專利名稱：函數(shù)發(fā)生電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及適用了晶體振蕩頻率的溫度補(bǔ)償?shù)暮瘮?shù)發(fā)生電路。
近年，在電子機(jī)器方面要求機(jī)器小開型化、輕量化，希望更高的可靠性、更高的精度。在這樣的背景下，各種電子機(jī)器中在時鐘信號生成等方面多使用晶體振子。從而，希望使用了晶振的晶體振蕩電路的振蕩頻率也高度穩(wěn)定，特別是要求對于周圍溫度的變化振蕩頻率高度穩(wěn)定。這樣的晶振中被應(yīng)用最多的有厚度移動振子。
使用了厚度移動振子的晶體振蕩電路的振蕩頻率如果沒有溫度補(bǔ)償，已知對于周圍溫度Ta變化顯示以大略3次函數(shù)表示的很大變化。例如，振蕩頻率f(周圍溫度Ta)對于基準(zhǔn)頻率fo(基準(zhǔn)溫度To室溫)的比率在-30℃到+80℃的周圍溫度Ta的范圍內(nèi)顯示n+ppm(百萬分之幾)的變動。另外，基準(zhǔn)頻率fo也有分散性。這種振蕩頻率的變動和分散性在高精度的電子機(jī)器中成為嚴(yán)重的問題。從而，希望振蕩頻率更穩(wěn)定的晶體振蕩電路。例如，要求頻率比f/fo的變動是2.5ppm以內(nèi)，而且基準(zhǔn)頻率fo的分散性是3ppm以內(nèi)。
于是，在高精度的電子機(jī)器中一般是進(jìn)行晶振頻率的溫度補(bǔ)償例如在晶體振子上串聯(lián)變?nèi)荻O管(vaficap diode)，把相應(yīng)于周圍溫度Ta的補(bǔ)償電壓加到變?nèi)荻O管上。為使振蕩頻率f不隨周圍溫度Ta而變的補(bǔ)償電壓Vin由(1)式給出。
Vin＝-A(Ta-To)3+B(Ta-To)+C(1)這里，A、B、C均為非0的常數(shù)。即，式(1)的補(bǔ)償電壓Vin以周圍溫度Ta和基準(zhǔn)溫度To之差的3次函數(shù)表示。對應(yīng)于該3次函數(shù)的3次曲線是在Ta＝To的位置具有拐點(diǎn)的對稱曲線。
若依據(jù)以往的技術(shù)，把各溫度的離散補(bǔ)償電壓數(shù)據(jù)預(yù)先存入可編程序ROM中，從可編和序ROM讀出對應(yīng)于由溫度傳感器檢測出的周圍溫度Ta的數(shù)據(jù)，在D/A變換器中把該讀出的數(shù)據(jù)變換為模擬信號，把對應(yīng)于該模擬信號的補(bǔ)償電壓Vin給予變?nèi)荻O管。然而，在該以往技術(shù)中，存在著在補(bǔ)償電壓Vin中發(fā)生數(shù)字方式特有的量化噪聲并且在振蕩頻率f上表現(xiàn)為相位噪聲的問題。另外，在為提高溫度補(bǔ)償精度而要求大容量可編程ROM和高分解力的D/A變換器之點(diǎn)上也存在問題。
本發(fā)明的目的在于提供不使用大容量可編程ROM和高分解力的D/A變換器而能夠?qū)崿F(xiàn)晶振頻率的高精度補(bǔ)償?shù)暮瘮?shù)發(fā)生電路。
這達(dá)到該目的，本發(fā)明把用于發(fā)生與周圍溫度和基準(zhǔn)溫度之差的冪成比例的電流的函數(shù)發(fā)生電路用多個二極管列和為在其各二極管中流過電流的多個電流源構(gòu)成。具體地講，與本發(fā)明有關(guān)的函數(shù)發(fā)生電路構(gòu)成為具備具有由第1種個數(shù)的二極管構(gòu)成的第1串聯(lián)電路并把該第1串聯(lián)電路的第1端子電壓固定為基準(zhǔn)電壓的第1二極管列；使得在第1二極管列中流過不隨周圍溫度而變的固定電流而連接在第1串聯(lián)電路的第2端子上的第1電流源；具有由多于上述第1種個數(shù)的第2種個數(shù)的二極管構(gòu)成的第2串聯(lián)電路并把該第2串聯(lián)電路的第1端子電壓固定為基準(zhǔn)電壓的第2二極管列；使得在第2二極管列中流過與周圍溫度和基準(zhǔn)溫度之差成比例的電流而連接在第2串聯(lián)電路的第2端子的第2電流源；用于輸出電流的輸出端子；具有連接到該輸出端子的集電極的輸出晶體管；用于把第1串聯(lián)電路的第2端子電壓和第2串聯(lián)電路的第2端子電壓的差電壓供給到輸出晶體管的基極和發(fā)射極之間的電壓供給裝置。
若依據(jù)上述本發(fā)明的函數(shù)發(fā)生電路，例如，在分別把構(gòu)成第1串聯(lián)電路的二極管數(shù)設(shè)定為2，把構(gòu)成第2串聯(lián)電路的二極管數(shù)設(shè)定為3時，則發(fā)生與周圍溫度和基準(zhǔn)溫度之差的3次方成比例的輸出電流。若用NPN晶體管構(gòu)成輸出晶體管則經(jīng)由輸出端子在該NPN晶體管的集電極能夠吸收電流，若用PNP晶體管構(gòu)成輸出晶體管則經(jīng)由輸出端子能夠從該P(yáng)NP晶體管的集電極排出電流。從而，若采用互補(bǔ)結(jié)構(gòu)，則能夠構(gòu)成3次函數(shù)發(fā)生電路，使得例如在周圍溫度等于基準(zhǔn)溫度或高于基準(zhǔn)溫度時經(jīng)由輸出端子吸收與該周圍溫度和基準(zhǔn)溫度之差的3次方成比例的電流，而且在周圍溫度低于基準(zhǔn)溫度時經(jīng)由輸出端子排出與該周圍溫度和基準(zhǔn)溫度之差的3次方成比例的電流。進(jìn)而，通過利用該3次函數(shù)發(fā)生電路能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)生用于晶振電路的以上述(1)式表示的補(bǔ)償電壓的模擬式溫度補(bǔ)償電路。
圖1是與本發(fā)明有關(guān)的函數(shù)發(fā)生電路結(jié)構(gòu)例的電路圖。
圖2是與本發(fā)明有關(guān)的函數(shù)發(fā)生電路其它結(jié)構(gòu)例的電路圖。
