頻率校正方法與壓控振蕩器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種壓控振蕩器，特別涉及用于壓控振蕩器的一種頻率校正方法。
【背景技術(shù)】
[0002]電子裝置常會(huì)使用時(shí)鐘信號(hào)以調(diào)整或控制其運(yùn)作。電子裝置內(nèi)發(fā)生的事件通常是根據(jù)時(shí)鐘信號(hào)的上緣或下緣而被觸發(fā)。時(shí)鐘信號(hào)可以被許多種的振蕩電路所產(chǎn)生，如LC壓控振蕩器。在此種振蕩電路中，一電荷被交替的搜集與放電以形成時(shí)鐘信號(hào)的基礎(chǔ)。電荷被搜集在電感電容槽(LC-tank)的電感與電容中，而且電荷被搜集與放電所需的時(shí)間是基于電感值與電容值。在一壓控振蕩器的例子中，時(shí)鐘信號(hào)的頻率是可以藉由改變壓控振蕩器內(nèi)的電感電容槽的電容值而控制。舉例來說，壓控振蕩器可能包括一電壓控制的可變電容，如此控制電壓的一控制信號(hào)可以用來控制輸出頻率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的一實(shí)施例為一種頻率校正方法，用以校正一壓控振蕩器的一輸出頻率，其中該壓控振蕩器包括一第一電容組、一第二電容組以及一第三電容組，該第二電容組內(nèi)的每一單位電容的電容值小于該第一電容組內(nèi)的每一單位電容的電容值，且該第二電容組內(nèi)的每一單位電容的電容值大于該第三電容組內(nèi)的每一單位電容的電容值。該方法包括:關(guān)閉(turning off)該第一電容組與該第三電容組；導(dǎo)通(turning on)該第二電容組；藉由控制該第二電容組內(nèi)被致能的單位電容的數(shù)量來調(diào)整該壓控振蕩器的該輸出頻率；判斷該輸出頻率是否大于一參考頻率；當(dāng)該輸出頻率小于該參考頻率時(shí)，反致能該第二電容組內(nèi)一個(gè)被致能的單位電容，并且藉由控制該第三電容組內(nèi)被致能的單位電容的數(shù)量來調(diào)整該壓控振蕩器的該輸出頻率；以及當(dāng)該輸出頻率大于該參考頻率時(shí)，致能該第一電容組內(nèi)至少一個(gè)單位電容直到該輸出頻率小于該參考頻率。
[0004]本發(fā)明的另一實(shí)施例為一種頻率校正方法，用以校正一壓控振蕩器的一輸出頻率，其中該壓控振蕩器包括一第一電容組、一第二電容組以及一第三電容組，該第二電容組內(nèi)的每一單位電容的電容值小于該第一電容組內(nèi)的每一單位電容的電容值，且該第二電容組內(nèi)的每一單位電容的電容值大于該第三電容組內(nèi)的每一單位電容的電容值。該方法包括:設(shè)定該第一電容組的一電容值為該第一電容組的一最小電容值；設(shè)定該第三電容組的一電容值為該第三電容組的一最小電容值；設(shè)定該第二電容組的一電容值為該第二電容組的一最大電容值；判斷該輸出頻率是否大于一參考頻率；當(dāng)該輸出頻率小于該參考頻率時(shí)，反致能該第二電容組內(nèi)一個(gè)被致能的單位電容，并且藉由逐步減少該第二電容組的電容值來調(diào)整該輸出頻率；以及當(dāng)該輸出頻率大于該參考頻率時(shí)，逐步增加該第一電容組的電容值直到該輸出頻率小于該參考頻率。
[0005]本發(fā)明的另一實(shí)施例為一種頻率校正方法，用以校正一壓控振蕩器的一輸出頻率，其中該壓控振蕩器包括一第一電容組、一第二電容組以及一第三電容組，該第二電容組內(nèi)的每一單位電容的電容值小于該第一電容組內(nèi)的每一單位電容的電容值，且該第二電容組內(nèi)的每一單位電容的電容值大于該第三電容組內(nèi)的每一單位電容的電容值。該方法包括:反致能該第一電容組與該第三電容組；致能該第二電容組:判斷一初始輸出頻率是否大于一參考頻率；當(dāng)該初始輸出頻率小于該參考頻率時(shí)，調(diào)整該第二電容組的電容值，直到一校正后的輸出頻率大于該參考頻率；以及當(dāng)該初始輸出頻率大于該參考頻率時(shí)，致能該第一電容組并逐步增加該第一電容組的電容值直到該校正后的輸出頻率大于該參考頻率。
