振蕩器的制造方法、電路裝置的制造方法以及電路裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及振蕩器的制造方法、電路裝置的制造方法以及電路裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前開發(fā)了采用石英振子或MEMS (Micro Electro Mechanical Systems:微電子機(jī)械系統(tǒng))振子等振子(壓電振子)的振蕩器。因?yàn)檎褡拥奶匦源嬖谥圃炱?,所以需要進(jìn)行過驅(qū)動(dòng)檢查或驅(qū)動(dòng)等級(jí)(drive level)特性檢查等,來檢查振子的特性。
[0003]專利文獻(xiàn)I公開了能夠在同一收容容器內(nèi)安裝石英振子和振蕩電路之后進(jìn)行石英振子的等級(jí)特性檢查的壓電振蕩器。
[0004]專利文獻(xiàn)1:日本特開2001-7648號(hào)公報(bào)
[0005]專利文獻(xiàn)I所記載的壓電振蕩器需要在組裝振蕩器之后將振蕩電路變更為檢查用的模式,然后進(jìn)行振子特性的檢查。因此,存在耗費(fèi)檢查所需的時(shí)間以及工時(shí)的課題。另夕卜,存在還需要用于將振蕩電路變更為檢查用的模式的設(shè)備的課題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]本發(fā)明是鑒于以上這樣的技術(shù)課題而完成的。根據(jù)本發(fā)明的幾個(gè)方式,可提供能夠削減檢查所需的時(shí)間以及工時(shí)、并能夠抑制設(shè)備投資的振蕩器的制造方法、電路裝置的制造方法以及電路裝置。
[0007][應(yīng)用例I]本應(yīng)用例的振蕩器的制造方法包含以下的工序:準(zhǔn)備半導(dǎo)體電路裝置的工序,該半導(dǎo)體電路裝置具有與振子連接的振蕩部、以及控制部,該控制部切換通常模式和交流電壓施加模式作為動(dòng)作模式,所述動(dòng)作模式已經(jīng)被設(shè)定為所述交流電壓施加模式,其中,在該通常模式下,所述振蕩部進(jìn)行振蕩動(dòng)作,在該交流電壓施加模式下,所述振蕩部不進(jìn)行振蕩動(dòng)作,并且所述振子被施加用于驅(qū)動(dòng)所述振子的交流電壓;連接工序,其使振子與所述振蕩部電連接;以及交流電壓施加工序,在被設(shè)定為所述交流電壓施加模式的狀態(tài)下,施加用于驅(qū)動(dòng)與所述振蕩部電連接的狀態(tài)下的所述振子的交流電壓。
[0008]根據(jù)本應(yīng)用例,因?yàn)殡娐费b置的控制部的動(dòng)作模式是設(shè)定為交流電壓施加模式的狀態(tài),所以在施加用于驅(qū)動(dòng)振子的交流電壓時(shí)不需要從通常模式變更為交流電壓施加模式,只要供給電源電壓就能夠在連接工序之后迅速地進(jìn)行交流電壓施加工序。另外,還不需要用于為了施加用于驅(qū)動(dòng)振子的交流電壓而從通常模式變更為交流電壓施加模式的設(shè)備。因此,例如在施加用于檢查振子的電壓作為用于驅(qū)動(dòng)振子的交流電壓時(shí),可實(shí)現(xiàn)能夠削減檢查所需的時(shí)間以及工時(shí)并能夠抑制設(shè)備投資的振蕩器的制造方法。
[0009][應(yīng)用例2]在上述振蕩器的制造方法中優(yōu)選的是,所述交流電壓是用于進(jìn)行驅(qū)動(dòng)檢查的電壓以及用于進(jìn)行驅(qū)動(dòng)等級(jí)特性檢查的電壓中的至少I個(gè)。
[0010]通過施加用于進(jìn)行驅(qū)動(dòng)檢查的電壓以及用于進(jìn)行驅(qū)動(dòng)等級(jí)特性檢查的電壓中的至少I個(gè)作為交流電壓,可檢查與電路裝置電連接的狀態(tài)下的振子的重要特性。
[0011][應(yīng)用例3]、[應(yīng)用例4]在上述振蕩器的制造方法中優(yōu)選的是,該制造方法還包含:切換工序,在所述交流電壓施加工序之后,將所述動(dòng)作模式切換為所述通常模式。
[0012]通過進(jìn)行切換工序,振蕩器成為可進(jìn)行通常的振蕩動(dòng)作的狀態(tài),所以能夠?qū)崿F(xiàn)可作為振蕩器迅速使用的振蕩器的制造方法。
[0013][應(yīng)用例5]本應(yīng)用例的電路裝置的制造方法包含以下的工序:形成電路的電路形成工序,該電路包含與振子電連接的振蕩部、以及控制部,該控制部切換通常模式和交流電壓施加模式作為動(dòng)作模式,其中,在該通常模式下,所述振蕩部進(jìn)行振蕩動(dòng)作,在該交流電壓施加模式下,所述振蕩部不進(jìn)行振蕩動(dòng)作,并且所述振子被施加用于驅(qū)動(dòng)所述振子的交流電壓;以及設(shè)定工序,將所述動(dòng)作模式設(shè)定為所述交流電壓施加模式。
