封裝基體、封裝、電子器件、電子設(shè)備和移動(dòng)體的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及封裝基體、封裝、具有該封裝的電子器件以及具有該電子器件的電子設(shè)備和移動(dòng)體。
【背景技術(shù)】
[0002]以往，針對(duì)作為電子器件的構(gòu)成要素的、收納有電子部件的封裝的主體部分即封裝基體，作為與這樣的封裝基體相關(guān)聯(lián)的陶瓷基板的接合的技術(shù)，已知有如下制造方法:在陶瓷基板上涂布具有含活性金屬的焊料的接合膏，對(duì)陶瓷基板和金屬板進(jìn)行層疊配置，然后實(shí)施熱處理，使兩者接合，通過蝕刻處理去除金屬板的無用部分，得到具有期望的配線圖案的陶瓷配線基板(例如參照專利文獻(xiàn)1)。
[0003]在通過上述制造方法制造出的陶瓷配線基板中，作為具有含活性金屬的焊料的接合膏，具體使用了含有T1-Ag-Cu合金的接合膏，該T1-Ag-Cu合金是在具有Ag (銀)-Cu (銅)的共晶成分的金屬中混合了作為活性金屬的Ti (鈦)而得到的。
[0004]由此，在陶瓷配線基板中，提高了陶瓷基板與金屬板的接合強(qiáng)度，耐熱沖擊性優(yōu)異，得到了高可靠性。
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本特開平8-46325號(hào)公報(bào)
[0006]在將上述接合膏例如應(yīng)用于電子器件等所使用的封裝(容器)的情況下，需要利用俯視時(shí)涂布為框狀的接合膏，將陶瓷基板(相當(dāng)于封裝基體)與金屬板(相當(dāng)于蓋體)以在厚度方向上具有間隔的方式接合，在陶瓷基板與金屬板之間，構(gòu)成收納電子部件等的內(nèi)部空間。
[0007]但是，上述接合膏的流動(dòng)性比較高，所以，即使以設(shè)定形狀進(jìn)行涂布，也容易向周圍擴(kuò)散，存在著保持設(shè)定形狀的形狀保持性欠缺(換言之，高度與涂布寬度之比較小)的問題。
[0008]其結(jié)果是，在使用了上述接合膏的封裝中，為了確保內(nèi)部空間的高度，在涂布接合膏時(shí)，將朝向周圍擴(kuò)散的量包含在內(nèi)而需要相當(dāng)程度的涂布空間，因此，存在難以進(jìn)一步小型化的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明是為了解決上述問題的至少一部分而完成的，可以作為以下的方式或應(yīng)用例來實(shí)現(xiàn)。
[0010][應(yīng)用例1]本應(yīng)用例的封裝基體的特征在于，該封裝基體具有:含有陶瓷的基板；以俯視時(shí)呈框狀或環(huán)狀的方式設(shè)置于所述基板上的接合用金屬層，所述接合用金屬層具有含T1-Ag-Cu的合金和屬于元素周期表的第6族的金屬。
[0011]由此，在封裝基體中，接合用金屬層(相當(dāng)于接合膏)具有含T1-Ag-Cu的合金和屬于元素周期表的第6族的金屬，因此，能夠利用屬于第6族的金屬的物性，提高接合用金屬層的形狀保持性。
[0012]其結(jié)果是，在封裝基體中，能夠使接合用金屬層的涂布寬度小于現(xiàn)有(例如專利文獻(xiàn)1)的結(jié)構(gòu)，能夠相應(yīng)地減小平面尺寸。由此，封裝基體能夠有助于封裝的進(jìn)一步小型化。
[0013][應(yīng)用例2]在上述應(yīng)用例的封裝基體中，優(yōu)選的是，所述接合用金屬層含有Mo或W作為屬于所述第6族的金屬。
[0014]由此，在封裝基體中，接合用金屬層含有作為屬于第6族的金屬的Mo(鉬)或W(鎢)，由此，能夠利用熔點(diǎn)比T1、Ag、Cu高的Mo或W的物性，進(jìn)一步提高接合用金屬層的形狀保持性。
