配線基板的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明設及一種配線基板，特別設及一種具有遷移（migration)抑制劑偏向于露 出表面附近的配線層的配線基板。
【背景技術】
[0002] 一直W來，在絕緣基板表面上配置有金屬配線的配線基板被廣泛用于電子構件或 半導體元件等中。構成金屬配線的金屬常使用導電性高的銀、銅，但該些金屬有容易產生離 子遷移的問題。
[0003] 作為防止此種金屬的離子遷移的方法，已提出有在金屬配線中導入既定的遷移抑 制劑的方法（專利文獻1)。
[0004] 現有技術文獻 [000引專利文獻
[0006] 專利文獻1 ;日本專利特開2012-99236號公報

【發(fā)明內容】

[0007] 發(fā)明要解決的課題
[000引近年來，由于半導體集成電路或巧片零件等的小型化，正在推進金屬配線的微細 化。因此，配線基板中的金屬配線的寬度及間隔變得更窄，而更容易產生由離子遷移所致的 電路的斷線或導通。在此種狀況下，要求配線基板中的金屬配線間的絕緣可靠性進一步提 局。
[0009] 另外，就各種電路或零件的性能提高的方面而言，還要求金屬配線的導電特性進 一步提局。
[0010] 在如專利文獻1所列舉般使用含有既定的遷移抑制劑的組合物來制作金屬配 線的情形時，遷移抑制劑在金屬細線中均勻地分散，若欲使金屬配線間的絕緣可靠性提 高而在金屬配線中含有大量的遷移抑制劑，則在金屬配線內形成多個遷移抑制劑的區(qū)域 (domain)，結果金屬配線的導電特性降低。
[0011] 另一方面，若考慮到金屬配線的導電特性而減少金屬配線內的遷移抑制劑的含 量，則雖然導電特性提高，但金屬配線間的絕緣可靠性降低。
[0012] 如此，在現有技術中，配線層的導電特性與離子遷移抑制功能（換言之，配線層間 的絕緣可靠性）大多情況下存在取舍（trade-off)的關系，因而謀求W更高的水平實現兩 者的技術。
[0013] 鑒于上述實際情況，本發(fā)明的目的在于提供一種配線層的導電特性及離子遷移抑 制功能優(yōu)異的配線基板。
[0014] 解決問題的技術手段
[0015] 本發(fā)明人等人進行了努力研究，結果發(fā)現，通過控制配線層中的遷移抑制劑的分 布，可解決上述課題。
[0016] 即，本發(fā)明人等人發(fā)現，根據W下的構成可解決上述課題。
[0017] (1) -種配線基板，具有絕緣基板及配線層，該配線層包含配置于絕緣基板上的第 1金屬層、及W覆蓋第1金屬層的不與絕緣基板接觸的表面的方式配置的第2金屬層，并且 第2金屬層的厚度為配線層的總體厚度的1/10,配線層含有遷移抑制劑，第2金屬層所含的 遷移抑制劑的質量Y大于第1金屬層所含的遷移抑制劑的質量X。
[001引 似根據（1)所記載的配線基板，其中遷移抑制劑含有選自由后述通式（1A)~通 式（3A)所表示的化合物、后述通式化A)~通式巧A)所表示的化合物、餓化合物、錯化合 物、儀化合物、氧化鋪、后述通式（1)~通式（5)所表示的化合物、后述通式（22)所表示的 化合物、后述通式（23)所表示的化合物、及具有后述通式（24)所表示的基團與后述通式 (25)所表示的基團的化合物所組成的組群中的至少一種。
[0019] (3)根據（2)所記載的配線基板，其中通式（1)所表示的化合物為選自由后述通式 (6)~通式（21)所表示的化合物所組成的組群中的至少一種。
[0020] (4)根據（1)至做中任一項所記載的配線基板，其中配線層中的金屬是選自由 金、銀、銅及侶所組成的組群中。
[0021] (5)根據（1)至（4)中任一項所記載的配線基板，其中在絕緣基板上配置有側面露 出的細線狀的第1金屬層，W覆蓋第1金屬層的包含側面且不與絕緣基板接觸的表面的方 式配置有第2金屬層。
[0022] (6) -種帶有絕緣層的配線基板，具有根據（1)至巧）中任一項所記載的配線基 板、及配置于配線基板的配線層上的絕緣層。
