專利名稱：：數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器及使用它的電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種D/A轉(zhuǎn)換器(數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器)電路(DAC)，尤其涉及一種用于有源矩陣型半導(dǎo)體設(shè)備的驅(qū)動(dòng)器電路的DAC。而且，本發(fā)明涉及使用這種DAC的有源矩陣型半導(dǎo)體顯示設(shè)備。最近，用于生產(chǎn)具有形成在廉價(jià)玻璃襯底上的半導(dǎo)體薄膜的半導(dǎo)體設(shè)備，例如薄膜晶體管(TFT)的技術(shù)得到迅速發(fā)展。原因是有源矩陣型液晶顯示設(shè)備中日益增長(zhǎng)的需求。有源矩陣型液晶顯示設(shè)備是這樣的像素TFT被排列在由幾萬(wàn)到幾百萬(wàn)個(gè)像矩陣一樣設(shè)置的像素所組成的像素區(qū)上，并且從連接于各個(gè)像素TFT的像素電極接收和取出的電荷受控于像素TFT的開關(guān)特性。另外，能夠以高速驅(qū)動(dòng)的數(shù)字驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備已經(jīng)被確認(rèn)符合顯示設(shè)備的高精度和高的圖象準(zhǔn)確度。把從外圍設(shè)備輸入的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)(灰度電壓)的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器電路(DAC)對(duì)于數(shù)字驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備而言是需要的。有各種類型的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器電路。但是，這里圖示出用于有源矩陣型液晶顯示設(shè)備的DAC的一個(gè)示例?，F(xiàn)在，參考圖25表示出已有技術(shù)DAC的一個(gè)示例圖。圖25示出的已有技術(shù)的DAC具有“n”個(gè)被“n”位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)(D0到Dn-1)的各個(gè)位、連接于各個(gè)開關(guān)(SW0到SWn-1)的電容(C、2C…2n-1C)及一個(gè)復(fù)位開關(guān)(Res)控制的開關(guān)(SW0到SWn-1)。而且，電源VH和電源VL被連接于已有技術(shù)的DAC。還有，電容CL是連接于輸出Vout的信號(hào)線的裝載電容。另外，接地電源以VG來(lái)代表。但是，VG可以是任何可選擇的恒定電源。當(dāng)對(duì)應(yīng)于輸入數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)(D0到Dn-1)的位是0時(shí)(Lo)和當(dāng)對(duì)應(yīng)位是1(Hi)時(shí)，開關(guān)(SW0到SWn-1)分別連接到電源VL和電源VH。說(shuō)明書將對(duì)已有技術(shù)的DAC進(jìn)行描述。已有技術(shù)的DAC的作用被分為復(fù)位周期(TR)和數(shù)據(jù)輸入周期(TB)來(lái)描述。首先，在復(fù)位周期TR，復(fù)位開關(guān)Res閉合，數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的所有位(D0到Dn-1)為0(LO)，并且所有開關(guān)(SW0到SWn-1)被連接于電源VL。圖26(A)表示在這種狀態(tài)中的已有技術(shù)的DAC的等價(jià)電路。在結(jié)束復(fù)位周期TR后，由于數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的所有位(D0到Dn-1)為0(LO)，在圖26(A)表示的裝載電容CL中積累的電荷的起始值(缺省值)QL變?yōu)槿缦卤磉_(dá)式(19)Q10＝c1·(VL-VG)...(19)在結(jié)束復(fù)位周期TR后，數(shù)據(jù)寫入周期TE開始，并且具有可選擇的位信息的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)(D0到Dn-1)控制開關(guān)(SW0到SWn-1)。而且，電荷根據(jù)各個(gè)位信息被充電和放電，從而此后出現(xiàn)一個(gè)穩(wěn)定的狀態(tài)。圖26(B)表示此時(shí)的等價(jià)電路。在合成電容C0、C1和CL中積累的電荷Q0、Q1和QL變?yōu)槿缦卤磉_(dá)式(20a到20c)Q0＝c0·(VL-Vout)......(20a)Q1＝c1·(VH-Vout)......(20b)QL＝cL·(Vout-VG)......(20c)這里，由于建立了下面的表達(dá)式(21a)和(21b)c0=c·(D0‾+2D1‾+4D2‾+...+2n-1Dn-1‾)----(21a)]]>c1=c·(D0‾+2D1‾+4D2‾+...+2n-1Dn-1‾)----(21b)]]>下面的表達(dá)式(23)可通過(guò)電荷的平衡法則在Vout處建立QL0＝QL-Q0-Q1...(23)輸出Vout變?yōu)槿缦卤磉_(dá)式(24)Vout=VL+c1·α·(VH-VL)(2n-1)·c----(24)]]>但是，α是輸出Vout的最大電壓振幅與電壓振幅(VH-VL)的比率(在該說(shuō)明書中稱為“電壓壓縮比”)，其中α由下式表達(dá)α=11+12n-1·cLc----(25)]]>如圖26(C)所示，輸出Vout相對(duì)于地址(0到2n-1)呈線性關(guān)系。但是由于根據(jù)表達(dá)式(24)，輸出Vout依賴于VH和VL之差，并且相對(duì)于數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的地址而隨用作參考電勢(shì)的VL呈線性形式變化，不可能獨(dú)立地控制輸出Vout的電壓振幅和參考電勢(shì)。接著，圖27表示已有技術(shù)DAC的另一示例。圖27示出的已有技術(shù)的DAC具有“n”個(gè)被“n”位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)(D0到Dn-1)的各個(gè)位、連接于各個(gè)開關(guān)(SW0到SWn-1)的電容(C、2C…2m-1C、C、2C…2n-m-1C)、兩個(gè)復(fù)位開關(guān)(Res1和Res2)及一個(gè)耦合電容控制的開關(guān)(SW0到SWn-1)。而且，電源VH和電源VL被連接于已有技術(shù)的DAC。還有，圖28表示已有技術(shù)DAC的又一個(gè)示例。圖28示出的已有技術(shù)的DAC具有“n”個(gè)被“n”位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)(D0到Dn-1)的各個(gè)位、連接于各個(gè)開關(guān)(SW0到SWn-1)的電容(C、2C…2m-1C、C、2C…2n-m-1C)及兩個(gè)復(fù)位開關(guān)(Res1和Res2)控制的開關(guān)(SW0到SWn-1)。而且，圖28示出的已有技術(shù)的DAC不同于圖27示出的已有技術(shù)的DAC，因?yàn)殡娙軨連接于低位側(cè)電路，并且把相應(yīng)于低位的電路連接到相應(yīng)于高位的電路的耦合電容與圖27所示的不同。在圖27示出的已有技術(shù)的DAC和圖28示出的已有技術(shù)的DAC的任一個(gè)中，分別設(shè)計(jì)開關(guān)(SW0到SWn-1)從而當(dāng)輸入的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)(D0到Dn-1)為0(LO)時(shí)使其連接到電源VL，而當(dāng)輸入的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)(D0到Dn-1)為1(Hi)時(shí)使其連接到電源VH。圖27示出的已有技術(shù)的DAC的輸出Vout變?yōu)槿缦卤磉_(dá)式(26)Vout=VL+c1(2n-1)·c·αA·(VH-VL)----(26)]]>而且圖28所示，已有技術(shù)DAC的輸出Vout變?yōu)橄率霰磉_(dá)式(27)Vout=VL+c12n·c·αB·(VH-VL)----(27)]]>這里C1與上面表達(dá)式(21b)中相同，并且建立下面的表達(dá)式，其中的αA和αB電壓壓縮比αA=11+2n2n-1·cLc----(28a)]]>αB=11+2m2n·cLc----(28b)]]>而且，在這些已有技術(shù)DAC中，可以理解與圖17(C)所示的已有技術(shù)DAC中一樣，輸出Vout相對(duì)于數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的地址(0到2n-1)呈線性關(guān)系。但是由于根據(jù)表達(dá)式(26)和(27)，輸出Vout依賴于VH和VL之差，并相對(duì)于數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的地址而隨用作參考電壓的VL呈線性形式變化，不可能獨(dú)立地控制輸出Vout的電壓振幅和參考電勢(shì)。因此，考慮到上述問(wèn)題和不足作出了本發(fā)明。并且，因此本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種DAC，其能夠獨(dú)立地控制輸出Vout的電壓振幅和參考電勢(shì)。后面將說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的DAC。本發(fā)明涉及一種將“n”位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)(其中“n”是自然數(shù))轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器電路，其中“n”位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的各個(gè)位控制開關(guān)并且進(jìn)一步控制連接于開關(guān)的電容中的電荷的充電和放電，而且該數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器電路輸出模擬信號(hào)和用作參考電壓的偏移電壓。本發(fā)明涉及一種將“n”位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)(其中“n”是自然數(shù))轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器電路，其中該數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器電路具有“n”個(gè)開關(guān)和“n”個(gè)相應(yīng)于“n”位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的各個(gè)位的電容，相應(yīng)于“n”位的“n”個(gè)開關(guān)控制連接于“n”個(gè)開關(guān)的每一個(gè)的電容中的電荷的充電和放電，而且該數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器電路輸出具有用作參考電壓的偏移電壓的模擬信號(hào)。根據(jù)本發(fā)明的一種數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器電路，該數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器電路把“n”位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)，包括被“n”位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的低“m”位(其中“n”和“m”是自然數(shù)并且m＜n)的各個(gè)位控制的開關(guān)和被“n”位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的高(“n”-“m”)位的各個(gè)位控制的開關(guān)；連接于被低“m”位的各個(gè)位控制的每一開關(guān)的電容，其中各個(gè)電容是2m-1倍的單元電容；連接于被高“n-m”位的各個(gè)位控制的每一開關(guān)的電容，其中各個(gè)電容是2n-m-1倍的單元電容；一個(gè)耦合電容和兩個(gè)復(fù)位開關(guān)；其中兩個(gè)電源和一個(gè)偏移電源連接于該數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器電路；開關(guān)選擇兩個(gè)電源之一，兩個(gè)復(fù)位開關(guān)控制電荷充電到電容，并且該數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器電路從“n”位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)的高(“n-m”)位電容的共用連接端輸出模擬信號(hào)和用作參考電勢(shì)的偏移電源的電勢(shì)。根據(jù)本發(fā)明的一種數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器電路包括由數(shù)據(jù)的低“m”位(其中“n”和“m”是自然數(shù)并且“m”＜“n”)控制的一個(gè)低位電路部分，其中低位電路部分由被各個(gè)位和連接于開關(guān)的電容控制的開關(guān)組成，其具有比單元電容大2m-1倍的一個(gè)電容；由“n”位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的高(“n”-“m”)位控制的一個(gè)高位電路部分，其中高位電路部分由被各個(gè)位和連接于開關(guān)的電容控制的開關(guān)組成，其具有比單元電容大2n-m-1倍的一個(gè)電容；一個(gè)由上述單元電容組成的用于把低位電路部分連接到高位電路部分的耦合電容；和兩個(gè)復(fù)位開關(guān)；其中兩個(gè)電源和一個(gè)偏移電源被輸入其中；兩個(gè)復(fù)位開關(guān)控制電荷充電到低位電路部分的各個(gè)電容和高位電路部分的各個(gè)電容；偏移電源被輸入到高位電路部分的各個(gè)電容的共用連接端；低位電路部分的各個(gè)開關(guān)從各個(gè)位信息選擇兩個(gè)電源之一，并且控制連接于各個(gè)開關(guān)的電容的電荷的充電和放電；高位電路部分的各個(gè)開關(guān)從各個(gè)位信息選擇兩個(gè)電源之一，并且控制連接于各個(gè)開關(guān)的電容的電荷的充電和放電；并且其中偏移電源的電勢(shì)被用作參考電勢(shì)的模擬信號(hào)從高位電路部分的共用連接端輸出。在根據(jù)本發(fā)明的DAC中，可通過(guò)VH和VL之差和在VL用作參考電勢(shì)時(shí)的相對(duì)于數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的地址而呈線性形式的變化來(lái)確定輸出Vout的振幅。即，可獨(dú)立地控制輸出Vout的電壓振幅和參考電勢(shì)。因此，如果VH和VL之差是恒定的，甚至在VH和VL都很小時(shí)也可獲得同樣的輸出Vout。因此，可抑制電源電壓移向較低值，從而使α很小，即，電容C很小，電容部分的布局區(qū)可減少。圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)DAC(數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器電路)，圖2(A)-2(C)表示描述根據(jù)本發(fā)明的DAC的作用的等價(jià)電路和表示根據(jù)本發(fā)明的DAC的輸出的曲線圖，圖3表示根據(jù)本發(fā)明的DAC的一個(gè)實(shí)施例，圖4(A)-4(C)表示描述根據(jù)本發(fā)明的DAC的作用的等價(jià)電路和表示根據(jù)本發(fā)明的DAC的輸出的曲線圖，圖5是使用根據(jù)本發(fā)明的DAC的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備的一個(gè)示例，圖6表示選擇器電路的示例，圖7是選擇器電路的時(shí)序圖，圖8表示根據(jù)本發(fā)明的DAC的另一個(gè)實(shí)施例，圖9(A)和9(B)表示電平移動(dòng)器電路和模擬開關(guān)電路，圖10(A)和10(B)表示數(shù)字視頻數(shù)據(jù)除法電路，圖11是數(shù)字視頻數(shù)據(jù)除法電路的時(shí)序圖，圖12(A)-12(E)表示用于產(chǎn)生使用根據(jù)本發(fā)明的DAC的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備的一個(gè)示例方法，圖13(A)-13(C)表示用于產(chǎn)生使用根據(jù)本發(fā)明的DAC的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備的一個(gè)示例方法，圖14(A)-14(C)表示用于產(chǎn)生使用根據(jù)本發(fā)明的DAC的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備的一個(gè)示例方法，圖15(A)-15(C)表示用于產(chǎn)生使用根據(jù)本發(fā)明的DAC的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備的一個(gè)示例方法，圖16(A)-16(E)表示用于產(chǎn)生使用根據(jù)本發(fā)明的DAC的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備的一個(gè)示例方法，圖17(A)-17(D)表示用于產(chǎn)生使用根據(jù)本發(fā)明的DAC的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備的一個(gè)示例方法，圖18(A)和18(B)表示用于產(chǎn)生使用根據(jù)本發(fā)明的DAC的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備的一個(gè)示例方法，圖19(A)-19(E)表示用于產(chǎn)生使用根據(jù)本發(fā)明的DAC的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備的一個(gè)示例方法，圖20(A)和20(B)表示用于產(chǎn)生使用根據(jù)本發(fā)明的DAC的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備的一個(gè)示例方法，圖21表示構(gòu)成使用根據(jù)本發(fā)明的DAC的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備的一個(gè)TFT的示例，圖22表示構(gòu)成使用根據(jù)本發(fā)明的DAC的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備的一個(gè)TFT的示例，圖23(A)和23(B)表示其中組裝入使用根據(jù)本發(fā)明的DAC的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備的投影儀，圖24(A)到24(E)表示其中組裝入使用根據(jù)本發(fā)明的DAC的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備的電子設(shè)備的示例，圖25表示已有技術(shù)的DAC，圖26(A)-(C)表示已有技術(shù)的DAC，圖27表示已有技術(shù)的DAC，圖28表示已有技術(shù)的DAC，圖29表示根據(jù)本發(fā)明的DAC的優(yōu)選實(shí)施例的相對(duì)于數(shù)字視頻數(shù)據(jù)的輸出電壓，圖30是表示TFT特性的曲線圖，圖31是具有根據(jù)本發(fā)明的DAC的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備的顯示示例，圖32是具有根據(jù)本發(fā)明的DAC的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備的顯示示例，圖33是表示無(wú)閥值反鐵電混合液晶的應(yīng)用電壓-滲透比率的特性的曲線圖，圖34(A)到34(D)表示根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的制造過(guò)程，圖35(A)到35(D)表示根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的制造過(guò)程，圖36(A)和36(B)表示根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的制造過(guò)程，圖37(A)和37(B)表示根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的制造過(guò)程，圖38表示根據(jù)本發(fā)明的液晶設(shè)備的截面圖，圖39表示液晶材料的光學(xué)特性，圖40A表示有源矩陣EL顯示設(shè)備的頂視圖，圖40B是其截面圖，圖41A表示有源矩陣EL顯示設(shè)備的頂視圖，圖41B是其截面圖，圖42是表示有源矩陣EL顯示設(shè)備中像素部分的結(jié)構(gòu)的視圖，圖43A是表示有源矩陣EL顯示設(shè)備中像素部分的結(jié)構(gòu)的頂視圖，圖43B是其電路圖案，圖44是表示有源矩陣EL顯示設(shè)備中像素部分的結(jié)構(gòu)的視圖，圖45A到45C是有源矩陣EL顯示設(shè)備中像素部分的電路圖案。