[0015][應(yīng)用例3]在上述應(yīng)用例的封裝基體中，優(yōu)選的是，具有金屬覆蓋膜，該金屬覆蓋膜覆蓋所述接合用金屬層的表面的至少一部分。
[0016]由此，封裝基體具有覆蓋接合用金屬層的表面的至少一部分的金屬覆蓋膜，因此，能夠抑制接合用金屬層的氧化，提高利用接合用金屬層接合的基板與被接合部件的接合強(qiáng)度。
[0017][應(yīng)用例4]在上述應(yīng)用例的封裝基體中，優(yōu)選的是，所述金屬覆蓋膜從所述接合用金屬層側(cè)起依次層疊有Ni膜、Au膜。
[0018]由此，在封裝基體中，金屬覆蓋膜從接合用金屬層側(cè)起依次層疊有Ni膜、Au膜，因此，能夠緊貼于接合用金屬層，可靠地抑制接合用金屬層的氧化。
[0019][應(yīng)用例5]本應(yīng)用例的封裝的特征在于，具有:含有陶瓷的基板；蓋體，其覆蓋所述基板的一側(cè)；以及接合用金屬層，其在俯視時(shí)設(shè)置為框狀或環(huán)狀，將所述基板與所述蓋體接合而構(gòu)成內(nèi)部空間，所述接合用金屬層含有T1、Ag、Cu、以及屬于元素周期表的第6族的金屬。
[0020]由此，在封裝中，接合用金屬層含有T1、Ag、Cu、以及屬于元素周期表的第6族的金屬，因此，能夠利用屬于第6族的金屬的物性，提高接合用金屬層的形狀保持性。
[0021]其結(jié)果是，在封裝中，在構(gòu)成內(nèi)部空間時(shí)，能夠使接合用金屬層的涂布寬度小于現(xiàn)有(例如專利文獻(xiàn)1)的結(jié)構(gòu)，因此，能夠相應(yīng)地減小平面尺寸，能夠?qū)崿F(xiàn)進(jìn)一步的小型化。
[0022][應(yīng)用例6]在上述應(yīng)用例的封裝中，優(yōu)選的是，所述接合用金屬層含有作為屬于所述第6族的金屬的Mo或W。
[0023]由此，在封裝中，接合用金屬層含有作為屬于第6族的金屬的Mo或W，因此，能夠利用熔點(diǎn)比T1、Ag、Cu高的Mo或W的物性，進(jìn)一步提高接合用金屬層的形狀保持性。
[0024][應(yīng)用例7]在上述應(yīng)用例的封裝中，優(yōu)選的是，關(guān)于所述接合用金屬層，在設(shè)T1、Ag以及Cu的總量為A %重量百分比、Mo為8%重量百分比時(shí)，A與B之比為65彡A < 100:35 彡 B > 0(其中，A+B = 100)。
[0025]由此，在封裝的接合用金屬層中，設(shè)T1、Ag以及Cu的總量為厶％重量百分比、Mo為8%重量百分比時(shí)，A與B之比為65 ^ A < 100:35彡B > 0(其中，A+B = 100)，因此，能夠利用Mo的配合比例維持對(duì)基板的潤濕性，并能夠提高接合用金屬層的形狀保持性。
[0026][應(yīng)用例8]在上述應(yīng)用例的封裝中，優(yōu)選的是，關(guān)于所述接合用金屬層，在設(shè)T1、Ag以及Cu的總量為A%重量百分比、Mo為8%重量百分比時(shí)，A與B之比為65彡A彡75:35 彡 B 彡 25(其中，A+B = 100)。
[0027]由此，在封裝的接合用金屬層中，設(shè)T1、Ag以及Cu的總量為厶％重量百分比、Mo為8%重量百分比時(shí)，A與B之比為65彡A彡75:35彡B彡25(其中，A+B = 100)，因此，能夠利用Mo的配合比例維持對(duì)基板的潤濕性，并能夠進(jìn)一步提高接合用金屬層的形狀保持性。
[0028][應(yīng)用例9]在上述應(yīng)用例的封裝中，優(yōu)選的是，具有金屬覆蓋膜，該金屬覆蓋膜覆蓋所述接合用金屬層的至少一部分。