圖3是與本發(fā)明有關(guān)的函數(shù)發(fā)生電路又一結(jié)構(gòu)例的電路圖。
圖4是與本發(fā)明有關(guān)的函數(shù)發(fā)生電路又一結(jié)構(gòu)例的電路圖。
圖5是與本發(fā)明有關(guān)的函數(shù)發(fā)生電路又一結(jié)構(gòu)例的電路圖。
圖6是與本發(fā)明有關(guān)的函數(shù)發(fā)生電路又一結(jié)構(gòu)例的電路圖。
圖7是與本發(fā)明有關(guān)的函數(shù)發(fā)生電路又一結(jié)構(gòu)例的電路圖。
圖8是與本發(fā)明有關(guān)的函數(shù)發(fā)生電路又一結(jié)構(gòu)例的電路圖。
圖9是圖1～圖8中各種電流源的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖10是與本發(fā)明有關(guān)的溫度補(bǔ)償型晶體振蕩器結(jié)構(gòu)例的框圖。
圖11是圖10中1次函數(shù)發(fā)生電路內(nèi)部結(jié)構(gòu)的框圖。
圖12是圖11中禁帶型電流電壓發(fā)生電路詳細(xì)結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖13是圖11中第1電流供給電路詳細(xì)結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖14是圖11中第2電流供給電路詳細(xì)結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖15是圖11中第3電流供給電路詳細(xì)結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖16是圖10中0次函數(shù)發(fā)生電路詳細(xì)結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖17是圖10中晶振電路詳細(xì)結(jié)構(gòu)的電路圖。
下面參照


與本發(fā)明有關(guān)的函數(shù)發(fā)生電路的具體例。
圖1中示出與本發(fā)明有關(guān)的函數(shù)發(fā)生電路的結(jié)構(gòu)例。圖1的電路在把N取為1以上的整數(shù)時，具有用分別在集電極上連接基極的NPN晶體管構(gòu)成的N個二極管2的串聯(lián)電路組成的二極管列11、用分別在集電極上連接基極的NPN晶體管構(gòu)成的N+1個二極管3的串聯(lián)電路組成的二極管列12。兩二極管列11、12的各陰級端子的電壓分別固定在接地電壓。圖1的電路還具有為使不依賴周圍的溫度的恒定電流流入二極管列11而向該二極管列11的陽極端子排出電流的電流源6、為使與周圍溫度和基準(zhǔn)溫度之差成比例的電流流入二極管列12而向該二極管列12的陽極端子排出電流的電流源7、用于輸出電流的輸出端子1、用于經(jīng)由該輸出端子1吸收電流的輸出電路18。兩電流源6、7上被供給電源電壓Vcc。輸出電路18由輸出NPN晶體管8和運(yùn)算放大器15構(gòu)成。輸出NPN晶體管8的集電極連接到輸出端子1，輸出NPN晶體管8的基極連接到二極管列12的陽極端子。運(yùn)算放大器15起到電壓跟隨器的作用，使得把與二極管列11的陽極端子電壓相等的電壓供給輸出NPN晶體管8的發(fā)射集。從而，二極管列12的陽極端子的電壓和二極管列11的陽極端子的電壓的差電壓供到輸出NPN晶體管8的基、射極之間。
設(shè)圖1的電路中從電流源6排出的電流為Io、從電流源7排出的電流為IT、二極管列11的陽極端子電壓為V1、二極管列12的陽極端子電壓為V2。另外，設(shè)各二極管及晶體管的飽和電流為Is。這時，V1＝NVTLn(Io/Is)(2)V2＝(N+1)VTLn(IT/Is)(3)VT＝kTa/q (4)這里，k是玻爾茲曼常數(shù)，q是電子的電荷量。若設(shè)輸出NPN晶體管8的集電極電流為I，則I＝Is·exp{(V2-V1)/VT} (5)從式(2)、(3)、(5)，可得到I＝Io(IT/Io)N+1(6)這里，若Ta≥To，則IT＝{(Ta-To)/To}Io(7)而若Ta＜To，則IT＝0 (8)即，電流源7在周圍溫度Ta等于基準(zhǔn)溫度To或小于基準(zhǔn)溫度To時阻斷電流向二極管列12的流入，在周圍溫度Ta高于基準(zhǔn)溫度時把隨周圍溫度Ta升高而增加的電流(與Ta-To成比例的電流)IT排出到二極管列12。這時，或(6)、(7)，在Ta≥To時可得到I＝Io{(Ta-To)/To}N+1(9)從而，經(jīng)由輸出端子1被吸收到輸出NPN晶體管8的集電極中的電流I與Ta-To的冪成比例。例如，若N＝2，則電流I與Ta-To的3次方成比例。
另外，若假定依據(jù)圖1的電路，則下列等式分別成立。如果Ta≥To，IT＝0(10)而如果Ta＜To，IT＝{|Ta-To|/To}Io(11)在Ta＜To時，可得到I＝Io{|Ta-To|/To}N+1(12)如以上所述，若依據(jù)圖1的電路，則能夠把與周圍溫度Ta和基準(zhǔn)溫度To之差的冪成比例的電流吸收到輸出端子1中。
圖2示出與本發(fā)明有關(guān)的函數(shù)發(fā)生電路的其它結(jié)構(gòu)例。圖2的電路具有用分別在集電極上連接了基極的PNP晶體管構(gòu)成的N個二極管4的串聯(lián)電路組成的二極管列13、用分別在集電極上連接于基極的PNP晶體管構(gòu)成的N+1個二極管5的串聯(lián)電路組成的二極管列14。兩個二極管列13、14的各陽極端子的電壓被分別固定為電源電壓Vcc。圖2的電路還具有使得從二極管列13流出不依賴周圍溫度的恒定電流那樣從該二極管列13的陰極端子吸收電流的電流源16、使得從二極管列14流出與周圍溫度和基準(zhǔn)溫度之差成比例的電流那樣從該二極管列14的陰極端吸收電流的電流源17、用于輸出電流的輸出端子1、用于經(jīng)由該輸出端子1排出電流的輸出電路28。輸出電路28由輸出PNP晶體管9和運(yùn)算放大器25構(gòu)成。輸出PNP晶體管9的集電極連接輸出端子1，輸出PNP晶體管9的基極分別連接二極管列14的陰極。運(yùn)算放大器25起到電壓跟隨器的作用，把與二極管列13的陰極端子電壓相同的電壓供給到輸出PNP晶體管9的發(fā)射極。從而，形成為二極管列13的陰極端子電壓和二極管列14的陰極端子電壓的差電壓供給到輸出PNP晶體管9的基、射極之間。