此后，將描述根據(jù)本發(fā)明的DAC的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例。另外，根據(jù)本發(fā)明的DAC并不限定于下面的實(shí)施例。圖1表示根據(jù)本發(fā)明的DAC的電路圖。圖1所示的發(fā)明的DAC能夠處理“n”位(D0到Dn-1)數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。另外，D0被視為L(zhǎng)SB，Dn-1被視為MSB。而且，假設(shè)n”位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)被分為低“m”位(D0到Dm-1)和高“n-m”位(Dm到Dn-1)。如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明的DAC具有被“n”位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)(D0到Dn-1)的各個(gè)位來(lái)控制的開關(guān)(SW0到SWn-1)，連接于各個(gè)開關(guān)(SW0到SWn-1)的電容，其中各個(gè)電容是2m-1倍的單元電容；連接于被高“n-m”位的各個(gè)位來(lái)控制的每一個(gè)開關(guān)的電容(C、2C…2m-1C、C、2C…2n-m-1C)，和兩個(gè)復(fù)位開關(guān)(Res1和Res2)。這些電容被制成整數(shù)倍于單元電容。根據(jù)本發(fā)明的DAC具有一個(gè)把相應(yīng)于低“m”位的電路部分連接到相應(yīng)于高“n-m”位的電路部分的電容C。如圖1所示，相應(yīng)于低“m”位的電路部分的各個(gè)電容的一端被作成一個(gè)通用連接端。而且相應(yīng)于高“n-m”位的電路部分的各個(gè)電容的一端被作成一個(gè)通用連接端。另外，電容CL是連接于輸出Vout的信號(hào)線的一個(gè)裝載電容。接地電壓被設(shè)置為VG。但是，電壓VG可以是任何可選擇的恒定電源。電源VH、VL和偏移電源VB及電源VA被連接于根據(jù)本發(fā)明的DAC。另外，在VH＞VL和VH＜VL的情況下，反相模擬信號(hào)經(jīng)輸出Vout被輸出。而且，這里在VH＞VL時(shí)輸出假設(shè)是正相位，而VH＜VL時(shí)輸出假設(shè)為反相位。當(dāng)輸入數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)(D0到Dn-1)為0(LO)時(shí)和為1(Hi)時(shí)開關(guān)分別被連接到電源VL和電源VH。復(fù)位開關(guān)Res1控制來(lái)自VH的電荷充電到相應(yīng)于高“n-m”位的電容(C、2C...2n-m-1C)，并且復(fù)位開關(guān)Res2控制來(lái)自VA的電荷充電到相應(yīng)于低“m”位的電容(C、2C...2m-1C)。另外，通過(guò)把復(fù)位開關(guān)Res2的一端連接到電源VL，不從電源VA提供電壓。接著，將順次說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的DAC的作用。本發(fā)明的DAC的作用用被分為復(fù)位周期TR和數(shù)據(jù)輸入周期的TB的作用來(lái)描述。首先，在復(fù)位周期TR，復(fù)位開關(guān)Res1和Res2閉合，其中數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的所有位(D0到Dn-1)為0(LO)，并且所有開關(guān)(SW0到SWn-1)被連接于電源VL。在這種狀態(tài)中，圖1表示的根據(jù)本發(fā)明的DAC的等價(jià)電路被表示于圖2(A)中。在結(jié)束復(fù)位周期TR后，在圖2(A)表示的各個(gè)合成電容中積累的電荷的缺省值(起始值)Q00、Q10、Q20、Q30、Q0和QL0變?yōu)槿缦卤磉_(dá)式(1a)到(1f)Q00＝(2m-1)·c·(VL-VA)...(1a)Q10＝0...(1b)Q20＝(2n-m-1)·c·(VL-VB)...(1c)Q30＝0...(1d)Q0＝c·(VA-VB)...(1e)QL0＝cL·(VB-VG)...(1f)在結(jié)束復(fù)位周期TR后，數(shù)據(jù)寫入周期TE開始，其中并且具有可選擇的位信息的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)(D0到Dn-1)控制開關(guān)(SW0到SWn-1)，而且電荷根據(jù)各個(gè)位信息被充電和放電。此后出現(xiàn)一個(gè)穩(wěn)定的狀態(tài)。并且，在合成電容C0、C1、C2、C3、C和CL中積累的電荷Q0、Q1、Q2、Q3、Q和QL最終變?yōu)槿缦卤磉_(dá)式(2a到2f)Q0＝c0·(VL-Vm)......(2a)Q1＝c1·(VH-Vm)......(2b)Q2＝c2·(VL-Vout)......(2c)Q3＝c3·(VH-Vout)......(2d)Q＝c·(Vm-Vout)......(2e)QL＝cL·(Vout-VG)......(2f)其中c0=c·(D0‾+2D1‾+4D2‾+...2m-1Dm-1‾)----(3a)]]>c1＝c·(D0+2D1+4D2+...+2m-1Dm-1)…………(3b)c2=c·(Dm‾+2Dm+1‾+4Dm+2‾+...2n-m-1Dm-1‾)----(3c)]]>c3＝c·(Dm+2Dm+1+4Dm+2+...+2n-m-1Dn-1)………(3d)這里在圖2(B)中的點(diǎn)Vout和VM，下面的表達(dá)式(4a)和(4b)可通過(guò)電荷的平衡法則建立[-Q2-Q3-Q+QL=-Q20-Q30-Q0+QL0----(4b)-Q0-Q1+Q=-Q00-Q10+Q0----(4a)]]>這里(1a)-(1f)及(2a)-(2f)代入(4a)和(4b)，并計(jì)算出Vout，從而導(dǎo)出下面的表達(dá)式(5)Vout=VB+{c0+2m·c2-(2n-1)·c}VL+(c1+2m·c3)VH(2n-1)·c+2m·cL----(5)]]>其中由于建立下面的表達(dá)式(6a)和(6b)，c0+c1＝c·(1+2+4+...+2m-1)＝(2m-1)·c...(6a)c2+c3＝c·(1+2+4+...+2n-m-1)＝(2n-m-1)·c...(6b)可得到下面的表達(dá)式c0+c1+2m·(c2+c3)＝(2n-1)·c......(7)因此，通過(guò)把(6a)、(6b)和(7)代入表達(dá)式(5)，可得到下面的表達(dá)式Vout=VB+(c1+2m·c3)(2n-1)·c·α·(VH-VL)----(8)]]>其中，α變?yōu)槿缦卤磉_(dá)式(9)，其中α是電壓壓縮比α=11+2m2n-1·cLc----(9)]]>因此，通過(guò)表達(dá)式(8)可以理解Vout不依賴于VA?；诒磉_(dá)式(8)，圖2(C)表示出了一個(gè)曲線圖，其中Vout作為縱坐標(biāo)，地址作為橫坐標(biāo)。如圖2(c)所示，可看到輸出Vout相對(duì)于數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的地址(0到2n-1)呈線性形式。而且輸出Vout的振幅可通過(guò)VH和VL之差來(lái)確定，并且隨用作參考電勢(shì)的偏移電源VB相對(duì)于數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的地址而呈線性形式變化。在此基礎(chǔ)上，如果VH和VL之差為常數(shù)，甚至在VH和VL都很小時(shí)也可獲得同樣的輸出，從而可能抑制電源電壓移向較低電平，可使α很小，即，使電容C很小，因此，電容部分的布局區(qū)被減少。另外，在本發(fā)明的結(jié)構(gòu)中使用的電容中，可允許有幾乎滿足上述線性關(guān)系的錯(cuò)誤存在。此后，將描述根據(jù)本發(fā)明的DAC的優(yōu)選實(shí)施例。根據(jù)本發(fā)明的DAC的具體結(jié)構(gòu)并不局限于下面的實(shí)施例。實(shí)施例1圖3表示實(shí)施例的8位DAC的電路圖。圖3示出的實(shí)施例的DAC管理由8位(D0(LSB)到D7(MSB))組成的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。而且，8位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)被分為低4位(D0到D3)和高4位(D4到D7)。如圖3所示的本實(shí)施例的DAC具有被8位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的各個(gè)位(D0到D7)、連接于各個(gè)開關(guān)(SW0到SW7)的電容(C、2C、4C、8C、C、2C、4C和8C)和兩個(gè)復(fù)位開關(guān)(Res1和Rse2)控制的8個(gè)開關(guān)(SW0到SW7)。而且，本實(shí)施例的DAC具有把相應(yīng)于低4位的電路部分連接于相應(yīng)于高4位的電路部分的一個(gè)電容。電源VH和VL及偏移電源VB被連接于根據(jù)本發(fā)明的DAC。開關(guān)(SW0到SW7)在輸入數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的各個(gè)位(D0到D7)為0(LO)時(shí)被連接到電源VL，而在輸入數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的各個(gè)位(D0到D7)為1(Hi)時(shí)被連接到電源VH。這與上述說(shuō)明相同。復(fù)位開關(guān)Res1控制電荷從VB向相應(yīng)于高4位的電容(C、2C、4C、8C)的充電。而且相應(yīng)于低4位的電容(C、2C、4C、8C)的一端被連接于復(fù)位開關(guān)Res2。根據(jù)本實(shí)施例的8位DAC結(jié)構(gòu)上與圖1所示的DAC不同。本實(shí)施例的DAC與圖1所示的DAC的不同之處在于復(fù)位開關(guān)Res2的一端被連接于電源VL，并且不從電源VA提供電壓。但是，如上所述，輸出電壓Vout不取決于VA，從而本實(shí)施例的DAC可以象上面圖1所示的DAC一樣操作。接著，將順次描述根據(jù)本實(shí)施例的DAC的作用。根據(jù)本實(shí)施例的DAC的作用用被分為復(fù)位周期TR和數(shù)據(jù)輸入周期的TB的作用來(lái)描述。首先，在復(fù)位周期TR復(fù)位開關(guān)Res1和Res2閉合，數(shù)字視頻數(shù)據(jù)的所有位(D0到D7)為0(LO)，并且所有開關(guān)(SW0到SW7)被連接于電源VL。在這種狀態(tài)中，根據(jù)本實(shí)施例的DAC的等價(jià)電路與圖4(A)中所示的相同。在結(jié)束復(fù)位周期TR后，在圖4(A)表示的合成電容C0、C1、C2、C3、C和CL中積累的電荷的缺省值(起始值)Q0、Q1、Q2、Q3、Q和QL最終變?yōu)槿缦卤磉_(dá)式(10a)到(10f)Q00＝0...(10a)Q10＝0...(10b)Q20＝15·c·(CL-VB)...(10c)Q30＝0...(10d)Q0＝c·(VL-VB)...(10e)QL0＝cL·(VB-VG)...(10f)其中滿足下面的表達(dá)式Q0＝c0·(VL-Vm)...(11a)Q1＝c1·(VH-Vm)...(11b)Q2＝c2·(VL-Vout)...(11c)Q3＝c3·(VH-Vout)...(11d)Q＝c·(Vm-Vout)...(11e)QL＝cL·(Vout-VG)...(11f)在結(jié)束復(fù)位周期TR后，提供具有可選擇的位信息的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)(D0到D7)給開關(guān)(SW0到SW7)，其中電荷根據(jù)各個(gè)位信息被充電和放電。在合成電容C0、C1、C2、C3、C和CL中積累的電荷Q0、Q1、Q2、Q3、Q和QL最終變?yōu)樯厦娴谋磉_(dá)式(11a到11f)。而且建立下面的表達(dá)式c0=c·(D0‾+2D1‾+4D2‾+...+8D3‾)----(12a)]]>c1＝c·(D0+2D1+4D2+8D3).........(12b)c2=c·(D4‾+2D5‾+4D6‾+...+8D7‾)----(12c)]]>c3＝c·(D+2D5+4D6+8D7).........(12d)這里考慮在圖4中的點(diǎn)Vout和Vm，下面的表達(dá)式(13a)和(13b)可通過(guò)電荷的平衡法則建立[-Q2-Q3-Q+QL=-Q20-Q30-Q0+QL0----(13b)-Q0-Q1+Q=-Q00-Q10+Q0----(13a)]]>這里通過(guò)把(10a)-(10f)及(12a)-(12f)代入(13a)和(13b)來(lái)解出或計(jì)算出Vout，Vout變?yōu)橄旅娴谋磉_(dá)式(14)Vout=VB+{c0+16·c2-255·c}VL+(c1+16·c3)VH255·c+16·cL----(14)]]>即，由于建立下面的表達(dá)式(15a)和(15b)，c0+c1＝c·(1+2+4+8)＝15·c...(15a)c2+c3＝c·(1+2+4+8)＝15·c...(15b)可得到下面的表達(dá)式c0+c1+16·(c2+c3)255·c......(16)而且，通過(guò)把(15a)、(15b)和(16)代入表達(dá)式(14)，可得到下面的表達(dá)式(17)Vout=VB+(c1+16·c3)255·c·α·(VH-VL)----(17)]]>其中，α變?yōu)槿缦?amp;alpha;=11+16255·cLc----(18)]]>因此，通過(guò)表達(dá)式(17)可以理解Vout相對(duì)于數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的地址(0到2s-1)呈線性形式。在該實(shí)施例中，由于8位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)被管理，可獲得256種類型的輸出Vout。這里當(dāng)改變表達(dá)式(17)中的各個(gè)參數(shù)時(shí)，表示輸出Vout和數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的地址的轉(zhuǎn)變的曲線在圖29中表示出來(lái)。輸出Vout的振幅可通過(guò)VH和VL之差來(lái)確定，并且相對(duì)于數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的地址隨被用作參考電勢(shì)的VB變化。即?？赡塥?dú)立地控制輸出Vout和參考電勢(shì)的電壓振幅。在此基礎(chǔ)上，如果VH和VL之差為常數(shù)，甚至在VH和VL都很小時(shí)也可獲得同樣的輸出Vout，從而可能抑制電源電壓移向較低電平，可使α很小，即，使電容C很小，因此，電容部分的布局區(qū)被減少。(實(shí)施例2)在本實(shí)施例中，將描述一種根據(jù)上面實(shí)施例1的DAC被用于有源矩陣型液晶顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)電路的情況。圖5是根據(jù)本實(shí)施例的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備的一般框圖，其中源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路A由501來(lái)代表，源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路B由502來(lái)代表，柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路由503來(lái)代表，有源矩陣電路由504來(lái)代表，數(shù)字視頻數(shù)據(jù)除法電路(SPC串行并行轉(zhuǎn)換電路)由505來(lái)代表。源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路A501具有移位電阻器電路(240級(jí)×2個(gè)移位寄存器電路)501-1，鎖存器電路1(960×8數(shù)字鎖存器電路)501-2，鎖存器電路2(960×8數(shù)字鎖存器電路)501-3，選擇器電路1(240選擇器電路)501-4，D/A轉(zhuǎn)換器電路(240DAC)501-5，選擇器電路2(240選擇器電路)501-6。另外，還有緩沖器電路和電平移動(dòng)器電路(均未示出)。而且，為了描述的方便，DAC501-5包括一個(gè)電平移動(dòng)器電路。源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路B502具有與源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路A501相同的結(jié)構(gòu)。另外，源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路A501提供視頻信號(hào)(灰度電壓信號(hào))給奇數(shù)源信號(hào)線而源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路B502提供視頻信號(hào)給偶數(shù)源信號(hào)線。而且，在根據(jù)本實(shí)施例的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備中，為了描述方便，僅提供兩個(gè)源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路A501和B502，從而這些驅(qū)動(dòng)電路可保持在有源矩陣電路的上下兩側(cè)之間。但是，如果電路結(jié)構(gòu)布局允許，可僅提供一個(gè)源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路。另外，柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路由503來(lái)代表，其具有移位寄存器電路、緩沖器電路、電平移動(dòng)器電路等(其未在圖中顯示出來(lái))。有源矩陣電路504具有由1920(橫向)X1080(縱向)像素組成的像素。像素TFT被設(shè)置在各個(gè)像素中，其中源信號(hào)線被電連接到各個(gè)像素TFT的源區(qū)，并且柵極信號(hào)線被電連接到柵極電極。另外，像素電極被電連接到各個(gè)像素TFT的漏區(qū)。各個(gè)像素TFT控制視頻信號(hào)(灰度電壓)向電連接到各個(gè)像素TFT的像素電極的提供。在視頻信號(hào)(灰度電壓)被提供到各個(gè)像素電極情況下，電壓被應(yīng)用于設(shè)置在各個(gè)像素電極與其相對(duì)的電極之間的液晶，從而驅(qū)動(dòng)液晶。這里，描述根據(jù)本發(fā)明的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備的作用和信號(hào)流。首先，描述源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路A501。時(shí)鐘信號(hào)(CK)和觸發(fā)脈沖(SP)被輸入到移位寄存器電路501-1。移位寄存器電路501-1基于時(shí)鐘信號(hào)(CK)和觸發(fā)脈沖(SP)產(chǎn)生按順序的時(shí)序信號(hào)，并且隨后經(jīng)緩沖器電路(未示出)等把時(shí)序信號(hào)提供給隨后的電路。來(lái)自移位寄存器電路501-1的時(shí)序信號(hào)通過(guò)緩沖器電路等被緩沖。由于若干電路和元件被連接于時(shí)序信號(hào)被提供到那里的源信號(hào)線，裝載電容(寄生電容)很大。因?yàn)檠b載電容很大，為了防止時(shí)序信號(hào)被鈍化，提供緩沖器電路。由緩沖器電路緩沖的時(shí)序信號(hào)被提供給鎖存器電路1(501-2)。鎖存器電路1(501-2)具有960級(jí)鎖存器電路來(lái)處理8位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)。鎖存器電路1(501-2)隨后在上述時(shí)序信號(hào)被輸入時(shí)拾取并維持由數(shù)字視頻數(shù)據(jù)除法電路提供的8位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)。直到數(shù)字視頻數(shù)據(jù)被完全寫入在鎖存器電路1(501-2)的所有級(jí)的時(shí)間被稱為“線周期”。即，從數(shù)字視頻數(shù)據(jù)在鎖存器電路1(501-2)中的最左側(cè)的級(jí)開始寫入的時(shí)間到數(shù)字視頻數(shù)據(jù)在鎖存器電路1(501-2)中的最右側(cè)的級(jí)寫入終止的時(shí)間的期間區(qū)間是線周期。