專利名稱：利用壓電襯底最佳切割角漏表面聲波的表面聲波器件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明總的涉及表面聲波(以下稱SAW)器件，特別涉及在包括GHz頻帶的超高頻帶有特別改善了通帶特性的表面聲波器件。
SAW器件廣泛用于包括那些便攜式的小型無線電通信設備的高頻電路中，構成濾波器和諧振器。這種SAW器件通常形成在單晶或多晶壓電襯底上。其中，廣泛使用的是設計成64°Y-X切割LiNbO3(鈮酸鋰)的單晶LiNbO3襯底(K.Yamanouchi.andK.Shiboyama.J.Appl.Phys.Vol.43.No.3.Macch 1972.PP8567和設計成36°Y-X切割LiTaO3(鉭酸鋰)的LiTaO3單晶襯底。64°Y-X切割LiNbO3是64°旋轉的Y-切割單晶LiNbO3板，其中表面聲波的傳播方向設定為X方向。另一方面，36°Y-X切割LiTaO3襯底36°旋轉的Y-切割單晶LiTaO3板，其中SAW的傳播方向設定為X方向。
但是，通用于LiNbO3或LiTaO3壓電襯底中的這些最佳化切割角，只有當電極在襯底上引起的質量作用忽略不計時，才具有最佳效果。因此，用上述方法構成的襯底，用在SAW激勵的波長與電極厚度比是足夠長的，小于幾百MHz的低頻帶中使用的SAW器件中時，常規(guī)切割角可能具有最佳結果，在最近的移動電話系統(tǒng)中所要求的GHz頻帶中應用這種襯底不合適，因為電極厚度不能再忽略不計，因而會減小SAW激勵的波長。這種高頻帶中、電極質量的作用是顯著的。
壓電襯底上的電極厚度增大時，SAW器件用在這種超高頻帶中，會擴大SAW濾波器的通帶，或減小SAW諧振器的電容量比r。這樣作顯然增大了機電耦合系數。但是，這種結構的SAW器件產生了從電極發(fā)射的體波增加的問題，使SAW的傳播損失增大。這種由電極發(fā)射的體波稱為SSBW(掠過表面的體聲波)，伴隨SSBW的SAW稱為LSAW(漏表面聲波)。使用設置在36°Y-X切割LiTaO3襯底上或64°Y-X切割LiNbO3襯底上的厚電極膜的SAW濾波器中的LSAW的傳播損失參見由Plessky等人做的研究(U.S.Plessky and c.s.Hartamann.Proc.19932EEEUltrasonics Symp.pp.1239-1242)和Edmonson等人的研究(P.J.Edmonson.and.c.k.Campbel l.proc.1994.IEEE.Ultransonics Symp.pp 75-79)。
用LSAW設計的并構成在36°Y-X切割LiTaO3襯底或在64°Y-X切割LiNbO3襯底上的常規(guī)SAW濾波器中，還應注意，當電極厚度小時，SAW的音頻接近體波的音速。這種情況下，由于從電極發(fā)射體波，在SAW濾波器的通帶附近出現虛假峰值。見Ueda等人的報道(M.Ueda et al.Proc.1994IEEEUltrasonicc Symp.PP143-146)。


圖1展示了由Ueda等人(op.cit)報道的虛假峰值A和B。從圖上看到，如上面注意到的，由于發(fā)射體波的結果，在SAW濾波器的通帶附近出現了虛假峰A和B。圖1所示結果是從在36°Y-X切割LiTaO3襯底上形成的，其上載有厚度為0.49μm的Al-Cu含金制成的叉指狀電極的SAW濾波器得到的。注意，電極厚度相當于SAW器件中激勵的SAW的波長的3％。
參見圖1，會發(fā)現，虛假峰B位于330MHz附近形成的通帶外邊。而峰A形成在通帶內并在其中形成不希望有的波紋。
SSBW的音速不隨電極厚度變化，相反，LSAW的音速隨SAW器件襯底上設置的電極厚度和附加質量變化，SAW器件在諸如GHz頻帶的高頻頻帶中工作時，LSAW的音速相對于SSBW的音速下降，引起SAW濾波器的通帶相對于虛假峰B漂移。由此，獲得SAW濾波器的所要求的平坦通帶特性。
但是，這種相應于SAW波長的電極厚度增大。由于引起所述的SSBW發(fā)射、導致LSAW損耗增大的問題。而且，這種電極厚度增大，引起SAW濾波器的形狀因素變壞。如已說明過的，SAW濾波器的形狀因素表示濾波器的陡峭度以及通帶寬度特性。更具體地說，SAW濾波器的形狀因素差，濾波器特性變寬的無限定。
而且，包括GHz頻帶的超高頻頻帶中用的SAW濾波器中，必須確保一定的電極厚度，以減小叉指狀電極的電阻值。這種增大電極厚度的要求與減小SAW器件的損耗和改善SAW器件形狀因素的要求相反。
本發(fā)明的總的目的是，提供一種克服了所述缺陷的新的有用的SAW器件。
本發(fā)明的更具體的目的是，提供一種在按最佳角切割的壓電襯底上構成的SAW器件，其中所述最佳角是相對于襯底上形成的電極厚度而言的。
本發(fā)明的另一目的是，提供一種其通帶避免了體波發(fā)射引起的虛假峰的SAW器件。
本發(fā)明的又一目的是，提供SAW器件，它包括單晶LiTaO3壓電襯底；設置于所述壓電襯底上和含主要成分Al的電極圖形；所述電極圖形的厚度范圍是所述壓電襯底表面上激勵的SAW的波長的0.03-0.15倍；所述壓電襯底從其Y軸朝其Z軸繞其X-軸定向旋轉，旋轉角范圍是大于38°，但小于46°。
本發(fā)明的另一目的是，提供SAW濾波器，它包括單晶LiTaO3壓電襯底；設置在所述壓電襯底表面上并含主要成分Al的電極圖形，所述電極圖形包括叉指式電極；所述電極圖形的厚度范圍是所述壓電襯底上激勵的SAW的波長的0.03-0.15倍；所述壓電襯底從其Y軸朝其z軸繞其X軸定向旋轉，其旋轉角度范圍是大于38℃但小于46°。
