一種晶體振蕩器的封槽方法及晶體振蕩器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電路板技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種晶體振蕩器的封槽方法及晶體振蕩器。
【背景技術(shù)】
[0002]晶體振蕩器(Crystal Oscillator)目前廣泛的運(yùn)用在不同系統(tǒng)中，其主要的目的是提供系統(tǒng)振蕩頻率的基準(zhǔn)。
[0003]現(xiàn)有的晶體振蕩器的封裝結(jié)構(gòu)大概有兩種:
[0004]—種是采用冷壓焊方式將殼體與外部PCB板連接，以將晶體封裝在殼體內(nèi)。例如中國(guó)專利文獻(xiàn)CN 203574634 U公開一種新型內(nèi)置溫度補(bǔ)償功能的恒溫晶體振蕩器，其結(jié)構(gòu)包括實(shí)現(xiàn)主要振蕩功能的元器件TCX0、加熱源、TM溫度感應(yīng)器、PCB線路、外殼和基座，其中外殼和基座使用冷壓焊密封在OCTCXO的外部，內(nèi)部將TCX0、加熱源2、TM溫度感應(yīng)器3焊接在PCB線路4上。這種封裝結(jié)構(gòu)生產(chǎn)成本高，冷壓焊過程中容易出現(xiàn)焊接不良的情況，進(jìn)一步導(dǎo)致產(chǎn)品不良率增加，從而影響其密封效果。
[0005]另一種是將晶體封裝在注塑成型的密封腔室內(nèi)，例如中國(guó)專利文獻(xiàn)CN 203563025U公開一種具有封裝結(jié)構(gòu)的石英晶體，其包括晶振、外殼和基座，晶振置于外殼內(nèi)，基座與外殼固定連接，基座與外殼形成一個(gè)封閉的密封腔，所述外殼上設(shè)有支架，支架與外殼為一體成型，所述外殼的長(zhǎng)度為12.2?12.5_，所述外殼表面上涂有樹脂。此具有封裝結(jié)構(gòu)的石英晶體設(shè)置外殼與基座為一體成型的密封腔，大大增強(qiáng)了的密封效果。但是由于一體成型密封腔使得制造成本增加，特別是對(duì)于小型化的晶體，其外殼和基座的尺寸更小，成型更加困難。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種晶體振蕩器的封槽方法，其能實(shí)現(xiàn)加熱槽體與加熱槽蓋的快速組裝，組裝后的晶體振蕩器導(dǎo)熱性能好，氣密性好，溫度穩(wěn)定性高。
[0007]本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種晶體振蕩器的封槽方法，其組裝后的晶體振蕩器的加熱槽體的內(nèi)部環(huán)境干凈，保證加熱槽體的內(nèi)部的器件不被腐蝕。
[0008]本發(fā)明的又一個(gè)目的在于提供一種晶體振蕩器，其導(dǎo)熱性好，溫度穩(wěn)定高。
[0009]為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
[0010]提供一種晶體振蕩器的封槽方法，包括以下步驟:
[0011]步驟S100、提供加熱槽體和加熱槽蓋，并于所述加熱槽體內(nèi)設(shè)置晶體元件；
[0012]步驟S200、使所述加熱槽體與所述加熱槽蓋通過粘合劑結(jié)合，形成封裝空間，并留有所述加熱槽體與所述加熱槽蓋未結(jié)合區(qū)域；
[0013]步驟S300、于所述未結(jié)合區(qū)域中，通過導(dǎo)熱材料結(jié)合所述加熱槽體和所述加熱槽至
ΠΠ O
[0014]進(jìn)一步的，在所述步驟S300后設(shè)置步驟S400:加熱所述加熱槽體與所述加熱槽蓋的未結(jié)合區(qū)域，使導(dǎo)熱材料流動(dòng)灌封整個(gè)未結(jié)合區(qū)域。