實(shí)際上，水平返回周期被增加到上述線周期的周期被稱為“線周期”。在一個(gè)線周期結(jié)束后，鎖存器信號(hào)根據(jù)移位寄存器電路501-1的作用時(shí)序被提供給鎖存器電路2(501-3)。此時(shí)，在鎖存器電路1(501-2)中寫入和維持的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)立刻被送到鎖存器電路2(501-3)，并且被寫入和維持在鎖存器電路2(501-3)的所有級(jí)。在從移位寄存器電路501-1而來(lái)的時(shí)序信號(hào)的基礎(chǔ)上，從數(shù)字視頻數(shù)據(jù)除法電路提供的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)再次被順序?qū)懭肫渫瓿上蜴i存器電路2(501-3)的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)的發(fā)送的鎖存器電路1(501-2)中。在第二個(gè)線周期，在鎖存器電路2(501-3)中寫入和維持的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)被選擇器電路1(501-4)順序選擇并被提供到D/A轉(zhuǎn)換器電路(DAC)501-5。另外，在本實(shí)施例中，在選擇器電路1(501-4)中，一個(gè)選擇器電路相應(yīng)于4個(gè)源信號(hào)線。這里，為了描述在本實(shí)施例中使用的選擇器電路1(501-4)，參考管理2位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)(圖6和圖7)的選擇器電路。如本實(shí)施例一樣，管理8位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的選擇器電路的概念結(jié)構(gòu)與管理2位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)的選擇器電路相同。而且，可使用在日本專利申請(qǐng)NO.9-286098描述的選擇器電路，其是由本申請(qǐng)的申請(qǐng)人作出的專利申請(qǐng)。圖6表示一個(gè)選擇器電路的電路圖。在圖6中，參考字母A、B、C和D表示源信號(hào)線，并且接在參考字母A、B、C和D之后的附標(biāo)0或1表示被輸入到源信號(hào)線的2位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)的位。相應(yīng)于源信號(hào)線A、B、C或D的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)經(jīng)一個(gè)線掃描周期(水平掃描周期)中的四位字節(jié)被選擇信號(hào)SS1和SS2四位字節(jié)來(lái)選擇并從Out-0和Out-1被輸出。圖7表示選擇器電路的時(shí)序圖，其中L和S是鎖存器信號(hào)。在本實(shí)施例的選擇器電路501-4中，對(duì)于每四個(gè)源信號(hào)線提供一個(gè)選擇器電路。而且，從鎖存器電路1(501-2)向相應(yīng)的源信號(hào)提供的8位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)被一個(gè)掃描周期中的四位字節(jié)選擇四位字節(jié)。由選擇器電路501-4選擇的8位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)被提供到DAC501-5。這里，參考圖8和9給出用在本實(shí)施例中的DAC的描述。圖8表示用在本實(shí)施例中的DAC的電路圖。另外，盡管本實(shí)施例中的DAC具有電平移動(dòng)器電路(L.S)，可能不使用電平移動(dòng)器電路來(lái)設(shè)計(jì)DAC。另外，圖9(A)表示電平移動(dòng)器電路(L.S)的電路結(jié)構(gòu)。在電平移動(dòng)器電路中，當(dāng)信號(hào)LO被輸入到輸入IN并且信號(hào)Hi被輸入到輸入INb時(shí)，高電勢(shì)源VddHI從輸出OUT被輸出，低電勢(shì)電源Vss從輸出OUTb被輸出。并且，當(dāng)信號(hào)Hi被輸入到輸入IN并且信號(hào)LO被輸入到輸入INb時(shí)，低電勢(shì)電源Vss從輸出OUT被輸出，高電勢(shì)電源VddHI從輸出OUT被輸出。在本實(shí)施例的DAC中，數(shù)字視頻數(shù)據(jù)(D0到D7)的反向數(shù)據(jù)(這里，反向的D0到D7)被設(shè)計(jì)來(lái)被輸入到NOR電路(501-5-1)的一個(gè)輸入。復(fù)位脈沖A(ResA)被輸入到NOR電路(501-5-1)的另一個(gè)輸入。復(fù)位脈沖A被輸入到DAC的復(fù)位周期TR。在本實(shí)施例的情況下，數(shù)字視頻數(shù)據(jù)(反向的D0到D7)被輸入到復(fù)位周期TR中的NOR電路(501-5-1)。但是，當(dāng)復(fù)位脈沖A(ResA)被輸入到NOR電路時(shí)，沒(méi)有數(shù)字視頻數(shù)據(jù)從NOR電路被輸出。而且，可省略NOR電路，并且數(shù)字視頻數(shù)據(jù)(反向的D0到D7)可在復(fù)位周期TR結(jié)束之后被輸入。在完成復(fù)位周期TR之后，數(shù)據(jù)寫入周期TE開始，8位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)的電壓電平被電平移動(dòng)器電路提高，并且數(shù)據(jù)被輸入到開關(guān)電路(SW0到SW7)。這些開關(guān)電路(SW0到SW7)分別由兩個(gè)模擬開關(guān)ASW1和ASW2組成。各個(gè)模擬開關(guān)ASW1和ASW2電路結(jié)構(gòu)被示于圖9(B)中。ASW1的一端被連接于DCVIDEOL，另一端被連接于ASW2的一端和電容。而且，ASW2的一端是DCVIDEOH，并且另一端被連接于ASW2的一端和電容(1pF，2pF，4pF，8pF，1pF，2pF，4pF，8pF)。各個(gè)電容之一被連接于兩個(gè)模擬開關(guān)，器另一端被連接于復(fù)位開關(guān)2(Res2)。而且，復(fù)位開關(guān)1的一端被連接于DCVIDEOM，另一端被連接于相應(yīng)于該位的電容的一端。復(fù)位脈沖(ResB)和反向的脈沖(反向的ResB)被輸入到復(fù)位開關(guān)Res1和Res2。而且，電容(1pF)在相應(yīng)于高位的電路和相應(yīng)于低位的電路之間的連接點(diǎn)處提供。另外，在上述本實(shí)施例中描述的所有電容并不局限于這里描述的值。DAC501-5把8位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為模擬視頻數(shù)據(jù)(灰度電壓)并隨后被提供給由選擇器電路2(501-6)選擇的源信號(hào)線。本實(shí)施例的DAC作用與上述實(shí)施例1的作用一致，輸出Vout由上述表達(dá)式(17)表示。提供到源信號(hào)線的模擬信號(hào)被進(jìn)已不提供給連接于源信號(hào)線的有源矩陣電路的像素TFT的源區(qū)。源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路B以502表示，并且其結(jié)構(gòu)與源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路A501相同。源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路B502提供模擬視頻數(shù)據(jù)給偶數(shù)源信號(hào)線。來(lái)自移位寄存器(未示出)的時(shí)序信號(hào)被提供給柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路503中的緩沖器電路(未示出)，并進(jìn)一步被提供給相應(yīng)的柵極信號(hào)線(掃描線)。由于等價(jià)于一條線的像素TFT的柵極電極被連接于柵極信號(hào)線并且等價(jià)于一個(gè)完整線的所有像素TFT必須被旋向ON，具有大電流電容的柵極電極被用在緩沖器電路中。這樣，相應(yīng)像素TFT的開關(guān)通過(guò)掃描來(lái)自柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的信號(hào)來(lái)執(zhí)行，其中來(lái)自源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的模擬信號(hào)被提供給像素TFT以驅(qū)動(dòng)液晶粒子。數(shù)字視頻數(shù)據(jù)除法電路(SPC串行并行轉(zhuǎn)換電路)以505代表。數(shù)字視頻數(shù)據(jù)除法電路505是用于把從外圍設(shè)備輸出的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)的頻率降低到1/m的電路。通過(guò)把從外圍設(shè)備輸出的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)進(jìn)行劃分，用于驅(qū)動(dòng)電路的作用所必須的信號(hào)的頻率被降低到1/m。這里參考圖10(A)和10(B)簡(jiǎn)單描述用在本實(shí)施例中的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)除法電路505。如圖10(A)所示，本實(shí)施例的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)除法電路具有時(shí)鐘產(chǎn)生器和大量SPC基本單元。SPC基本單元的結(jié)構(gòu)示于圖10(B)。在圖中，H-DL和L-DL為成為“D”鎖存器的鎖存器電路。H-DL是對(duì)被輸入到D鎖存器的鎖存信號(hào)是Hi時(shí)對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行鎖存的D鎖存器電路，L-DL也是對(duì)被輸入到D鎖存器的鎖存信號(hào)是LO時(shí)對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行鎖存的1D鎖存器電路。在本實(shí)施例中，80MHz的8位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)被輸入數(shù)字視頻數(shù)據(jù)除法電路505。數(shù)字視頻數(shù)據(jù)除法電路505對(duì)從外圍設(shè)備輸入的串行并行格式的80MHz的8位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)進(jìn)行轉(zhuǎn)換并且把10MHz的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)提供給源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)器電路。另外，除80MHz的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)之外，40MHz的的時(shí)鐘(CK)和復(fù)位脈沖Res從外圍設(shè)備輸入到本實(shí)施例的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)除法電路505。本實(shí)施例的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)除法電路505僅需要被輸入數(shù)字視頻數(shù)據(jù)的一半頻率的頻率的時(shí)鐘，從而，與已有技術(shù)的示例相比，根據(jù)本實(shí)施例的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)除法電路505在穩(wěn)定性和可靠性上是良好的。這里，參考圖11表示構(gòu)成數(shù)字視頻數(shù)據(jù)除法電路的SPC基本單元的時(shí)序圖。圖11所示的時(shí)序圖表示輸入的串行數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)(D-1，D-2....D-10，...)被轉(zhuǎn)換為兩個(gè)并行數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)(P1和P2)的狀態(tài)。這里，給出用于生產(chǎn)在本實(shí)施例中描述的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備的示例方法的描述。在本實(shí)施例中，這個(gè)示例表示于圖9到12中，其中大量TFT形成在具有絕緣表面的襯底上，一個(gè)有源矩陣電路、一個(gè)源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路、一個(gè)柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路、一個(gè)數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)除法電路和其它外圍電路等被形成在同一襯底上。下面描述的示例表示有源矩陣電路1的一個(gè)像素TFT和作為其它電路(源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路、柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路、數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)除法電路和其它外圍電路)的基本電路的CMOS電路被同時(shí)形成。而且，在隨后的步驟中，給出用于生產(chǎn)有源矩陣型液晶顯示設(shè)備的過(guò)程的描述，在這種情況下，在CMOS電路、P溝道TFT和N溝道TFT分別提供有一個(gè)柵極電極。但是也可能生產(chǎn)由提供有大量柵極電極如雙柵極電極和三柵極電極的TFT構(gòu)成的CMOS電路。而且在下面的示例中，盡管像素TFT是雙柵極N溝道TFT，像素TFT可有單柵極的TFT、三柵極的TFT等構(gòu)成。以圖12(A)為參考。首先，石英襯底4001作為具有絕緣表面的襯底來(lái)制備。在其上形成熱氧化層的硅襯底可代替石英襯底來(lái)使用。可應(yīng)用這種方法，其中非晶硅層只一次形成在石英襯底上，并且通過(guò)完全熱氧化它來(lái)獲得絕緣膜。而且，可使用其上形成氮化硅層來(lái)作為絕緣膜的石英襯底、陶瓷襯底或硅襯底。接著，形成底層4002。在本實(shí)例中，二氧化硅(SiO2)被用作底層4002。接著形成非晶硅層4003。調(diào)整非晶硅層4003從而最終的層厚(在熱氧化后考慮層減薄之后獲得的層厚)為10-75nm(優(yōu)選15-45nm)。而且，在形成非晶硅層4003時(shí)徹底執(zhí)行層中的雜質(zhì)管理是很重要的。在本實(shí)施例的情況下，對(duì)其進(jìn)行控制使得作為阻礙非晶硅層4003中的隨后的晶化的雜質(zhì)的C(碳)和N(氮)的濃度是5×1018原子/cm3或更少(以5×1017原子/cm3或更少表示，優(yōu)選為2×1017原子/cm3或更少)，O(氧)的濃度為1.5×1019原子/cm3或更少(以1×1018原子/cm3或更少表示，優(yōu)選為5×1017原子/cm3或更少)。因?yàn)槿绻s質(zhì)存在比以上更高的比率，它們將負(fù)面影響隨后的晶化，并導(dǎo)致晶化完成后較低的層質(zhì)量。在該說(shuō)明書中，層中雜質(zhì)元素的濃度根據(jù)SIMS(二次離子質(zhì)譜測(cè)定法)測(cè)量結(jié)果用最小值限定。為了獲得上述結(jié)構(gòu)，優(yōu)選地對(duì)本示例中使用的低壓熱CVD爐進(jìn)行周期性干清洗，并盡可能使層形成室凈化。100到300sccm的ClF3(氟化氯)氣體在被加熱到200到400℃的爐中循環(huán)，并且熱分解產(chǎn)生的氟氣被用來(lái)干清洗層形成室?；谏暾?qǐng)人的認(rèn)識(shí)，在爐內(nèi)溫度是300C并且ClF3氣流量是300sccm，可能在4小時(shí)內(nèi)完全排除大約2μm厚的雜質(zhì)(由硅作為主要組分而構(gòu)成)。而且，非晶硅層4003中的氫濃度是重要的參數(shù)之一。如果氫含量被抑制到較低的水平，可帶來(lái)較好的結(jié)果獲得充分結(jié)晶層。因此，優(yōu)選使用低壓CVD方法來(lái)形成非晶硅層4003。而且，可通過(guò)優(yōu)化層形成狀態(tài)來(lái)使用等離子體CVD方法。接著，對(duì)非晶硅層4003進(jìn)行晶化過(guò)程。1995年的日本公開專利申請(qǐng)No.130652公開的工藝可用作晶化的手段。同一文獻(xiàn)中的實(shí)施例1或2的任何一個(gè)均可使用。在本實(shí)施例中，優(yōu)選利用同一文獻(xiàn)中的實(shí)施例2所公開的工藝(參見(jiàn)1996年的日本公開專利申請(qǐng)No.78329)。1996年的日本公開專利申請(qǐng)No.78329公開的工藝形成直到150nm的掩膜絕緣膜4004，其選擇一個(gè)區(qū)域用以摻入催化劑元素。掩膜絕緣膜4004具有大量開口用以摻入催化劑元素。用開口位置可能確定精華的區(qū)域位置(圖12(B)))。而且，含鎳(Ni)作為催化劑元素以促進(jìn)非晶硅層4003的晶化的溶液4005(Ni的醋酸乙醇溶液)通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂覆方法來(lái)涂覆。另外，作為催化劑元素，除Ni之外可使用鈷(Co)、鐵(Fe)、鈀(Pd)、鍺(Ge)、鉑(Pt)、銅(Cu)、金(Au)等。使用抗蝕劑掩膜的離子注入方法或等離子體摻入方法可用于上述催化劑元素的摻入過(guò)程。在這種情況下，由于很容易減少摻入?yún)^(qū)的占用區(qū)并易于控制后面將描述的水平生長(zhǎng)區(qū)中的生長(zhǎng)距離，在形成微電路時(shí)摻入過(guò)程將是有源的工藝。在催化劑元素的摻入過(guò)程完成之后，在500到960℃(以550到650℃表示)下，在氫氣于450℃發(fā)射1小時(shí)后，在惰性氣氛、氫氣氣氛或氧氣氣氛中進(jìn)行4到24小時(shí)的熱處理。此后，非晶硅層4003被晶化。在該實(shí)施例中，熱過(guò)程在氫氣氣氛中在570℃下進(jìn)行。此時(shí)，非晶硅層4003的晶化優(yōu)先從摻入鎳的區(qū)域4006中產(chǎn)生的核(核心)開始，從而形成8基本平行于襯底4001的襯底表面生長(zhǎng)的并由多晶硅層構(gòu)成的晶化區(qū)4007。晶化區(qū)4007被稱為“水平生長(zhǎng)區(qū)”。水平生長(zhǎng)區(qū)處于一個(gè)相對(duì)匹配的狀態(tài)中，從而各個(gè)晶粒聚集在一起。因此它具有整體晶化良好的優(yōu)點(diǎn)。另外，醋酸溶液被涂覆在非晶硅層的整個(gè)表面上用于沒(méi)有掩膜絕緣膜4004的晶化。以圖12(D)為參考。接著，進(jìn)行催化劑元素的吸氣過(guò)程。首先，磷離子被選擇地進(jìn)行摻入。用形成的掩膜絕緣膜4004來(lái)進(jìn)行磷摻入。如果摻入發(fā)生，磷僅被摻入在多晶硅層的沒(méi)有用掩膜絕緣膜4004覆蓋的區(qū)域4008(該區(qū)域被稱為“磷摻入?yún)^(qū)”4008)。此時(shí)，摻入的加速電壓和由氧化層構(gòu)成的掩膜的厚度被優(yōu)化，從而磷不會(huì)滲透掩膜絕緣膜4004。掩膜絕緣膜4004不必要是氧化層，但是，因?yàn)槿绻趸瘜又苯优c有源層接觸，它也不會(huì)是污染的因素，從而使用氧化層是有益的。磷的劑量在1×1014到1×1015離子/cm2之間是足夠的。在本實(shí)施例中，通過(guò)利用離子摻入裝置磷以5×1014離子/cm2的比率摻入。另外，離子摻入中確定加速電壓為10keV。如果使用10keV的加速電壓，磷很少穿過(guò)150nm厚的掩膜絕緣膜。以圖12(E)為參考。接著，通過(guò)在氮?dú)鈿夥罩袩嵬嘶?到12小時(shí)(本實(shí)施例中為12小時(shí))進(jìn)行鎳元素的吸氣過(guò)程。因此如圖12(E)所示，鎳被吸入和拖到磷中或附近。在600℃的溫度下，磷原子很少在層中移動(dòng)。但是，鎳原子可移動(dòng)幾百微米或更多。基于此，可以理解磷是用于鎳吸氣的最適合的元素之一。接著以圖13(A)為參考，給出多晶硅層的圖案化過(guò)程。此時(shí)，設(shè)計(jì)為不保留磷摻入?yún)^(qū)4008，即鎳被吸氣的區(qū)域。這樣，可得到很少包含鎳元素的多晶硅層的有源層4009到4011。得到的多晶硅層的有源層4009到4011成為TFT層的有源層。以圖13(B)為參考。在有源層4009到4011形成后，由包含硅的絕緣膜構(gòu)成的柵絕緣層4012形成其上而成為70nm厚。并且，在800到1100℃溫度(優(yōu)選為950到1050℃)下在氧化的氣氛中進(jìn)行熱處理，從而在有源層4009到4011與柵絕緣層4012之間的界面上形成熱氧化層(未示出)。另外，在此階段進(jìn)行用于對(duì)催化劑元素進(jìn)行吸氣(催化劑元素的吸氣過(guò)程)的熱處理。在這種情況下，熱處理通過(guò)鹵族元素以把鹵族元素包含在處理氣氛中的方式來(lái)利用催化劑元素的吸氣效果。