專利名稱：能量收集芯片型壓電諧振組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及能量收集芯片型壓電諧振組件，其改進(jìn)之處在于壓電諧振元件及其支承結(jié)構(gòu)。


圖1是表示一個(gè)傳統(tǒng)的能量收集壓電諧振元件1的實(shí)例的透視圖。該壓電諧振元件1由矩形壓電板2形成，且壓電板2沿箭頭P極化。在壓電板2的兩個(gè)主表面上形成第1和第2諧振電極3和4，并且在壓電板2的中心區(qū)域相互對(duì)置。第1諧振電極在壓電板2的上表面自中心區(qū)域向壓電板2的一端延伸。另一方面，第2諧振電極在壓電板2的下表面，自中心區(qū)域向壓電板2的另一端延伸。
在壓電諧振元件1中，第1和第2諧振電極3和4的重疊部分確定了能量收集諧振部分。當(dāng)把交流電壓加在第1和第2諧振電極3和4之間時(shí)，諧振部分被激勵(lì)為切變模式，以致振動(dòng)能量被收集于此。
作為使用上述壓電諧振元件1的芯片型電子組件，圖2示出一已知結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)是用粘合劑在壓電諧振元件1的上部和下部粘接上保護(hù)基片5和6而構(gòu)成的。保護(hù)基片5和6各自具有基本上是U形的側(cè)邊升起的形狀，以便保證留有由空腔5a和6a形成的空間，從而允許諧振部分的振動(dòng)。
在圖2示出的結(jié)構(gòu)中，必須備有具有空腔5a和6a的保護(hù)基片5和6，以便確保留有空間來允許壓電諧振元件1的振動(dòng)部分的振動(dòng)。也就是說，必須備有非平板型的保護(hù)基片，而且是具有空腔5a和6a的保護(hù)基片5和6。因此，保護(hù)基片5和6的成本增加，而且加工，如成型是復(fù)雜的。
另一方面，為了把平板型保護(hù)基片粘接到壓電諧振元件1上，可以想得到在壓電諧振元件1的上部和下部涂覆一定厚度的粘接劑，以此允許振動(dòng)部分的振動(dòng)。
然而，用粘接劑來可靠地限定兩個(gè)允許諧振部分振動(dòng)的空間是極為困難的。為了把粘接劑涂覆到壓電諧振元件1的上表面和下表面，而除開振動(dòng)部分，用以粘接平板型保護(hù)基片，例如，必須施加一定程度的壓力。但是，由于加壓，粘接劑可能朝諧振部分流去，或者流到側(cè)表面上，從而大大減小了粘接劑層的厚度。
已經(jīng)研究出一種方法，可以使用二液環(huán)氧樹脂粘接到或類似的粘接劑，并且使其暫時(shí)硬化，來確保粘接劑層的厚度，其后再粘接平板型保護(hù)基片。但是，在這種情況下，由于必須要暫時(shí)硬化粘接劑，所以需要長(zhǎng)的粘接時(shí)間，同時(shí)，采用這種方法要精確地控制粘接劑層的厚度是極其困難的。
本發(fā)明的目的在于提供一種芯片壓型電諧振組件，它包括有能夠可靠地由粘接劑層加以限定的空間結(jié)構(gòu)，這樣的空間允許能量收集壓電諧振元件的振動(dòng)部分的振動(dòng)，而且費(fèi)用低廉。
本發(fā)明針對(duì)一種能量收集芯片型壓電諧振組件，它包含有具有壓電體和第1與第2諧振電極的能量收集壓電諧振元件，而且所述的兩個(gè)電極是在壓電體的一對(duì)相對(duì)的表面上形成的，用來部分地收集諧振部分的振動(dòng)能量;第1和第2支承板，設(shè)置成從壓電諧振元件的兩個(gè)主表面來支承壓電諧振元件;在兩個(gè)不是諧振部分的區(qū)域內(nèi)，將壓電諧振元件和第1及第2支承板粘接在一起的粘接劑層，以便允許諧振部分的振動(dòng)和使壓電諧振元件與第1和第2支承板成為一整體，所述的粘接劑層含有粒狀固體。
根據(jù)本發(fā)明，粘接劑層內(nèi)所含的粒狀固體，可以由無機(jī)材料，例如金屬粉或陶瓷粉或其它適合的材料，組成的固體加以制備，但粒狀固體并沒有特別的限制。為了確保粘接劑層的厚度，粒狀固體最好具有3-10μm的顆粒尺寸。
