專利名稱：電子器件,尤其是以聲表面波工作的器件－ofw器件的制作方法
上述發(fā)明根據(jù)權(quán)利要求1前序部分所述涉及一電子器件，尤其是以聲表面被工作的器件-OFW器件。
在老的德國(guó)專利申請(qǐng)P4415411.9中描述了用于電子器件的罩蓋，尤其是用于以聲表面波工作的器件-OFW器件，其具有位于封閉基體的蓋帽上的器件結(jié)構(gòu)，其中，該蓋帽通過(guò)位于基體上的底蓋構(gòu)成，其在器件結(jié)構(gòu)的范圍內(nèi)含有用于接收的凹槽。該器件結(jié)構(gòu)通過(guò)此類的蓋帽盡最大可能地保護(hù)了外界環(huán)境的影響，該結(jié)構(gòu)通過(guò)位于壓電基體上的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)構(gòu)成。這主要用在老的德國(guó)專利申請(qǐng)中給出的罩蓋材料中。然而此保護(hù)層卻不能足夠抵制氣體、水蒸汽的擴(kuò)散和一定的化學(xué)物質(zhì)進(jìn)入。在某種材料的情況下，該罩蓋可以明顯地用于水蒸汽擴(kuò)散。以此并且通過(guò)化學(xué)物質(zhì)并不能進(jìn)一步保護(hù)該頻率的穩(wěn)定。
上述發(fā)明的任務(wù)在于，給出用于上述老專利中可知的封閉電子器件的措施，以此可以有效地保護(hù)以氣體擴(kuò)散，尤其是水蒸汽擴(kuò)散以及其他化學(xué)物質(zhì)形式的外境環(huán)境影響。
此任務(wù)通過(guò)權(quán)利要求1和2的特征部分的特征按照本發(fā)明的前述的電子器件解決。
本發(fā)明的改進(jìn)結(jié)構(gòu)位于從屬權(quán)利要求中。
下面借助附圖中所述的實(shí)施例詳細(xì)解釋本發(fā)明。


圖1按照本發(fā)明的第一實(shí)施例保護(hù)氣體擴(kuò)散的OFW器件的示意性措施，圖2按照本發(fā)明的措施保護(hù)氣體擴(kuò)散的相應(yīng)于圖1的示意性描述，圖3圖2實(shí)施例中的示意性部分描述的俯視圖。
按照?qǐng)D1，上述技術(shù)中以原理性描述的OFW器件通過(guò)壓電基體構(gòu)成，其位于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2上。在此導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中例如涉及叉指換能器、諧振器或反射器的電極指。如同開(kāi)頭所述的老德國(guó)專利申請(qǐng)所述，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2在基體1上通過(guò)罩蓋4封閉，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2位于基體1上。
為了該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2抵御氣體擴(kuò)散，尤其是水蒸汽擴(kuò)散或其他的化學(xué)物質(zhì)，其通過(guò)氣體擴(kuò)散阻擋或內(nèi)部保護(hù)層3覆蓋。對(duì)于此類的保護(hù)層3，材料層的順序考慮使用本發(fā)明的改進(jìn)結(jié)構(gòu)。
按照本發(fā)明的實(shí)施例，保護(hù)層3是由導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2的氧化材料構(gòu)成的薄層。因?yàn)樵搶?dǎo)電結(jié)構(gòu)一般電鋁構(gòu)成，該絕緣層可以有利地由氧化鋁(Al2O3)構(gòu)成。
考慮使用對(duì)于保護(hù)層3以及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2的氧化材料不同的氧化物，例如氧化硅。另外，保護(hù)層3也可以通過(guò)鎳，例如硅鎳構(gòu)成。一般地，構(gòu)成保護(hù)層3的內(nèi)材料層是由成組的氧化組、鎳、碳、氧化鎳、硫化物、硒化物或碲化物構(gòu)成。
如圖2所示，在本發(fā)明的其他改進(jìn)結(jié)構(gòu)中，附加覆蓋導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2的保護(hù)層3含有基體1和以保護(hù)層3覆蓋的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2覆蓋的其它保護(hù)層5。對(duì)于此保護(hù)層5考慮使用已經(jīng)論及的材料層。如圖3所示，此保護(hù)層覆蓋基體1和以保護(hù)層3覆蓋的具有連接面7的凹槽的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2。在圖3中沒(méi)有詳細(xì)描述圖1和圖2中的可選擇覆蓋導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2的保護(hù)層3。
在本發(fā)明的改進(jìn)中附加描述的保護(hù)層3和5在罩蓋上還含有保護(hù)層6，其氣體擴(kuò)散也是受限制的。為了清楚起見(jiàn)，在位于罩蓋4上的此保護(hù)層6可以是選擇性的實(shí)施結(jié)構(gòu)，其在圖2中劃出。
保護(hù)層6也可以使用上述的材料層。在此材料層中也可以使用有機(jī)樹(shù)脂，其一般對(duì)于所有所述的保護(hù)層3、5和6適用。
上述技術(shù)中的保護(hù)層的有利的制造方法為電磁生成，其中在電化學(xué)生成的氧化物的情況下，穩(wěn)定性是通過(guò)相位輻射和/或UV輻射形成以及通過(guò)離子射擊生成。該保護(hù)層是由Al2O3或AlN形成，以實(shí)現(xiàn)O--或N--的離子射擊。