另外，為了充分達(dá)到經(jīng)鹵族元素的吸氣效果，優(yōu)選在700℃或更高的溫度下進(jìn)行熱處理。如果溫度低于700℃，在熱處理氣氛中分解鹵族化合物將變得困難，從而恐怕不會(huì)獲得吸氣效果。另外，在這種情況下，作為包含鹵族元素的氣體，可使用一種或多種從包括鹵素的化合物如HCl，HF，NF3，HBr，Cl2，ClF3，BCl2，F(xiàn)2，Br2等中選擇的氣體。在該過(guò)程中，例如如果使用HCl，考慮有源層中的鎳通過(guò)氯作用而被吸氣，并且作為揮發(fā)性的氯化鎳被移入周圍氣氛中。另外，在利用鹵族元素的催化劑元素的吸氣過(guò)程被執(zhí)行的情況下，催化劑元素的吸氣過(guò)程可在掩膜絕緣層4004被移去之后在圖案化有源層之前來(lái)進(jìn)行。另外，催化劑元素的吸氣過(guò)程可在圖案化有源層后進(jìn)行。還有，可組合兩種吸氣過(guò)程。接著，形成主要由鋁(未示出)組成的金屬層以構(gòu)成柵極電極的原型。在本實(shí)施例中，可使用含2％重量百分比的鈧的鋁層。另外，柵極電極可由雜質(zhì)摻入其中以提供傳導(dǎo)性的多晶硅層來(lái)形成。另一種情況是，也可使用難熔金屬如Mo或W或這種金屬的硅化物。接著，通過(guò)1995年的日本公開專利申請(qǐng)No.135318所揭示的工藝，可形成滲透性陽(yáng)極氧化物層4013到4020、非滲透性陽(yáng)極氧化物層4021到4024和柵極電極4025到4028(圖13(B))。這樣，在獲得圖13(B)所示的狀態(tài)時(shí)，接著，柵絕緣層4012通過(guò)把柵極電極4025到4028和滲透性陽(yáng)極氧化物層4013到4020用作掩膜而被蝕刻。并且，滲透性陽(yáng)極氧化物層4013到4020被移開以獲得圖13(C)所示的狀態(tài)。在該圖中，4029到4031代表處理后的柵絕緣層。以圖14(A)為參考。接著，進(jìn)行摻入過(guò)程，其中提供傳導(dǎo)性的雜質(zhì)元素被摻入。作為雜質(zhì)元素，P(磷)或As(砷)可用于N溝道類型，B(硼)或Ga(鎵)可用于P溝道類型。本實(shí)施例中，雜質(zhì)摻入是在2個(gè)工藝下進(jìn)行的，以便形成N溝道型TFT和P溝道型TFT。首先，雜質(zhì)被摻入來(lái)形成N溝道類型TFT。第一雜質(zhì)摻入(在本實(shí)施例中用磷)在80keV的高加速電壓下來(lái)進(jìn)行以形成n-區(qū)。調(diào)整n-區(qū)從而P離子濃度變?yōu)?×1018原子/cm3到1×1019原子/cm3。還有，第二雜質(zhì)摻入在10keV的低加速電壓下來(lái)進(jìn)行以形成n+區(qū)。此時(shí)，由于加速電壓低，柵絕緣層用作掩膜。另外，調(diào)整n+區(qū)從而薄膜電阻變?yōu)樾∮?00Ω/平方(優(yōu)選為300Ω/平方)。經(jīng)過(guò)上述過(guò)程，形成構(gòu)成CMOS電路的N溝道類型TFT源區(qū)4032和漏區(qū)4033、低濃度雜質(zhì)區(qū)4036和溝道信息區(qū)4039。另外，確定構(gòu)成像素TFT的N溝道類型TFT源區(qū)4034和漏區(qū)4035、低濃度雜質(zhì)區(qū)4037和溝道信息區(qū)4040和4014。(見(jiàn)圖14(A))。另外，在圖14(C)所示的狀態(tài)中，構(gòu)成CMOS電路的P溝道類型TFT的有源層具有與N溝道類型TFT的有源層相同的結(jié)構(gòu)。接著，如圖14(B)所示，提供抗蝕劑掩膜4042以覆蓋N溝道類型TFT，并且雜質(zhì)離子(在本實(shí)施例中使用硼)被摻入來(lái)提高P型傳導(dǎo)性。和前面提出的雜質(zhì)摻入過(guò)程一樣而把該過(guò)程進(jìn)行兩次。由于必須把N型傳導(dǎo)性改變?yōu)镻型傳導(dǎo)性，具有大于P離子摻入濃度幾倍的濃度的B離子被摻入。這樣，形成構(gòu)成CMOS電路的P溝道類型TFT源區(qū)4043和漏區(qū)4044、低濃度雜質(zhì)區(qū)4045和溝道信息區(qū)4046。(見(jiàn)圖14(B))。另外，在向其摻入雜質(zhì)以提供傳導(dǎo)性的柵極電極通過(guò)多晶硅層而形成的情況下，可使用公知的側(cè)壁結(jié)構(gòu)以形成低濃度雜質(zhì)。接著，雜質(zhì)離子通過(guò)爐內(nèi)退火、激光退火或燈光退火或其組合而被活化。同時(shí)，在摻入過(guò)程中受到的有源層的損壞可被修復(fù)。以圖14(C)為參考。接著，由氧化硅層和氮化硅層疊層形成的疊層形成為第一層間絕緣膜4047，并形成接觸孔。此后，形成源電極和漏電極4048到4052。另外，有機(jī)樹脂層可用作第一層間絕緣膜。以圖15(A)為參考。接著，形成氮化硅層的第二層間絕緣膜4053。接著，形成由有機(jī)樹脂層組成的0.5到3μm厚的第三層間絕緣膜4054。聚酰胺、丙烯酸酯、聚丙咪嗪等可用作有機(jī)樹脂層。有機(jī)樹脂層的優(yōu)點(diǎn)是膜形成簡(jiǎn)單，層容易加厚，由于相對(duì)介電常數(shù)低而使寄生電容降低，并且平整度良好等。另外，可使用除上述例子之外的有機(jī)樹脂層。接著，第三層間絕緣膜4054的一部分被蝕刻，在像素TFT漏電極4052上用其間的第二層間絕緣膜形成黑底4054。在本實(shí)施例中，Ti(鈦)用于黑底4054。另外，在本實(shí)施例中，維持電容(也稱為存儲(chǔ)電容)形成在像素TFT與黑底之間。還有在驅(qū)動(dòng)電路部分，黑底4054用作第三配線。而且，本實(shí)施例的D/A轉(zhuǎn)換器電路的電容通過(guò)在形成源電極和漏電極時(shí)產(chǎn)生的電極和黑底4054來(lái)形成。這樣形成有機(jī)樹脂如丙烯酸酯樹脂的第四層間絕緣膜4056。接著經(jīng)第二、第三和第四層間絕緣膜4053、4054和4056形成接觸孔，并形成像素電極4057達(dá)120nm厚。另外，由于本實(shí)施例是發(fā)射型有源矩陣液晶顯示設(shè)備的示例，透明的傳導(dǎo)層如ITO或InZnO等用作構(gòu)成像素電極4057的傳導(dǎo)層。接著，整個(gè)襯底在350℃在氫氣氣氛中加熱1到2個(gè)小時(shí)，從而在層中(尤其是有源層中)的不飽和鍵可通過(guò)氫化全部元素被補(bǔ)償。經(jīng)過(guò)上述過(guò)程，在同一襯底上完全形成具有CMOS電路和像素矩陣電路的有源矩陣襯底。接著，在通過(guò)上述過(guò)程產(chǎn)生的有源矩陣襯底的基礎(chǔ)上，給出用于產(chǎn)生有源矩陣型液晶顯示設(shè)備的過(guò)程的描述。在圖15(B)所示的狀態(tài)中存在的有源矩陣襯底上形成對(duì)中層4058。在本實(shí)施例中，聚酰亞胺用于對(duì)中層。接著制備反襯底。反襯底由玻璃襯底4059、由透明傳導(dǎo)層構(gòu)成的反電極以及對(duì)中層4061構(gòu)成。此外，在此實(shí)施例中，用聚酰亞胺作為對(duì)中層。進(jìn)而，在對(duì)中層形成以后，進(jìn)行研磨工藝。另外，在此實(shí)施例中，也曾用具有相當(dāng)大預(yù)傾角的聚酰亞胺作為對(duì)中層。另外，經(jīng)過(guò)上述過(guò)程的有源矩陣襯底和反襯底經(jīng)密封材料、墊片(均未示出)等通過(guò)公知的單元組裝過(guò)程互相粘接。此后，液晶4062提供在兩襯底之間，并由密封劑(未示出)完全密封。在本實(shí)施例中，向列的液晶用于液晶4062。因此，可完成如圖15(C)所示的發(fā)射型有源矩陣型液晶顯示設(shè)備。另外，非晶態(tài)硅層可利用激光束(以準(zhǔn)分子激光器或YAG激光器來(lái)代表)代替用于晶化非晶化硅層的上述實(shí)施例中所描述的方法而被晶化。(實(shí)施例3)在實(shí)施例3中，給出用于生產(chǎn)具有根據(jù)本發(fā)明的DAC的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備的不同于上述實(shí)施例2中所述的生產(chǎn)方法的另一種方法。而且，根據(jù)本實(shí)施例的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備可用作實(shí)施例2的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備。以圖16(A)為參考。首先，在玻璃襯底5001上形成200nm厚的由氧化硅層5002組成的底層。底層可通過(guò)疊加氮化硅層而獲得或可僅由氮化硅層構(gòu)成。接著，在氧化硅層5002上通過(guò)利用等離子體CVD方法形成30nm厚的非晶硅層4003，并且然后使其脫氫。此后，多硅層(晶化硅層或多晶硅層)通過(guò)激發(fā)物激光器來(lái)退活而形成。晶化過(guò)程可通過(guò)已經(jīng)公知的激光晶化工藝或熱晶化工藝來(lái)進(jìn)行。在本實(shí)施例中，非晶硅層通過(guò)處理線性形式的脈沖振蕩型KrF激發(fā)物激光器來(lái)晶化。另外，在本實(shí)施例中，把非晶硅層用作起始層，經(jīng)對(duì)其激光退火而晶化獲得多硅層。但是，微晶硅層可用作起始層，或這直接形成多硅層。當(dāng)然，激光退火可在形成的多硅層上進(jìn)行。還有，爐內(nèi)退火可代替激光退火來(lái)進(jìn)行。并且，非晶態(tài)硅層的晶化可用如實(shí)施例1所示的方法來(lái)進(jìn)行。這樣形成的晶化的硅層被圖案化，從而形成由島狀硅層構(gòu)成的有源層5003到5004。接著，形成由氧化硅層構(gòu)成的柵絕緣層5005以覆蓋有源層5003和5004，其中由疊層結(jié)構(gòu)的鉭和氮化鉭構(gòu)成的柵極配線(包括柵極電極)形成其上。(見(jiàn)圖16(A))。柵絕緣層5005做成100nm厚。當(dāng)然，除了不使用氧化硅層之外，可用氧化硅層或氮化硅層和氮化氧化硅的疊層結(jié)構(gòu)。而且，盡管其它金屬可用于柵極配線5006和5007，相對(duì)于硅具有高蝕刻選擇比率的材料在隨后的過(guò)程中是優(yōu)選的。在這樣獲得圖16(A)所示的狀態(tài)后，進(jìn)行第一磷摻入過(guò)程(磷增加過(guò)程)。這里，由于經(jīng)柵絕緣層5005進(jìn)行摻入，確立加速電壓達(dá)到比該電平稍高的80keV。而且，調(diào)整摻入量以使這樣形成的第一雜質(zhì)區(qū)5008和5009的長(zhǎng)度(寬度)變?yōu)?.5μm，并且磷濃度變?yōu)?×1017原子/cm3。此時(shí)，磷濃度根據(jù)(n-)來(lái)表達(dá)。砷可用來(lái)代替磷。而且，把柵極配線5006和5007用作掩膜來(lái)在自匹配狀態(tài)中形成第一雜質(zhì)區(qū)5008和5009。此時(shí)，固有晶態(tài)硅層立刻仍保持到柵極配線5006和5007之下，并形成溝道信息區(qū)5010和5011。但是，由于事實(shí)上第一雜質(zhì)區(qū)被摻入到柵極配線的稍微內(nèi)側(cè)，可獲得其中引起柵極配線5006和5007及第一雜質(zhì)區(qū)5008和5009互相疊合的結(jié)構(gòu)。接著，形成0.1到1μm厚(以0.2到0.3μm代表)的非晶硅層以覆蓋柵極配線5006和5007，進(jìn)行各向異性蝕刻以形成側(cè)壁5012和5013。側(cè)壁5012和5013作成0.2μm寬(當(dāng)從柵極配線的側(cè)壁觀察時(shí))。(見(jiàn)圖16(C))。另外，由于其上沒(méi)有雜質(zhì)摻入的層被用作本實(shí)施例中的非晶硅層，形成由固有硅層構(gòu)成的側(cè)壁。在獲得圖16(C)所示的狀態(tài)后，進(jìn)行第二磷摻入過(guò)程。而且，在這種情況下，確立加速電壓達(dá)到與第一次相同的80keV。而且，調(diào)整摻入量以使磷以1×1018原子/cm3的濃度被包含在這次形成的第二雜質(zhì)區(qū)5014和5015中。此時(shí)，磷濃度根據(jù)(n+)來(lái)表達(dá)。而且，在圖16(D)所示的磷摻入過(guò)程中，第一雜質(zhì)區(qū)5008和5009立刻仍保持到側(cè)壁5012和5013之下。這些第一雜質(zhì)區(qū)5008和5009將用作第一LDD。而且，在圖16(D)的過(guò)程中，磷被摻入側(cè)壁5012和5013上。實(shí)際上，由于加速電壓高，磷以磷濃度輪廓的尾端(邊緣)主要在壁內(nèi)部的狀態(tài)來(lái)分布。盡管可通過(guò)這種磷來(lái)調(diào)整側(cè)壁的阻力組成，如果磷濃度分布非常不均勻，那么其會(huì)成為應(yīng)用于第二雜質(zhì)區(qū)5014上的柵極電壓在每個(gè)元素中波動(dòng)的因素。因此必須在摻入時(shí)進(jìn)行精確的控制。接著，覆蓋NTFT的一部分的抗蝕劑掩膜5016和覆蓋PTFT的全部的抗蝕劑掩膜5017形成。并且，在這種狀態(tài)下，形成由柵絕緣層5005干蝕處理的柵絕緣層5018。(見(jiàn)圖16(E))。此時(shí)，柵絕緣層5018從側(cè)壁5012突出到其外部的部分的長(zhǎng)度(即，沿柵絕緣層5018與第二雜質(zhì)區(qū)5014接觸的長(zhǎng)度)確定第二雜質(zhì)區(qū)5014的長(zhǎng)度(寬度)。因此，必須進(jìn)行高精確度的抗蝕劑掩膜5016的對(duì)齊。在獲得圖16(E)所示的狀態(tài)后，執(zhí)行第三磷摻入過(guò)程。由于磷被摻入在暴露的有源層上，加速電壓被設(shè)置在10keV的低電平。而且，調(diào)整摻入量使得這樣獲得的第三雜質(zhì)區(qū)5019中包含的磷濃度為5×1020原子/cm3。此時(shí)，磷濃度根據(jù)(n+)表達(dá)。(參見(jiàn)圖17(A))。在該過(guò)程中，由于沒(méi)有磷被摻入在被抗蝕劑掩膜5016和抗蝕劑掩膜5017屏蔽的部分上，第二雜質(zhì)區(qū)5014和5015保留在原來(lái)的部分。因此，這樣分割第二雜質(zhì)區(qū)5014。同時(shí)第三雜質(zhì)區(qū)5019被分割。第二雜質(zhì)區(qū)5014用作第二LDD，第三雜質(zhì)區(qū)5019用作源區(qū)和漏區(qū)。接著，移去抗蝕劑掩膜5016和抗蝕劑掩膜5017，并新形成可覆蓋整個(gè)NTFT的抗蝕劑掩膜5021。并且，PTFT的側(cè)壁5013被移去，具有與柵極配線5007相同形狀的柵絕緣層5022進(jìn)一步通過(guò)柵絕緣層5005乾蝕而形成。(參見(jiàn)圖17(B))。在獲得圖17(B)所示的狀態(tài)后，執(zhí)行硼摻入過(guò)程(硼添加過(guò)程)。這里，加速電壓被設(shè)置在10keV，其中調(diào)整摻入量使得第四雜質(zhì)區(qū)5023中包含的硼濃度為3×1020原子/cm3。此時(shí)，硼濃度根據(jù)(p++)表達(dá)。(參見(jiàn)圖17(C))。而且，由于硼也被摻入使得其主要在柵極配線5007內(nèi)部，在柵極配線5007內(nèi)部形成溝道信息區(qū)5011。而且，在該過(guò)程中，在PTFT側(cè)形成的第一雜質(zhì)區(qū)5009和第二雜質(zhì)區(qū)5015被反向稱為P型。因此，實(shí)際上，盡管在初始作為第一雜質(zhì)區(qū)的部分和初始作為第二雜質(zhì)區(qū)的部分上阻力波動(dòng)，由于硼以足夠高的濃度來(lái)?yè)饺?，那也不?huì)構(gòu)成任何問(wèn)題。這樣，第四雜質(zhì)區(qū)5023被分割。第四雜質(zhì)區(qū)5023通過(guò)利用柵極配線5007作為掩膜形成于完全自匹配的狀態(tài)中，并用作源區(qū)或漏區(qū)。在本事實(shí)例中，盡管相對(duì)于PTFT沒(méi)有形成LDD區(qū)或偏移區(qū)，由于PTFT本質(zhì)上具有高可靠性，也不會(huì)有問(wèn)題出現(xiàn)。因此，由于可獲得ON電流，在沒(méi)有形成LDD區(qū)的情況中卻具有更多的優(yōu)點(diǎn)。這樣，如最終由圖17(C)所示的一樣，溝道信息區(qū)、第一雜質(zhì)區(qū)、第二雜質(zhì)區(qū)和第三雜質(zhì)區(qū)形成于NTFT的有源層上，而僅溝道信息區(qū)和第四雜質(zhì)區(qū)形成于PTFT的有源層上。這樣在獲得如圖17(C)所示的狀態(tài)后，第一層間絕緣膜5024被形成為1μm厚。氧化硅層、氮化硅層、氮化氧化硅層、有機(jī)樹脂層或它們的疊層被用作第一層間絕緣膜5024。作為有機(jī)樹脂層，可使用丙烯酸樹脂。在第一層間絕緣膜5024被形成后，形成金屬材料制成的源配線5025和5026和漏配線5027。在本實(shí)施例中，使用其中含鈦的鋁層被夾在鈦之間的3中間層配線。而且，在稱為BCB(苯并環(huán)丁稀)的樹脂層被用作第一層間絕緣膜5024的情況下，平整度提高，并且同時(shí)可能把銅用作配線材料。由于銅的配線阻力低，它是有源的配線材料。在這樣形成源配線和漏配線后，形成50nm厚的氮化硅層5028作為鈍化層。而且，第二層間絕緣膜5029作為保護(hù)層被形成其上。和上述第一層間絕緣膜5024相同的材料可被用作第二層間絕緣膜5029。在本實(shí)施例中，使用這種結(jié)構(gòu)，其中丙烯酸樹脂被疊加在50nm厚的氧化硅層上。在經(jīng)過(guò)上述過(guò)程后，完成具有如圖17(D)所示的這種結(jié)構(gòu)的CMOS電路。由于在本實(shí)施例中形成的CMOS電路中NTFT具有良好的可靠性，整個(gè)電路的可靠性可顯著地被提高。而且，如果應(yīng)用在本實(shí)施例所示的這種結(jié)構(gòu)，NTFT和PTFT的特性平衡(電特性中的平衡)變得優(yōu)良。另外，像素TFT也可由NTFT來(lái)構(gòu)造。在獲得如圖17(D)所示的狀態(tài)后，打開接觸孔，從而形成連接于像素TFT的漏電極的像素電極。并且，形成第三層間絕緣層而形成對(duì)中層。接著，形成黑底。在驅(qū)動(dòng)電路部分，黑底被用作第三配線。而且，根據(jù)本發(fā)明的D/A轉(zhuǎn)換器電路的電容通過(guò)電極來(lái)形成，其是在形成源電極和漏電極及黑底時(shí)產(chǎn)生的。接著，制備反電極。反電極由玻璃襯底、透明傳導(dǎo)膜構(gòu)成的反電極和對(duì)中層組成。而且，在本實(shí)施例中，聚酰亞胺層被用于對(duì)中層。在形成對(duì)中層后進(jìn)行摩擦處理。而且，在本實(shí)施例中，具有相對(duì)大預(yù)傾角的聚酰亞胺被用于對(duì)中層。接著，有源矩陣襯底和反襯底通過(guò)公知的單元組裝過(guò)程被粘到一起。此后，液晶被提供在兩個(gè)襯底之間以通過(guò)密封劑完全密封液晶。在本實(shí)施例中，向列液晶可用作液晶。這樣，完成了有源矩陣型液晶顯示設(shè)備。(實(shí)施例4)實(shí)施例4中，說(shuō)明書給出了硅襯底用在上述實(shí)施例2或3中的情況。所有的其它工藝與實(shí)施例1或2中的工藝相同。以圖18(A)和圖18(B)作為參考。氧化硅層6002形成在硅襯底6001上。而且，非晶硅層形成在該氧化硅層上，而且含有鎳的層形成在其整個(gè)表面上。隨后，加熱該層多晶化該非晶硅層。隨后工藝是要經(jīng)過(guò)在實(shí)施例2或5說(shuō)明的工藝。(實(shí)施例5)在實(shí)施例中，說(shuō)明書給出了用于生產(chǎn)有源矩陣型液晶顯示設(shè)備的另一種方法，其不同于上述實(shí)施例2或3所公開的內(nèi)容。以圖19(A)-19(E)和圖20(A)-20(B)作為參考。由例如康寧公司制造的1737玻璃襯底代表的無(wú)堿玻璃襯底用作為襯底7001。而且，由氧化硅構(gòu)成的底層7002在表面上形成200nm的厚度，該表面上形成了襯底7001的TFT。該底層7002還可以形成有分層的氮化硅層或者僅具有氮化硅層。接著，通過(guò)使用等離子體CVD方法在底層7002上形成非晶硅層為50nm的厚度。通過(guò)優(yōu)選在400到500℃加熱非晶硅層來(lái)進(jìn)行脫氫，盡管脫氫依賴于非晶硅層的氫含量，從而氫含量被抑制在低于5atm％，并且通過(guò)結(jié)晶工藝獲得晶體硅層。公知的激光結(jié)晶技術(shù)或熱結(jié)晶技術(shù)可以用作為結(jié)晶工藝。在該優(yōu)選的實(shí)施例中，脈沖振蕩型KrF受激準(zhǔn)分子激光束以線性形式集光，并且被輻射到非晶硅層上以獲得結(jié)晶化的硅層。另外，上述實(shí)施例1或3中所述的方法可以用作為結(jié)晶工藝。此外，在該實(shí)施例中，盡管非晶硅層用作為初始層，微晶硅層也可以用作為初始層，或者可以直接形成晶體硅層。構(gòu)圖以此形成的晶體硅層，由此形成島形半導(dǎo)體有源層7003，7004和7005。接著，形成主要由氧化硅或氮化硅構(gòu)成的柵絕緣層7006，以便覆蓋半導(dǎo)體有源層7003，7004和7005。這里，通過(guò)等離子體CVD方法形成氧化氮化硅層為100nm的厚度。于是，盡管在圖19中沒(méi)有說(shuō)明，使用濺射方法，形成鉭(Ta)為10到200nm例如為50nm的厚度作為第一導(dǎo)電層，以及形成鋁(Al)為100到1000nm的厚度例如為200nm的厚度作為第二導(dǎo)電層，由此在柵絕緣層7006的表面上構(gòu)造了第一柵電極。然后，通過(guò)公知構(gòu)圖技術(shù)，形成了導(dǎo)電層7007，7008，7009，7010以及第二導(dǎo)電層7012，7013，7014，7015，它們構(gòu)成第一柵極。這里鋁用作為構(gòu)成第一柵極的第二導(dǎo)電層，其可以使用純鋁或者鋁合金，其中，可以使用選自鉭、硅和鈧以0.1到5atm％之比率摻雜的任何元素。另外，盡管沒(méi)有說(shuō)明，在使用銅的地方，氮化硅層最好形成在柵絕緣層7006的表面上。另外，圖19中，采用了這種結(jié)構(gòu)，其中附加電容部分形成在構(gòu)成象素矩陣電路的“n”溝道型TFT的漏極側(cè)。