本發(fā)明的另一目的是，提供SAW諧振器，它包括單晶LiTaO3壓電襯底；設置在所述壓電襯底表面上并含主要成分Al的電極圖形，所述電極圖形包括叉指式電極；所述電極圖形的厚度范圍是所述壓電襯底表面上激勵的SAW的波長的0.03-0.15倍；所述壓電襯底從其Y軸朝其Z軸繞其X軸定向旋轉其旋轉角度范圍是大于38°，但小于46°。
所述叉指式電極包括第1電極組和第2電極組，所述第1電極組包括設置在所述壓電襯底的所述表面上，并共同連接到第1端的第1組指狀電極，所述第2電極組包括設置在所述壓電襯底的所述表面上并共同連接到第2端的第2組指狀電極，所述第1和第2組指狀電極排列成第2組指狀電極位于一對第1組指狀電極之間。
本發(fā)明的另一目的，提供SAW延遲線，它包括單晶LiTaO3壓電襯底；和設置在所述壓電襯底表面上并含主要成分Al的電極圖形，所述電極圖形形成叉指式電極；所述電極圖形的厚度范圍是所述壓電襯底的所述表面上激勵的SAW的波長的0.03-0.15倍。
所述壓電襯底從其Y軸朝其Z軸繞其X軸定向旋轉，其旋轉角度范圍是大于38°，但小于46°。
本發(fā)明的另一目的是提供SAW器件，它包括LiTaO3單晶壓電襯底；設置在所述壓電襯底表面上并含主要成分Au的電極圖形；所述電極圖形的厚度范圍是所述壓電襯底的所述表面上激勵的SAW的波長的0.004至0.21倍；所述壓電襯底由其Y軸朝其Z軸繞其X軸定向旋轉、其旋轉角度范圍是大于38°，但小于46°。
本發(fā)明的另一目的是，提供一種表面波器件，它包括LiTaO3單晶壓電襯底；設置在所述壓電襯底表面上并含主要成分Cu的電極圖形。
所述電極圖形的厚度范圍是所述壓電襯底的所述表面上激勵的SAW的波長的0.009-0.045倍；所述壓電襯底由其Y軸朝其Z軸繞其X其定向旋轉，其旋轉角度范圍是大于38°，但小于46°。
按本發(fā)明，LiTaO3襯底的切割角相對于襯底表面上設置的電極的質量最佳化，使損耗減至最小。由此，獲得了有寬通帶，形狀因素改善了的。包括SAW濾波器，SAW諧振器和SAW延遲線的各種SAW器件。
本發(fā)明的另一目的是，提供SAW器件，它包括LiNbO3單晶壓電襯底；設置在所述壓電襯底表面上并含主要成分Al的電極圖形；所述電極圖形的厚度范圍是所述襯底上激勵的SAW的波長的0.04-0.12倍；所述壓電襯底由其Y轉朝其Z軸繞其X軸定向旋轉，其旋轉角度范圍是大于66°，但小于74°。
本發(fā)明的另一目的是，提供SAW器件，它包括LiNbO3單晶壓電襯底；設置在所述壓電襯底上并含主要成分的Au的電極圖形；所述電極圖形的厚度范圍是所述壓電襯底的所述表面上激勵的SAW的波長的0.005-0.017倍；所述壓電襯底由其Y軸朝其Z軸繞其X軸定向旋轉，旋轉角度范圍是大于66°，但小于74°。
本發(fā)明的另一目的是，提供SAW器件，它包括LiNbO3單晶壓電襯底；設置在所述壓電襯底表面上并含主要成分Cu的電極圖形；
所述電極圖形的厚度范圍是所述壓電襯底的所述表面上激勵的SAW的波長的0.012-0.036倍；所述壓電襯底由其Y軸朝其Z軸繞其X軸定向旋轉，其旋轉角度范圍是大于66°，但小于74°。
按照本發(fā)明，LiNbO3襯底的切割角相對于襯底表面上設置的電極質量最佳化，使損耗減至最小。因此，獲得有寬通帶和形狀因素改善了的。包括SAW濾波器，SAW諧振器和SAW延遲線的各種SAW器件。
通過下面結合附圖對本發(fā)明的詳細說明。本發(fā)明的其它目的和特征將會變得顯而易見。
圖1是典型的常規(guī)SAW濾波器的通帶特性圖；圖2是壓電襯底切割角的說明圖；圖3是在襯底上設置各種厚度的均勻電極時，與LiTaO3襯底的切割角成函數關系的SAW器件的傳播損耗圖；圖4是在襯底上設置各種厚度的柵電極時與LiTaO3襯底的切割角成函數關系的SAW器件的傳播損耗圖；圖5是在有各種切割角的LiTaO3襯底上構成的SAW器件的中心頻率與溫度的關系曲線圖；圖6是在有各種切割角的LiTaO3襯底上構成的SAW器件的溫度與最小介入損耗之間的關系曲線圖；圖7是在襯底上設置有各種厚度的均勻電極時，與LiNbO3襯底的切割角有函數關系的SAW器件的傳播損耗圖；圖8A和8B分別是按本發(fā)明第1實施例的SAW濾波器結構的平面圖和電路圖；圖9是SAW濾波器的最小介入損耗與用于SAW濾波器的LiTaO3襯底的切割角之間的關系曲線圖；圖10A和10B分別是形狀因素確定圖和形狀圖素與LiTaO3襯底的切割角之間的關系曲線圖11是圖8A和8B所示SAW濾波器的通帶特性說明圖；圖12是圖8A和8B所示SAW器件用的LiTaO3襯底的切割角與機電耦合系數的關系曲線圖；圖13是圖8A和8B所示SAW器件中傳播損耗與LiTaO3襯底的各種切割角用的電極厚度之間的關系曲線圖；圖14是圖8A和8B所示SAW器件中傳播損耗與LiNaO3襯底的各種切割角用的電極厚度之間的關系曲線圖；圖15A和15B是第1實施例的SAW濾波器的改型；圖16是按本發(fā)明第1實施例的又一改型的SAW濾波器的等效電路圖；圖17是按本發(fā)明第2實施例的SAW濾波器結構的平面示意圖；圖18是按本發(fā)明第3實施例的SAW濾波器結構的平面示意圖；圖19是按本發(fā)明第4實施例的SAW濾波器結構的示意圖；圖20是按本發(fā)明第5實施例的單通道SAW諧振器的結構平面圖；圖21是按本發(fā)明第6實施例的雙通道SAW諧振器的結構平面圖。
首先，結合圖2和3說明本發(fā)明的原理。其中，圖2是壓電襯底切割角說明圖。
圖2表示所謂LiTaO3或LiNbO3單晶襯底的旋轉θ的Y-X切割角，應注意，壓電襯底先從有x、y、z晶軸的LiTaO3和LiNbO3單晶錠上切割下來的，這些襯底處于由Y軸朝z軸繞x軸旋轉θ角的狀態(tài)中。因此，旋轉角也稱作襯底的切割角。