設(shè)在圖2的電路中，被電流源16吸收的電流為Io、被電流源17吸收的電流為IT、二極管列13的陰極端子電壓為V1、二極管列14的陰極端子電壓為V2。另外，設(shè)各二極管及晶體管的飽和電流為Is。這時，V1＝NVTLn(Io/Is) (13)V2＝(N+1)VTLn(IT/Is) (14)VT＝kTa/q (15)若設(shè)輸出晶體管9的集電極電流為I，則I＝Is·exp{(V1-V2)/VT}(16)從式(13)、(14)、(15)，可得到I＝Io(IT/Io)N+1(17)這里，若Ta≥To，則IT＝0 (18)成立，而若Ta＜To，則IT＝{|Ta-To|/To}Io(19)成立。即，電流源17在周圍溫度Ta與基準(zhǔn)溫度To相等或高于基準(zhǔn)溫度To時阻斷電流從二極管列14流出，而且在周圍溫度Ta低于基準(zhǔn)溫度時從二極管到14吸收伴隨周圍溫度Ta降低而增加的電流(與|Ta-To|成比例的電流)IT。這時，從式(17)、(19)，在Ta＜To時，可得到I＝Io{|Ta-To|/To}N+1(20)從而，經(jīng)由輸出端子1從輸出PNP晶體管9的集電極排出的電流I與|Ta-To|的冪成比例。例如，若N＝2，則電流I與|Ta-To|的3次方成比例。
還有，若依據(jù)圖2的電路，則如果Ta≥To，IT＝{(Ta-To)/To)Io(21)成立，而如果Ta＜To，IT＝0 (22)成立，在Ta≥To時，可得到I＝Io{(Ta-To)/To}N+1(23)如以上所述，若依據(jù)圖2的電路，則能夠從輸出端子1排出與周圍溫度Ta和基準(zhǔn)溫度To之差的冪成比例的電流。
圖3示出與本發(fā)明有關(guān)的函數(shù)發(fā)生電路的又一結(jié)構(gòu)例。圖3的電路是變更了圖1中輸出電路18的結(jié)構(gòu)的電路。圖3中的輸出電路28由輸出PNP晶體管9和運(yùn)算放大器25構(gòu)成。輸出PNP晶體管9的集電極連接輸出端子1，輸出PNP晶體管9的基極連接二極管列11的陽極端子。運(yùn)算放大器25起到電壓跟隨器的作用，把與二極管列12陽極端子的電壓相等的電壓供給到輸出PNP晶體管9的發(fā)射極。從而，形成為二極管列12的陽極端子電壓和二極管列11的陽極端子電壓的差電壓供給到輸出PNP晶體管9的基、射極之間。若依據(jù)圖3的電路，則和圖2相同，能夠從輸出端子1排出與周圍溫度Ta和基準(zhǔn)溫度To之差的冪成比例的電流。
另外，如果把圖2中的輸出電路28置換為由輸出NPN晶體管和運(yùn)算放大器構(gòu)成的輸出電路，則和圖1的情況相同，能夠把與周圍溫度Ta和基準(zhǔn)溫度To之差的冪成比例的電流吸收到輸出端子1。這種情況下，輸出NPN晶體管的集電極連接輸出端子1，該輸出NPN晶體管的基極連接二極管列13的陰極，運(yùn)算放大器起到電壓跟隨器的作用，把與二極管列14陰極端子電壓相等的電壓供給到輸出NPN晶體管的射極。
圖4示出與本發(fā)明有關(guān)的函數(shù)發(fā)生電路又一實(shí)施例。圖4的電路具有用分別在集電極連接基極的NPN晶體管構(gòu)成的N個二極管2的串聯(lián)電路組成的二極管列11、用分別在集電極連接基極的NPN晶體管構(gòu)成的N+2個二極管3的串聯(lián)電路組成的二極管列12。兩個二極管列11、12的各陰極端子的電壓分別被固定在接地電壓。圖4的電路還具有使得不依賴周圍溫度的恒定電流流入二極管列11而向該二極管列11的陽極端子排出的電流源6、使得與周圍溫度和基準(zhǔn)溫度之差成比例的電流流入二極管列12而向該二極管列12的陽極端子排出電流的電流源7、用于輸出電流的輸出端子1、用于經(jīng)由該輸出端子1吸收電流的輸出電路18。輸出電路18由以2個NPN晶體管8、19的達(dá)林頓連接電路構(gòu)成的輸出晶體管、用于構(gòu)成電流反射鏡電路的NPN晶體管20、起電壓跟隨器作用的運(yùn)算放大器15構(gòu)成。詳細(xì)地講，NPN晶體管8的集電極連接輸出端子1、NPN晶體管19的發(fā)射極連接NPN晶體管8的基極、NPN晶體管19的基極連接二極管列12的陽極端子。NPN晶體管19的集電極上供給電源電壓Vcc。NPN晶體管20從NPN晶體管19的發(fā)射極引出與流過二極管列11的電流相等的電流。運(yùn)算放大器15把與二極管列11陽極端子電壓相等的電壓供給NPN晶體管8的發(fā)射極。
設(shè)在圖4的電路中，從電流源6排出的電流為Io、從電流源7排出的電流為IT、二極管列11的陽極端子電壓為V1、二極管列12的陽極端子電壓為V2、NPN晶體管19的基、射極間電壓為V19。還有，設(shè)各二極管及晶體管的飽和電流為Is。這時，V1＝NVTLn(Io/Is) (24)V2＝(N+2)VTLn(IT/Is) (25)V19＝NVTLn(Io/Is) (26)VT＝kTa/q (27)若設(shè)NPN晶體管8的集電極電流為I，則I＝Is·exp{(V2-V1-V19)/VT} (28)從式(24)、(25)、(26)、(28)，可得到I＝Io(IT/Io)N+2(29)這里，設(shè)若Ta≥To，則IT＝{(Ta-To)/To}Io(30)成立，若Ta＜To，則IT＝0 (31)成立時，從式(29)、(30)，可得到在Ta≥To時，I＝Io{(Ta-To)/To}N+2(32)從而，經(jīng)由輸出端子1被NPN晶體管8的集電極吸收的電流I與Ta-To的冪成比例。例如，若N＝1，則電流I與Ta-To的3次方成比例。