此刻，在附加電容部分處的布線電極7011和7016由與第一柵電極的相同材料形成。因此，隨著圖19(A)所示結(jié)構(gòu)的形成，進(jìn)行摻雜“n”型雜質(zhì)的第一工藝。磷(P)、砷(As)、銻(銻，Sb)等是公知的相對(duì)于晶體半導(dǎo)體材料提供“n”型的雜質(zhì)元素。然而，這里使用磷，并且使用磷化氫(PH3)，采用離子摻雜方法。在該工藝中，由于磷通過(guò)柵絕緣層被摻雜在柵絕緣層下面的半導(dǎo)體層上，加速電壓被設(shè)置成高電平，為80kev。此外，以此形成的雜質(zhì)區(qū)形成了后面說(shuō)明的“n”溝道型TFT的第一雜質(zhì)區(qū)7034和7042，并且起LDD區(qū)的作用。因此，該區(qū)的磷濃度優(yōu)選在1×1016到1×1019個(gè)原子/cm3的范圍內(nèi)。這里，該濃度定在1×1018個(gè)原子/cm3。上述摻雜在半導(dǎo)體有源層中的雜質(zhì)元素通過(guò)激光退火方法或者熱處理方法激活是必須的。該工藝可以在摻雜工藝之后進(jìn)行，其形成源極和漏極區(qū)。但是，在這個(gè)階段，雜質(zhì)元素通過(guò)激光退火方法激活是有效的。在該工藝中，構(gòu)成第一柵電極的第一導(dǎo)電層7007，7008，7009，7010和第二導(dǎo)電層7012，7013，7014，7015相對(duì)于磷摻雜起掩膜作用。結(jié)果，沒(méi)有或者幾乎沒(méi)有磷經(jīng)由柵絕緣層存在的被摻雜在緊鄰半導(dǎo)體層第一柵電極下面的區(qū)域中。于是，如圖19(B)中所示，形成了其中摻雜了磷的低濃度雜質(zhì)區(qū)7017，7018，7019，7020，7021，7022，和7023。接著，僅在“P”溝道型TFT的區(qū)域中進(jìn)行提供“P”型的雜質(zhì)摻雜工藝，該區(qū)域處于這種狀態(tài)，在這里形成“n”溝道型TFT的區(qū)域用具有用作掩膜的光致抗蝕劑層的抗蝕劑掩膜7024和7025覆蓋。盡管硼(B)，鋁(Al)，鎵(Ga)等是公知的提供“P”型的雜質(zhì)元素，這里使用乙硼烷(B2H6)，通過(guò)離子摻雜方法硼用作為雜質(zhì)元素。這里，加速電壓為80kev，并且硼以2×1020個(gè)原子/cm3的濃度摻雜。于是，如圖19(C)所示，形成了硼以高濃度摻雜的區(qū)域7026和7027。于是，在去掉抗蝕劑掩膜7024和7025之后，進(jìn)行形成第二柵電極的工藝。這里，鉭(Ta)用作為第二柵電極的材料，并且形成為100到1000nm厚度，例如為200nm厚。通過(guò)公知的方法還進(jìn)行構(gòu)圖，由此形成第二柵電極7028，7029，7030和7031。此刻，進(jìn)行構(gòu)圖以使第二柵電極的長(zhǎng)度成為5μm。結(jié)果，形成第二柵電極使得在5μm的長(zhǎng)度上與柵絕緣層接觸的區(qū)域形成在第一柵電極的兩側(cè)。另外，盡管在構(gòu)成象素矩陣電路的“n”溝道型TFT之漏極側(cè)形成了支持電容部分，但支持電容部分的電極7032在當(dāng)形成第二柵電極時(shí)的同時(shí)形成。因此，使用第二柵電極7028，7029，7030和7031作為掩膜，進(jìn)行摻入雜質(zhì)元素的工藝以提供第二“n”型。這里，正如上述，使用磷化氫(PH3)，進(jìn)行離子摻雜方法。在該工藝中，為了將磷通過(guò)層7006摻雜到柵絕緣層7006下面的半導(dǎo)體層上，加速電壓被設(shè)置成高電平，為80kev。而且，其上摻雜了磷的區(qū)域是“n”溝道型TFT，并且為了使該區(qū)域起源極區(qū)域7035，7043和漏極區(qū)域7036，7044的作用，該區(qū)的磷濃度最好設(shè)置為在1×1019到1×1021個(gè)原子/cm3的范圍內(nèi)。這里，該濃度定在1×1020個(gè)原子/cm3。另外，盡管這里沒(méi)有說(shuō)明，覆蓋源極區(qū)域7035，7043和漏極區(qū)域7036，7047的柵絕緣層被去掉了，露出了該區(qū)域的半導(dǎo)體層，并且磷可以被直接地?fù)诫s。如果加上該工藝，在離子摻雜方法中加速電壓可以減低到10kev，并且有可能有效地?fù)诫s磷。另外，盡管磷以相同的濃度摻入“P”溝道型TFT源極區(qū)7039和漏極區(qū)7040中，但是由于硼是以兩倍的濃度在先前工藝中摻入的，電導(dǎo)率不是相反的，并且在“P”溝道型TFT的工作中沒(méi)有問(wèn)題。由于提供以各自濃度摻雜的“n”型或“P”型的雜質(zhì)元素并不是按它們的事實(shí)進(jìn)行激活的，并且不會(huì)有效地起作用，因此有必要進(jìn)行摻雜處理。通過(guò)使用電加熱爐的熱退火方法、使用上述受激準(zhǔn)分子激光的激光退火方法或者使用鹵燈的快速熱退火方法(RTA)能夠進(jìn)行該處理。在熱退火方法中，激活是通過(guò)在氮環(huán)境中在550度下加熱處理兩小時(shí)獲得的。在該實(shí)施例中，鋁用作為構(gòu)成第一柵極的第二導(dǎo)電層。但是，由于形成了由鉭形成的第一導(dǎo)電層和第二柵電極以便覆蓋鋁，鉭起阻擋層的作用，其中能夠防止鋁元素在其它區(qū)域占優(yōu)。另外，在激光退火方法中，激活是通過(guò)以線性形式集光和輻射脈沖振蕩型KrF受激準(zhǔn)分子激光束獲得的。而且，如果在激光退火方法之后采用熱退火方法，甚至能夠獲得更好的結(jié)果。此外，該工藝提供了用于退火這些區(qū)域的效果，在這些區(qū)域中結(jié)晶度被離子摻雜破壞，由此能夠改善該區(qū)域的結(jié)晶度。通過(guò)上述工藝，第一柵電極和覆蓋第一柵電極的第二柵電極是作為柵電極提供的，并且在“n”溝道型TFT中，在第二柵電極的兩側(cè)形成了源極區(qū)和漏極區(qū)。此外，這種結(jié)構(gòu)是以自匹配狀態(tài)形成的，這里提供了經(jīng)柵絕緣層固定在半導(dǎo)體層上的第一雜質(zhì)區(qū)和第二柵電極與柵絕緣層接觸的區(qū)域并使得其相互重疊。另一方面，在“P”溝道型TFT中，盡管形成了部分源極區(qū)和漏極區(qū)以重疊在第二柵電極上，但在實(shí)際應(yīng)用中沒(méi)有問(wèn)題。在獲得圖19(D)所示的狀態(tài)之后，第一層間絕緣膜7049形成為1000nm厚。氧化硅層、氮化硅層、氮化氧化硅層、有機(jī)樹脂層以及它們的疊層可以被用作為第一層間絕緣膜7049。在這個(gè)實(shí)施例中，盡管沒(méi)有說(shuō)明，采用了雙結(jié)構(gòu)，這里氮化硅層首先形成為50nm厚，而且，氧化硅層形成為950nm厚。此后，通過(guò)構(gòu)圖，相對(duì)于第一層間絕緣膜7049，在源極區(qū)和漏極區(qū)形成接觸孔。于是，形成源電極7050，7052，7053和漏電極7051和7054。盡管沒(méi)有說(shuō)明，在本實(shí)施例中，通過(guò)構(gòu)圖三層結(jié)構(gòu)形成這些電極，其中，通過(guò)濺射方法來(lái)連續(xù)地形成100nm厚鈦層，300nm厚包含鈦的鋁層和150nm厚鈦層。因此，如圖19(E)所示，CMOS電路和有源矩陣電路形成在襯底7001上。另外，支持電容部分同時(shí)形成在有源矩陣電路“n”溝道型TFT的漏極側(cè)上。正如上述，形成了有源矩陣襯底。接著，使用圖20(A)和(B)，說(shuō)明書給出了生產(chǎn)以CMOS電路和有源矩陣電路為基礎(chǔ)的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備的工藝，該CMOS電路和有源矩陣電路是通過(guò)上述工藝在相同襯底上生產(chǎn)的。第一，鈍化層7055形成在襯底上，其處于圖19(E)所示的狀態(tài)，以便覆蓋源電極7050，7052，7053和漏電極7051和7054。鈍化層7055由50nm厚的氮化硅層形成。另外，由有機(jī)樹脂構(gòu)成的第二層間絕緣膜7056形成為近似1000nm厚。聚酰亞胺樹脂，丙烯酸酯樹脂，聚酰亞胺酰胺(polyimideamide)樹脂等可以用作為有機(jī)樹脂層。使用有機(jī)樹脂層帶來(lái)的優(yōu)點(diǎn)是形成簡(jiǎn)單，由于相對(duì)介電常數(shù)小使寄生電容能夠減低，并且平面度良好。這里，在涂覆襯底之后，使用能夠熱聚合的這種類型的聚酰亞胺，并通過(guò)將它在300℃下煅燒形成該有機(jī)樹脂層。接著，在第二層間絕緣膜7056的一部分象素區(qū)域上形成黑底(光屏蔽層)7057。黑底7057可以通過(guò)用金屬層或顏料注入的有機(jī)樹脂層形成。這里，鈦是通過(guò)濺射法形成的。此外，在驅(qū)動(dòng)電路部分，黑底用作為第三布線。而且，根據(jù)本發(fā)明的D/A轉(zhuǎn)換器電路的電容是通過(guò)在生產(chǎn)源電極和漏電極時(shí)生產(chǎn)的電極和黑底形成的。在黑底7057形成之后，形成第三層間絕緣膜7058。第三層間絕緣膜7058可以通過(guò)使用有機(jī)樹脂層作為第二層間絕緣膜7056來(lái)形成。于是，在第二層間絕緣膜7056和第三層間絕緣膜7058上形成到達(dá)漏電極7054的接觸孔，由此形成象素電極7059。在期望反射型液晶顯示設(shè)備的情況下，可以使用金屬層。這里，由于采用透射型液晶顯示設(shè)備，氧化銦錫(ITO)層通過(guò)濺射法形成為100nm厚，由此形成象素電極7059。在形成圖20(A)所示的狀態(tài)之后，形成對(duì)中層7060。聚酰亞胺樹脂大多用作為普通液晶顯示元件的對(duì)中層。在反襯底7071上形成反電極7072和對(duì)中層7073。在對(duì)中層形成之后，進(jìn)行研磨處理使得液晶元件以與某個(gè)預(yù)先傾斜角度平行的對(duì)中。通過(guò)上述工藝，有源矩陣電路、其上形成了CMOS電路的襯底以及反襯底經(jīng)過(guò)密封材料和隔離體(這兩個(gè)沒(méi)有說(shuō)明)通過(guò)公知元件裝配工藝相互粘結(jié)在一起。此后，液晶材料7074提供在兩襯底之間并完全由密封劑(未說(shuō)明)密封。由此，正如圖20(E)所示，完成了有源矩陣型液晶顯示設(shè)備。(實(shí)施例6)實(shí)施例6展示了一個(gè)例子，其中逆向交叉布置(reversed-stagger)型TFT用作為根據(jù)本發(fā)明具有DAC的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備的例子。參考圖21。圖21表示了逆向交叉布置型“n”溝道型TFT的剖面圖，其構(gòu)成根據(jù)本實(shí)施例的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備。另外，圖21中盡管只表示了一個(gè)“n”溝道型TFT，不用說(shuō)CMOS電路能由“P”溝道型TFT和“n”溝道型TFT構(gòu)成，如實(shí)施例1。此外，不用說(shuō)象素TFT能夠由相同結(jié)構(gòu)構(gòu)成。襯底用8001表示?？梢允褂脤?shí)施例3中所示的這種襯底。氧化硅層用8002表示。柵電極用8003表示。柵絕緣層用8004表示。由多晶硅層組成的有源層用8005，8006，8007和8008表示。當(dāng)生產(chǎn)有源層時(shí)，使用在實(shí)施例1中說(shuō)明的與結(jié)晶非晶硅層中相同的方法。而且，可以采用這種方法，其中非晶硅層是通過(guò)激光束(優(yōu)選為線性激光束或面激光束)結(jié)晶的。此外，源極區(qū)由8005表示，漏極區(qū)由8006表示，低濃度雜質(zhì)區(qū)(LDD區(qū))用8007表示，和溝道信息區(qū)用8008表示。溝道保護(hù)層用8009表示，層間絕緣膜用8010表示。源電極和漏電極分別用8011和8012表示。(實(shí)施例7)在實(shí)施例7中，說(shuō)明書給出了一個(gè)例子，其中有源矩陣型液晶顯示設(shè)備是由逆向交叉布置型TFT構(gòu)成，其結(jié)構(gòu)不同于上述實(shí)施例的結(jié)構(gòu)。參考圖22。圖22表示了逆向交叉布置型“n”溝道型TFT的剖面圖，其構(gòu)成根據(jù)本實(shí)施例的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備。這里，盡管只表示了一個(gè)“n”溝道型TFT，不用說(shuō)CMOS電路能由“P”溝道型TFT和“n”溝道型TFT構(gòu)成，如實(shí)施例1。此外，不用說(shuō)象素TFT能夠由相同結(jié)構(gòu)構(gòu)成。襯底用9001表示?？梢允褂脤?shí)施例3中所示的這種襯底。氧化硅層用9002表示。柵電極用9003表示。苯并環(huán)丁烷(BCB)層用9004表示，其有平面化的上表面。氮化硅層用9005表示。BCB層和氮化硅層構(gòu)成柵絕緣層。由多晶硅層組成的有源層用9006，9007，9008和9009表示。當(dāng)生產(chǎn)這些有源層時(shí)，使用在實(shí)施例1中說(shuō)明的與結(jié)晶非晶硅層中相同的方法。而且，可以采用這種方法，其中非晶硅層是通過(guò)激光束(優(yōu)選為線性激光束或面激光束)結(jié)晶的。此外，源極區(qū)由9006表示，漏極區(qū)由9007表示，低濃度雜質(zhì)區(qū)(LDD區(qū))用9008表示，和溝道信息區(qū)用8008表示。溝道保護(hù)層用9009表示，溝道保護(hù)層用9010表示，和層間絕緣膜用9011表示。源電極和漏電極分別用9012和9013表示。根據(jù)本實(shí)施例，由于由BCB層和氮化硅層構(gòu)成的柵絕緣層是平面化的，因此在其上生產(chǎn)的非晶層將做得平坦。因此，當(dāng)結(jié)晶非晶硅層時(shí)，有可能獲得多晶硅層，其比現(xiàn)有技術(shù)的逆向交叉布置型TFT更均勻。(實(shí)施例8)在根據(jù)上述實(shí)施例的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備或無(wú)源矩陣型液晶顯示設(shè)備中，盡管使用向列液晶的TN模式用作為顯示模式，由此其它顯示模式可以使用。而且，有源矩陣型液晶顯示設(shè)備可以由使用快響應(yīng)時(shí)間無(wú)閾值反鐵電液晶或鐵電液晶構(gòu)成。而且，在根據(jù)本發(fā)明使用DAC的有源矩陣型半導(dǎo)體顯示設(shè)備中，可以使用響應(yīng)施加電壓能夠調(diào)制其光學(xué)特性的任何其它顯示媒體。例如，可以使用電致發(fā)光元件。此外，除了TFT之外，MIM元件等可以用作為用在有源矩陣型液晶顯示設(shè)備之有源矩陣電路中的有源元件。正如上述，除了TN液晶，各種類型的液晶可以用在根據(jù)本發(fā)明使用DAC的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備中。例如，可以使用下述文獻(xiàn)公開的液晶，HFurue等人的“CharacteristicsandDrivingSchemeofPolymer-StabilizedMonostableFLCDExhibitingFastResponseTimeandHighContrastRatiowithGray-ScaleCapability”，1998，SID；T.Yoshida等人的“AFull-ColorThresholdlessAnti-ferroelectricLCDExhibitingWideViewingAnglewithFastResponseTime”，1997，SID，DIGEST，841；S.Inui等人的“Thresholdlessanti-ferroelectricityinliquidcrystalsanditsapplicationtodisplays”1996，J.Mater，Chem.6(4)，671-673；以及美國(guó)專利US5594569。在某溫度范圍表現(xiàn)反鐵電相的液晶稱為“反鐵電液晶”。在具有反鐵電液晶的混合液晶中，有無(wú)閾值反鐵電混合液晶，其表現(xiàn)電光響應(yīng)特性，通過(guò)它透射系數(shù)相對(duì)電場(chǎng)連續(xù)地變化。在無(wú)閾值反鐵電混合液晶中，有那些表現(xiàn)出V形狀類型的電光響應(yīng)特性，以及能夠找到那些其驅(qū)動(dòng)電壓近似為±2.5V(元件厚度近似1μm到2μm)。圖33表示展示了相對(duì)于應(yīng)用電壓無(wú)閾值反鐵電混合液晶之光透射系數(shù)特性的例子，其表現(xiàn)出V形狀類型的電光響應(yīng)。圖33表示的曲線縱坐標(biāo)表示透射系數(shù)(光單位)，橫坐標(biāo)表示應(yīng)用的電壓。另外，在液晶設(shè)備入射側(cè)上之偏轉(zhuǎn)板的透射軸建立得幾乎與無(wú)閾值反鐵電混合液晶之層列相的法線方向平行，該法線方向與液晶設(shè)備的研磨方向幾乎一致。另外，在出射側(cè)上之偏轉(zhuǎn)板的透射軸建立成幾乎與入射側(cè)上之偏轉(zhuǎn)板的透射軸垂直(正交)。如圖33所示，如果使用這種無(wú)閾值反鐵電混合液晶，可以發(fā)現(xiàn)，能夠進(jìn)行低電壓驅(qū)動(dòng)和灰度顯示。甚至在根據(jù)本發(fā)明具有DAC的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備上使用這種低電壓驅(qū)動(dòng)無(wú)閾值反鐵電混合液晶的情況下，有可能降低DAC的輸出電壓，由此使得降低DAC的工作電源電壓和降低驅(qū)動(dòng)器的工作電源電壓變成可能。因此，在有源矩陣型液晶顯示設(shè)備中能夠取得低功耗和高可靠性。由此，在使用低電壓驅(qū)動(dòng)無(wú)閾值反鐵電混合液晶的地方，如果使用具有相對(duì)小寬度的LDD區(qū)(低濃度雜質(zhì)區(qū))(例如，0nm到500nm，或者0nm到200nm)的TFT，則其是有效的。而且，通常，無(wú)閾值反鐵電混合液晶具有大的自發(fā)極化，和液晶本身具有高的介電常數(shù)。因此，在液晶顯示設(shè)備使用無(wú)閾值反鐵電混合液晶的情況下，象素具有相對(duì)大的支持電容將變得必須。因此，最佳使用具有小自發(fā)極化的無(wú)閾值反鐵電混合液晶。而且，由于通過(guò)使用這種無(wú)閾值反鐵電混合液晶能夠獲得低電壓驅(qū)動(dòng)，因此能夠獲得有源矩陣型液晶顯示設(shè)備的低功耗。此外，圖17表示了其中進(jìn)行了螯合酯化(chelesteric)相-手征層列(chiralsmectic)相轉(zhuǎn)變的單穩(wěn)態(tài)鐵電液晶(FLC)的電光特性，使用了表現(xiàn)出各向同性相-螯合酯化(chelesteric)相-手征層列(chiralsmectic)相轉(zhuǎn)變的系統(tǒng)，同時(shí)施加DC電壓，并且圓錐邊緣做得幾乎與研磨方向一致。用圖17所示鐵電液晶的顯示模式稱為“半V形開關(guān)模式”。圖17表示的曲線縱坐標(biāo)表示透射系數(shù)(光單位)，橫坐標(biāo)表示施加的電壓。“半V形開關(guān)模式”在Yoshihara等人的“HalfV-shapedswitchingmodeFLCD”；LectureDraftCollectionforthe46thAppliedPhysicsRelatedAlliedLectureAssembly，March，1999，Page1316，和“Time-SharingFull-colorLCDbyFerroelectricLiquidCrystal”，ofLIQUIDCRYSTAL，3rdVolume，3rdEdition，Page190中進(jìn)行了詳細(xì)地說(shuō)明。如圖17所示，如果使用這種鐵電液晶，可以理解，能夠進(jìn)行低電壓驅(qū)動(dòng)和灰度顯示。在根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示設(shè)備中可以使用表現(xiàn)這種電光特性的鐵電液晶。具有這種如圖33和圖39所示電光特性的每種液晶能夠用作為根據(jù)本發(fā)明液晶顯示設(shè)備的顯示媒體。(實(shí)施例9)關(guān)于使用根據(jù)本發(fā)明之DAC的有源矩陣型半導(dǎo)體顯示設(shè)備和無(wú)源矩陣型半導(dǎo)體顯示設(shè)備，有許多應(yīng)用。在實(shí)施例9中，說(shuō)明書給出了一種半導(dǎo)體設(shè)備，其中結(jié)合了使用根據(jù)本發(fā)明之DAC的有源矩陣型半導(dǎo)體顯示設(shè)備。作為這樣的半導(dǎo)體設(shè)備，可以列出視頻攝像器，靜止攝像器，投影儀，頭帶顯示設(shè)備，汽車駕駛單元，個(gè)人計(jì)算機(jī)，以及便攜式信息終端(便攜式計(jì)算機(jī)，便攜式電話等)。圖23和圖24表示了其一個(gè)例子。圖23(A)表示了前置型投影儀，其由殼體10001，有源矩陣型半導(dǎo)體顯示設(shè)備10002(例如為液晶顯示設(shè)備)，光源10003，光學(xué)系統(tǒng)10004，以及屏10005組成。另外，圖23(A)表示了前置投影儀，其中結(jié)合了一個(gè)半導(dǎo)體顯示設(shè)備。因此，通過(guò)結(jié)合三個(gè)半導(dǎo)體顯示設(shè)備(每個(gè)對(duì)應(yīng)于R，G和B光)，能夠獲得較高分辨率和較薄的前置型投影儀。圖23(B)表示了后置型投影儀，其中殼體用10006表示，有源矩陣型半導(dǎo)體顯示設(shè)備用10007表示，光源用10008表示，反射器用10009表示，以及屏幕用10010表示。另外，圖23(B)表示了后置型投影儀，其中組合了三個(gè)有源矩陣型半導(dǎo)體顯示設(shè)備(分別對(duì)應(yīng)于R，G和B光)。圖24(A)表示了便攜式電話，其包括殼體11001，聲音輸出部分11002，聲音輸入部分11003，有源矩陣型半導(dǎo)體顯示設(shè)備11004，操作開關(guān)11005和天線11006。