圖3是在旋轉-θ的Y-X切割LiTaO3襯底上形成的SAW諧振器的介入損耗與襯底的各種切割角θ之間的關系圖。
如已說明過的，LiTaO3用作壓電襯底時，通用36°Y-X切割襯底，特別用36°切割角是為了將較長波長的SAW器件的傳播損耗減至最小。參見Nakamura K.et al.Shingaku Gihou US 77-42，1977 pp 31-36(在日本)的報道。在LiNbO3襯底上構成SAW器件時，襯底通用64°切割角。
參見圖3，實心圓表示用于SAW器件的LSAW的傳播損耗的計算結果，其中，在Y-X切割LiNbO3襯底的整個表面上形成均勻的假設厚度為0的電極。實心圓表示的曲線清楚地表明在36°切割角的傳播損耗。圖3的計算中利用Kovaes報道的晶格常數(Kovacs.G.et al. Proc.1990.IEEE Uitransonics SymP.pp 435-438)。
在諸如GHz頻帶的超高頻頻帶中的SAW器件的工作中，與SAW器件中激勵的SAW的波長相比，電極厚度不能忽略不計，正如已說明過的。因此，在這種超高頻頻帶中的SAW器件的工作中，電極增加的質量的作用是明顯的。本發(fā)明人發(fā)現，由于電極所加質量的作用，使圖3中表示傳播損耗的曲線按圖3中箭頭所指方向漂移，由實心圓表示的曲線移向空心圓表示的曲線。隨著傳播損耗的這種漂移，具有最小傳播損耗的最佳切割角θ由36°增到38°以上。圖3中，空心圓表示的結果是設置在壓電襯底上的電極厚度為10％的激勵SAW的波長的情形。
圖4展示出在LiTaO3襯底上設置Al柵電極的情況下，傳播損耗與襯底的切割角θ的函數關系。圖4中，虛線表示電極厚度為0的結果，實線表示的是電極厚度為激勵的SAW的波長的10％的正常情況。顯然，在襯底上設置有限厚度的柵電極時，提供最小傳播損耗的切割角朝更大切割角一邊漂移。
因此，圖3和4的結果清楚表明，用單晶LiTaO3作壓電襯底時，設定切割角θ大于常規(guī)使用的36°切割角，能實現GHz頻帶中的有高Q因素和低SAW衰減的SAW器件。而且，隨著電極的附加質量作用，在該超高頻中，如圖1所示，SAW濾波器的通帶的較低頻率邊的方向相對于虛假峰A和B漂移，使SAW器件中在通帶中基本上沒有波紋。正如已注意到的，虛假峰A和B是固體波發(fā)射引起的，電極的附加質量對它無影響。
而且，本發(fā)明人還發(fā)現，通帶的形狀因素也隨切割角θ變化。更具體地說，在切角θ大子常用的切割角的LiTaO3襯底上構成的SAW濾波器，不僅帶通特性得到改善。而且，還改善了GHz頻帶附近工作的形狀因素。
圖5和6分別表示LiTaO3襯底上構成的SAW濾波器的中心頻率和最小介入損耗與溫度的關系圖。圖5和圖6的實驗中，在后面結合圖8A和8B說明SAW濾器時會用到，其中電極形成在有各種切割角(36°y、40°y、42°y、44°y)的各個LiTaO3襯底上，電極厚度是襯底上激勵的SAW的波長的10％的正常值。
如圖5所清楚表示的，SAW濾波器顯示出基本相同的溫度-中心頻率關系，與襯底切割角無關。所看到的中心頻率分散應歸因于襯底中音速度化和器件制造工藝的變化。
而且，圖6表明，規(guī)定切割角為40°Y-44°Y至少能在正常溫度范圍-35°C至-85°C中，能使最小介入損耗如在36°Y-XLiTaO3襯底上構成的器件的最小介質損耗減小。特別是，能看到將切割角范圍設定為40°Y-42°Y也能減小最小介入損耗的變化量。
圖7表示對于不同的旋轉角θ的LiNbO3的Y-X襯底上設置的SAW諧振器的介入損耗。
參見圖7，虛線表示的曲線是在64°Y-XLiNb3襯底上構成的均勻電極，其厚度為0時LSAW的傳播損耗計算值。圖7的結果表明，設定切割角為64°，能實現的傳播損耗最小值。應注意，圖7所示計算，是用的Warner et al.T.Acoustic，Soc.Amer.42.1967.pp 1223-1231所報道的晶格常數做出的。
在諸如GHz頻帶的較短波長范圍中工作的情況下，由于電極厚度相對于激勵的SAW的波長而增大，因此，電極厚度的作用不再能忽略不計。本發(fā)明人發(fā)現，由于電極附加質量的這種作用。圖7的特性曲線如其中箭頭所指漂向切割角θ更大的一邊。結果，提供最小傳播損耗的切割角θ也向切割角更大的一邊漂移，如圖7中連續(xù)線所示。圖7中，應注意，連續(xù)線表示的是電極厚度為襯底上激勵的SAW的波長的3％的情況。
圖7所示結果清楚地表明，設定單晶LiNbO3襯底的切割角大于64°，能獲得高QSAW器件，它顯示出在GHz頻帶內SAW衰減下降。
以下將結合優(yōu)選實施例說明本發(fā)明。
圖8A和8B示出按本發(fā)明第1實施例的梯形SAW濾波器，8A是SAW濾波器平面布圖；圖8B是8A所示器件的等效電路圖。
參見圖8A，SAW濾波器構成在旋轉θ的Y-X切割的LiTaO3單晶或LiNbO3單晶襯底上，襯底上載有第1，第2，第3，第4和第5叉指式電極R1，R1’，R2，R2’和R2″。所述第1叉指式電極R1有連接到設置在襯底上的輸入端IN的輸入邊電極；第2叉指式電極R1′有連接到第1叉指式電極R1的輸出邊電極的輸入邊電極，和連接到第2叉指式電極R1′的輸出邊電極的輸出邊電極；第3叉指式電極R2有連接到第2叉指式電極R1′的輸入邊電極的輸入邊電極，和接地電極；第4叉指式電極R2′有連接到所述第1叉指式電極R1的所述輸出邊電極的輸入電極，和接地電極；第5叉指式電極R2″有連接到第2叉指式電極R1′的輸出邊電極的輸入電極、和接地電極。