[0015]進(jìn)一步的，在所述步驟S400后設(shè)置步驟S500:在外PCB板上安裝發(fā)熱器件，所述發(fā)熱器件之間留有所述加熱槽體的安裝空間，所述加熱槽體固定在所述外PCB板上并位于所述發(fā)熱器件的安裝空間內(nèi)。
[0016]作為晶體振蕩器的封槽方法的一種優(yōu)選方案，于所述步驟SlOO中，所述加熱槽體至少具有一底部和設(shè)置于所述底部上的環(huán)形側(cè)部，所述底部與所述環(huán)形側(cè)部形成一具有開口的空間；所述加熱槽蓋至少包括一用于密封所述空間的密封部；
[0017]于所述步驟S200中，所述粘合劑使所述環(huán)形側(cè)部背離所述底部的一端的第一部分與所述密封部的第一部分結(jié)合；
[0018]于所述步驟S300中，所述導(dǎo)熱材料使所述環(huán)形側(cè)部背離所述底部的一端的第二部分與所述密封部的第二部分結(jié)合，其中，所述環(huán)形側(cè)部的第一部分、所述密封部的第一部分分別位于所述環(huán)形側(cè)部的第二部分、所述密封部的第二部分靠近所述空間的一側(cè)。
[0019]通過將粘合劑設(shè)置在靠近空間的一側(cè)的密封部與環(huán)形側(cè)部的結(jié)合位置，而將導(dǎo)熱材料填充在遠(yuǎn)離空間的一側(cè)的密封部與環(huán)形側(cè)部的結(jié)合位置，一方面可以通過粘合劑保證密封性，通過導(dǎo)熱材料保證導(dǎo)熱性，另一方面可以對(duì)導(dǎo)熱材料進(jìn)行隔離，有效防止導(dǎo)熱材料在使用過程中進(jìn)入到空間內(nèi)，腐蝕空間內(nèi)的器件。
[0020]作為晶體振蕩器的封槽方法的一種優(yōu)選方案，于所述步驟SlOO中，所述加熱槽蓋還包括凸設(shè)于所述密封部端部的環(huán)形凸邊；
[0021]于所述步驟S300中，所述導(dǎo)熱材料使所述環(huán)形側(cè)部的背離所述空間的外側(cè)面與所述環(huán)形凸邊結(jié)合。
[0022]通過在環(huán)形側(cè)部背離空間的外側(cè)面與環(huán)形凸邊之間填充導(dǎo)熱材料，可以增加導(dǎo)熱面積。
[0023]作為晶體振蕩器的封槽方法的一種優(yōu)選方案，于所述步驟SlOO中，所述加熱槽蓋的密封部設(shè)置用于填充所述粘合劑的環(huán)形凹槽，所述環(huán)形凹槽與所述環(huán)形凸邊之間具有連接平面；
[0024]步驟S200、于所述環(huán)形凹槽內(nèi)填充所述粘合劑，使所述加熱槽蓋扣于所述加熱槽體的開口處，使所述粘合劑結(jié)合所述連接平面的一部分與所述環(huán)形側(cè)部的端面的一部分。
[0025]通過設(shè)置環(huán)形凹槽，可以將粘合劑設(shè)置在此環(huán)形凹槽內(nèi)，便于粘合劑對(duì)加熱槽體與加熱槽蓋之間的空間進(jìn)行密封。
[0026]進(jìn)一步的，于所述步驟S200中，所述環(huán)形凹槽填充所述粘合劑后，干膠2s?5s，然后再使所述加熱槽蓋扣于所述加熱槽體的開口處，并按壓所述加熱槽蓋和所述加熱槽體，并保持10?30s。
[0027]作為晶體振蕩器的封槽方法的一種優(yōu)選方案，于所述步驟S300中，使所述導(dǎo)熱材料處于流動(dòng)性強(qiáng)的狀態(tài)，并流入至所述連接平面與所述環(huán)形側(cè)部的端面的未結(jié)合的部分，以使所述連接平面與所述環(huán)形側(cè)部至少部分通過導(dǎo)熱材料結(jié)合。
[0028]作為晶體振蕩器的封槽方法的一種優(yōu)選方案，所述加熱槽蓋的環(huán)形凸邊的端部設(shè)置便于導(dǎo)熱材料流動(dòng)的導(dǎo)流斜面。
[0029]通過設(shè)置導(dǎo)流斜面，可以對(duì)填充的導(dǎo)熱材料進(jìn)行導(dǎo)流，使導(dǎo)熱材料能快速并有效的進(jìn)入到指定位置。