圖24(B)表示了視頻攝像機(jī)，其包括殼體12001，有源矩陣型半導(dǎo)體顯示設(shè)備12002，聲音輸入部分12003，操作開關(guān)12004，電池12005和圖象接收部分12006。圖24(C)表示了便攜式計(jì)算機(jī)，其包括殼體13001，攝像機(jī)部分13002，圖象接收部分13003，操作開關(guān)13004，和有源矩陣型半導(dǎo)體顯示設(shè)備13005。圖24(D)表示了頭帶顯示設(shè)備(也稱作保護(hù)鏡型顯示設(shè)備)，其包括殼體14001，和有源矩陣型半導(dǎo)體顯示設(shè)備14002。圖24(E)表示了便攜式筆記本(電子筆記本)，其包括殼體15001，有源矩陣型半導(dǎo)體顯示設(shè)備15002和15003，存儲(chǔ)媒體15004，操作開關(guān)15005和天線15006。除了上述的電子裝置之外，根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備可以應(yīng)用到各種類型的裝置，例如電視，視頻游戲裝置，個(gè)人計(jì)算機(jī)，視頻播放器等。(實(shí)施例10)實(shí)施例10中，說(shuō)明書給出了根據(jù)本發(fā)明具有D/A變換器電路的液晶顯示設(shè)備的另一個(gè)例子。而且，在該實(shí)施例中，類似于實(shí)施例2的處理適用于并非特別涉及的部分。實(shí)施例10中，通過(guò)使用掩膜絕緣膜4004作為圖12(A)所示狀態(tài)中的催化劑元素?fù)诫s處理，Ni乙酸溶液涂在非晶硅層的幾乎整個(gè)表面上。在完成了催化劑元素?fù)诫s處理之后，接著，在450℃大約一個(gè)小時(shí)下進(jìn)行脫氫。除了在惰性環(huán)境，氫環(huán)境或氧環(huán)境中在500到900℃(代表為550到650℃)下加熱處理4到24小時(shí)之外，非晶硅層4003結(jié)晶。該實(shí)施例中，加熱處理是在氮環(huán)境中590℃下進(jìn)行8小時(shí)。此后，進(jìn)行加熱處理(催化劑元素的吸氣處理)用于吸氣催化劑元素。在本實(shí)施例情況下，加熱處理利用了通過(guò)鹵素元素的催化劑元素的吸氣效應(yīng)，其使得鹵素元素包含于處理環(huán)境中。而且，為了充分獲得鹵素元素的吸氣效果，上述的加熱處理最好在高于700℃下進(jìn)行。如果溫度小于這個(gè)數(shù)值，分解鹵素化合物將變得困難，并存在擔(dān)心不能獲得吸氣效果。此外，在該情況下，作為包含鹵素元素的氣體，可以使用例如選自下列化合物的一種類型或多個(gè)化合物，即HCl，HF，NF3，HBr，Cl2，ClF3，BCl2，F(xiàn)2Br2，等。在該實(shí)施例中，在O2和HCl環(huán)境中在950℃的溫度下進(jìn)行加熱處理，吸氣處理與熱氧化層的形成同時(shí)進(jìn)行。之后，形成柵絕緣層。在該實(shí)施例中，至于柵絕緣層的厚度，其最終厚度形成約為50nm厚。所有的其它工藝可參考實(shí)施例2。下面的表1表示了通過(guò)實(shí)施例10之生產(chǎn)工藝獲得的TFT的特性。表1表1中，L/W表示(溝道長(zhǎng)度/溝道寬度)，lon表示(導(dǎo)通電流)，loff表示(截止電流)，lon/loff表示(導(dǎo)通電流和截止電流比率的常用對(duì)數(shù))，Vth表示(閾值電壓)，S值表示(S值)，以及μFE表示(場(chǎng)效應(yīng)移動(dòng)度)，其中帶有“*”的μFE表示其L＝50μm的TFT的μFE。這里，圖30是通過(guò)實(shí)施例10之生產(chǎn)工藝獲得的TFT的特性曲線。圖30中，Vg表示柵極電壓，Id表示漏極電流，Vd表示漏極電壓。(實(shí)施例11)在實(shí)施例11中，說(shuō)明書給出了具有DAC(8位)的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備的例子，根據(jù)本發(fā)明，其由本申請(qǐng)人生產(chǎn)。下面的表2表示了DAC的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備的說(shuō)明，根據(jù)本發(fā)明，其由本申請(qǐng)人生產(chǎn)。表2另外，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器和掃描驅(qū)動(dòng)器電路分別表示源極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路和柵極信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路。而且，源極線回程顯示按尋址模式執(zhí)行。圖31表示根據(jù)本發(fā)明具有DAC的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備的顯示例子，其將在本實(shí)施例中說(shuō)明。另外，圖32表示前置型投影儀的顯示例子，其中使用了三個(gè)有源矩陣型液晶顯示設(shè)備，根據(jù)本發(fā)明每個(gè)都具有DAC，其將在下面說(shuō)明。而且，關(guān)于前置型投影儀，參考實(shí)施例9。正如圖31和圖32所示，在根據(jù)本發(fā)明具有DAC的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備中，能夠獲得很精密的灰度顯示。(實(shí)施例12)在該實(shí)施例中，參考圖34到圖38，說(shuō)明書給出了用于生產(chǎn)根據(jù)本發(fā)明具有驅(qū)動(dòng)電路之液晶顯示設(shè)備的方法的例子。在根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示設(shè)備中，象素部分，源極驅(qū)動(dòng)器，柵極驅(qū)動(dòng)器等被整體形成在一個(gè)襯底上。而且，為說(shuō)明方便，構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明一部分象素TFT和驅(qū)動(dòng)電路的NchTFT和構(gòu)成逆變電路的PchTFT和NchTFT形成在相同的襯底上。圖34(A)中，低堿玻璃襯底和石英襯底可以用作為襯底16001。石英襯底用在本實(shí)施例中。為了防止雜質(zhì)遍及襯底16001，形成了底層16002，例如為氧化硅層，氮化硅層，氮化氧化硅層等。例如，使用等離子體CVD方法，由SiH4，NH3，和N2O制成的氮化氧化硅層是分層結(jié)構(gòu)并形成為100nm厚，由SiH4，和N2O制成的氮化氧化硅層也是分層結(jié)構(gòu)并形成為200nm厚。另外，具有非晶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體16003a通過(guò)使用諸如等離子體CVD方法，濺射方法等公知方法形成為20到150nm(最好為30到80nm)厚。在本實(shí)施例中，非晶硅層通過(guò)低壓熱CVD方法形成為53nm厚。非晶半導(dǎo)體層和微晶半導(dǎo)體層可用作為具有非晶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層，具有例如為非晶硅鍺層之非晶結(jié)構(gòu)的化合物半導(dǎo)體層是合適的。而且，由于有可能形成底層16002和非晶硅層16003a，這兩者可以連續(xù)地形成。在這種情況下，由于它們?cè)诘讓有纬芍蟛槐┞队诖髿猸h(huán)境中，能夠防止其表面被污染。而且，有可能減小所生產(chǎn)TFT的不平整度和閾值電壓的波動(dòng)。(見(jiàn)圖34(A))。而且，用公知的結(jié)晶技術(shù)，可以從非晶硅層16003a形成晶體硅層16003b。例如，盡管可以應(yīng)用激光結(jié)晶方法和熱結(jié)晶方法(固相生長(zhǎng)方法)，這里，通過(guò)與日本1995年公開待審專利申請(qǐng)No.130652所公開技術(shù)一致的使用催化劑元素的結(jié)晶方法來(lái)形成晶體硅層16003b。在結(jié)晶工藝之前，在400到500℃下進(jìn)行熱處理約一個(gè)小時(shí)，盡管其依賴于非晶硅層的氫含量比率。結(jié)晶最好在氫含量比率降低到等于或小于5個(gè)原子％之后開始。由于非晶硅層結(jié)晶和原子重新排列變得非常精密，所產(chǎn)生的結(jié)晶硅層的厚度從非晶硅層的最初厚度減小了1到15％(在本實(shí)施例中為54nm)。(見(jiàn)圖34(B))。另外，通過(guò)構(gòu)圖晶體硅層16003b成島形，形成了島形半導(dǎo)體層16004至16007。此后，通過(guò)等離子體CVD方法或?yàn)R射方法，掩膜層16008由50到150nm厚的氧化硅層構(gòu)成。(見(jiàn)圖34(D))。在本實(shí)施例中，掩膜層16008的厚度是199nm。隨后，提供抗蝕劑掩膜16009，和摻硼(B)作為雜質(zhì)元素，在島形半導(dǎo)體層16004至16007的整個(gè)表面上，用濃度為1×1018到5×1017個(gè)原子/cm3提供“p”型，其形成“n”溝道型TFT。摻硼(B)的目的是控制閾值電壓。通過(guò)離子摻入方法可以摻雜硼(B)，或者在形成非晶硅層的同時(shí)可以摻雜硼(B)。這里，硼的摻雜不是必須要求的。(見(jiàn)圖34(D))。為了形成驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)電路之“n”溝道型TFT的LDD區(qū)等，在島型半導(dǎo)體層16010至16012上有選擇地?fù)诫s給出“n”型的雜質(zhì)元素。因此，預(yù)先形成抗蝕劑掩膜16013到16016。作為提供“n”型的雜質(zhì)元素，可以使用磷(P)和砷(As)。這里，為了摻磷(P)，采用其中使用了磷化氫(PH3)的離子摻入方法。所形成雜質(zhì)元素區(qū)16017和16018的磷的濃度可以在2×1016到5×1019個(gè)原子/cm3的范圍內(nèi)。在該說(shuō)明中，這里形成的包含在雜質(zhì)區(qū)16017和16019中提供“n”型的雜質(zhì)元素的濃度表達(dá)為(n-)。雜質(zhì)區(qū)16019是形成象素部分之支持電容的半導(dǎo)體層，磷(P)是以相同濃度摻雜的。(見(jiàn)圖35(A))。此后，去掉抗蝕劑掩膜16013到16016。接著，在通過(guò)氟去掉掩膜層16008之后，進(jìn)行激活在圖34(D)和圖35(A)中摻雜的雜質(zhì)元素的工藝。通過(guò)在氮環(huán)境中在500到600℃下熱處理一到四小時(shí)或者通過(guò)激光激活方法能夠進(jìn)行激活。而且，兩者可以同時(shí)進(jìn)行。在該實(shí)施例中，采用激光激活方法。采用KrF準(zhǔn)分子激光束(波長(zhǎng)248nm)作為激光束。實(shí)施例中，激光束被處理成線性束，掃描用5到50Hz的振蕩頻率，100到500mJ/cm2的能量密度和80到98％的線性束重迭比率進(jìn)行，由此在上述條件下掃描在其上形成了島型半導(dǎo)體層的整個(gè)表面。此外，激光束的輻射條件沒(méi)有任何限制，它們可以適當(dāng)?shù)卮_定。而且，通過(guò)等離子體CVD方法或?yàn)R射方法，柵絕緣層16020由包含硅的絕緣膜形成，以便變成10到50nm厚。例如，氮化氧化硅層形成為120nm厚。包含其它硅的絕緣膜可以由單層或分層結(jié)構(gòu)形成，作為柵絕緣層。(見(jiàn)圖35(B))。接著，為了形成柵電極而形成第一導(dǎo)電層。盡管第一導(dǎo)電層可以由單層形成，需要時(shí)可以采用二或三層的分層結(jié)構(gòu)。實(shí)施例中，由導(dǎo)電金屬氮化層制成的導(dǎo)電層(A)16021和由金屬層制成的另一導(dǎo)電層(B)16022層疊。導(dǎo)電層(B)16022可以由選自鉭(Ta)，鈦(Ti)，鉬(Mo)和鎢(W)的任何元素形成，或者主要由上述元素構(gòu)成的合金，或者其中結(jié)合有上述元素的合金層(以Mo-W合金層或Mo-Ta合金層為代表)構(gòu)成，并且導(dǎo)電層(A)16021可以由氮化鉭(TaN)，氮化鎢(WN)，氮化鈦(TiN)，或氮化鉬(MoN)形成。而且，導(dǎo)電層(A)可以使用硅化鎢，硅化鈦，或者硅化鉬作為替代物。對(duì)于導(dǎo)電層(B)16021，其中包含的雜質(zhì)濃度最好由于降低電阻而下降。特別是，在氧濃度降低到30ppm或更小的地方，能夠獲得較好的結(jié)果。例如，如果鎢(W)的氧濃度降低到30ppm或更小，能夠獲得20μΩ或更小的相對(duì)電阻值。導(dǎo)電層(A)16021最好做成10到50nm厚(優(yōu)選20到30nm厚)，導(dǎo)電層(B)16022最好做成200到400nm厚(優(yōu)選250到350nm厚)。在實(shí)施例中，50nm厚的氮化鉭層用作為導(dǎo)電層(A)16021，350nm厚的Ta層用作為導(dǎo)電層(B)16022。任何一個(gè)都是通過(guò)濺射方法形成的。在通過(guò)濺射方法形成各層中，如果將適量的Xe和Kr加到用于濺射的Ar氣中，則會(huì)減輕將產(chǎn)生層的內(nèi)部應(yīng)力，由此防止層的剝離。另外，盡管沒(méi)有說(shuō)明，如果形成硅層，其上面并在導(dǎo)電層(A)16021下面摻磷(P)為2到20nm厚，則其是有效的。由此，能夠改善其上形成的導(dǎo)電層的粘合性，并且還能夠防止氧化作用。同時(shí)，導(dǎo)電層(A)和導(dǎo)電層(B)能夠防止包含的微量堿金屬元素在柵絕緣層16020上占優(yōu)。(見(jiàn)圖35(C))。接著，形成抗蝕劑掩膜116023到16027，并且通過(guò)完全刻蝕導(dǎo)電層(A)16021和導(dǎo)電層(B)16022來(lái)形成柵電極16028到16031和電容布線16032。形成柵電極16028到16031和電容布線16032使得整體形成由導(dǎo)電層(A)構(gòu)成的16028a到16032a以及由導(dǎo)電層(B)構(gòu)成的16028b到16032b。此刻，隨后形成構(gòu)成驅(qū)動(dòng)器之驅(qū)動(dòng)電路等的TFT的柵電極16028到16030，使得經(jīng)過(guò)一部分雜質(zhì)區(qū)16017和16018以及柵絕緣層16020而相互重疊。(見(jiàn)圖35(D))。接著，為了形成“p”溝道型TFT的源極區(qū)和漏極區(qū)，進(jìn)行用于摻入雜質(zhì)元素以提供“p”型的工藝。這里，通過(guò)使用柵電極16028作為掩膜，雜質(zhì)區(qū)形成半匹配狀態(tài)中。此刻，形成了“n”溝道型TFT的區(qū)預(yù)先由抗蝕劑掩膜16033屏蔽。于是，通過(guò)使用乙硼烷(B2H6)的離子摻入方法形成雜質(zhì)區(qū)16034。該區(qū)中硼(B)的濃度設(shè)置為3×1020到3×1021個(gè)原子/cm3。在該說(shuō)明中，這里形成的包含在雜質(zhì)區(qū)16034中提供“p”型的雜質(zhì)元素的濃度表達(dá)為(p++)。(見(jiàn)圖36(A))。接著，在“n”溝道型TFT中形成起源極區(qū)和漏極區(qū)作用的雜質(zhì)區(qū)。形成抗蝕劑掩膜16035到16037，并且通過(guò)摻入雜質(zhì)以提供“n”型來(lái)形成雜質(zhì)區(qū)16038到16042。這是通過(guò)使用磷化氫(PH3)的離子摻入方法完成的，磷的濃度定為1×1020到1×1021個(gè)原子/cm3。在該說(shuō)明中，這里形成的包含在雜質(zhì)區(qū)16038到16042中提供“n”型的雜質(zhì)元素的濃度表達(dá)為(n+)。(見(jiàn)圖36(B))。盡管雜質(zhì)區(qū)16038到16042已經(jīng)包含了在先前工藝中摻入的磷(P)或硼(B)，比較而言，磷還要以足夠高的濃度摻入，不需要考慮在先前工藝中摻入的磷(P)或硼(B)所產(chǎn)生的影響。另外，在雜質(zhì)區(qū)16038摻入的磷(P)的濃度是圖10(A)中摻入的硼濃度的二分之一或三分之一，“p”型的電導(dǎo)率能夠固定，并且在TFT特性中不會(huì)產(chǎn)生負(fù)面影響。接著，進(jìn)行用于摻入雜質(zhì)提供“n”型以形成象素部分之“n”溝道型TFT的LDD區(qū)的工藝。這里，提供“n”型的雜質(zhì)元素通過(guò)離子摻入方法以半匹配狀態(tài)摻入，同時(shí)使用柵電極16031作為掩膜。要摻雜的磷(P)的濃度是1×1016到5×1018個(gè)原子/cm3，其中它以比圖35，圖36(A)和圖36(B)中摻雜的雜質(zhì)元素的濃度低的濃度摻雜，并且在事實(shí)上，僅僅形成雜質(zhì)區(qū)16043和16044。在該說(shuō)明中，包含在雜質(zhì)區(qū)16043到16044中提供“n”型的雜質(zhì)元素的濃度表達(dá)為(n-)。(見(jiàn)圖36(C))。這里，為了防止柵電極Ta的剝離，形成為200nm厚SiON層等作為層間膜。此后，進(jìn)行熱處理工藝，其激活雜質(zhì)元素以各自濃度摻雜提供“n”或“p”型。通過(guò)爐退火方法，激光退火方法，或者快速熱退火方法(RTA)能夠進(jìn)行該工藝。這里，通過(guò)爐退火方法進(jìn)行激活處理。在氮?dú)猸h(huán)境，400到800℃，優(yōu)選500到600℃下，用1ppm或更小，優(yōu)選0.1ppm或更小的氧濃度進(jìn)行熱處理。實(shí)施例中，在500℃下熱處理工藝進(jìn)行四小時(shí)。另外，在具有熱阻特性例如為石英襯底的襯底用作為襯底16001的地方，熱處理在800℃下達(dá)一個(gè)小時(shí)就足夠了，并且有可能激活雜質(zhì)元素和有可能較好地形成摻入相應(yīng)雜質(zhì)元素的雜質(zhì)區(qū)和溝道形成區(qū)的連接。而且，在形成層間膜以防止上述柵電極Ta剝離的地方，可以有不能獲得該效果的情況。在熱處理中，形成柵電極16028到16031和電容布線16032的金屬層從表面是5到80nm厚，導(dǎo)電層(C)16028c到16032c形成在其表面上。例如，在導(dǎo)電層(B)16028b到16032b是由鎢(W)制成的情況下，然后形成氮化鎢(WN)，并且在鉭(Ta)的情況下，能夠形成氮化鉭(TaN)。另外，通過(guò)將柵電極16028到16031和電容布線16032暴露于包含氮的等離子環(huán)境中，其中使用了氮或氨，還能夠形成導(dǎo)電層(C)16028c到16032c。另外，在300到450℃的以3到100％比率含有氫的環(huán)境中進(jìn)行熱處理達(dá)一到十二小時(shí)，并且進(jìn)行用于氫化島形半導(dǎo)體層的工藝。該工藝是用于通過(guò)熱激活氫來(lái)端接半導(dǎo)體層之懸空鍵的工藝。作為另一氫化方法，可以進(jìn)行等離子氫化(使用由等離子激發(fā)的氫氣)。在島形半導(dǎo)體層是通過(guò)使用催化劑元素的結(jié)晶方法從非晶硅層生產(chǎn)時(shí)，少量的催化劑元素保留在島形半導(dǎo)體層中。當(dāng)然，盡管TFT能夠在這種條件下完成，從至少溝道形成區(qū)中去掉殘留的催化劑元素是有利的。作為去掉這種催化劑元素的方法之一，有利用磷(P)的吸氣作用的方法。吸氣必須的磷濃度等于圖36(B)中形成的雜質(zhì)區(qū)(n+)中的濃度，并且催化劑元素通過(guò)這里進(jìn)行的激活工藝的熱處理能夠從“n”溝道TFT和“p”溝道TFT的溝道形成區(qū)中吸氣。(見(jiàn)圖36(D))。第一層間絕緣膜16045由氧化硅層或氮化氧化硅層制成，厚度為500到1500nm。此后，形成接觸孔，該接觸孔到達(dá)形成在各自島形半導(dǎo)體層上的源極區(qū)或漏極區(qū)，由此形成源極布線16046到16049和漏極布線16050。(見(jiàn)37(A))。盡管沒(méi)有說(shuō)明，在該實(shí)施例中，電極是由三個(gè)分層層形成的，其中，200nm厚的Ti層，包含Si的500nm鋁層，以及100nm的Ti層是由濺射方法連續(xù)形成的。接著，以50到500nm的厚度(代表為100到300nm)形成氮化硅層，氧化硅層或氮化氧化硅層，作為無(wú)源層16054。在本實(shí)施例中，無(wú)源層16054做成由50nm厚的氮化硅層和24.5nm厚的氧化硅層構(gòu)成的分層層。在這種狀態(tài)下，如果進(jìn)行氫化處理，根據(jù)改進(jìn)TFT特性，能夠得到理想的結(jié)果。例如，熱處理最好在300到450℃的以3到100％比率含有氫的環(huán)境中進(jìn)行一到十二小時(shí)，或者如果采用等離子氫化工藝，仍然能夠獲得相同的效果。而且，這里，最好形成接觸孔以連接象素電極和后面的漏電極的位置處在無(wú)源層16054形成開口，。(見(jiàn)圖37(A))。此后，由有機(jī)樹脂構(gòu)成的第二層間絕緣膜16055形成為1.0到1.5μm。聚酰亞胺樹脂，丙烯酸酯樹脂，聚酰胺樹脂，聚酰亞胺酰胺(polyimideamide)樹脂，BCB(苯環(huán)丁烷)等可以用作為有機(jī)樹脂。這里，使用這種類型的丙烯酸酯樹脂，以便在涂在襯底上之后進(jìn)行熱聚合，并且在250℃下燃燒形成。(見(jiàn)圖37(B))。實(shí)施例中，黑底形成為三層結(jié)構(gòu)，其中Ti層形成為100nm厚，由Al和Ti構(gòu)成的合金層形成為300nm厚，以及附加Ti層形成為100nm厚。之后，由有機(jī)樹脂構(gòu)成的第三層間絕緣膜16059形成為1.0到1.5μm。作為有機(jī)樹脂，可以使用與第二層間絕緣膜相同的材料。這里，使用這種類型的聚酰亞胺樹脂，以便在涂在襯底上之后進(jìn)行熱聚合，并且在300℃下燃燒形成。接著，在第二層間絕緣膜16055和第三層間絕緣膜16059上形成到達(dá)漏極布線16053的接觸孔，由此形成象素電極16060。