要注意到，如圖8A所示，在每個叉指式電極R1，R1′，R2，R2′和R2″中，叉指式電極均包括輸入邊電極i和輸出邊電極O。輸入邊電極i包括按第1方向彼此平行延伸的多個指狀電極構成的第1組電極，與按X軸方向在襯底表面上傳播的SAW傳播路徑垂直。同樣，輸出邊電極O包括按第2，即相反方向相互平行延伸的多個指狀電極構成的第2組電極，其中第1組指狀電極與第2組指狀電極按SAW傳播方向交替地設置于襯底表面上。而且，每個叉指式電極R1，R1′，R2，R2′和R2″均帶有一對按X軸方向位于其兩邊的反射器R1。每個反射器R1的結構是有多個在指狀電極兩端相互連接的相互平行的指狀電極。本實施例中，應注意，叉指式電極R1，R1′，R2，R2′和R2″均用含Al和1wt％的Cu的鋁合金構成，其厚度為0.4μm，它相當于SAW濾波器的通帶波長的約10％。
圖8B是8A所示濾波器的等效電路圖。
參見圖8B，叉指式電極R1和R1′串聯連接，而叉指式電極R2，R2′和R2″在叉指式電極R1或R1的兩邊相互并聯連接。
圖9示出對圖8A和8B所示SAW濾波器用各種LiTaO3襯底11的切割角θ進行實驗得到的最小介入損耗。最小介入損耗包括SAW傳輸損耗和濾波器匹配損耗兩者的作用。但切割角θ不影響濾波器匹配損耗。
參見圖9。最小介入損耗隨襯底切割角的增大而減小，并在42°附近達到最小。切割角超過42°時，最小介入損耗又開始增大。因此，應注意LiTaO3的切割角規(guī)定在38°和46°之間，可使SAW濾波器中的最小介入損耗抑制在1.6dB。
本發(fā)明人發(fā)現，LiTaO3單晶襯底的切割角θ也影響SAW濾波器的形狀因素。
圖10A表示形狀因素的限定。
參見圖10A，限定形狀因素，用帶寬B1和B2表示為BW1/BW2，其中帶寬B1相當于提供1.5dB衰減的帶寬，而帶寬B2相當于提供20dB衰減的帶寬。隨著形狀因素的增大，濾波器特性變寬，使選擇性下降，通帶變窄。因此，要求SAW濾波器的形狀因素盡可能接近1。
圖10B示出對圖8A和8B所示SAW濾波器進行實驗獲得的形狀因素與壓電襯底的切割角θ的函數關系。
從圖10B中會發(fā)現，形狀因素隨切割角θ的增大而接近1，在切割角為42°時達到1.47的最小值。另一方面，切割角超過42°時，形狀因素再次增大，使濾波器的選擇性變壞。因而，本發(fā)明的濾波器中，要求最小介入損耗在1.6dB以下，形狀因素在1.55以下。因而，考慮到圖10B所示關系，最佳切割角θ范圍是40 °至46°，40°-44°最好。設定切割角為42°，實際上，最小介入損耗和形狀因素同時減至最小。
圖11展示出對圖8A和8B所示SAW濾波器進行實驗獲得的通帶特性。參見圖11，連續(xù)線表示42°Y-X切割LiTaO3用作襯底11的情形，虛線表示常規(guī)的36°Y-X切割LiTaO3用作襯底11的情形。
參見圖10，會發(fā)現，兩個濾波器的中心頻率在880MHz。其特征是有約40MHz的平坦通帶寬度，確定了在通帶外的銳角衰減斜率，其中，與用常規(guī)36°Y-X切割角的LibO3切割板作襯底11的常規(guī)SAW濾波器相比，用42°Y-X切割角的LiTaO3切割板作襯底的SAW濾波器，由于在通帶外有更徒峭的衰減斜率，因而其形狀因素得到改善。而且，如圖11所示，由SSBW引起的虛假峰A和B現在處于42°Y-X切割LiTaO3襯底上形成的SAW濾波器的通帶外。
圖12是旋轉θY-X切割LiTaO3襯底的機電耦合系數K2的計算值與襯底的各種切割角θ的關系曲線，該LiTaO3襯底上的電極厚度是襯底上激勵的SAW的波長的7％。用Kovaces op.cit報道的晶格常數作此計算。
參見圖12，將會發(fā)現，隨切割角θ增大機電耦合系數K2趨于下降。如眾所周知的，機電耦合系數是電壓電效應而在壓電晶體中伴生的能量比。
K2值太小時，會出現各種問題，如通帶減小，通帶中出現波紋等。因而，由圖12所示關系，要求切割角不超過46°。
圖13是圖8A和8B所示SAW濾波器上傳播損耗的計算值與各種切割角θ和叉指式電極的各種厚度的關系圖。也用圖9計算中用的Kovacs報道的晶格常數進行計算。
如圖13所示，θ角設定為38°以下時，損耗隨電極厚度成指數增大。另一方面，切割角超過40°時，損耗隨電極厚度增大而開始下降，并在特性曲線中出現最小值。特別是，設定電極厚度大于SAW波長的3％時會出現該最小值。換言之，圖13表明，要求電極的厚度用SAW的波長進行標準化，要求等于或大于3％波長。電極厚度超過該值時會出現這些問題，如電極構圖困難，電極厚度的微小變化都引起音頻顯著變化。因此，最好使電極厚度不超過SAW波長的15％。
圖13還顯示，當Al合金電極厚度超過SAW波長的15％時，任何切割角都會使傳播損耗急劇增大。這表明，在這種條件下體波發(fā)射變得突出。因此，考慮到上述問題，要求切割角在40°-46°范圍時電極厚度范圍是SAW波長的7-15％。最好是，切割角θ范圍在40°-44°時，電極厚度范圍是SAW波長的5-10％。
圖14是將圖8A和8B所示濾波器用的Y-X LiTaO3襯底改用Y-X LiNbO3單晶襯底11的SAW濾波器的傳播損耗計算結果與襯底11上的電極厚度關系圖。圖14所示計算中用Warner et al.op cit報道的晶格常數。
參見圖14，發(fā)現，隨電極厚度增大傳播損耗首先減至最小，然后開始指數增大，其中，電極厚度小于SAW波長3.5％時，在常規(guī)最佳切割角64°以下時出現傳播損耗最小值。另一方面，電極厚度大于激勵的SAW波長的4％時，在切割角超過66°處出現傳播損耗最小值。換言之，電極厚度相對于激勵的SAW波長不能忽略的SAW器件工作條件下，要求設定LiNbO3襯底的切割角大于66°。