還有，若依據(jù)圖4的電路，設(shè)如果Ta≥ToIT＝0 (33)成立，如果Ta＜ToIT＝{|Ta-To|/To}Io(34)成立，則在Ta＜To時可以得到
I＝Io{|Ta-To|/To}N+2(35)如以上所述，若依據(jù)圖4的電路，則能夠把與周圍溫度Ta和基準(zhǔn)溫度To之差的冪成比例的電流吸收到輸出端子1中。
圖5示出與本發(fā)明有關(guān)的函數(shù)發(fā)生電路又一結(jié)構(gòu)例。圖5的電路是從圖4的結(jié)構(gòu)中除去了NPN晶體管20的電路。若依據(jù)圖5的電路，則式(26)置換為V19＝VTLn{I/(hFE·Is)} (36)這里，hFE是NPN晶體管8、19的各電流放大率。從而，從式(24)、(25)、(36)、(28)，可以得到I＝Io(IT/Io)(N+2)/2·(hFE)1/2(37)這里，若設(shè)如果Ta≥ToIT＝{(Ta-To)/To}Io(38)成立，而如果Ta＜ToIT＝0(39)成立時，從式(37)、(38)，可得到在Ta≥To時，I＝Io{(Ta-To)/To}(N+2)/2·(hFE)1/2(40)從而，經(jīng)由輸出端子1被NPN晶體管8的集電極吸收的電流I與Ta-To的冪成比例。例如，若N＝4，則電流I與Ta-To的3次方成比例。
還有，若依據(jù)圖5的電路，設(shè)如果Ta≥ToIT＝0(41)成立，而如果Ta＜ToIT＝{|Ta-To|/To}Io(42)成立，則可得到在Ta＜To時I＝Io{|Ta-To|/To}(N+2)/2·(hFE)1/2(43)如以上所述，若依據(jù)圖5的電路，則能夠把與周圍溫度Ta和基準(zhǔn)溫度To之差的冪成比例的電流吸收到輸出端子1中。
圖6示出與本發(fā)明有關(guān)的函數(shù)發(fā)生電路又一結(jié)構(gòu)例。圖6的電路是組合圖1的電路和圖2的電路構(gòu)成的。但，N＝2。這里，設(shè)從電流源6排出的電流及被電流源16吸收的電流分別為Io，從電流源7排出的電流為IT1，被電流源17吸收的電流為IT2。
若依據(jù)圖6的電路，設(shè)如果Ta≥ToIT1＝{(Ta-To)/To}Io(44)IT2＝0 (45)成立，而如果Ta＜ToIT1＝0 (46)IT2＝{|Ta-To|/To}Io(47)成立時，則可得到在Ta≥To時I＝Io{(Ta-To)/To}3(48)在Ta＜To時I＝Io{|Ta-To|/To}3(49)從而，在Ta≥To時經(jīng)由輸出端子1被輸出NPN晶體管8的集電極吸收的式(48)的電流I與Ta-To的3次方成比例，而且在Ta＜To時經(jīng)由輸出端子1從輸出PNP晶體管9排出的式(49)的電流I與|Ta-To|的3次方成比例。
還有，若依據(jù)圖6的電路，設(shè)如果Ta≥ToIT1＝0 (50)IT2＝{(Ta-To)/To}Io(51)成立，而如果Ta＜ToIT1＝{|Ta-To|/To}Io(52)IT2＝0 (53)成立時，則可得到在Ta≥To時I＝Io{(Ta-To)/To}3(54)在Ta＜To時I＝Io{|Ta-To|/To}3(55)從而，在Ta≥To時經(jīng)由輸出端子1從輸出PNP晶體管9的集電極排出的式(54)的電流I與Ta-To的3次方成比例，而且在Ta＜To時經(jīng)由輸出端子1被輸出NPN晶體管8的集電極吸收的式(55)的電流I與|Ta-To|的3次方成比例。
如以上所述，若依據(jù)圖6的電路，則能夠根據(jù)周圍溫度Ta的范圍，把與周圍溫度Ta和基準(zhǔn)溫度To之差的3次方成比例的電流吸收到輸出端子1，并且把與周圍溫度Ta和基準(zhǔn)溫度To之差的3次方成比例的電流從輸出端子1排出。
圖7示出與本發(fā)明有關(guān)的函數(shù)發(fā)生電路又一實(shí)施例。圖7的電路是把圖6的2個電流源7、17置換為共同的電流源10的電路。圖7中的電流源10是被構(gòu)成為在Ta≥To時排出隨周圍溫度Ta升高而增加的電流(與Ta-To成比例的電流)，并且在Ta＜To時吸收隨周圍溫度Ta降低而增加的電流(與|Ta-To|成比例的電流)的雙極性電流源。從而，在Ta≥To時經(jīng)由輸出端子1被輸出NPN晶體管8的集電極吸收的電流與Ta-To的3次方成比例，并且在Ta＜To時經(jīng)由輸出端子1從輸出PNP晶體管9的集電極排出的電流與|Ta-To|的3次方成比例。另外，若設(shè)置為在Ta≥To時電流源10吸收與Ta-To成比例的電流，而在Ta＜To時電流源10排出與|Ta-To|成比例的電流，則在Ta≥To時經(jīng)由輸出端子1從輸出PNP晶體管9的集電極排出的電流與Ta-To的3次方成比例，而且在Ta＜To時經(jīng)由輸出端子1被NPN晶體管8的集電極吸收的電流與|Ta-To|的3次方成比例。
圖8示出與本發(fā)明有關(guān)的函數(shù)發(fā)生電路又一實(shí)施例。示于圖8的3次函數(shù)發(fā)生電路30是變更了圖7中4個二極管列11、12、13、14及2個輸出電路18、28的結(jié)構(gòu)的電路。圖8中，3個二極管列11、13、14中的各2個、2個和3個二極管2、4、5每一個都用NPN晶體管構(gòu)成。二極管列12中3個二極管內(nèi)2個用NPN晶體管、1個用PNP晶體管構(gòu)成。輸出電路18用5個NPN晶體管31、32、33、35、36和1個PNP晶體管34構(gòu)成，輸出電路28用5個PNP晶體管41、42、43、45、46和1個NPN晶體管44構(gòu)成。