在根據(jù)本發(fā)明的透射型液晶顯示設(shè)備中，諸如ITO等的透明導(dǎo)電層用作為象素電極。(見(jiàn)圖37(B))。因此，具有象素部分驅(qū)動(dòng)電路TFT和象素TFT的襯底能夠在相同的襯底上完成?！皃”溝道型TFT16101，第一“n”溝道型TFT16102，和第二“n”溝道型TFT16103形成在驅(qū)動(dòng)電路中，并且象素TFT16104和支持電容16105形成在象素部分中。(見(jiàn)圖38)。在本說(shuō)明中，為了方便，這種襯底稱為“有源矩陣襯底”。接著，以通過(guò)上述工藝生產(chǎn)的有源矩陣襯底為基礎(chǔ)，說(shuō)明書給出了用于生產(chǎn)透射型液晶顯示設(shè)備的工藝。對(duì)中層16061形成在有源矩陣襯底上，其狀態(tài)示于圖38中。實(shí)施例中，對(duì)中層16061由聚酰亞胺樹脂制成。接著，制備反襯底。反襯底是由玻璃襯底16062，由透明導(dǎo)電層構(gòu)成的反電極16063和對(duì)中層16064組成。而且，實(shí)施例中，作為對(duì)中層，使用了聚酰亞胺樹脂，其中液晶顆粒與襯底平行對(duì)中。另外，在形成對(duì)中層之后，通過(guò)進(jìn)行研磨工藝，液晶顆粒相互平行對(duì)中，具有不變的預(yù)先傾斜角。接著，通過(guò)上述工藝完成的有源矩陣襯底和反襯底經(jīng)過(guò)密封材料和隔離體(兩者都沒(méi)示出)用公知的元件裝配工藝相互粘結(jié)。此后，液晶提供在兩襯底之間并由密封劑(未示出)完全密封。由此，能夠完成如圖38所示的透射型液晶顯示設(shè)備。另外，本實(shí)施例中，設(shè)計(jì)透射型液晶顯示設(shè)備使得以TN(螺旋)模式顯示。因此，偏轉(zhuǎn)板(未示出)配置在透射型液晶顯示設(shè)備上。驅(qū)動(dòng)電路的“p”溝道型TFT16101在島形半導(dǎo)體層16004中具有溝道形成區(qū)806，源極區(qū)807a和807b，漏極區(qū)808a和808b。第一“n”溝道型TFT16102在島形層16005中具有溝道形成層809，重疊在柵電極16071上的LCD區(qū)810(今后這種LDD區(qū)稱為“Lov”)，源極區(qū)811和漏極區(qū)812。在其溝道長(zhǎng)度方向上的Lov區(qū)的長(zhǎng)度定為0.5到3.0μm，優(yōu)選為1.0到1.5μm。第二“n”溝道型TFT16103在島形半導(dǎo)體層16006中具有溝道形成區(qū)813，LDD區(qū)814和815，源極區(qū)816和漏極區(qū)817。在這些LDD區(qū)中，形成Lov區(qū)和不重疊在柵電極16072上的LDD區(qū)(今后這種LDD區(qū)稱為“Loff”)，其中，在其溝道長(zhǎng)度方向上的Loff區(qū)的長(zhǎng)度為0.3到2.0μm，優(yōu)選為0.5到1.5μm。象素TFT16104在島形半導(dǎo)體層16007中具有溝道形成區(qū)818和819，Loff區(qū)820到823，源極或漏極區(qū)824到826。在其溝道長(zhǎng)度方向上的Loff區(qū)的長(zhǎng)度為0.5到3.0μm，優(yōu)選為1.5到2.5μm。而且，偏移區(qū)(未示出)形成在象素TFT16104的溝道形成區(qū)818和819與是象素TFT之LDD區(qū)的Loff區(qū)802到823之間。并且，支持電容805包括電容布線16074，由柵絕緣層16020構(gòu)成的絕緣層，連接到象素TFT16073之漏極區(qū)826并且將雜質(zhì)元素?fù)饺肫渲刑峁皀”型的半導(dǎo)體層827。圖38中，盡管象素TFT由雙柵結(jié)構(gòu)組成，單柵結(jié)構(gòu)是可以接受的，其中提供了多個(gè)柵電極的多柵結(jié)構(gòu)也是可以接受的。正如上述，實(shí)施例中，構(gòu)成各自電路的TFT的結(jié)構(gòu)能夠優(yōu)化，符合象素TFT和驅(qū)動(dòng)器要求的規(guī)格，其中有可能改進(jìn)液晶顯示設(shè)備的工作性能和可靠性。實(shí)施例中，說(shuō)明書給出了透射型液晶顯示設(shè)備。但是，其中有根據(jù)本發(fā)明驅(qū)動(dòng)電路的液晶顯示設(shè)備并不局限于上述的液晶顯示設(shè)備，其可以適用于反射型液晶顯示設(shè)備。盡管結(jié)合液晶顯示設(shè)備說(shuō)明了前面的優(yōu)選實(shí)施例，本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)電路適合于驅(qū)動(dòng)EL(電致發(fā)光顯示設(shè)備)。而且，前面實(shí)施例中說(shuō)明的制造方法適合于這種EL顯示設(shè)備之薄膜晶體管的制造。EL顯示設(shè)備的例子將在下面的實(shí)施例13到17中說(shuō)明。[實(shí)施例13]圖40A是表示EL顯示設(shè)備的頂視圖，其是根據(jù)本申請(qǐng)人的發(fā)明生產(chǎn)的。圖40A中，示出了襯底14010，象素部件14011，來(lái)自源極14012的驅(qū)動(dòng)電路，和來(lái)自柵極14013的驅(qū)動(dòng)電路，每個(gè)驅(qū)動(dòng)電路連接到布線14014-14016，其到達(dá)引至外部設(shè)備的FPC14017。最佳與驅(qū)動(dòng)電路在一起的象素部件由覆蓋材料16000，密封材料(或殼材料)17000和端密封材料(或第二密封材料)17001封閉。圖40B是表示本例中EL顯示設(shè)備之結(jié)構(gòu)的剖面圖。其示出了襯底14010，下部涂層14021，用于驅(qū)動(dòng)電路的TFT14022，以及用于象素單元的TFT14023。(所示TFT14022是由n-溝道型TFT和p-道型TFT構(gòu)成的CMOS電路。所示TFT14023是控制到EL元件之電流的電路。)這些TFT可以是任何公知的結(jié)構(gòu)(頂部柵極結(jié)構(gòu)或底部柵極結(jié)構(gòu))，并且前面實(shí)施例中說(shuō)明的方法可以用于制造這些TFT。當(dāng)TFT14022(用于驅(qū)動(dòng)電路)和TFT14023(用于象素單元)完成時(shí)，象素電極14027形成在由樹脂制成的層間絕緣膜(平面化膜)14026上。該象素電極是透明的導(dǎo)電膜，其電連接到象素單元的TFT14023的漏極。透明導(dǎo)電膜由氧化銦和氧化錫的化合物(稱為ITO)或者由氧化銦和氧化鋅的化合物形成。在象素電極14027上形成絕緣膜14028，其中在象素電極14027之上形成了開孔。隨后，形成EL層14029。通過(guò)自由地組合公知EL材料，例如注入層，空穴傳輸層，光發(fā)射層，電子傳輸層，和電子注入層，其可以是單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)任何公知的技術(shù)都可以獲得。EL材料是低分子材料或高分子材料(聚合物)。前者可以用氣相沉積應(yīng)用，后者可以用諸如旋轉(zhuǎn)涂覆，印刷或噴墨方法的簡(jiǎn)單方法應(yīng)用。本例中，EL層是由氣相沉積通過(guò)陰影掩膜形成的。形成的EL層允許每個(gè)象素發(fā)射不同波長(zhǎng)的光(紅，綠和藍(lán))。這實(shí)現(xiàn)了彩色顯示。可獲得的替換系統(tǒng)包括彩色轉(zhuǎn)換層(CCM)和彩色濾光器的組合以及白光發(fā)射層和彩色濾光器的組合。不用說(shuō)，EL顯示設(shè)備可以是單色的。在EL層上形成陰極14030。在該步驟之前，希望從EL層14029和陰極14030之間的界面上盡可能的清除水分和氧氣。該目標(biāo)可以通過(guò)在真空中連續(xù)地形成EL層14029和陰極14030獲得，或者通過(guò)在惰性環(huán)境中形成EL層14029然后在不允許空氣進(jìn)入的相同環(huán)境中形成陰極14030獲得。本實(shí)施例中，希望的膜是通過(guò)使用多腔系統(tǒng)(團(tuán)束工具系統(tǒng))的膜形成裝置形成的。由氟化鋰膜和鋁膜構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)用在本例中作為陰極14030。具體地說(shuō)，EL層14029用氣相沉積順序涂覆氟化鋰膜(1nm厚)和鋁膜(300nm厚)。不用說(shuō)，陰極14030可以由公知陰極材料的MgAg電極制成。隨后，陰極14030連接到由14031表示區(qū)中的布線14016。將規(guī)定電壓提供給陰極14030的布線14016通過(guò)導(dǎo)電膏材料14032被連接到FPC14017。區(qū)14031中陰極14030和布線14016之間的電連接在層間絕緣膜14026和絕緣膜14028中需要接觸孔。當(dāng)層間絕緣膜14026進(jìn)行刻蝕形成用于象素電極的接觸孔時(shí)，或當(dāng)形成EL層之前絕緣膜14028進(jìn)行刻蝕形成開孔時(shí)，可以形成這些接觸孔。當(dāng)絕緣膜14028進(jìn)行刻蝕時(shí)，可以同時(shí)刻蝕層間絕緣膜14026。如果層間絕緣膜14026和絕緣膜14028由相同材料制成，則可以形成良好形狀的接觸孔。然后，形成無(wú)源層6003，填充材料16004和覆蓋材料16000，以使這些層覆蓋EL元件。而且，密封材料17000形成在例如圍繞EL元件的覆蓋材料16000和襯底14010內(nèi)，端密封材料17001形成在密封材料17000的外部。形成填充材料16004覆蓋EL元件，并且還起粘結(jié)覆蓋材料16000之粘結(jié)劑作用。作為填充材料16004，能夠利用PVC(聚氯乙烯)，環(huán)氧樹脂，硅樹脂，PVB(聚乙烯醇縮丁醛)，或EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)。由于能夠保持水分吸收，最好在填充材料16004中形成干燥劑。因此，在填充材料16004中能夠包含隔離體。最好使用包括氧化鋇的球隔離體以保持隔離體中水分的吸收。在隔離體包含在填充材料中的情況下，無(wú)源膜6003能夠減輕隔離體的壓力。當(dāng)然，能夠使用不同于無(wú)源膜的諸如有機(jī)樹脂的其它膜用以減輕隔離體的壓力。作為覆蓋材料16000，能夠使用玻璃板，鋁板，不銹鋼板，F(xiàn)RP(加強(qiáng)纖維玻璃塑料)板，PVF(聚氟乙烯)膜，Mylar膜，聚酯膜或丙烯醛基膜。在采用PVB或EVA作為填充材料16004的情況下，最好使用由PVF膜或Mylar膜夾著的具有幾十個(gè)μm的厚度鋁箔。注意，覆蓋材料16000應(yīng)當(dāng)具有根據(jù)從EL元件光發(fā)射方向(光輻射方向)的光透過(guò)率。布線14016通過(guò)在密封材料17000和端密封材料17001之間的間隙電連接到FPC14017，以及襯底14010。正如在上述解釋的布線14016中一樣，其它的布線14014和14015也電連接到密封材料4018下的FPC14017。[實(shí)施例14]本實(shí)施例中，說(shuō)明具有不同于實(shí)施例113之結(jié)構(gòu)的另一EL顯示設(shè)備，如圖41A和41B所示。圖41A和41B中與圖40A和40B相同的參考數(shù)字表示相同的構(gòu)成單元，因此解釋省略。圖41A表示本實(shí)施例中EL模塊的頂視圖，圖41B表示圖41A之A-A‘的剖面圖。根據(jù)實(shí)施例13，形成無(wú)源膜6003覆蓋EL元件的表面。填充材料16004形成覆蓋EL元件并且還起粘結(jié)覆蓋材料16000之粘結(jié)劑作用。作為填充材料16004，能夠利用PVC(聚氯乙烯)，環(huán)氧樹脂，硅樹脂，PVB(聚乙烯醇縮丁醛)，或EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)。由于能夠保持水分吸收，最好在填充材料16004中形成干燥劑。而且，在填充材料16004中能夠包含隔離體。最好使用包括氧化鋇的球隔離體以保持隔離體中水分的吸收。在隔離體包含在填充材料中的情況下，無(wú)源膜6003能夠減輕隔離體的壓力。當(dāng)然，能夠使用不同于無(wú)源膜的諸如有機(jī)樹脂的其它膜用以減輕隔離體的壓力。作為覆蓋材料16000，能夠使用玻璃板，鋁板，不銹鋼板，F(xiàn)RP(加強(qiáng)纖維玻璃塑料)板，PVF(聚氟乙烯)膜，Mylar膜，聚酯膜或丙烯醛基膜。在采用PVB或EVA作為填充材料16004的情況下，最好使用由PVF膜或Mglar膜夾著的具有幾十個(gè)μm的厚度鋁箔。注意，覆蓋材料16000應(yīng)當(dāng)具有根據(jù)從EL元件光發(fā)射方向(光輻射方向)的光透過(guò)率。接著，使用填充材料3404粘結(jié)覆蓋材料16000。然后，將火焰材料(flamematerial)16001固定覆蓋填充材料16004的側(cè)面部分(露出面)?；鹧娌牧?6001由密封材料(起粘結(jié)劑作用)16002粘結(jié)。作為密封材料16002，光恢復(fù)樹脂是優(yōu)選的。另外，如果容許EL層的抗熱性，能夠采用熱恢復(fù)樹脂。密封材料16002不透水分和氧氣是優(yōu)選的。另外，將干燥劑加到密封材料16002內(nèi)部是可能的。布線14016通過(guò)在密封材料16002和襯底14010之間的間隙電連接到FPC14017。正如在上述解釋的布線14016中一樣，其它的布線14014和14015也電連接到密封材料16002下的FPC14017。[實(shí)施例15]在具有基于實(shí)施例13或14之結(jié)構(gòu)的EL顯示設(shè)備中，能夠使用本發(fā)明。本實(shí)施例中，詳細(xì)地說(shuō)明了板中象素區(qū)的結(jié)構(gòu)。圖42表示象素區(qū)的剖面；圖43A表示其頂視圖。圖43B表示用于象素區(qū)的電路構(gòu)圖。圖42，圖43A和圖43B中，相同的參考數(shù)字涉及相同部件，如通常所示。圖42中，形成在襯底3501上的開關(guān)TFT3502是具有雙柵結(jié)構(gòu)的NTFT。開關(guān)TFT3502的雙柵結(jié)構(gòu)基本上具有兩個(gè)串聯(lián)連接的TFT，因此具有降低斷開電流(off-current)從此通過(guò)的優(yōu)點(diǎn)。本實(shí)施例中，開關(guān)TFT3502具有這種雙柵結(jié)構(gòu)，但它不是限制性的。它可以具有單柵結(jié)構(gòu)或三柵結(jié)構(gòu)，或者甚至具有超過(guò)三個(gè)柵極的任何其它結(jié)構(gòu)。作為這種例子，開關(guān)TFT3502可以是本發(fā)明的PTFT。電流控制TFT3503是本發(fā)明的NTFT。實(shí)施例中，TFT3503可以是PTFT。開關(guān)TFT3502中的漏極布線35與電流控制TFT中的柵電極37經(jīng)過(guò)其間的布線36電連接。38表示的布線是柵極線，用于電連接開關(guān)TFT3502中的柵電極39a和39b。此實(shí)施例中，電流控制TFT3503表示成具有單柵結(jié)構(gòu)，但是它可以具有串聯(lián)連接多個(gè)TFT的多柵結(jié)構(gòu)。另外，多個(gè)TFT可以并聯(lián)連接，使得溝道形成區(qū)基本上被分成多個(gè)段。在這種類型的結(jié)構(gòu)中，能夠有效地進(jìn)行熱輻射。對(duì)于保護(hù)具有它的設(shè)備免于熱毀壞，該結(jié)構(gòu)是有利的。為了避免TFT3503中熱載流子的問(wèn)題，最好提供LDD區(qū)，其是至少部分地與柵電極重疊。正如圖43A中，將作為電流控制TFT3503中柵電極37的布線用在3504表示之區(qū)域中的漏極布線40經(jīng)過(guò)其間絕緣膜來(lái)重疊。在這種狀態(tài)下，3504表示的區(qū)域形成了電容器。電容器3504起保留電流控制TFT3503中施加到柵極之電壓的作用。漏極布線40用電流供給線(電源線)3506連接，從此恒定的電壓一直施加到漏極布線40上。在開關(guān)TFT3502和電流控制TFT3503上，形成的是第一無(wú)源膜41。在膜41上，形成的是絕緣樹脂的平面化膜42。TFT的層部件級(jí)的差別是通過(guò)用平面化膜42的平面化去掉的，這是非常重要的。這是因?yàn)楹竺娌襟E中要形成在先前形成層上的EL層是非常薄的，并且如果在先前形成層之級(jí)間存在差別，則EL設(shè)備將由于光發(fā)射錯(cuò)誤而經(jīng)常有麻煩。因此，希望在其上形成象素電極之前在先盡可能地平面化先前形成的層，使得EL層能夠形成在平面化的表面上。參考數(shù)字43表示具有高反射率之導(dǎo)電膜的象素電極(EL設(shè)備中的陰極)。象素電極43與電流控制TFT3503中的漏極電連接。象素電極43最好是鋁合金，銅合金或銀合金的低阻導(dǎo)電膜，或者是這些膜的疊層。不用說(shuō)，象素電極43可以具有帶有任何其它導(dǎo)電膜的疊層結(jié)構(gòu)。在絕緣膜(優(yōu)選樹脂)的堤單元44a和44b之間形成的凹單元(這對(duì)應(yīng)于象素)中形成了光發(fā)射層45。在所示結(jié)構(gòu)中，僅示出一個(gè)象素，但是多個(gè)光發(fā)射層能夠分開形成在不同的象素中，對(duì)應(yīng)于R(紅)，G(綠)和B(藍(lán))不同的顏色。用于光發(fā)射層的有機(jī)EL材料可以是任何π共軛聚合物材料。這里能使用的典型聚合物材料包括聚對(duì)亞1.2-亞乙烯(polyparaphenylenevinylene)(PVV)材料，聚乙烯咔唑(PVK)材料，聚芴材料等。公知了各種類型的PVV型有機(jī)EL材料，例如在H.Shenk，H.Becker，O.Gelsen，E.Klunge，W.Kreuder，和H.Spreitzer，PolymersforLightEmittingDiodes，EuroDisplayProceeding，1999，pp.33-37和日本專利公開No.92576/1998中公開的材料。這里能使用這種公知的任何材料。具體地說(shuō)，氰基聚苯1.2-亞乙烯(cyanopolyphenylenevinylenes)可以用作為紅光發(fā)射層；聚苯1.2-亞乙烯(polyphenylenevinylenes)可以用作為綠光發(fā)射層；聚苯1.2-亞乙烯(polyphenylenevinylenes)或聚烷基亞苯(polyalkylphenylenes)可以用作為藍(lán)光發(fā)射層。用于光發(fā)射層的膜厚度可以在30和150nm之間(優(yōu)選40和100nm之間)。上述這些化合物僅僅涉及這里可采用的有機(jī)EL材料的例子，當(dāng)然不是限制性的。光發(fā)射層可以與電荷傳輸層或者電荷注入層以任何希望的方式結(jié)合以形成預(yù)計(jì)的EL層(這是對(duì)光發(fā)射和對(duì)光發(fā)射之載流子輸運(yùn))。確切地說(shuō)，這些實(shí)施例是表明使用聚合物材料形成光發(fā)射層的例子，但是它不是限制性的。除此之外，低分子有機(jī)EL材料也可以用作為光發(fā)射層。對(duì)于電荷傳輸層和電荷注入層，還可采用的是諸如碳化硅等的無(wú)機(jī)材料。公知用于這些層的各種有機(jī)EL材料和無(wú)機(jī)材料，這里能夠使用它們的任何一種。本實(shí)施例中，PEDOT(聚噻吩)或PAni(聚苯胺)的空穴注入層46形成在光發(fā)射層45上，給出用于EL層的層疊結(jié)構(gòu)。在空穴注入層46上，形成的是透明導(dǎo)電膜的陽(yáng)極47。本實(shí)施例中，由光發(fā)射層45已經(jīng)發(fā)射的光以朝著頂部表面的方向(即以TFT的向上方向)輻射。因此，在此，陽(yáng)極一定要透光。對(duì)于用于陽(yáng)極的透明導(dǎo)電膜，能使用的是氧化銦和氧化錫的化合物和氧化銦和氧化鋅的化合物。但是，由于在光發(fā)射層和具有低熱阻的空穴注入層已經(jīng)形成之后形成陽(yáng)極，用于陽(yáng)極的透明導(dǎo)電膜最好是能夠在盡可能低的溫度下形成膜的材料。當(dāng)形成陽(yáng)極47時(shí)，完成EL設(shè)備3505。這里制造的EL設(shè)備3505表示包括象素電極(陰極)43，光發(fā)射層45，空穴注入層4和陽(yáng)極47的電容器。正如圖43A所示，象素電極43的區(qū)與象素的面積近似相同。因此，在此，整個(gè)象素起EL設(shè)備的作用。因此，這里制造的EL設(shè)備的光利用效率是高的，并且設(shè)備能夠顯示明亮圖象。本實(shí)施例中，第二無(wú)源膜48形成在陽(yáng)極47上。對(duì)于第二無(wú)源膜48，優(yōu)選使用的是氮化硅膜或氧氮化硅膜。膜48的目的是將EL設(shè)備從外部環(huán)境中隔離開。膜48具有防止有機(jī)EL材料通過(guò)氧化損壞的功能和具有防止它脫氣的功能。借助該類型的第二無(wú)源膜48，可提高EL顯示設(shè)備的可靠性。正如上述，本實(shí)施例中制造的本發(fā)明EL顯示板具有象素區(qū)，用于具有如圖42結(jié)構(gòu)的象素，以及具有使通過(guò)它的截止電流小到滿意程度的開關(guān)TFT和抵抗熱載流子注入的電流控制TFT。因此，這里制造的EL顯示板具有高可靠性和能夠顯示良好的圖象。將本實(shí)施例的EL顯示板組合到圖24(A)到24(E)所示的電子裝置作為顯示部件是有利的。[實(shí)施例16]本實(shí)施例是表示實(shí)施例15之EL顯示板的改進(jìn)，其中象素區(qū)中的EL設(shè)備3505具有相反的結(jié)構(gòu)。對(duì)于本實(shí)施例，參考圖44。本實(shí)施例的EL顯示板構(gòu)成僅在EL設(shè)備部分和電流控制TFT部分不同于圖43(A)中所示。因此，除了這些不同部分，這里省略了其它部分的說(shuō)明。圖44中，電流控制TFT3701可以是本發(fā)明的PTFT。TFT可以由前面實(shí)施例的任何方法制造。本實(shí)施例中，象素電極(陽(yáng)極)50是透明導(dǎo)電膜。