另一方面，若電極厚度過大，電極厚度影響襯底中的音速。而且，這種厚電極構圖困難。為此，要求規(guī)定電極厚度不超過激勵的SAW波長的12％。同時，最好設定LiNbO3襯底切割角在66°和74°之間的范圍內。
如上所述，假定，用含Al和1wt％Cu的(Al.1wt％CU)鋁合金構成電極。因此，當其它成分用作電極時，電極的質量不同，因而電極厚度相應變化。例如，用Au作LiTiO3襯底上的電極時，最好使電極厚度選擇在0.4-2.1％波長范圍內，而且，用Cu作LiTaO3襯底上的電極時，電極厚度范圍最好是0.9-4.5％SAW波長。
用Y-X LiNbO3單晶作SAW器件襯底時，另一方面，最好設定Au電極厚度范圍是0.5-1.7％SAW波長。LiNbO3襯底上形成Cu電極時，電極厚度范圍最好設定為1.2-3.6％SAW波長。
圖15A是圖8A所示SAW濾波器的改型，圖15B是圖15A所示SAW濾波器的等效電路圖。
參見圖15A，上述實施例一樣，SAW濾波器構成在LiTaO3或LiNbO3Y-X單晶襯底上，其中，襯底上載有第1，第2，第3，和第4叉指式電極R1，R1′，R2′和R2。其中，所述第1叉指式電極R1有連接到設置于襯底上的輸入端IN的輸入邊電極；第2叉指式電極R1′有連接到第1叉指式電極R1的輸出邊電極的輸入邊電極和連到輸出端的輸出邊電極；第3叉指式電極R2′有連接到第1叉指式電極R1的輸出邊電極的輸入邊電極和接地電極；第4叉指式電極R2有連接到所述第2叉指式電極R1′的輸出邊電極的輸入邊電極，和接地的輸出電極。
參見圖15B，叉指式電極R1和R1′串聯，叉指式電極R2和R2′在叉指式電極R1′的兩端相互并聯連接。應注意，每個叉指式電極R1，R1′，R2、和R2′均形成諧振器。叉指式電極R1′的電容量是叉指式電極R1的電容量的一半。另一方面，叉指式電極R2′的電容量是R2的兩倍。
圖15A和15B所示SAW濾波器中，由于電極附加質量作用變得明顯，因此，也能使GHz頻帶中工作的傳播損耗減至最小，其措施是，設定LiTaO3襯底的切割角大于38°，但小于約46°。更好是大于約40°，但小于約46°；最好是約42°。另一方面，用Y-XLiNbO3作襯底時，SAW濾波器用在附加質量作用顯著的頻率范圍時，設定切割角大于66°，但小于74°。更好是約68°。
應注意，本發(fā)明不限于上述的梯形SAW濾波器，也能用于其它類型的SAW濾波器，各種SAW諧振器，各種SAW延遲線。例如，也可改變圖8A和8B所示SAW濾波器的電極圖形，構成圖16所示網絡型SAW濾波器。
圖17是按照本發(fā)有第2實施例的IIDT(叉指式-叉指式變換器)結構的SAW濾波器20的結構圖。
參見圖17，IIDT濾波器20構成在切割角為38°-46°的LiTaO3Y-X切割襯底11上，襯底上有厚度范圍是SAW波長的3％-15％的叉指式電極。另外，IIDT濾波器20也可構成在切割角為68°-72°的LiNbO3Y-X切割襯底上。這種情況下在襯底上構成厚度為激勵SAW波長4-12％的叉指式電極。濾波器20中，也激勵LSAW，這樣，激勵的LSAW在X-軸方向中傳播。
圖17所示結構中還發(fā)現，叉指式電極包括多個輸入邊叉指式電極R入和多個輸出邊叉指式電極R出，它們沿SAW的傳播路徑交替地設置。輸入邊叉指式電極R入共同連接到輸入端21，其中每一個包括，相互平行延伸的第1組指狀電極，和與SAW傳播路徑交叉的位于第1組指狀電極之間的第2組叉指式電極。通用的叉指式電極中，第1組指狀電極與第2組指狀電極在SAW的傳播方向交替重復。同樣，輸出邊叉指式電極R出共同連接到輸出端22，每一個包括，第1組相互平行延伸的指狀電極，和與SAW傳播路徑交叉的位于第1組指狀電極之間的第2組指狀電極。由此，輸入邊叉指式電極R入的第1組指狀電極按與輸出邊叉指式電極R出的第1組指狀電極相反的方向延伸。因此，有這種結構的SAW器件還有至少一半SAW的路徑形成面積被每個叉指式電極的電極覆蓋。而且，像通用的SAW器件中那樣，有一對位于叉指式電極R入和R出構成的電極行兩端并按X方向延伸的反射器R1。
這種結構的SAW濾波器中，使旋轉θ的Y-X切割的LiTaO3襯底的切割角θ和襯底上設置的電極厚度最佳化，可使損耗減至最小，改善形狀因素擴大通帶寬度。
圖18是按本發(fā)明第3實施例的SAW濾波器30的結構圖。
參見圖18，SAW濾波器30構成在旋轉θ的Y-X切割的LiTaO3或LiNbO3襯底上，其中切割角設定成用LiTaO3為襯底時是38°-46°，用LiNbO3為襯底時是66°-74°。SAW濾波器30還包括構成在襯底11上的叉指式電極，襯底11用LiTaO3構成時，電極厚度范圍是SAW波長的3-15％。用LiNbO3作襯底時，電極厚度范圍設定為4-12％SAW波長。本實施例中，也激勵LSAW，這樣LSAW也在X方向傳播。
要注意，SAW濾波器30的結構是，其中的輸入邊叉指式電極與圖17所示叉指式電極R入相同，輸出邊叉指式電極與圖17所示叉指式電極R出相同，并相互鄰近地設置。而且，與圖17所示器件相同，在電極R入和R出構成的電極行的兩邊設置-對反射器R1。圖18所示的SAW濾波器30中，與圖8A和8B所示器件一樣，用最佳化襯底切割角和電極厚度的方法，使損耗減至最小，并改善形狀因素。
圖19是按本發(fā)明第4實施例的單通SAW諧振器40的結構圖。
參見圖19，SAW諧振器40構成在切割角θ為38°-46°的LiTaO3的旋轉θ的Y-X切割襯底11上，與上述例相同?；蛘?，也能用切割角θ為66°-74°的Y-X切割LiNbO3單晶體襯底11。襯底上載有叉指式電極，當用Y-X切割LiTaO3單晶作襯底11時，電極厚度設定為襯底11上激勵的SAW的波長的3-15％。襯底用Y-XLiNbO3單晶時，電極厚度范圍設定為襯底上激勵的SAW的波長的4-12％。本例中，也激勵LSAW，因此，LSAW也按X方向傳播。