[0030]作為晶體振蕩器的封槽方法的一種優(yōu)選方案，所述連接平面設(shè)置有臺(tái)階，以使所述粘合劑結(jié)合所述連接平面的一部分與所述環(huán)形側(cè)部的端面的一部分，預(yù)留未結(jié)合部分。
[0031]一種晶體振蕩器，采用如上所述的晶體振蕩器的封槽方法，包括加熱槽體和加熱槽蓋，所述加熱槽體內(nèi)設(shè)置晶體元件，所述加熱槽蓋扣設(shè)在所述加熱槽體上，并在所述加熱槽體與所述加熱槽蓋之間的部分結(jié)合區(qū)域設(shè)置用于將所述晶體元件封裝在所述加熱槽體與所述加熱槽蓋的內(nèi)部的粘合劑，所述加熱槽體與所述加熱槽蓋之間未設(shè)置有粘合劑的區(qū)域填充有導(dǎo)熱材料。
[0032]作為晶體振蕩器的一種優(yōu)選方案，所述加熱槽體至少具有一底部和設(shè)置于所述底部上的環(huán)形側(cè)部，所述底部與所述環(huán)形側(cè)部形成一具有開口的空間；
[0033]所述加熱槽蓋包括一用于密封所述空間的密封部和凸設(shè)于所述密封部端部的環(huán)形凸邊，所述加熱槽蓋的密封部設(shè)置用于填充所述粘合劑的環(huán)形凹槽，所述環(huán)形凹槽與所述環(huán)形凸邊之間具有連接平面；
[0034]所述加熱槽蓋的所述密封部扣于所述加熱槽體的開口處，使所述粘合劑結(jié)合所述連接平面的一部分與所述環(huán)形側(cè)部的端面的一部分；
[0035]在所述連接平面與所述環(huán)形側(cè)部的端面的未結(jié)合的部分以及所述環(huán)形凸邊與所述環(huán)形側(cè)部之間填充所述導(dǎo)熱材料。
[0036]作為晶體振蕩器的一種優(yōu)選方案，所述加熱槽蓋的環(huán)形凸邊端部設(shè)置便于導(dǎo)熱材料流動(dòng)的導(dǎo)流斜面。
[0037]進(jìn)一步的，所述連接平面的寬度小于所述環(huán)形側(cè)部的厚度。
[0038]進(jìn)一步的，所述導(dǎo)流斜面設(shè)置在所述環(huán)形凸邊靠近所述環(huán)形側(cè)部的一側(cè)。
[0039]優(yōu)選的，所述導(dǎo)流斜面的傾斜角度為30°?60°。
[0040]更加優(yōu)選的，所述導(dǎo)流斜面的傾斜角度為45°。
[0041]進(jìn)一步的，所述加熱槽體的底部固定設(shè)置在外PCB板上，在所述加熱槽體外圍并位于所述外PCB板上固定設(shè)置發(fā)熱器件。
[0042]優(yōu)選的，所述加熱槽體為金屬槽體或合金槽體；和/或，
[0043]所述加熱槽蓋為金屬槽蓋或合金槽蓋。
[0044]優(yōu)選的，所述環(huán)形凹槽為弧形凹槽、方形凹槽或者異形凹槽。
[0045]本發(fā)明的有益效果為:本發(fā)明提供的晶體振蕩器的封槽方法將粘合劑設(shè)置在加熱槽體與加熱槽蓋的結(jié)合區(qū)域的部分位置，并通過粘合劑形成封裝晶體元件的封裝空間，可以增強(qiáng)整個(gè)晶體振蕩器的密封性，而在加熱槽體與加熱槽蓋的剩余結(jié)合區(qū)域通過導(dǎo)熱材料填充，可以增強(qiáng)晶體振蕩器的導(dǎo)熱性，并配合粘合劑增強(qiáng)晶體振蕩器的溫度穩(wěn)定性，另外，粘合劑可以隔離封裝空間與導(dǎo)熱材料，可以有效防止導(dǎo)熱材料在進(jìn)行粘合工作時(shí)，導(dǎo)熱材料在融化時(shí)使用的助焊劑(或松香)流入至加熱槽體的內(nèi)部，或者流入至加熱槽體內(nèi)部的PCB板上，進(jìn)而防止加熱槽體內(nèi)部的器件被腐蝕，保證晶體振蕩器的可靠性。
【附圖說明】
[0046]圖1為本發(fā)明實(shí)施例所述的晶體振蕩器的剖視示意圖；
[0047]圖2為本發(fā)明實(shí)施