一種屏蔽膜及連續(xù)式屏蔽膜制作系統(tǒng)及方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及一種屏蔽膜及屏蔽膜制作系統(tǒng)及方法，尤其設(shè)及一種屏蔽膜及連續(xù)式 屏蔽膜制作系統(tǒng)及方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著電子產(chǎn)品的快速發(fā)展，越來越多的產(chǎn)品需要進(jìn)行電磁屏蔽，導(dǎo)電布及導(dǎo)電無 紡布的制造，通過該技術(shù)制造的導(dǎo)電布及導(dǎo)電無紡布具有優(yōu)異的導(dǎo)電性及屏蔽效能，可廣 泛地應(yīng)用于電子產(chǎn)品中需要進(jìn)行電磁波屏蔽的地方。如圖1所示，現(xiàn)行制作屏蔽材料使用電 鍛的方式，然而電鍛會(huì)有如下影響：低效率：由于電鍛的過程速度無法太快，因此制作產(chǎn)品 時(shí)會(huì)降低整體效率。環(huán)境污染：為了確保電鍛的效率與品質(zhì)，每隔一段時(shí)間，需重新更換電 鍛液，由于電鍛液需為強(qiáng)酸與強(qiáng)堿，因此廢棄的電鍛液對(duì)于環(huán)境具有非常大的破壞影響。浪 費(fèi)電力：電鍛液需要藉由通電進(jìn)而產(chǎn)生氧化還原反應(yīng)，因此電力的浪費(fèi)將會(huì)增加成本上 升。浪費(fèi)水資源:經(jīng)過電鍛液的基材，需要用大量水清洗才能徹底洗凈強(qiáng)酸與強(qiáng)堿，然而對(duì) 于日漸珍貴的水資源，無疑是一種浪費(fèi)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明解決的技術(shù)問題是:構(gòu)建一種新型的屏蔽膜及連續(xù)式屏蔽膜制作系統(tǒng)及方 法，克服現(xiàn)有技術(shù)屏蔽膜制作低效率、環(huán)境污染大、浪費(fèi)電力和水資源的技術(shù)問題。
[0004] 本發(fā)明的技術(shù)方案是:構(gòu)建一種屏蔽膜，依次包括屏蔽層、基材層，所述屏蔽層涂 布在所述基材層的一面，所述屏蔽層由導(dǎo)電漿料涂布形成，所述導(dǎo)電漿料包括導(dǎo)電材料、樹 脂材料、溶劑，所述導(dǎo)電材料質(zhì)量百分比為50%至80%，所述樹指材料質(zhì)量百分比為5%至 30%的樹指材料，所述溶劑的質(zhì)量百分比為5%至20%。
[000引本發(fā)明的進(jìn)一步技術(shù)方案是：所述導(dǎo)電漿料為銀漿、納米銀線、銅漿、石墨締、石 墨、導(dǎo)電高分子中的任意一種或多種。
[0006] 本發(fā)明的進(jìn)一步技術(shù)方案是:所述導(dǎo)電漿料通過狹縫式涂布方式涂布到所述基材 層的一面。
[0007] 本發(fā)明的進(jìn)一步技術(shù)方案是:所述導(dǎo)電材料、所述樹指材料和所述溶劑混合形成 質(zhì)量百分比為50%至95%的所述導(dǎo)電漿料。
[0008] 本發(fā)明的技術(shù)方案是:構(gòu)建一種連續(xù)式屏蔽膜制作系統(tǒng)，包括表面處理單元、涂布 單元、干燥單元、壓合單元，所述表面處理單元對(duì)基材進(jìn)行表面處理，所述涂布單元對(duì)表面 處理后的基材的一面涂布導(dǎo)電漿料，所述干燥單元對(duì)涂布后的屏蔽膜進(jìn)行干燥處理，所述 壓合單元對(duì)屏蔽膜進(jìn)行壓合成膜，所述表面處理單元、所述涂布單元、所述干燥單元和所述 壓合單元依次連續(xù)工作，所述導(dǎo)電漿料包括導(dǎo)電材料、樹脂材料、溶劑，所述導(dǎo)電材料質(zhì)量 百分比為50%至80%，所述樹指材料質(zhì)量百分比為5%至30%的樹指材料，所述溶劑的質(zhì)量 百分比為5 %至20 %。