具體地說(shuō)，使用的是氧化銦和氧化鋅之化合物的導(dǎo)電膜。不用說(shuō)，也能使用氧化銦和氧化錫之化合物的導(dǎo)電膜。在絕緣膜的堤單元51a和51b形成之后，用溶液涂覆方法在它們之間形成聚乙烯咔唑的光發(fā)射層52。在光發(fā)射層52上，形成的是乙酰丙酮化鉀(acetylacetonatopctassium)(后面稱為acacK)的電子注入層53，和鋁合金的陰極54。在這種情況下，陰極54還作為無(wú)源膜。由此制造EL設(shè)備3701。本實(shí)施例中，由光發(fā)射層52已經(jīng)發(fā)射的光以朝著具有其上形成TFT的襯底的方向輻射，如箭頭所示的方向。將本實(shí)施例的EL顯示板組合到圖24(A)到24(E)所示的電子裝置作為顯示部件是有利的。該顯示設(shè)備的整個(gè)結(jié)構(gòu)可以與圖33(A)和(B)或圖34(A)和(B)所示的相同。因此省略相同的說(shuō)明。[實(shí)施例17]本實(shí)施例是表示具有圖43B電路構(gòu)圖的象素的改進(jìn)。該改進(jìn)如圖45A到45C。在圖45A到45C所示的本實(shí)施例中，3801表示用于開關(guān)TFT3802的源極布線；3083表示用于開關(guān)TFT3802的柵極的布線，3804表示電流控制TFT；3805表示電容器；3806和3808表示電流供給線；3807表示EL設(shè)備。在圖45A的實(shí)施例中，電流供給線3806是兩個(gè)象素共有的。具體地說(shuō)，該實(shí)施例特征在于兩個(gè)象素是線性對(duì)稱地由在它們之間中心的電流供給線3806形成的。由于電流供給線的數(shù)目在其中能夠減小，本實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)在于象素構(gòu)圖能夠非常精細(xì)。在圖45B的實(shí)施例中，電流供給線3808與柵極布線3803平行形成。具體地說(shuō)，在此，電流供給線3808按這種方式構(gòu)成，使得其不與柵極布線3803重疊，但不是限制性的。與所示的情況不同，這兩個(gè)可以經(jīng)過(guò)它們之間的絕緣膜相互重疊，直到它們具有不同的層。由于電流供給線3808和柵極布線3803可以采用其中的公有專用區(qū)，本實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)在于象素構(gòu)圖能夠非常精細(xì)。圖45C實(shí)施例結(jié)構(gòu)的特征在于電流供給線3808與柵極布線3803平行形成，類似于圖45B，并且兩個(gè)象素是線性對(duì)稱地由在它們之間中心的電流供給線3808形成的。在此，以這種方式提供電流供給線3808時(shí)其與任何一個(gè)柵極布線3803重疊也是有效的。由于電流供給線的數(shù)目在其中能夠減小，本實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)在于象素構(gòu)圖能夠非常精細(xì)。[實(shí)施例18]圖43A和圖43B所示實(shí)施例15的實(shí)施例提供有電容器3504，其起保持施加到電流控制TFT3503中柵極之電壓的作用。但是，本實(shí)施例中，可以省略電容器3504。實(shí)施例15的實(shí)施例中，電流控制TFT3503是nTFT，LDD區(qū)經(jīng)過(guò)其間的柵絕緣膜與柵電極重疊。在重疊區(qū)中，形成的是寄生電容，通常稱為柵電容。本實(shí)施例的實(shí)施例特征在于積極利用寄生電容替換電容3504。上述的寄生電容按照柵電極與LDD區(qū)的重疊的面積變化，因此它由根據(jù)重疊面積中LDD區(qū)的長(zhǎng)度確定。另外，在圖45A，圖45B和圖45C中所示的實(shí)施例17的實(shí)施例中，電容3805能夠省略。將具有本實(shí)施例象素結(jié)構(gòu)的EL顯示板組合到圖24(A)到24(E)所示實(shí)施例的電子裝置作為顯示部件是有利的。該顯示設(shè)備的整個(gè)結(jié)構(gòu)可以與圖33(A)和(B)或圖34(A)和(B)所示的相同。因此省略相同的說(shuō)明。權(quán)利要求1.一種將“n”位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)(“n”自然數(shù))轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)的D/A轉(zhuǎn)換器電路，其中所述“n”位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的各個(gè)位控制一個(gè)開關(guān)并控制與所述開關(guān)連接的一個(gè)電容中的電荷的充電和放電；以及模擬信號(hào)和用作參考電勢(shì)的偏移電壓一起被輸出。2.一種將“n”位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)(“n”自然數(shù))轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)的D/A轉(zhuǎn)換器電路，其具有“n”個(gè)開關(guān)和“n”個(gè)相應(yīng)于所述“n”位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的各個(gè)位的電容，其中相應(yīng)于各個(gè)位的所述“n”個(gè)開關(guān)控制連接于所述“n”個(gè)開關(guān)的每一個(gè)的所述電容中的電荷的充電和放電，而且模擬信號(hào)和用作參考電勢(shì)的偏移電壓一起被輸出。3.一種將“n”位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)的D/A轉(zhuǎn)換器電路，包括被“n”位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的低“m”位(“n”和“m”自然數(shù)并且“m”＜“n”)的各個(gè)位控制的開關(guān)，和被“n”位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的高(“n”-“m”)位的各個(gè)位控制的開關(guān)；作為連接于被所述低“m”位的各個(gè)位控制的每一個(gè)所述開關(guān)的電容的電容，其比各個(gè)單元電容大2m-1倍；作為連接于被所述高(“n-m”)位的各個(gè)位控制的每一個(gè)所述開關(guān)的電容的電容，其比各個(gè)單元電容大2n-m-1倍；一個(gè)耦合電容；和兩個(gè)復(fù)位開關(guān)；其中兩個(gè)電源和一個(gè)偏移電源連接于所述D/A轉(zhuǎn)換器電路；所述開關(guān)選擇兩個(gè)電源之一；所述兩個(gè)復(fù)位開關(guān)控制電荷充電到所述電容；以及從所述“n”位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)的高(“n”-“m”)位的電容的共用連接端輸出模擬信號(hào)和用作參考電勢(shì)的所述偏移電壓的電勢(shì)。4.一種D/A轉(zhuǎn)換器電路包括作為被“n”位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的低“m”位(“n”和“m”自然數(shù)，“m”＜“n”)控制的低位電路部分的并且由包含被各個(gè)位控制的開關(guān)和連接于所述開關(guān)的電容的一個(gè)低位電路部分，其具有比單元電容大2m-1倍的一個(gè)電容；作為由“n”位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的高(“n”-“m”)位控制的高位電路部分的并且包含被各個(gè)位控制的開關(guān)和連接于所述開關(guān)的電容的一個(gè)高位電路部分，其具有比單元電容大2n-m-1倍的一個(gè)電容；一個(gè)由所述單元電容組成的把所述低位電路部分連接到所述高位電路部分的耦合電容；和兩個(gè)復(fù)位開關(guān)；其中兩個(gè)電源和一個(gè)偏移電源被輸入其中；所述兩個(gè)復(fù)位開關(guān)控制電荷充電到所述低位電路部分的各個(gè)電容和所述高位電路部分的各個(gè)電容；所述偏移電源輸入到所述高位電路部分的各個(gè)電容的共用連接端；所述低位電路部分的所述各個(gè)開關(guān)根據(jù)所述位信息選擇所述兩個(gè)電源之一，并且控制連接于所述各個(gè)開關(guān)的電容的電荷的充電和放電；所述高位電路部分的所述各個(gè)開關(guān)根據(jù)各個(gè)位信息選擇所述兩個(gè)電源之一，并且控制連接于所述各個(gè)開關(guān)的電容的電荷的充電和放電；以及從所述高位電路部分的所述共用連接端輸出模擬信號(hào)和用作參考電勢(shì)的所述偏移電源的電勢(shì)。5.一種D/A轉(zhuǎn)換器電路包括作為被“n”位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的低“m”位(“n”和“m”自然數(shù)，“m”＜“n”)控制的低位電路部分的并且由包含被各個(gè)位控制的開關(guān)和連接于所述開關(guān)的電容的一個(gè)低位電路部分，其具有比單元電容大2m-1倍的一個(gè)電容；作為由“n”位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的高(“n”-“m”)位控制的高位電路部分的并且包含被各個(gè)位控制的開關(guān)和連接于所述開關(guān)的電容的一個(gè)高位電路部分，其具有比單元電容大2n-m-1倍的一個(gè)電容；一個(gè)由所述單元電容組成的把所述低位電路部分連接到所述高位電路部分的耦合電容；和兩個(gè)復(fù)位開關(guān)；其中兩個(gè)電源VH和VL和一個(gè)偏移電源VB輸入其中；所述偏移電源VB輸入到所述高位電路部分的各個(gè)電容的共用連接端；從所述共用連接端輸出的輸出電壓Vout根據(jù)表達(dá)式(6a)、(6b)、(7)和(8)表示。6.一種具有有源矩陣顯示設(shè)備的電子設(shè)備，所述顯示設(shè)備具有將“n”位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)(“n”自然數(shù))轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)的D/A轉(zhuǎn)換器電路，其中所述“n”位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的各個(gè)位控制一個(gè)開關(guān)并控制與所述開關(guān)連接的一個(gè)電容中的電荷的充電和放電；以及模擬信號(hào)和用作參考電勢(shì)的偏移電壓一起被輸出。7.一種具有有源矩陣顯示設(shè)備的電子設(shè)備，所述顯示設(shè)備具有將“n”位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)(“n”自然數(shù))轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)的D/A轉(zhuǎn)換器電路，其具有“n”個(gè)開關(guān)和“n”個(gè)相應(yīng)于所述“n”位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的各個(gè)位的電容，其中相應(yīng)于各個(gè)位的所述“n”個(gè)開關(guān)控制連接于所述“n”個(gè)開關(guān)的每一個(gè)的所述電容中的電荷的充電和放電，而且模擬信號(hào)和用作參考電勢(shì)的偏移電壓一起輸出。8.一種具有有源矩陣顯示設(shè)備的電子設(shè)備，所述顯示設(shè)備具有將“n”位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)(“n”自然數(shù))轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)的D/A轉(zhuǎn)換器電路，包括被“n”位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的低“m”位(“n”和“m”自然數(shù)并且“m”＜“n”)的各個(gè)位控制的開關(guān)，和被“n”位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的高(“n”-“m”)位的各個(gè)位控制的開關(guān)；作為連接于被所述低“m”位的各個(gè)位控制的每一個(gè)所述開關(guān)的電容的電容，其比各個(gè)單元電容大2m-1倍；作為連接于被所述高(“n”-“m”)位的各個(gè)位控制的每一個(gè)所述開關(guān)的電容的電容，其比各個(gè)單元電容大2n-m-1倍；一個(gè)耦合電容；和兩個(gè)復(fù)位開關(guān)；其中兩個(gè)電源和一個(gè)偏移電源連接于所述D/A轉(zhuǎn)換器電路；所述開關(guān)選擇兩個(gè)電源之一；所述兩個(gè)復(fù)位開關(guān)控制電荷充電到所述電容；以及從所述“n”位數(shù)字視頻數(shù)據(jù)的高(“n”-“m”)位的電容的共用連接端輸出模擬信號(hào)和用作參考電勢(shì)的所述偏移電壓的電勢(shì)。9.一種具有有源矩陣顯示設(shè)備的電子設(shè)備，所述顯示設(shè)備具有一個(gè)D/A轉(zhuǎn)換器電路，包括作為被“n”位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的低“m”位(“n”和“m”自然數(shù)，“m”＜“n”)控制的低位電路部分的并且由包含被各個(gè)位控制的開關(guān)和連接于所述開關(guān)的電容的一個(gè)低位電路部分，其具有比單元電容大2m-1倍的一個(gè)電容；作為由“n”位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的高(“n”-“m”)位控制的高位電路部分的并且包括被各個(gè)位控制的開關(guān)和連接于所述開關(guān)的電容的一個(gè)高位電路部分，其具有比單元電容大2n-m-1倍的一個(gè)電容；一個(gè)由所述單元電容組成的把所述低位電路部分連接到所述高位電路部分的耦合電容；和兩個(gè)復(fù)位開關(guān)；其中兩個(gè)電源和一個(gè)偏移電源被輸入其中；所述兩個(gè)復(fù)位開關(guān)控制電荷充電到所述低位電路部分的各個(gè)電容和所述高位電路部分的各個(gè)電容；所述偏移電源輸入到所述高位電路部分的各個(gè)電容的共用連接端；所述低位電路部分的所述各個(gè)開關(guān)根據(jù)所述位信息選擇所述兩個(gè)電源之一，并且控制連接于所述各個(gè)開關(guān)的電容中電荷的充電和放電；所述高位電路部分的所述各個(gè)開關(guān)根據(jù)各個(gè)位信息選擇所述兩個(gè)電源之一，并且控制連接于所述各個(gè)開關(guān)的電容中電荷的充電和放電；以及從所述高位電路部分的所述共用連接端輸出模擬信號(hào)和用作參考電勢(shì)的所述偏移電源的電勢(shì)。10.一種具有有源矩陣顯示設(shè)備的電子設(shè)備，所述顯示設(shè)備具有一個(gè)D/A轉(zhuǎn)換器電路，包括作為被“n”位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的低“m”位(“n”和“m”自然數(shù)，“m”＜“n”)控制的低位電路部分的并且包含被各個(gè)位控制的開關(guān)和連接于所述開關(guān)的電容的一個(gè)低位電路部分，其具有比單元電容大2m-1倍的一個(gè)電容；作為由“n”位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的高(“n”-“m”)位控制的高位電路部分的并且包含被各個(gè)位控制的開關(guān)和連接于所述開關(guān)的電容的一個(gè)高位電路部分，其具有比單元電容大2n-m-1倍的一個(gè)電容；一個(gè)由所述單元電容組成的把所述低位電路部分連接到所述高位電路部分的耦合電容；和兩個(gè)復(fù)位開關(guān)；其中兩個(gè)電源VH和VL及一個(gè)偏移電源VB被輸入其中；所述偏移電源VB輸入到所述高位電路部分的各個(gè)電容的共用連接端；和從所述共用連接端輸出的輸出電壓Vout由表達(dá)式(6a)，(6b)，(7)和(8)表示。11.根據(jù)權(quán)利要求6的電子設(shè)備，特征在于所述顯示是有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備。12.根據(jù)權(quán)利要求6的電子設(shè)備，特征在于所述電子設(shè)備是投影儀。13.根據(jù)權(quán)利要求6的電子設(shè)備，特征在于所述電子設(shè)備是蜂窩電話。14.根據(jù)權(quán)利要求6的電子設(shè)備，特征在于所述電子設(shè)備是視頻攝像機(jī)。15.根據(jù)權(quán)利要求6的電子設(shè)備，特征在于所述電子設(shè)備是便攜式計(jì)算機(jī)。16.根據(jù)權(quán)利要求6的電子設(shè)備，特征在于所述電子設(shè)備是頭帶顯示設(shè)備。17.根據(jù)權(quán)利要求6的電子設(shè)備，特征在于所述電子設(shè)備是電子筆記本。18.根據(jù)權(quán)利要求7的電子設(shè)備，特征在于所述顯示是有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備。19.根據(jù)權(quán)利要求7的電子設(shè)備，特征在于所述電子設(shè)備是投影儀。20.根據(jù)權(quán)利要求7的電子設(shè)備，特征在于所述電子設(shè)備是蜂窩電話。21.根據(jù)權(quán)利要求7的電子設(shè)備，特征在于所述電子設(shè)備是視頻攝像機(jī)。22.根據(jù)權(quán)利要求7的電子設(shè)備，特征在于所述電子設(shè)備是便攜式計(jì)算機(jī)。23.根據(jù)權(quán)利要求7的電子設(shè)備，特征在于所述電子設(shè)備是頭帶顯示設(shè)備。24.根據(jù)權(quán)利要求7的電子設(shè)備，特征在于所述電子設(shè)備是電子筆記本。25.根據(jù)權(quán)利要求8的電子設(shè)備，特征在于所述顯示是有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備。26.根據(jù)權(quán)利要求8的電子設(shè)備，特征在于所述電子設(shè)備是投影儀。27.根據(jù)權(quán)利要求8的電子設(shè)備，特征在于所述電子設(shè)備是蜂窩電話。28.根據(jù)權(quán)利要求8的電子設(shè)備，特征在于所述電子設(shè)備是視頻攝像機(jī)。29.根據(jù)權(quán)利要求8的電子設(shè)備，特征在于所述電子設(shè)備是便攜式計(jì)算機(jī)。30.根據(jù)權(quán)利要求8的電子設(shè)備，特征在于所述電子設(shè)備是頭帶顯示設(shè)備。31.根據(jù)權(quán)利要求8的電子設(shè)備，特征在于所述電子設(shè)備是電子筆記本。32.根據(jù)權(quán)利要求9的電子設(shè)備，特征在于所述顯示是有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備。33.根據(jù)權(quán)利要求9的電子設(shè)備，特征在于所述電子設(shè)備是投影儀。34.根據(jù)權(quán)利要求9的電子設(shè)備，特征在于所述電子設(shè)備是蜂窩電話。35.根據(jù)權(quán)利要求9的電子設(shè)備，特征在于所述電子設(shè)備是視頻攝像機(jī)。36.根據(jù)權(quán)利要求9的電子設(shè)備，特征在于所述電子設(shè)備是便攜式計(jì)算機(jī)。37.根據(jù)權(quán)利要求9的電子設(shè)備，特征在于所述電子設(shè)備是頭帶顯示設(shè)備。38.根據(jù)權(quán)利要求9的電子設(shè)備，特征在于所述電子設(shè)備是電子筆記本。39.根據(jù)權(quán)利要求10的電子設(shè)備，特征在于所述顯示是有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備。40.根據(jù)權(quán)利要求10的電子設(shè)備，特征在于所述電子設(shè)備是投影儀。41.根據(jù)權(quán)利要求10的電子設(shè)備，特征在于所述電子設(shè)備是蜂窩電話。42.根據(jù)權(quán)利要求10的電子設(shè)備，特征在于所述電子設(shè)備是視頻攝像機(jī)。43.根據(jù)權(quán)利要求10的電子設(shè)備，特征在于所述電子設(shè)備是便攜式計(jì)算機(jī)。44.根據(jù)權(quán)利要求10的電子設(shè)備，特征在于所述電子設(shè)備是頭帶顯示設(shè)備。45.根據(jù)權(quán)利要求10的電子設(shè)備，特征在于所述電子設(shè)備是電子筆記本。全文摘要本發(fā)明涉及一種D/A轉(zhuǎn)換器電路,其能夠獨(dú)立地控制輸出電壓幅度V文檔編號(hào)H03M1/68GK1260640SQ9912787公開日2000年7月19日申請(qǐng)日期1999年12月3日優(yōu)先權(quán)日1998年12月3日發(fā)明者淺見(jiàn)宗廣,納光明,鹽野入豐,長(zhǎng)尾祥申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所