圖19中，會發(fā)現SAW濾波器40的結構中，有一對與圖17所示叉指式電極R入相同的輸入邊叉指式電極，和與圖17所示叉指式電極R出相同的輸出邊叉指式電極，叉指式電極R入位于叉指式電極R出兩邊，而彼此鄰近，其中，兩個叉指式電極R入共同連接到輸入端41，叉指式電極R出連接到輸出端42。而且，與圖17所示器件的情形相同，在電極R入和R出構成的電極行兩邊設置一對反射器R1。圖19中的SAW濾波器40中，與圖8A和8B所示器件的情形相同，用最佳化襯底切割角和電極厚度的方法，可使損耗減至最小并改善形狀因素。
圖20是按本發(fā)明第5實施例的單通SAW諧振器50的結構圖。
參見圖20，SAW諧振器50構成在切割角θ為38°-46°的旋轉θ的Y-X切割的LiTaO3襯底11上，其中，襯底11上載有叉指式電極R，其厚度是襯底11上激勵的LSAW波長的3％-15％。而且，也能用切割角θ為66°-74°的LiNbO3單晶Y-X切割板作襯底11。這種情況下，襯底11上的電極厚度是襯底11上激勵的LSAW波長的4-12％。本例中，LSAW也按X方向傳播。
應注意，SAW諧振器50裝有結構與圖11的叉指式電極R入或R出相同的單叉指式電極R，和位于電極R兩邊的X方向的一對反射器R1。在第1端51和第2端52上加電壓來驅動諧振器50，所述第1端51與叉指式電極R的第1組指狀電極連接，所述第2端52與同一叉指電極R的第2組指狀電極連接。
這種結構中，與圖8A和8B所示實施例相同，對襯底切割角θ和電極厚度最佳化，能獲得低損耗高Q值的諧振器。
圖21是按本發(fā)明第6實施例的雙通SAW諧振器60的結構圖。
參見圖21，SAW諧振器60構成在切割角θ為38°-46°的旋轉θ的Y-X切割LiTaO3襯底11上，襯底11上裝有叉指式電極，其厚度為襯底11上激勵的LSAW波長的3-15％。或者，襯底11也可用切割角θ為66°-74°的Y-X切割LiNbO3單晶。這時，襯底11上的電極厚度為襯底11上激勵的LSAW波長的4-12％。本發(fā)明中，LSAW也按X方向傳播。
圖21中會表示，SAW諧振器60的叉指電極包括連接到輸入端61的輸入電極R1，和連接到輸出端62的輸出電極R2，其中，輸入端61和輸出端62位于SAW上的X傳播方向。而且，每個叉指式電極R1和R2由第1叉指電極和第2叉指電極構成，其中，電極R1的第1叉指電極連接到輸入端61，電極R2的第1叉指電極連到輸出端62。而且，電極R1的第2叉指電極和電極R2的第2叉指電極相互連接，構成單接地圖形。電極R1和R2構成的叉指電極兩邊，像通用的那樣，設置一對反射器R1。
雙通SAW諧振器中，與圖8A和8B所示SAW濾波器一樣，用最佳化襯底切割角和叉指電極厚度的方法，使諧振器具有最大Q因子和最小損耗。
因此，本發(fā)明用于各種SAW濾波器和諧振器，如圖8A和8B所示的梯形結構，SAW濾波器。圖16所示網絡結構SAW濾波器，或圖17所示IIDT結構。而且，本發(fā)明也能用于多模濾波器。
而且，本發(fā)明不限于所述的SAW濾波器和SAW諧振器，而且也能用于SAW延遲線和SAW波導等。
本發(fā)明不限于所述實施例。還有各種改型，但這些均不脫離本發(fā)明的范圍。
權利要求
1一種表面聲波(SAW)器件，包括單晶LiTaO3壓電襯底；設置于所述壓電襯底表面上的并含主要成分鋁的電極圖形；其特征是所述電極圖形(R1，R1″，R2，R2′，R2″；R入、R出)的厚度范圍是所述壓電襯底的所述表面上激勵的表面聲波(SAW)波長的0.03-0.15倍；所述壓電襯底從其Y軸向其z軸繞其X軸定向旋轉，旋轉角θ大于38°，但小于46°。
2一種按權利要求1的SAW器件，其特征是，所述壓電襯底(11)是定向的，其中，所述旋轉角θ設定為40°-46°。
3一種按權利要求1的SAW器件，其特征是，所述電極圖形(R1，R1′，R2，R2′，R2″；R入，R出)的厚度范圍是所述壓電襯底上激勵的SAW波長的0.07-0.15倍。
4一種按權利要求1的SAW器件，其特征是，所述電極圖形(R1，R1′，R2，R2′，R2″；R入，R出)的厚度范圍是所述壓電襯底(11)上激勵的所述SAW波長的0.05-0.10倍，所述壓電襯底(11)是定向的，其中所述旋轉角(θ)設定在40-44°。
5一種按權利要求1的SAW器件，其特征是，所述壓電襯底(11)是定向的，其中所述旋轉角(θ)設定為42°。
6一種按權利要求1的SAW器件，其特征是，所述電極圖形(R1，R1′，R2，R2′，R2″；R入，R出)用A1構成。
7一種按權利要求1的SAW器件，其特征是，所述電極圖形(R1，R1′，R2，R2′和R2″；R入，R出)用含銅鋁合金構成。
8一種按權利要求1至7的SAW器件，其特征是，所述電極圖形(R1，R1′，R2，R2′，R2″；R入，R出)在所述壓電襯底表面上構成多個諧振器。
9一種表面聲波(SAW)濾波器，包括單晶LiTaO3壓電襯底(11)；設置在所述壓電襯底表面上并含主要成分A1的電極圖形(R1，R1′，R2，R2′，R2″；R入，R出)，所述電極圖形包括叉指式電極；其特征是所述電極圖形(R1，R1′，R2，R2′，R2″；R入，R出)的厚度范圍是所述壓電襯底的所述表面上激勵的SAW波長的0.03-0.15倍；所述壓電襯底(11)由其Y軸朝其Z軸繞其X軸定向旋轉，旋轉角(θ大于38°，但小于46°。