若依據(jù)圖8的電路，則在PNP晶體管34的基、射極間被供給二極管列12的陽極端子電壓和二極管列11的陽極端子電壓的差電壓，對應(yīng)于該P(yáng)NP晶體管34的集電極電流的電流經(jīng)由輸出端子1被吸收。還有，NPN晶體管44的基、射極間被供給二極管列13的陰極端子電壓和二極管列14的陰極端子電壓的差電壓對應(yīng)于該NPN晶體管44的集電極電流的電流經(jīng)由輸出端子1被排出。圖8中的120表示流過輸出端子1的電流。
圖8電路的動作和圖7的情況相同。從而若設(shè)置為Ta≥To時電流源10排出隨周圍溫度Ta升高而增加的電流(與Ta-To成比例的電流)，而且在Ta＜To時電流源10吸收隨周圍溫度Ta降低而增加的電流(與|Ta-To|成比例的電流)，則在Ta≥To時經(jīng)由輸出端子1吸收的電流與Ta-To的3次方成比例，而且在Ta＜To時經(jīng)由輸出端子1排出的電流與|Ta-To|成比例。
圖9示出圖1～圖8中電流源6、7、10、16、17的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。圖9的電路由禁帶型電流電壓發(fā)生電路50、第1電流供給電路60、第2電流供給電路80、第3電流供給電路90構(gòu)成。
禁帶(帶隙)型電流電壓發(fā)生電路50由2個PNP晶體管51、57、5個NPN晶體管52、53、54、55、59、2個電阻56、58構(gòu)成，在PNP晶體管51中發(fā)生與周圍溫度Ta成比例增加的集電極電流。構(gòu)成電流反射鏡電路的2個PNP晶體管51、57的共同的基極電壓Vbt以周圍溫度Ta的1次函數(shù)表示。從而，PNP晶體管57的集電極電流It與周圍溫度Ta成比例增加，使用電阻58及NPN晶體管59生成的電壓Vt同樣地與周圍溫度Ta成比例增加。
第1電流供給電路60由運(yùn)算放大器61、3個晶體管62、67、68、3個PNP晶體管64、65、66、1個電阻63構(gòu)成。由運(yùn)算放大器61、NPN晶體管62和電阻63構(gòu)成的電路在NPN晶體管62內(nèi)從由禁帶型電流電壓發(fā)生電路50供給的電壓Vt中產(chǎn)生不依賴周圍溫度Ta的恒定集電極電流。該NPN晶體管62的集電極電流經(jīng)由PNP晶體管64、66被傳輸?shù)蕉俗?9，而且，經(jīng)由PNP晶體管64、65及NPN晶體管67、68被傳輸?shù)蕉俗?0。即，端子69起到排出不依賴于周圖溫度Ta的恒定電流的電流源6的端子的作用，端子70起到吸收不依賴于周圍溫度Ta的恒定電流的電流源16的作用。這里構(gòu)成電流反射鏡電路的2個NPN晶體管67、68的共同基極電壓Vbc是不依賴于周圍溫度Ta的恒定值。
第2電流供給電路80由帶隙型電流電壓發(fā)生電路50的共有基極電壓Vbt的3個PNP晶體管81、83、85和第1電流供給電路70的3個共有基極電壓Vbc的3個NPN晶體管82、84、86構(gòu)成。從而，3個PNP晶體管81、83、85的各集電極電流與周圍溫度Ta成比例增加，而相反3個NPN晶體管82、84、86的各集電極電流不依賴于周圍溫度是恒定的。PNP晶體管81的集電極電流和NPN晶體管82的集電極電流通過管腳連在一起而成為端子87的輸出電流。從而，通過調(diào)整電阻63的值，端子87起到在Ta≥To時排出隨周圍溫度Ta升高而增加的電流(與Ta-To成比例的電流)，而且在Ta＜To時吸收隨周圍溫度Ta的降低而增加的電流(與|Ta-To|成比例的電流)的雙極性電流源10的端子的作用。同樣PNP晶體管83及NPN晶體管84組成的晶體管對、PNP晶體管85及NPN晶體管86組成的晶體管對向第3電流供給電路90供給各個雙極性電流。
第3電流供給電路90由5個PNP晶體管91、92、93、99、100和5個NPN晶體管94、95、96、97、98構(gòu)成。通過這些晶體管的電流傳輸作用及電流阻斷作用，連接到PNP晶體管100集電極的端子101起到Ta≤To時阻斷電流輸出而在Ta＞To時排出隨周圍溫度Ta的升高而增加的電流的電流源7的端子的作用，與NPN晶體管98的集電極連接的端子102起到在Ta≥To時阻斷電流輸出，而在Ta＜To時吸收隨周圍溫度Ta的降低而增加的電流的電流源17的端子的作用。還有，與PNP晶體管93的休電極連接的端子103起到在Ta≥To時阻斷電流輸出而在Ta＜To時排出隨周圍溫度Ta的降低而增加的電流的電流源7a的端子的作用，與PNP晶體管95的集電極連接的端子104起到在Ta≤To時阻斷電流輸出而在Ta＞To時吸收隨周圍溫度Ta升高而增加的電流的電流源17a的端子的作用。另外，如果連接端子103和104，則能夠構(gòu)成Ta≥To時吸收隨周圍溫度Ta升高而增加的電流，而且在Ta＜To時排出隨周圍溫度Ta的降低而增加的電流的雙極性電流源。
圖10示出具備圖8的3次函數(shù)發(fā)生電路30的本發(fā)明的溫度補(bǔ)償型晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)例。圖10的結(jié)構(gòu)還具有控制器110、1次函數(shù)發(fā)生電路200、0次函數(shù)發(fā)生電路300、2個電阻111、112、變?nèi)荻O管113和晶振電路400?？刂破?10是用23個觸發(fā)器構(gòu)成的1個位移寄存器，接受串行數(shù)據(jù)信號Din及位移時鐘信號CLK的輸入，供給表示上述或(1)中4個常數(shù)A、B、C及To的信號。信號A、B、C及To分別是4比特、6比特、8比特及5比特的信號。1次函數(shù)發(fā)生電路200兼有接受信號A、B及To的輸入，為電流傳輸而供給不依賴于周圍溫度Ta的恒定基極電壓Vbc的功能、排出不依賴于周圍溫度Ta的恒定電流的電流源6的功能、吸收不依賴于周圍溫度Ta的恒定電流的電流源16的功能、在Ta≥To時排出與Ta-To成比例的電流而且在Ta＜To時吸收與|Ta-To|成比例的電流的電流源10的功能、在Ta≥To時排出與Ta-To成比例的電流而且在Ta＜To時吸收與|Ta-To|成比例的電流的電流源10a的功能。