[002引 （7)根據（1)至妨中任一項所記載的配線基板，其是用于印刷配線基板。
[0024] 發(fā)明的效果
[0025] 根據本發(fā)明，可提供一種配線層的導電特性及離子遷移抑制功能優(yōu)異的配線基 板。
【附圖說明】
[0026] 圖1為表示本發(fā)明的配線基板的第1實施形態(tài)的示意性剖面圖。
[0027] 圖2為表示本發(fā)明的配線基板的第2實施形態(tài)的示意性剖面圖。
[002引圖3為表示本發(fā)明的帶有絕緣層的配線基板的實施形態(tài)的示意性剖面圖。
[0029] 圖4為用W對利用第1方法的配線層的形成加W說明的圖。
[0030] 圖5為用W對利用第2方法的配線層的形成加W說明的圖。
【具體實施方式】
[0031] W下，對本發(fā)明的配線基板的優(yōu)選形態(tài)加W說明。
[0032] 首先，對本發(fā)明的與現有技術相比較的特征加W詳述。
[0033] 在本發(fā)明中，通過使遷移抑制劑更偏向于配線層的露出表面（不與絕緣基材接觸 的表面）附近，能W更高的水平兼具通常處于取舍關系的配線層的導電特性與離子遷移抑 制功能兩者。更具體而言，通過使大量的遷移抑制劑偏向于配線層的外側露出表面附近，可 高效地抑制自配線層的露出表面附近析出至外側的金屬離子的擴散。另外，通過使大量的 遷移抑制劑偏向于配線層的外側表面附近，可在配線層內部減少金屬W外的雜質的量，結 果可在配線層內部形成導通路，實現優(yōu)異的導電特性。
[0034] 繼而，參照圖式對本發(fā)明的配線基板的第1實施形態(tài)加W詳述。
[0035] 圖1表示配線基板的第1實施形態(tài)的示意性剖面圖，配線基板10具備絕緣基板 12、及遍及絕緣基板12上的整個面而配置的配線層14。配線層14具有第1金屬層14a及 第2金屬層14b。
[0036] W下，對各構件（絕緣基板12、配線層14)加W詳述。
[0037] [絕緣基板]
[003引絕緣基板12只要為絕緣性且可支撐配線層，則其種類并無特別限制。例如可使用 有機基板、陶瓷基板、玻璃基板等。
[0039] 另外，絕緣基板12也可為選自由有機基板、陶瓷基板及玻璃基板所組成的組群中 的至少兩個基板層疊而成的構造。
[0040] 有機基板的材料可列舉樹脂，例如優(yōu)選為使用熱硬化性樹脂、熱塑性樹脂或將該 些樹脂混合而成的樹脂。熱硬化性樹脂例如可列舉；酪樹脂、脈樹脂、=聚氯胺樹脂、醇酸樹 月旨、丙締酸系樹脂、不飽和聚醋樹脂、鄰苯二甲酸二締丙醋樹脂、環(huán)氧樹脂、娃酬樹脂、快喃 樹脂、酬樹脂、二甲苯樹脂、苯并環(huán)了締樹脂等。熱塑性樹脂例如可列舉；聚酷亞胺樹脂、聚 苯離樹脂、聚苯硫離樹脂、芳族聚酷胺（polyaramid)樹脂、液晶聚合物等。
[0041] 而且，有機基板的材料也可使用玻璃織布、玻璃不織布、芳族聚酷胺織布、芳族聚 酷胺不織布、芳香族聚酷胺織布或使該些布含浸上述樹脂而成的材料等。
[0042] [配線層]
[0043] 配線層14為配置于絕緣基板12上的層，且作為導體部而發(fā)揮功能。
[0044] 配線層14 (換言之，第1金屬層14a或第2金屬層14b)主要是由金屬所構成。金 屬的種類并無特別限制，可根據用途來適當選擇最適的金屬。其中，就作為配線的功能的方 面而言，可列舉銀、銅、金、侶、鑲或該些金屬的合金等。
[0045] 在圖1中，配線層14具有第1金屬層14a、及配置于第1金屬層14a上的第2金屬 層14b。第2金屬層14b覆蓋第1金屬層14a的不與絕緣基板12接觸的表面。
[0046] 第2金屬層14b的厚度T1相當于配線層14的總體厚度T2的1/10的厚度。換言 之，配線層14中的第2金屬層14b相當于自配線層14的露出表面起至相當于配線層14的 總體厚度的1/10的深度位置為止的區(qū)域。