10一種按權利要求9的SAW濾波器，其特征是，所述電極圖形包括在所述壓電襯底(11)的所述表面上沿所述SAW路徑設置的第1叉指式電極(R入)和第2叉指式電極(R出)，所述第1和第2叉指式電極分別連接到輸入端(21)和輸出端(22)，其中，每個所述第1和第2叉指式電極(R入、R出)中，形成電極圖形的導體覆蓋壓電襯底(11)表面上形成SAW路徑面積的至少一半。
11一種按權利要求10的SAW濾波器，其特征是，所述第1叉指式電極(R入)包括多個第1組指狀電極，它們與所述壓電襯底底表面上的所述SAW路徑交叉，并共同連接到所述輸入端；多個第2組指狀電極，它們相互連接，交替地位于第1組指狀電極之間，因此，第1組與第2組指狀電極按所述SAW的所述路徑方向交替重復；所述第2叉指式電極(R出)包括多個第3組指狀電極，它們與所述壓電襯底表面上的SAW路徑交叉并共同連接到所述輸出端；和多個第4組指狀電極，它們相互連接，交叉地位于第3組指狀電極之間，因而，第3組和第4組指狀電極按所述SAW的路徑方向交替重復。
12一種按權利要求10的SAW濾波器，其特征是，設置多個第1和第2叉指式電極(R入，R出)，使所述第1和第2叉指式電極按所述SAW的所述路徑方向交替重復。
13一種按權利要求9的SAW濾波器，其特征是，所述電極圖形包括在所述壓電襯底表面上形成的第1和第2叉指電極(R1，R′)；構成在所述壓電襯底(11)表面上，并與所述SAW路徑交叉的所述第1叉指電極(R1)包括多個第1組指狀電極(i)，它們共同連接到輸入端(IN)；多個第2組指狀電極(O)，它們相互共連，并交替地位于所述第1組指狀電極之間，沿所述SAW的所述路徑第1組指狀電極(i)與第2組指狀電極(O)交替重復。所述壓電襯底表面上形成的并與所述SAW路徑交叉的所述第2叉指式電極(R1′)包括多個第3組指狀電極(i)，它們共同連接到第2組指叉電極(O)；和多個第4組指狀電極(O)，它們共同連接到輸出端(out)并設置在所述第3組指狀電極之間，因而，第3組指狀電極(i)和第4組指狀電極(O)沿所述SAW的所述路徑交替重復。
14一種按權利要求13的SAW濾波器，其特征是，所述電極圖形還包括設置于所述壓電襯底上并與所述SAW的所述路徑交叉的第3叉指式電極(R2′)和第4叉指式電極(R2)；所述第3叉指式電極(R2′)包括共同連到所述第2組指狀電極(O)的多個第5組指狀電極(i)；和共同連到地(GND)的第6組叉指式電極(O)，并交替地置于第5組指狀電極之間，因而，第5組指狀電極(i)與第6組指狀電極(O)沿所述SAW的所述路徑交替重復；所述第4叉指式電極包括共同連接到所述輸出端與第4組指狀電極連在一起的多個第7組指狀電極；和共同接地并交替置于所述第7組指狀電極之間的多個第8組指狀電極；因而，所述第7指狀電極(i)和第8指狀電極(O)沿所述SAW的所述路徑交替重復。
15一種按權利要求11的SAW濾波器，其特征是所述電極圖形還包括第3叉指式電極(R入)；所述第3叉指式電極包括共同連到所述輸入端(41)的多個第5組指狀電極，和交替地置于所述第5組電極之間的第6組指狀電極，其中，所述第3叉指式電極處于鄰近所述第2叉指式電極(R出)處。
16一種按權利要求9的SAW濾波器，其特征是，所述電極圖形包括在所述壓電襯底的所述表面上沿所述SAW的路徑設置的第1至和5叉指式電極(R1，R1′，R2，R2′，R2″)；所述第1叉指式電極(R1)包括共同連到輸入端(IN)的多個第1組指狀電極(i)，和交替地置于所述第1組指狀電極之間的多個第2組指狀電極，第1和第2組指狀電極均與所述襯底(11)的表面上的所述SAW的路徑交叉。所述第2叉指式電極(R1′)包括與所述第2組指狀電極共連的多個第3組指狀電極(i)，和共連到輸出端(out)的交替置于所述第3組指狀電極之間的多個第4組指狀電極(O)，所述第3和第4組指狀電極的每一個與所述襯底(11)的所述表面上的所述SAW的路徑交叉，所述第3叉指式電極(R2)包括共同連到所述第1組指狀電極的多個第5組指狀電極，共同接地(GND)的并交替地置于所述第5組指狀電極之間的第6組指狀電極(O)，第5和第6組指狀電極的每個電極均與所述襯底(11)表面上的所述SAW的路徑交叉，所述第4叉指式電極(R2′)包括共連到所述第2組指狀電極的多個第7組叉指式電極(i)，和共同接地(GND)并交替地置于所述第7組叉指式電極之間的第8組指狀電極(O)，第7和第8組指狀電極中的每個電極與襯底(11)表面上的所述SAW的路徑交叉，所述第5叉指式電極(R2″)包括共同連到所述第4組指狀電極的多個第9組叉指式電極(i)，和共同接地并交替地置于所述第9組指狀電極之間的第10組指狀電極(O)，所述第9組和第10組指狀電極中的每個電極與所述襯底上所述SAW的路徑交叉。
17一種表面聲波(SAW)諧振器，包括單晶LiTaO3壓電襯底(11)；設置于所述壓電襯底表面上并含主要成分Al的電極圖形，所述電極圖形包括叉指式電極，其特征是所述電極圖形的厚度范圍是所述壓電襯底表面上激勵的SAW波長的0.03-0.15倍；所述壓電襯底由其Y軸朝其Z軸繞其X軸定向旋轉，旋轉角大于38°，但小于46°，所述叉指式電極包括第1電極組(R1)和第2電極組(R2)，所述第1電極組(R1)包括設置在所述壓電襯底表面上的第1組指狀電極，它共同連接到第1端；所述第2電極組(R2)包括設置在所述壓電襯底表面上并共同連接到第2端的第2組指狀電極；所述第1和第2組指狀電極設置成第2組指狀電極位于一對第1組指狀電極之間。
18一種表面聲波(SAW)延遲線，包括單晶LiTaO3壓電襯底；設置于所述壓電襯底表面上并含主要成分Al的電極圖形(R入，R出)，所述電極圖形構成叉指式電極；其特征是所述電極圖形的厚度范圍是所述壓電襯底表面上激勵的SAW波長的0.03-0.15倍；所述壓電襯底由其Y軸朝其Z軸繞其X軸定向旋轉，旋轉角大于38°，但小于46°。