連接電流源6、10、16的3次函數(shù)發(fā)生電路30如上述，在Ta≥To時吸收與Ta-To的3次方成比例的電流，而且在Ta＜To時排出與|Ta-To|的3次方成比例的電流。圖10中的120表示3次函數(shù)發(fā)生電路30的雙極性輸出電流。0次函數(shù)發(fā)生發(fā)生電路300接受基極電壓Vbc及信號C的輸入，發(fā)生不依賴于周圍溫度Ta的恒定電壓Vc。2個電阻111、112和變?nèi)荻O管113的串聯(lián)電路構(gòu)成用于把作為1次函數(shù)發(fā)生電路200一種功能的電流源10a的輸出電流與3次函數(shù)發(fā)生電路30的輸出電流120之和變換為電壓，而且把由該變換得到的電壓和0次函數(shù)電路300的輸出電壓Vc之和作為補(bǔ)償電壓Vin供給晶振電路400的裝置。該補(bǔ)償電壓Vin由上述(1)給出。Vout是晶振電路400的輸出電壓。
圖11示出1次函數(shù)發(fā)生電路200的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。1次函數(shù)發(fā)生電路由禁帶(帶隙)型電流電壓發(fā)生電路250、第1電流供給電路260、第2電流供給電路280和第3電流供給電路290構(gòu)成。
圖12示出禁帶(帶隙)型電流電壓發(fā)生電路250的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。圖12的電路和圖8中的禁帶(帶隙)型電流電壓發(fā)生電路50一樣，由2個PNP晶體管251、257、5個NPN晶體管252、253、254、255、259、2個電阻256、258構(gòu)成。Vbt是用于傳輸以周圍溫度Ta的1次函數(shù)表示的電流的基極電壓，It是與周圍溫度Ta成比例增加的電流，Vt是與周圍溫度Ta成比例增加的電壓。
圖13示出第1電流供給電路260的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。圖13的電路和圖9中的第1電流供給電路60相同，具有運(yùn)算放大器261、3個NPN晶體管262、267、268、3個PNP晶體管264、265、266、1個電阻263。Vbc是不依賴于周圍溫度Ta的恒定基極電壓，供給電流傳輸。圖13的電路還具有對應(yīng)于5比特信號To共有基極電壓Vbc的5個PNP晶體管269、用于向NPN晶體管262的發(fā)射極電流反饋的5個PNP晶體管270、用于開關(guān)的5個NPN晶體管271。若根據(jù)5比特信號To變更5個NPN晶體管271中導(dǎo)通晶體管的個數(shù)，則相應(yīng)地改變電流源6、16的輸出電流。
圖14示出第2電流供給電路280的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。圖14的電路由對應(yīng)于4比特信號A共有基極電壓Vbt的4個PNP晶體管281、用于排出電流的4個PNP晶體管282、用于開關(guān)的4個NPN晶體管283、共有基極電壓Vbe的4個PNP晶體管284、構(gòu)成用于吸收電流的4個電流反射鏡電路的8個晶體管285、用于開關(guān)的4個NPN晶體管286構(gòu)成。若根據(jù)4比特信號A變更4個NPN晶體管283中導(dǎo)通晶體管的個數(shù)和4個NPN晶體管286中導(dǎo)通晶體管的個數(shù)，則相應(yīng)地改變電流源10的輸出電流。
圖15示出第3電流供給電路290的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。圖15的電路由對應(yīng)于6比特信號B共有基極電壓Vbt的6個PNP晶體管291、用于排出電流的6個PNP晶體管292、用于開關(guān)的6個NPN晶體管293、共有基極電壓Vbc的6個PNP晶體管294、構(gòu)成用于吸收電流的6個電流反射鏡電路的12個NPN晶體管295、用于開關(guān)的6個NPN晶體管296構(gòu)成。若根據(jù)6比特信號B變更6個NPN晶體管293中導(dǎo)通晶體管的個數(shù)和6個NPN晶體管296中導(dǎo)通晶體管的個數(shù)，則相應(yīng)地改變電流源10a的輸出電流。
圖16示出圖10中0次函數(shù)發(fā)生電路300的詳細(xì)結(jié)構(gòu)、圖16的電路具有由對應(yīng)于8比特信號共有基極電壓Vbc的8個PNP晶體管301、用于排出電流的8個PNP晶體管302、用于開關(guān)的8個NPN晶體管303構(gòu)成的電流源。圖16的電路還具有用于供給不依賴于周圍溫度的恒定電壓Vc的NPN晶體管304、2個電阻305、306、恒壓源307。若根據(jù)8比特信號C變更8個NPN晶體管303中導(dǎo)通晶體管的個數(shù)，則相應(yīng)地改變電壓Vc。
圖17示出晶振電路400的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。圖17的電路是科爾皮茲型晶振電路，由晶體振子401、NPN晶體管402、恒壓源403、4個電阻404、405、406、407、2個電容器408、409和1個耦合電容器410構(gòu)成。圖17中從NPN晶體管402的集電極導(dǎo)出輸出電壓Vout，也可以從該晶體管402的發(fā)射極導(dǎo)出輸出電壓Vout。
若依據(jù)使用圖10～圖17說明的上述溫度補(bǔ)償型晶體振蕩器，則不用大容量的可編程ROM和高分解力的D/A變換器就能夠?qū)崿F(xiàn)晶振頻率的高精度的溫度補(bǔ)償。
權(quán)利要求