[0009] 本發(fā)明的進(jìn)一步技術(shù)方案是:所述涂布單元包括狹縫式涂布模塊，所述狹縫式涂 布模塊將所述導(dǎo)電漿料通過狹縫式涂布方式涂布到所述基材層的一面。
[0010] 本發(fā)明的進(jìn)一步技術(shù)方案是:所述涂布單元還包括調(diào)節(jié)模塊，所述調(diào)節(jié)模塊調(diào)節(jié) 所述狹縫式涂布模塊通過調(diào)節(jié)所述導(dǎo)電漿料的流量、所述涂布單元單位時(shí)間內(nèi)機(jī)臺(tái)移動(dòng)的 距離控制屏蔽膜的厚度。
[0011] 本發(fā)明的技術(shù)方案是:提供一種連續(xù)式屏蔽膜制作方法，包括如下步驟： 表面處理:對(duì)基材進(jìn)行表面處理； 涂布導(dǎo)電漿料:對(duì)基材的一面涂布導(dǎo)電漿料，所述導(dǎo)電漿料包括導(dǎo)電材料、樹脂材料、 溶劑，所述導(dǎo)電材料質(zhì)量百分比為50%至80%，所述樹指材料質(zhì)量百分比為5%至30%的樹 指材料，所述溶劑的質(zhì)量百分比為5%至20% ; 干燥處理:對(duì)涂布后的屏蔽膜進(jìn)行干燥處理； 壓合處理:對(duì)干燥后的屏蔽膜進(jìn)行壓合成膜； 表面處理、涂布導(dǎo)電漿料、干燥處理、壓合處理依次連續(xù)進(jìn)行。
[0012] 本發(fā)明的進(jìn)一步技術(shù)方案是:將所述導(dǎo)電漿料通過狹縫式涂布方式涂布到所述基 材層的一面。
[0013] 本發(fā)明的進(jìn)一步技術(shù)方案是:根據(jù)屏蔽膜寬度通過調(diào)節(jié)所述導(dǎo)電漿料的流量、單 位時(shí)間內(nèi)涂布機(jī)臺(tái)移動(dòng)的距離控制屏蔽膜的厚度。
[0014] 本發(fā)明的技術(shù)效果是:本發(fā)明一種屏蔽膜及連續(xù)式屏蔽膜制作系統(tǒng)及方法，通過 對(duì)基材進(jìn)行表面處理;對(duì)基材的一面涂布導(dǎo)電漿料，所述導(dǎo)電漿料包括導(dǎo)電材料、樹脂材 料、溶劑，所述導(dǎo)電材料質(zhì)量百分比為50%至80%，所述樹指材料質(zhì)量百分比為5%至30% 的樹指材料，所述溶劑的質(zhì)量百分比為5%至20%;對(duì)涂布后的屏蔽膜進(jìn)行干燥處理;對(duì)干 燥后的屏蔽膜進(jìn)行壓合成膜;表面處理、涂布導(dǎo)電漿料、干燥處理、壓合處理依次連續(xù)進(jìn)行。 本發(fā)明的屏蔽膜及連續(xù)式屏蔽膜制作系統(tǒng)及方法，可連續(xù)不斷生產(chǎn)，提高了生產(chǎn)效率，同 時(shí)，生產(chǎn)過程中不需要使用電鍛液與水，對(duì)于環(huán)境保護(hù)具有重要貢獻(xiàn)。
【附圖說明】
[0015] 圖1為本發(fā)明的現(xiàn)有技術(shù)結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016] 圖2為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017] 圖3為本發(fā)明的濕膜厚度與電阻率的關(guān)系圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018] 下面結(jié)合具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案進(jìn)一步說明。