[0029]由此，在封裝中，具有覆蓋接合用金屬層的至少一部分的金屬覆蓋膜，因此，能夠抑制接合用金屬層的氧化，提高利用接合用金屬層接合的基板與蓋體的接合強(qiáng)度。
[0030][應(yīng)用例10]在上述應(yīng)用例的封裝中，優(yōu)選的是，所述金屬覆蓋膜從所述接合用金屬層側(cè)起依次層疊有Ni膜、Au膜。
[0031]由此，在封裝中，金屬覆蓋膜從接合用金屬層側(cè)起依次層疊有Ni膜、Au膜，因此，能夠緊貼于接合用金屬層，可靠地抑制接合用金屬層的氧化。
[0032][應(yīng)用例11]在上述應(yīng)用例的封裝中，優(yōu)選的是，所述基板在所述蓋體側(cè)具有凹部。
[0033]由此，在封裝中，基板在蓋體側(cè)具有凹部，因此，例如能夠?qū)㈦娮硬考缺皇占{物收納在凹部中。
[0034]由此，封裝能夠使蓋體成為容易加工的平板狀。
[0035][應(yīng)用例12]在上述應(yīng)用例的封裝中，優(yōu)選的是，所述蓋體在所述基板側(cè)具有凹部。
[0036]由此，在封裝中，蓋體在基板側(cè)具有凹部，因此，例如能夠?qū)㈦娮硬考缺皇占{物收納在凹部中。
[0037]由此，封裝能夠使基板成為容易加工的平板狀。
[0038]此外，在封裝中，在基板和蓋體雙方都具有凹部的情況下，例如，能夠跨著雙方的凹部而收納高度較大的電子部件等被收納物。
[0039][應(yīng)用例13]本應(yīng)用例的電子器件具有上述應(yīng)用例中的任意一例所述的封裝和電子部件，所述電子部件的特征在于被收納在所述封裝的所述內(nèi)部空間中。
[0040]由此，在本結(jié)構(gòu)的電子器件中，電子部件被收納在上述應(yīng)用例中的任意一例所述的小型化的封裝的內(nèi)部空間中，因此，能夠提供小型化的電子器件。
[0041][應(yīng)用例14]本應(yīng)用例的電子設(shè)備的特征在于具有上述應(yīng)用例所述的電子器件。
[0042]由此，本結(jié)構(gòu)的電子設(shè)備具有上述應(yīng)用例所述的小型化的電子器件，因此，能夠提供相關(guān)部分被小型化且可靠性高的電子設(shè)備。
[0043][應(yīng)用例15]本應(yīng)用例的移動(dòng)體的特征在于具有上述應(yīng)用例所述的電子器件。
[0044]由此，本結(jié)構(gòu)的移動(dòng)體具有上述應(yīng)用例所述的小型化的電子器件，所以，能夠提供相關(guān)部分被小型化且可靠性高的移動(dòng)體。
【附圖說明】
[0045]圖1是示出第1實(shí)施方式的石英振子的概略結(jié)構(gòu)的示意圖，其中，圖1的(a)是從蓋(蓋體)側(cè)觀察的俯視圖，圖1的(b)是圖1的(a)的A-A線處的剖視圖。
[0046]圖2是圖1的(b)的要部放大圖。
[0047]圖3是對(duì)接合用金屬層中的含T1-Ag-Cu的合金和Mo的配合比例與評(píng)價(jià)結(jié)果之間的關(guān)系進(jìn)行說明的圖。
[0048]圖4是示出與圖3的形狀保持性(尤其是高度)相關(guān)的詳細(xì)測定結(jié)果的曲線圖。
[0049]圖5是示出第2實(shí)施方式的石英振子的概略結(jié)構(gòu)的示意圖，其中，圖5的(a)是從蓋側(cè)觀察的俯視圖，圖5的(b)是圖5的(a)的A-A線處的剖視圖。
[0050]圖6是示出第3實(shí)施方式的石英振子的概略結(jié)構(gòu)的示意圖，其中，圖6的(a)是從蓋側(cè)觀察的俯視圖，圖6的(b)是圖6的(a)的A-A線處的剖視圖。
[0051]圖7是示出第4實(shí)施方式的石英振蕩器的概略結(jié)構(gòu)的示意圖，其中，圖7的(a)是從蓋側(cè)觀察的俯視圖，圖7的(b)是圖7的(a)的A-A線處的剖視圖