1.函數(shù)發(fā)生電路，這是用于發(fā)生與周圍溫度和基準(zhǔn)溫度之差的冪成比例的電流的函數(shù)發(fā)生電路，特征在于具有包括由第1種個數(shù)的二極管構(gòu)成的第1串聯(lián)電路而且該第1串聯(lián)電路的第1端子電壓被固定為基準(zhǔn)電壓的第1二極管列；連接到上述第1串聯(lián)電路的第2端子使得不依賴于周圍溫度的恒定電流流過上述第1二極管列的第1電流源；包括由多于上述第1種個數(shù)的第2種個數(shù)的二極管構(gòu)成的第2串聯(lián)電路而且該第2串聯(lián)電路的第1端子電壓被固定為上述基準(zhǔn)電壓的第2二極管列；連接到上述第2串聯(lián)電路的第2端子使得與周圍溫度和基準(zhǔn)溫度之差成比例的電流流過上述第2二極管列的第2電流源；用于輸出電流的輸出端子；具有連接到上述輸出端子的集電極的輸出晶體管；用于把上述第1串聯(lián)電路的第2端子電壓和上述第2串聯(lián)電路的第2端子電壓的差電壓供給上述輸出晶體管的基極和發(fā)射極之間的電壓供給裝置。
2.權(quán)利要求1記述的函數(shù)發(fā)生電路，特征在于上述第1串聯(lián)電路的第1端子電壓和上述第2串聯(lián)電路的第1端子電壓被分別固定為接地電壓；上述第1及第2電流源各排出電流使得分別流入上述第1及第2二極管列。
3.權(quán)利要求1記述的函數(shù)發(fā)生電路，特征在于上述第1串聯(lián)電路的第1端子電壓和上述第2串聯(lián)電路的第1端子電壓被分別固定為電源電壓；上述第1及第2電流源各吸收電流使得分別從上述第1及第2二極管列流出電流。
4.權(quán)利要求1記述的函數(shù)發(fā)生電路，特征在于把構(gòu)成上述第1串聯(lián)電路的二極管數(shù)設(shè)定為2，把構(gòu)成上這第2串聯(lián)電路的二極管數(shù)設(shè)定為3。
5.權(quán)利要求1記述的函數(shù)發(fā)生電路，特征在于上述輸出晶體管由NPN晶體管構(gòu)成；上述電壓供給裝置具有用于把上述第1串聯(lián)電路的第2端子電壓和上述第2串聯(lián)電路的第2端子電壓之中從接地電壓測出的較高一方的電壓供給上述輸出晶體管的基極的裝置；用于把上述第1串聯(lián)電路的第2端子電壓和上述第2串聯(lián)電路的第2端子電壓之中從接地電壓測出的較低一方的電壓相等的電壓供給上述輸出晶體管的發(fā)射極的起到電壓跟隨器作用的運(yùn)算放大器。
6.權(quán)利要求1記述的函數(shù)發(fā)生電路，特征在于上述輸出晶體管由PNP晶體管構(gòu)成；上述電壓供給裝置具有用于把上述第1串聯(lián)電路的第2端子電壓和上述第2串聯(lián)電路的第2端子電壓之中從接地電壓測出的較低一方的電壓供給上述輸出晶體管的裝置；用于把與上述第1串聯(lián)電路的第2端子電壓和上述第2串聯(lián)電路的第2端子電壓之中從接地電壓測出的較高一方的電壓相等的電壓供給上述輸出晶體管的發(fā)射極的起到電壓跟隨器作用的運(yùn)算放大器。
7.權(quán)利要求1記述的函數(shù)發(fā)生裝置，特征在于上述輸出晶體管是用第1及第2同種晶體管構(gòu)成的復(fù)合晶體管，上述第1晶體管的集電極連接到上述輸出端子，上述第2晶體管的發(fā)射極連接到上述第1晶體管的基極，而且上述第2晶體管的集電極電壓被固定為上述基準(zhǔn)電壓。
8.權(quán)利要求7記述的函數(shù)發(fā)生電路，特征在于還具有用于使與流過上述第1二極管列的電流相等的電流流過上述第2晶體管的發(fā)射極的裝置。
9.函數(shù)發(fā)生電路，這是用于發(fā)生與周圍溫度和基準(zhǔn)溫度之差的3次方成比例的電流的函數(shù)發(fā)生電路，特征在于具有包括2個二極管構(gòu)成的第1串聯(lián)電路而且該第1串聯(lián)電路的第1端子電壓被固定為接地電壓的第1二極管列；用于向上述第1串聯(lián)電路的第2端子排出電流使得上述第1二極管列中流入不依賴于周圍溫度的恒定電流的第1電流源；包括3個二極管構(gòu)成的第2串聯(lián)電路而且該第2串聯(lián)電路的第1端子電壓被固定為接地電壓的第2二極管列；用于向上述第2串聯(lián)電路的第2端子排出電流使得上述第2二極管列中流入與周圍溫度和基準(zhǔn)溫度之差成比例的電流的第2電流源；包括2個二極管構(gòu)成的第3串聯(lián)電路而且該第3串聯(lián)電路的第1端子電壓被固定為電源電壓的第3二極管列；用于從上述第3串聯(lián)電路的第2端子吸收電流使得從上述第3二極管列流出不依賴于周圍溫度的恒定電流的第3電流源。；包括3個二極管構(gòu)成的第4串聯(lián)電路而且該第4串聯(lián)電路的第1端子電壓被固定為電源電壓的第4二極管列；用于從上述第4串聯(lián)電路的第2端子吸收電流使得從上述第4二極管列流出與周圍溫度和基準(zhǔn)溫度之差成比例的電流的第4電流源；用于輸出電流的輸出端子；集電極分別與上述輸出端子連接的輸出NPN晶體管及輸出PNP晶體管；用于把上述第1串聯(lián)電路的第2端子電壓和上述第2串聯(lián)電路的第2端子電壓的差電壓供給上述輸出NPN晶體管的基極和發(fā)射極之間使得經(jīng)由上述輸出NPN晶體管的基極和發(fā)射極之間使得經(jīng)由上述輸出NPN晶體管的集電極從上述輸出端子吸收電流的第1電壓供給裝置；用于把上述第3串聯(lián)電路的第2端子電壓和上述第4串聯(lián)電路的第2端子電壓的差電壓供給上述輸出PNP晶體管的基極和發(fā)射極之間使得經(jīng)由上述輸出PNP晶體管的集電極向上述輸出端了排出電流的第2電壓供給裝置。