19一種表面聲波(SAW)器件，包括單晶LiNbO3壓電襯底(11)；設置于所述壓電襯底表面上并含主要成分Al的電極圖形((R1，R1′，R2，R2′，R2″；R入，R出)；其特征是所述電極圖形的厚度范圍是所述襯底上激勵的SAW波長的0.04-0.12倍；所述壓電襯底(11)由其Y軸朝其Z軸繞其X軸定向旋轉，旋轉角(θ)大于66°，但小于約74°。
20一種按權利要求19的SAW器件，其特征是，所述壓電襯底(11)是定向的，其中所述旋轉角(θ)設定在約68°-72°范圍內。
21一種按權利要求19的SAW器件，其特征是，所述電極圖形(R1，R1′，R2，R2′，R2″；R入，R出)的厚度范圍是所述壓電襯底上激勵的所述SAW的波長的約0.05-0.10倍。
22一種按權利要求19的SAW器件，其特征是，所述電極圖形(R1，R1′，R2，R2′，R2″；R入，R出)用Al構成。
23一種按權利要求19的SAW器件，其特征是，所述電極圖形(R1，R1′，R2，R2′，R2″；R入，R出)用含銅的鋁合金構成。
24一種按權利要求19的SAW器件，其特征是，所述電極圖形(R1，R1′，R2，R2′，R2″；R入，R出)在所述壓電襯底表面上形成包括多個諧振器的梯形濾波器。
25一種按權利要求19的SAW器件，其特征是，所述電極圖形(R，R1，R2)在所述壓電襯底(11)的表面上形成諧振器。
26一種按權利要求19的SAW器件，其特征是，所述電極圖形(R1，R1′，R2，R2′)在所述壓電襯底的所述表面上形成包括多個諧振器的網絡型濾波器。
27一種按權利要求19的SAW器件，其特征是，在所述壓電襯底表面上形成叉指式-叉指式換能濾波器。
28一種按權利要求19的SAW器件，其特征是，所述電極圖形(R1，R1′，R2，R2′，R2″；R入，R出)在所述壓電襯底表面上形成延遲線。
29一種按權利要求19的SAW器件，其特征是，所述電極圖形(R1，R1′，R2，R2′，R2″；R入，R出)在所述壓電襯底表面上形成多模濾波器。
30一種按權利要求19的SAW器件，其特征是，所述電極圖形包括在所述壓電襯底(11)的表面上沿所述SAW的路徑設置的第1至第5叉指式電極(R1，R1′，R2，R2′，R2″)。所述第1叉指式電極(R1)包括共同連接到輸入端(IN)的多個第1組指狀電極(i)，和交替地設置于所述第1組指狀電極之間的多個第2組指狀電極(O)，所述第1和第2組指狀電極中的每個電極與所述壓電襯底(11)表面上的所述SAW的路徑交叉；所述第2叉指式電極(R1′)包括共同連接到第2組指狀電極的多個第3組指狀電極(i)，和共同連接到輸出端(out)的并交替置于所述第3組指狀電極間的第4組指狀電極(O)，所述第3和第4組電極中的每個電極均與所述襯底(11)表面上的所述SAW的路徑交叉。所述第3叉指式電極(R2)包括共同連接到所述第1組指狀電極的多個第5組指狀電極(i)，和共同接地并交替地置于所述第5組指狀電極之間的第6組指狀電極，所述第5和第6組指狀電極中的每個電極均與所述襯底(11)表面上的所述SAW的路徑交叉，所述第4叉指式電極(R2’)包括共同連接到所述第2組指狀電極的多個第7組叉指式電極(i)和共同接地并交替地置于所述第7組叉指電極之間的多個第8組指狀電極(O)，第7和第8組指狀電極的每個電極與所述襯底(11)表面上的所述SAW的路徑交叉，所述第5叉指式電極(R2″)包括共同連接到所述第4組指狀電極的多個第9組指狀電極(i)，和共同接地并交替地置于所述第9組指狀電極之間的第10組指狀電極(O)，第9和第10組指狀電極中的每個電極與所述襯底(11)上的所述SAW的路徑交叉。
31一種表面聲波(SAW)器件，包括單晶LiTaO3壓電襯底(11)；設置在所述壓電襯底表面上并含主要成分Au的電極圖形(R1，R1′，R2，R2′，R2″；R入，R出)；其特征是所述電極圖形的厚度范圍是所述壓電襯底表面上所激勵的所述SAW波長的0.004-0.021倍；所述壓電襯底由其Y軸朝其Z軸繞其X軸定向旋轉，轉動角大于38°，但小于46°。
32一種表面聲波(SAW)器件，包括單晶LiTaO3壓電襯底(11)；設置于所述壓電襯底表面上并含主要成分Cu的電極圖形(R1，R1′，R2，R2′，R2″；R入，R出)；其特征是所述電極圖形厚度范圍是所述壓電襯底表面上所激勵的SAW波長的0.009-0.045倍；所述壓電襯底由其Y軸朝其Z軸繞其X軸定向旋轉，旋轉角大于38°，但小于約46°。
33一種表面聲波器件包括單晶LiNbO3壓電襯底(11)；設置在壓電襯底表面上的并含主要成分Au的電極圖形(R1，R1′，R2，R2′，R2″；R入，R出)；其特征是所述電極圖形的厚度范圍是所述壓電襯底表面上激勵的表面聲波波長的0.005-0.017倍；所述壓電襯底由其Y軸朝其Z軸繞其X軸定向旋轉，旋角大于66°但小于約74°。
34一種表面聲波(SAW)器件，包括單晶LiNbO3壓電襯底(11)；設置在所述壓電襯底表面上并含主要成分Cu的電極圖形(R1，R1′，R2，R2′，R2″，R入和R出)；其特征是所述電極圖形的厚度范圍是所述壓電襯底表面上所激勵的表面聲波波長的0.012-0.036倍；所述壓電襯底由其Y軸朝其Z軸繞其X軸定向旋轉，旋轉角大于66°，但小于約74°。
全文摘要
表面聲波(SAW)器件，包括單晶LiTaO
文檔編號H03H9/145GK1159100SQ96121058
公開日1997年9月10日 申請日期1996年10月11日 優(yōu)先權日1995年10月13日
發(fā)明者上田政則, 川內治, 遠藤剛, 伊形理, 橋本研他, 山口正恒 申請人:富士通株式會社