[0014]根據(jù)本應(yīng)用例,因?yàn)殡娐费b置的動(dòng)作模式是設(shè)定為交流電壓施加模式的狀態(tài),所以在組裝為振蕩器之后可迅速地對(duì)與電路裝置電連接的狀態(tài)下的振子施加交流電壓例如用于進(jìn)行驅(qū)動(dòng)檢查的電壓,能夠檢查振子的特性。另外,還不需要用于為了施加交流電壓而從通常模式變更為交流電壓施加模式的設(shè)備。因此,例如,在施加用于檢查振子的電壓作為用于驅(qū)動(dòng)振子的交流電壓時(shí),可實(shí)現(xiàn)能夠削減檢查所需的時(shí)間以及工時(shí)并能夠抑制設(shè)備投資的電路裝置的制造方法。
[0015][應(yīng)用例6]本應(yīng)用例的電路裝置具備:振蕩部,其與振子電連接;以及控制部,其切換通常模式和交流電壓施加模式作為動(dòng)作模式,其中,在該通常模式下,所述振蕩部進(jìn)行振蕩動(dòng)作,在該交流電壓施加模式下,所述振蕩部不進(jìn)行動(dòng)作,并且所述振子被施加用于驅(qū)動(dòng)所述振子的交流電壓,所述動(dòng)作模式已經(jīng)被設(shè)定為所述交流電壓施加模式。
[0016]根據(jù)本應(yīng)用例,因?yàn)榘雽?dǎo)體電路裝置的動(dòng)作模式是設(shè)定為交流電壓施加模式的狀態(tài),所以在組裝為振蕩器之后可迅速地對(duì)與半導(dǎo)體電路裝置電連接的狀態(tài)下的振子施加交流電壓例如用于進(jìn)行驅(qū)動(dòng)檢查的電壓,能夠檢查振子的特性。另外,也不需要用于為了施加交流電壓而從通常模式變更為交流電壓施加模式的設(shè)備。因此,例如在施加用于檢查振子的電壓作為用于驅(qū)動(dòng)振子的交流電壓時(shí),可實(shí)現(xiàn)能夠削減檢查所需的時(shí)間以及工時(shí)并能夠抑制設(shè)備投資的半導(dǎo)體電路裝置。
【附圖說明】
[0017]圖1是本實(shí)施方式的半導(dǎo)體電路裝置I的電路圖。
[0018]圖2是示出本實(shí)施方式的半導(dǎo)體電路裝置I的制造方法的流程圖。
[0019]圖3是示出本實(shí)施方式的振蕩器1000的制造方法的流程圖。
[0020]圖4是本實(shí)施方式的振蕩器1000的剖視圖。
[0021]圖5是示出檢查工序的概要的框圖。
[0022]圖6是示出本實(shí)施方式的振蕩器1000的制造方法的變形例的流程圖。
[0023]標(biāo)號(hào)說明
[0024]I半導(dǎo)體電路裝置;10振蕩部;11振蕩電路;12偏壓生成電路;13增益控制部;14輸出緩沖器;20控制部;21串行接口 ;22寄存器;23存儲(chǔ)器;24開關(guān)控制電路;25X0端子輸入輸出部;26XI端子輸入輸出部;100振子;1000振蕩器;1100陶瓷封裝;1200蓋;1300電極;1400收容室;2000電源;3000信號(hào)發(fā)生器;OUT輸出端子;VC控制端子;VDD電源端子;VSS接地端子;XI XI端子;XOXO端子。
【具體實(shí)施方式】
[0025]以下,使用附圖來詳細(xì)說明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。所用的附圖只是為了便于說明。此外,以下說明的實(shí)施例并非不當(dāng)?shù)叵薅?quán)利要求書記載的本發(fā)明的內(nèi)容。另外,以下說明的全部結(jié)構(gòu)并非是本發(fā)明的必須構(gòu)成要件。
[0026]1.半導(dǎo)體電路裝置
[0027]圖1是本實(shí)施方式的半導(dǎo)體電路裝置I (電路裝置的一例)的電路圖。
[0028]本實(shí)施方式的半導(dǎo)體電路裝置I具備:與振子100電連接的振蕩部10 ;以及控制部20,其切換振蕩部10進(jìn)行振蕩動(dòng)作的通常模式和檢查振子100的特性的檢查模式(交流電壓施加模式的一例)作為動(dòng)作模式,動(dòng)作模式被設(shè)定為檢查模式。
[0029]振蕩部10與振子100電連接而進(jìn)行振蕩動(dòng)作。在圖1所示的例子中,振蕩部10構(gòu)成為包含振蕩電路11、偏壓生成電路12、頻率控制部13以及輸出緩沖器14。
[0030]振蕩電路11主要與振子100電連接而進(jìn)行振蕩動(dòng)作。振蕩電路11例如可采用皮爾斯振蕩電路、反相型振蕩電路、考比茲振蕩電路、哈特萊振蕩電路等各種公知的振蕩電路。在本實(shí)施方式中,振蕩電路11是皮爾斯振蕩電路。
[0031]偏壓生成電路12根據(jù)從電源端子VDD供給的電力,生成偏置電流而提供給振蕩電路11。在本實(shí)施方式中,對(duì)皮爾斯振蕩電路的振蕩用晶體管供給電流。
[0032]頻率控制部13根據(jù)對(duì)控制端子VC輸入的控制信號(hào)來控制振蕩電路11所包含的可變電容。由此,可通過使振蕩電路11中的負(fù)載電容變化來控制振蕩頻率。
[0033]輸出緩沖器14由放大電路構(gòu)成。輸出緩沖器14接受振蕩電路11輸出的振蕩信號(hào)的輸入,輸出至輸出端子OUT。
[0034]控制部20控制振蕩部10的動(dòng)作。在圖1所示的例子中,控制部20構(gòu)成為包含串行接口