10.權(quán)利要求9記述的函數(shù)發(fā)生電路，特征在于上述第2電流源具有在周圍溫度與基準(zhǔn)溫度相同或低于基準(zhǔn)溫度時阻斷電流向上述第2二極管列流入，而且在周圍溫度高于基準(zhǔn)溫度時把隨周圍溫度升高而增加的電流排出到上述第2二極管列的功能；上述第4電流源具有在周圍溫度與基準(zhǔn)溫度相同或高于基準(zhǔn)溫度時阻斷電流從上述第4二極管列流出，而且在周圍溫度低于基準(zhǔn)溫度時從上述第4二極管列吸收隨周圍溫度降低而增加的電流的功能。
11.權(quán)利要求9記述的函數(shù)發(fā)生電路，特征在于上述第2及第4串聯(lián)電路的各第2端子連接共同連接點(diǎn)，連接到該共同連接點(diǎn)的上述第2及第4電流源由用于在周圍溫度等于或高于基準(zhǔn)溫度時把與周圍溫度和基準(zhǔn)溫度之差成比例的電流排出到上述共同連接點(diǎn)，而且在周圍溫度低于基準(zhǔn)溫度時從上述共同連接點(diǎn)吸收該與周轉(zhuǎn)溫度和基準(zhǔn)溫度之差成比例的電流的共同的電流源構(gòu)成。
12.權(quán)利要求9記述的函數(shù)發(fā)生電路，特征在于上述第2電流源具有在周圍溫度等于或高于基準(zhǔn)溫度時阻斷電流向上述第2二極管列流入，而且在周圍溫度低于基準(zhǔn)溫度時把隨周圍溫度降低而增加的電流排出到上述第2二極管列的功能。上述第4電流源具有在周轉(zhuǎn)溫度等于或低于基準(zhǔn)溫度時阻斷電流從上述第4二極管列流出，而且在周圍溫度高于基準(zhǔn)溫度時把隨周圍溫度升高而增加的電流從上述第4二極管列吸收進(jìn)來的功能。
13.權(quán)利要求9記述的函數(shù)發(fā)生電路，特征在于上述第2及第4串聯(lián)電路的各第2端子連接到共同連接點(diǎn)，連接到該共同連接點(diǎn)的上述第2及第4電流源由用于在周圍溫度等于或高于基準(zhǔn)溫度時從上述共同連接點(diǎn)吸收與該周圍溫度和基準(zhǔn)溫度之差成比例的電流，而且在周圍溫度低于基準(zhǔn)溫度時把與該周圍溫度和基準(zhǔn)溫度之差成比例的電流排出到上述共同連接點(diǎn)的共同的電流源構(gòu)成。
14.函數(shù)發(fā)生電路，這是用于發(fā)生以周圍溫度和基準(zhǔn)溫度之差的3次函數(shù)表示的電壓使得進(jìn)行晶振電路的振蕩頻率的溫度補(bǔ)償?shù)暮瘮?shù)發(fā)生電路，特征在于具有用于輸出與周圍溫度和基準(zhǔn)溫度之差成比例的電流的第1電路；包含用于輸出電流的輸出端子，而且經(jīng)由上述輸出端子輸出與周圍溫度和基準(zhǔn)溫度之差的3次方成比例的電流的第2電路；用于發(fā)生不依賴于周圍溫度的恒定電壓的第3電路；用于把上述第1電路的輸出電流和上述第2電路的輸出電流之和變換為電壓，而且供給由該變換得到的電壓和上述第3電路的輸出電壓之和作為溫度補(bǔ)償電壓的裝置；其中，上述第2電路具有包括2個二極管構(gòu)成的第1串聯(lián)電路而且該第1串聯(lián)電路的第1端子電壓被固定為接地電壓的第1二極管列；用于向上述第1串聯(lián)電路的第2端子排出電流使得在上述第1二極管列中流入不依賴于周圍溫度的恒定電流的第1電流源；包括3個二極管構(gòu)成的第2串聯(lián)電路而且該第2串聯(lián)電路的第1端子電壓被固定為接地電壓的第2二極管列；用于向上述第2串聯(lián)電路的第2端子排出電流使得在上述第2二極管列中流入與周圍溫度和基準(zhǔn)溫度之差成比例的電流的第2電流源；包括2個二極管構(gòu)成的第3串聯(lián)電路而且該第3串聯(lián)電路第1端子電壓被固定為電源電壓的第3二極管列；用于從上述第3串聯(lián)電路的第2端子吸收電流使得從上述第3二極管列流出不依賴于周圍溫度的恒定電流的第3電流源；包括3個二極管構(gòu)成的第4串聯(lián)電路而且該第4串聯(lián)電路的第1端子電壓被固定為電源電壓的第4二極管列；用于從上述第4串聯(lián)電路的第2端子吸收電流使得從上述第4二極管列流出與周轉(zhuǎn)溫度和基準(zhǔn)溫度之差成比例的電流的第4電流源；分別把集電極連接到上述輸出端子的輸出NPN晶體管和輸出PNP晶體管；用于把上述第1串聯(lián)電路的第2端子電壓和上述第2串聯(lián)電路的第2端子電壓的差電壓供給到上述輸出NPN晶體管的基極和發(fā)射極之間使得經(jīng)由上述輸出NPN晶體管的集電極從上述輸出端子吸收電流的第1電壓供給裝置；用于把上述第3串聯(lián)電路的第2端子電壓和上述第4串聯(lián)電路的第2端子電壓的差電壓供給到上述輸出PNP晶體管的基極和發(fā)射極之間使得經(jīng)由上述輸出PNP晶體管的集電極向上述輸出端子排出電流的第2電壓供給裝置。
15.權(quán)利要求14記述的函數(shù)發(fā)生電路，特征在于上述第2及第4串聯(lián)電路的各第2端子連接到共同連接點(diǎn)，連接到該共同連接點(diǎn)的上述第2及第4電流源由用于在周圍溫度等于或高于基準(zhǔn)溫度時把與該周圍溫度和基準(zhǔn)溫度之差成比例的電流排出到上述共同連接點(diǎn)，而且在周圍溫度低于基準(zhǔn)溫度時從上述共同連接點(diǎn)吸收與該周圍溫度和基準(zhǔn)溫度之差成比例的電流的共同的電流源構(gòu)成。
16.權(quán)利要求14記述的函數(shù)發(fā)生電路，特征在于還具有用于設(shè)定周圍溫度與基準(zhǔn)溫度之差的3次方、1次方及0次方的各系數(shù)和基準(zhǔn)溫度以便規(guī)定上述3次函數(shù)的控制器。
全文摘要
發(fā)生與周圍溫度T
文檔編號H03L1/00GK1154000SQ96122810
公開日1997年7月9日 申請日期1996年9月26日 優(yōu)先權(quán)日1995年9月27日
發(fā)明者涉谷修壽, 竹內(nèi)久人, 江口誠, 佐伯高晴 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社