[0006]本發(fā)明的另一實(shí)施例為一種壓控振蕩器。該壓控振蕩器包括一電感、一第一電容組、一第二電容組以及一第三電容組、一電壓控制內(nèi)核以及一校正電路。該電感、該第一電容組、該第二電容組以及該第三電容組以并聯(lián)方式連接。該電壓控制內(nèi)核，根據(jù)該電感的一電感值以及該第一電容組、該第二電容組與該第三電容組的一等效電容值產(chǎn)生一輸出頻率。該校正電路，比較該輸出頻率與一參考頻率以產(chǎn)生以控制信號(hào)以控制該等效電容值。
【附圖說明】
[0007]圖1為根據(jù)本發(fā)明的一壓控振蕩器的一實(shí)施例的示意圖。
[0008]圖2為一電容組的示意圖。
[0009]圖3為根據(jù)本發(fā)明的一頻率校正方法的一實(shí)施例的流程圖。
[0010]圖4為根據(jù)本發(fā)明的一頻率校正方法的另一實(shí)施例的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]圖1為根據(jù)本發(fā)明的一壓控振蕩器的一實(shí)施例的示意圖。壓控振蕩器包括一電感11 (圖上標(biāo)示L)、一第一電容組12 (圖上標(biāo)示CB0)、一第二電容組13 (圖上標(biāo)示CB1)、一第三電容組14 (圖上標(biāo)示CN2)、一壓控內(nèi)核(VCO core) 15以及一校正電路16。壓控內(nèi)核15根據(jù)第一電感11的電感值以及第一電容組12、第二電容組13與第三電容組14的一等效電容值產(chǎn)生一輸出頻率。第一電容組12、第二電容組13與第三電容組14包括了多個(gè)單位電容，該等單位電容受控于校正電路16。在本實(shí)施例中，在每個(gè)電容組中的單位電容的電容值是不同的。第一電容組12的單位電容的電容值大于第二電容組13的單位電容的電容值，且第二電容組13的單位電容的電容值大于第三電容組14的單位電容的電容值。換句話說，假設(shè)第一電容組12內(nèi)的單位電容的電容值為Cul，第二電容組13的單位電容的電容值為Cu2，且第三電容組14的單位電容的電容值為Cu3，電容值Cul、Cu2與Cu3存在下列關(guān)系:
[0012]Cul>Cu2>Cu3
[0013]校正電路16接收并將輸出頻率與一參考頻率fraf比較，已產(chǎn)生一控制信號(hào)S。，以控制第一電容組12、第二電容組13與第三電容組14。在一實(shí)施例中，控制信號(hào)S。包括一第一控制信號(hào)以調(diào)整第一電容組12的電容值、一第二控制信號(hào)以調(diào)整第二電容組13的電容值，以及一第三控制信號(hào)以調(diào)整第三電容組14的電容值。如果壓控振蕩器為全數(shù)字壓控振蕩器為，則控制信號(hào)S?？蔀橐欢M(jìn)位的調(diào)控字以控制第一電容組12、第二電容組13與第三電容組14的電容值。
[0014]圖2為一電容組的示意圖。電容組的等效電容值是根據(jù)電容C1?C3所決定。假設(shè)只有開關(guān)SW1導(dǎo)通，則電容組的等效電容值為C1。假設(shè)開關(guān)SW1與SW2導(dǎo)通，則電容組的等效電容值為(C1+C2)。因此，假設(shè)開關(guān)SW1?SW3是可被數(shù)字控制，一控制器可以藉由產(chǎn)生并傳送一二進(jìn)位的調(diào)控字[011]致電容組，使得電容組等效電容值為(C1+C2)。舉例來說，調(diào)控字的第一位表示開關(guān)SW1被導(dǎo)通，第二位表示開關(guān)SW2被導(dǎo)通，且調(diào)控字的最后一個(gè)位表示開關(guān)SW3被關(guān)閉。
[0015]在另一實(shí)施例中，調(diào)控字可以被以十進(jìn)位方式表示。舉例來說，十進(jìn)位調(diào)控字“0”表示沒有開關(guān)被導(dǎo)通，十進(jìn)位調(diào)控字“ 1”表示開關(guān)SW1被導(dǎo)通，十進(jìn)位調(diào)控字“3”表示開關(guān)SW1與SW2被導(dǎo)通。當(dāng)一開關(guān)被導(dǎo)通時(shí)，其對(duì)應(yīng)的電容就會(huì)被運(yùn)作以改變電容組的等效電容值。
[0016]圖3為根據(jù)本發(fā)明的一頻率校正方法的一實(shí)施例的流程圖。圖3所示的方法是以圖1的壓控振蕩器為例說明。在本實(shí)施例中，只有三個(gè)電容