根據(jù)本發(fā)明，含有粒狀固體的形成粘接劑層的粘接劑，也可以由任選的粘接劑制備，而沒有特別的限制。同時(shí)，粘接劑可以由環(huán)氧樹脂基粘接劑或硅酮樹脂基粘接劑加以制備，而且最好使用單液粘接劑，則可能簡(jiǎn)化加工步驟。
本發(fā)明中使用的能量收集壓電諧振元件，不限于前面述及的應(yīng)用厚度切變模式的壓電諧振元件，而可以由應(yīng)用厚度膨脹式或類似的壓電諧振元件來構(gòu)成，而無特別的限制。
在本發(fā)明的能量收集壓電諧振組件中，用于允許振動(dòng)部分振動(dòng)的空間，靠粘接劑層限定在壓電諧振元件與第1和第2支承板之間。因此，第1和第2支承板可由無空腔的平坦支承板形成，從而降低了成本，并簡(jiǎn)化了制備支承板的步驟。
即使在粘接時(shí)要對(duì)被粘接部分施加壓力，由于使用粒狀固體，也可以確保粘接劑層具有希望的厚度。因此，可以由粘接層高精度地限定用于允許諧振部分振動(dòng)的空間。
再則，壓電諧振元件由用粘接劑層粘接其上的第1和第2支承板進(jìn)行加強(qiáng)，因此，壓電板的厚度與現(xiàn)有技術(shù)相比，可以減小，并可以提供一種壓電諧振器，使之能用于高頻范圍，而不降低機(jī)械強(qiáng)度。
此外，圍繞諧振部分的振動(dòng)空間由粘劑層來保證。因此，可以靠簡(jiǎn)單地改變涂覆粘接劑層的區(qū)域的辦法對(duì)應(yīng)用在各種頻率的壓電諧振器，限定適當(dāng)?shù)恼駝?dòng)空間。
根據(jù)本發(fā)明的特別的方面，提供了一種與權(quán)利要求1相一致的芯片型壓電諧振組件，其中，壓電體的一對(duì)相對(duì)的表面是位于壓電體的一對(duì)側(cè)面上，第1和第2諧振電極分別在所述的一對(duì)表面上形成，芯片型壓電諧振組件還包括，第3和第4支承基片，它們疊放在第1和第2支承板與壓電諧振元件的粘接結(jié)構(gòu)的上表面和下表面上;以及第二粘接劑層，用來將第3和第4支承板粘接到壓諧振元件和第1與第2支承板的粘接結(jié)構(gòu)的上部和下部。由于包括有第3和第4支承板，所以諧振部分被封閉在由第1、第2、第3和第4支承板構(gòu)成的結(jié)構(gòu)中。因此，能獲得具有高可靠性的芯片型壓電諧振器。
通過下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的詳細(xì)說明，本發(fā)明上述內(nèi)容和其他目的、特征、各個(gè)方面，以及本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)都將變得更加明顯。
圖1是壓電諧振元件的透視圖;
圖2是應(yīng)用圖1所示壓電諧振元件的傳統(tǒng)壓電諧振器的透視圖;
圖3是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的能量收集壓電諧振器的透視圖;
圖4是圖3所示的能量收集壓電諧振器主要部分的分解透視圖;
圖5是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的壓電諧振器主要部分的部分放大剖視圖;
圖6是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，用于形成穿過壓電諧振器的芯片型組件的絕緣圓筒和金屬帽的透視圖;
圖7是根據(jù)第一實(shí)施例的改型的能量收集壓電諧振器的透視圖;
圖8是根據(jù)第一實(shí)施例的另一改型的能量收集壓電諧振器的透視圖;
圖9是本發(fā)明第二實(shí)施例的芯片型壓電諧振組件的分解透視圖;
