè)端口分別與被測(cè)試設(shè)備相連接。
[0006]本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)在于，還包括第二級(jí)射頻開(kāi)關(guān)組，所述第一級(jí)射頻開(kāi)關(guān)組通過(guò)第二級(jí)射頻開(kāi)關(guān)組與被測(cè)試設(shè)備相連接，所述第二級(jí)射頻開(kāi)關(guān)組的不使用端口與終端電阻相連接。
[0007]本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)在于，所述第二級(jí)射頻開(kāi)關(guān)組包括第五射頻開(kāi)關(guān)、第六射頻開(kāi)關(guān)、第七射頻開(kāi)關(guān)和第八射頻開(kāi)關(guān)；所述第五射頻開(kāi)關(guān)、第六射頻開(kāi)關(guān)、第七射頻開(kāi)關(guān)和第八射頻開(kāi)關(guān)的公共端口分別與第一級(jí)射頻開(kāi)關(guān)組相連接，另一端分別與終端電阻和被測(cè)試設(shè)備相連接。
[0008]本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)在于，還包括微控制器，所述微控制器分別與SP4T射頻開(kāi)關(guān)、第一級(jí)射頻開(kāi)關(guān)組和第二級(jí)射頻開(kāi)關(guān)組相連接。
[0009]本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)在于，所述被測(cè)試設(shè)備包括第一設(shè)備、第二設(shè)備、第三設(shè)備和第四設(shè)備；所述第五射頻開(kāi)關(guān)的一個(gè)端口與終端電阻相連接，另一個(gè)端口與第一設(shè)備相連接；所述第六射頻開(kāi)關(guān)的一個(gè)端口與終端電阻相連接，另一個(gè)端口與第二設(shè)備相連接；所述第七射頻開(kāi)關(guān)的一個(gè)端口與終端電阻相連接，另一個(gè)端口與第三設(shè)備相連接；所述第八射頻開(kāi)關(guān)的一個(gè)端口與終端電阻相連接，另一個(gè)端口與第四設(shè)備相連接。
[0010]本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)在于，所述第五射頻開(kāi)關(guān)的公共端口與第一射頻開(kāi)關(guān)相連接。
[0011]本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)在于，所述第六射頻開(kāi)關(guān)的公共端口與第二射頻開(kāi)關(guān)相連接。
[0012]本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)在于，所述第七射頻開(kāi)關(guān)的公共端口與第三射頻開(kāi)關(guān)相連接。
[0013]本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)在于，所述第八射頻開(kāi)關(guān)的公共端口與第四射頻開(kāi)關(guān)相連接。
[0014]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果在于:通過(guò)SP4T射頻開(kāi)關(guān)、第一級(jí)射頻開(kāi)關(guān)組和第二級(jí)射頻開(kāi)關(guān)組和終端電阻形成一個(gè)組合型的射頻開(kāi)關(guān)，能夠通過(guò)控制要使用的端口接通、不使用的端口連接到終端電阻，以增加射頻開(kāi)關(guān)各個(gè)端口之間的隔離度。
【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1是本實(shí)用新型一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖2是本實(shí)用新型另一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]下面結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型的較優(yōu)的實(shí)施例作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。
[0018]實(shí)施例1:
[0019]如圖1所不，本例提供一種尚隔尚度的射頻開(kāi)關(guān)，包括:SP4T射頻開(kāi)關(guān)9、第一級(jí)射頻開(kāi)關(guān)組和終端電阻10 ;所述第一級(jí)射頻開(kāi)關(guān)組包括第一射頻開(kāi)關(guān)1、第二射頻開(kāi)關(guān)2、第三射頻開(kāi)關(guān)3和第四射頻開(kāi)關(guān)4 ;所述SP4T射頻開(kāi)關(guān)9的公共端口與測(cè)試儀器相連接，另一端的各個(gè)端口分別與第一射頻開(kāi)關(guān)1、第二射頻開(kāi)關(guān)2、第三射頻開(kāi)關(guān)3和第四射頻開(kāi)關(guān)4的公共端口相連接；所述第一射頻開(kāi)關(guān)1、第二射頻開(kāi)關(guān)2、第三射頻開(kāi)關(guān)3和第四射頻開(kāi)關(guān)4的不使用端口分別與終端電阻10相連接。
[0020]本例所述SP4T射頻開(kāi)關(guān)9為單刀4擲開(kāi)關(guān)，所述第一級(jí)射頻開(kāi)關(guān)組為與SP4T射頻開(kāi)關(guān)9級(jí)聯(lián)的第一級(jí)的四個(gè)SPDT射頻開(kāi)關(guān)，如圖1所示，所述第一射頻開(kāi)關(guān)1、第二射頻開(kāi)關(guān)2、第三射頻開(kāi)關(guān)3和第四射頻開(kāi)關(guān)4均為單刀雙擲的SPDT射頻開(kāi)關(guān)；所述第一射頻開(kāi)關(guān)1、第二射頻開(kāi)關(guān)2、第三射頻開(kāi)關(guān)3和第四射頻開(kāi)關(guān)4的一個(gè)端口分別與終端電阻10相連接，另一個(gè)端口分別與被測(cè)試設(shè)備相連接。
[0021 ] 本例的工作原理為，如圖1所示，當(dāng)SP4T射頻開(kāi)關(guān)9的端口切換到第三射頻開(kāi)關(guān)3的時(shí)候，其余的端口通過(guò)第一射頻開(kāi)關(guān)1、第二射頻開(kāi)關(guān)2和第四射頻開(kāi)關(guān)4切換到終端電阻上，這時(shí)SP4T射頻開(kāi)關(guān)9的各個(gè)端口之間的隔離度是最高的；SP4T射頻開(kāi)關(guān)9的各個(gè)端口原本的隔離度為20dB，第一射頻開(kāi)關(guān)1、第二射頻開(kāi)關(guān)2、第三射頻開(kāi)關(guān)3和第四射頻開(kāi)關(guān)4的SPDT射頻開(kāi)關(guān)的各個(gè)端口原本的隔離度為30 dB，那么，圖1所示的組合后的各個(gè)端口的隔離度最大的時(shí)候?yàn)镾P4T+SroT=30+20=50dB，本例還可以通過(guò)射頻開(kāi)關(guān)組的級(jí)數(shù)得到更高的隔離度。
[0022]本例還可以包括微控制器，所述微控制器分別與SP4T射頻開(kāi)關(guān)9、第一級(jí)射頻開(kāi)關(guān)組和被測(cè)試設(shè)備相連接，這種射頻開(kāi)關(guān)的方案通過(guò)微控制器控制要使用的端口接通，不使用的端口連接到終端電阻，以達(dá)到最高隔離度；所述微控制器為MCU。
[0023]實(shí)施例2:
[0024]如圖2所示，在實(shí)施例1的基礎(chǔ)上，本例還包括第二級(jí)射頻開(kāi)關(guān)組，所述第一級(jí)射頻開(kāi)關(guān)組通過(guò)第二級(jí)射頻開(kāi)關(guān)組與被測(cè)試設(shè)備相連接，所述第二級(jí)射頻開(kāi)關(guān)組的不使用端口與終端電阻10相連接。
[0025]本例所述第二級(jí)射頻開(kāi)關(guān)組為與第一級(jí)射頻開(kāi)關(guān)組級(jí)聯(lián)的第二級(jí)的四個(gè)射頻開(kāi)關(guān)，該射頻開(kāi)關(guān)可以為SPDT射頻開(kāi)關(guān)，如圖2所示，所述第二級(jí)射頻開(kāi)關(guān)組包括第五射頻開(kāi)關(guān)5、第六射頻開(kāi)關(guān)6、第七射頻開(kāi)關(guān)7和第八射頻開(kāi)關(guān)8 ;所述第五射頻開(kāi)關(guān)5、第六射頻開(kāi)關(guān)6、第七射頻開(kāi)關(guān)7和第八射頻開(kāi)關(guān)8的公共端口分別與第一級(jí)射頻開(kāi)關(guān)組相連接，另一端分別與終端電阻10和被測(cè)試設(shè)備相連接。
[0026]本例可以包括微控制器，所述微控制器分別與SP4T射頻