[0019] 本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】是：構(gòu)建一種屏蔽膜，依次包括屏蔽層、基材層，所述屏蔽 層涂布在所述基材層的一面，所述屏蔽層由導(dǎo)電漿料涂布形成，所述導(dǎo)電漿料包括導(dǎo)電材 料、樹脂材料、溶劑，所述導(dǎo)電材料質(zhì)量百分比為50%至80%，所述樹指材料質(zhì)量百分比為 5%至30%的樹指材料，所述溶劑的質(zhì)量百分比為5%至20%。
[0020] 本發(fā)明的具體實(shí)施過程是：制作導(dǎo)電漿料，所述導(dǎo)電漿料包括導(dǎo)電材料、樹脂材 料、溶劑，所述導(dǎo)電材料質(zhì)量百分比為50%至80%，所述樹指材料質(zhì)量百分比為5%至30% 的樹指材料，所述溶劑的質(zhì)量百分比為5%至20%。所述導(dǎo)電材料、所述樹指材料和所述溶 劑混合形成質(zhì)量百分比為50%至95%的所述導(dǎo)電漿料?；膶咏?jīng)過清潔等表面處理后，將制 作好的導(dǎo)電漿料涂到所述基材層的一面形成所述屏蔽層，從而形成屏蔽膜。具體實(shí)施例中， 所述導(dǎo)電漿料為銀漿、納米銀線、銅漿、石墨締、石墨、導(dǎo)電高分子中的任意一種或多種。所 述導(dǎo)電漿料通過狹縫式涂布方式涂布到所述基材層的一面。
[0021 ]如圖2所示，本發(fā)明的具體實(shí)施過程如下是：構(gòu)建一種連續(xù)式屏蔽膜制作系統(tǒng)，包 括表面處理單元1、涂布單元2、干燥單元3、壓合單元4,所述表面處理單元1對(duì)基材進(jìn)行表面 處理，所述涂布單元2對(duì)表面處理后的基材的一面涂布導(dǎo)電漿料，所述干燥單元3對(duì)涂布后 的屏蔽膜進(jìn)行干燥處理，所述壓合單元4對(duì)屏蔽膜進(jìn)行壓合成膜，所述表面處理單元1、所述 涂布單元2、所述干燥單元3和所述壓合單元4依次連續(xù)工作，所述導(dǎo)電漿料包括導(dǎo)電材料、 樹脂材料、溶劑，所述導(dǎo)電材料質(zhì)量百分比為50%至80%，所述樹指材料質(zhì)量百分比為5% 至30%的樹指材料，所述溶劑的質(zhì)量百分比為5%至20%。
[0022] 如圖2所示，本發(fā)明的具體實(shí)施過程是：制作導(dǎo)電漿料，所述導(dǎo)電漿料包括導(dǎo)電材 料、樹脂材料、溶劑，所述導(dǎo)電材料質(zhì)量百分比為50%至80%，所述樹指材料質(zhì)量百分比為 5%至30%的樹指材料，所述溶劑的質(zhì)量百分比為5%至20%。所述導(dǎo)電材料、所述樹指材料 和所述溶劑混合形成質(zhì)量百分比為50%至95%的所述導(dǎo)電漿料。所述涂布單元2對(duì)表面處理 后的基材的一面涂布導(dǎo)電漿料，所述干燥單元3對(duì)涂布后的屏蔽膜進(jìn)行干燥處理，所述壓合 單元4對(duì)屏蔽膜進(jìn)行壓合成膜，所述表面處理單元1、所述涂布單元2、所述干燥單元3和所述 壓合單元4依次連續(xù)工作。具體實(shí)施例中，所述導(dǎo)電漿料為銀漿、納米銀線、銅漿、石墨締、石 墨、導(dǎo)電高分子中的任意一種或多種。所述導(dǎo)電漿料通過狹縫式涂布方式涂布到所述基材 層的一面。
[0023] 如圖3所示，本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式是:所述涂布單元2還包括調(diào)節(jié)模塊，所述調(diào)節(jié) 模塊調(diào)節(jié)所述狹縫式涂布模塊通過調(diào)節(jié)所述導(dǎo)電漿料的流量、所述涂布單元單位時(shí)間內(nèi)機(jī) 臺(tái)移動(dòng)的距離控制屏蔽膜的厚度。
[0024] 如圖3所示，確定75%導(dǎo)電銀漿的濕膜厚度(Wet Film Thickness;濕膜厚度，簡(jiǎn)稱 ('WFT")與電阻率(Electri