為了保護(hù)層的附加沉積阻擋，可以通過(guò)金屬有機(jī)物進(jìn)行連接，例如硅烷。
該層的厚度以及濾波性能的確定可以通過(guò)其它的層結(jié)構(gòu)或?qū)尤コ繉?shí)現(xiàn)。
導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2能夠含有Al，Al+Si或Al+Ta。
權(quán)利要求
1.電子器件，尤其是以聲表面波工作的器件-OFW器件，具有位于基體(1)的上表面上的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(2)和位于基體(1)上的與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(2)相連的罩蓋(4)，其特征在于，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(2)通過(guò)阻擋氣體擴(kuò)散的保護(hù)層(3)覆蓋。
2.電子器件，尤其是以聲表面波工作的器件-OFW器件，具有位于基體(1)的上表面上的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(2)和位于基體(1)上的與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(2)相連的罩蓋(4)，其特征在于，至少該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(2)是通過(guò)惰性的保護(hù)層(3)覆蓋。
3.如權(quán)利要求1和/或2的器件，其特征在于，作為保護(hù)層(3)含有一由氧化物、鎳、碳、氧化鎳、硫化物、硒化物或碲化物所組成的有機(jī)惰性材料所組成的層。
4.如權(quán)利要求1到3之一的器件，其特征在于，作為保護(hù)層(3)含有由導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(2)的金屬氧化物構(gòu)成的層。
5.如權(quán)利要求1到3之一的器件，其特征在于，作為保護(hù)層(3)含有與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(2)的金屬的氧化物不同的氧化物所構(gòu)成的層。
6.如權(quán)利要求5的器件，其特征在于，含有與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(2)的金屬的氧化物不同的氧化物-氧化硅。
7.如權(quán)利要求1到3之一的器件，其特征在于，作為保護(hù)層(3)含有鎳層。
8.如權(quán)利要求7的器件，其特征在于，作為鎳含有硅-鎳。
9.如權(quán)利要求1到8之一的器件，其特征在于，基體(1)和由保護(hù)層(3)覆蓋的具有用于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(2)的連結(jié)面(7)-焊片-的凹槽的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(2)通過(guò)附加的保護(hù)層(5)覆蓋。
10.如權(quán)利要求1到9之一的器件，其特征在于，含有一個(gè)抵抗環(huán)境影響的保護(hù)層(6)。
11.如權(quán)利要求10的器件，其特征在于，罩蓋(4)上的保護(hù)層(6)通過(guò)權(quán)利要求2到8的材料構(gòu)成。
12.如權(quán)利要求1、9和10的器件，其特征在于，至少一層(3，5，6)是由有機(jī)的樹(shù)脂構(gòu)成。
13.如權(quán)利要求1到12之一的器件，其特征在于，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(2)含有Al，Al+Si或Al+Ta。
14.生產(chǎn)如權(quán)利要求1到13之一所述的器件的方法，其特征在于，至少一個(gè)保護(hù)層(3，5，6)是由電磁產(chǎn)生。
15.如權(quán)利要求14的方法，其特征在于，電磁產(chǎn)生的氧化物通過(guò)相位輻射和/或UV輻射進(jìn)行穩(wěn)定。
16.生產(chǎn)如權(quán)利要求1到13之一所述的器件的方法，其特征在于，至少一個(gè)保護(hù)層(3，5，6)是由離子射擊形成。
17.如權(quán)利要求16的方法，其特征在于，通過(guò)O--或N--的離子射擊實(shí)現(xiàn)由Al2O3或AlN構(gòu)成的保護(hù)層(3，5，6)。
18.如權(quán)利要求14到17的方法，其特征在于，反作用組是由金屬有機(jī)物的連接構(gòu)成。
19.如權(quán)利要求18的方法，其特征在于，使用硅作為金屬有機(jī)物的連接。
20.如權(quán)利要求14到19的方法，其特征在于，使用其它的層結(jié)構(gòu)或?qū)尤コ縼?lái)實(shí)現(xiàn)確定該保護(hù)層(3，5，6)的厚度。
全文摘要
在電子器件中,尤其是具有位于基體(1)上的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(2)的和與此相連的位于基體(1)上的罩蓋(4)的OFW器件中;至少該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(2)通過(guò)阻擋氣體擴(kuò)散的和惰性保護(hù)層(3)進(jìn)行覆蓋。
文檔編號(hào)H03H9/25GK1209225SQ96199940
公開(kāi)日1999年2月24日 申請(qǐng)日期1996年12月16日 優(yōu)先權(quán)日1995年12月21日
發(fā)明者W·帕爾, A·斯特澤爾, H·克呂格爾, J·馬吹 申請(qǐng)人:西門子松下部件公司