圖10是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的芯片型壓電諧振組件的透視圖;
圖11是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的芯片型壓電諧振組件的分解透視圖;
圖12是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的芯片型壓電諧振組件的外形透視圖。
以下通過本發(fā)明的非限制性的實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行清晰地描述。
圖3是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的芯片型能量收集壓電諧振器11的透視圖，而圖4是展示其主要部分的分解透視圖。
能量收集壓電諧振器11具有這樣的結(jié)構(gòu)，即第1和第2支承板13和14，用粘接劑層15a和15d，粘接到壓電諧振元件12的兩個(gè)主表面上。
如圖4所示，壓電諧振元件具有由壓電材料，如壓電陶瓷制成的矩形壓電板16。壓電板16沿箭頭P，即與主表面平行的方向被極化。再有，第1和第2諧振電極17和18在壓電板16的兩個(gè)主表面上形成。第1諧振電極17在壓電板16的上表面形成，自一端向中心區(qū)域延伸。另一方面，第2諧振電極18在壓電板16的下表面形成，自另一端向中心區(qū)域延伸。標(biāo)號(hào)19a和19b代表引線電極。
第1和第2諧振電極17和18，安置成在壓電板16的中心區(qū)域彼此相對(duì)，以使諧振電極17和18的相對(duì)部分限定了能量收集諧振部分。當(dāng)把交流電壓加在諧振電極17和18之間時(shí)，諧振部分被激勵(lì)成為切變模式，以使振動(dòng)能量被收集在諧振部分。
壓電諧振元件12的諧振頻率，受壓電板16的厚度、寬度和長(zhǎng)度的影響。通常，減小壓電板16的厚度就可以提高諧振頻率。
參照?qǐng)D4，第1和第2支承板13和14，自壓電諧振元件12的上面和下面粘接到壓電板16上。這兩個(gè)支承板13和14適合于加強(qiáng)壓電諧振元件12。因此，支承板13和14可以由適合的材料，例如介電的陶瓷、壓電陶瓷、玻璃環(huán)氧樹脂組合材料或合成樹脂制成，例如就這些材料而言能夠達(dá)到加強(qiáng)的效果。
然而，支承板13和14最好由其熱膨脹系數(shù)與形成壓電板16的材料接近的材料制成，因?yàn)?，支承?3和14靠粘接劑層15a至15d與壓電諧振元件12成為一個(gè)整體。
根據(jù)本實(shí)施例的壓電諧振器11的特征在于，允許壓電諧振元件12的諧振部分振動(dòng)的空間，由粘接劑層15a至15d加以保證，且粘接劑層15a至15d含有能可靠地確保上述空間的粒狀固體。如圖5部分放大剖視圖所示，粘接劑層15a和15c含有粒狀固體20。粒狀固體20由適合的材料，例如陶瓷粉末、金屬粉末或合成樹脂粉末制成。由于有粒狀固體20，能夠確保粘接劑層15a和15c的厚度，即使將壓力加到粘接于壓電諧振元件12的支承板13和14上，這樣的厚度也足以保證所述的振動(dòng)空間。
因此，可以利用粘接劑層15a至15d，來可靠地限定高精度的允許壓電諧振器11的諧振部分振動(dòng)的空間。
在根據(jù)本實(shí)施例的壓電諧振器11中，壓電諧振元件12通過粘接劑層15a至15d與支承板13和15成為一整體，從而得到加強(qiáng)。因?yàn)?，可以減小形成壓電諧振元件12的壓電板16的厚度，從而容易適用于高頻。因此可以形成能在較高頻率下使用的壓電諧振器11，同時(shí)又保持壓電板16有恒定的長(zhǎng)度。
形成粘接劑層15a至15d的粘接劑，可以由適合的材料制備，例如環(huán)氧基粘接劑或者硅樹脂基粘接劑。
此外，在本實(shí)施例的壓電諧振器11中，支承板13和14簡(jiǎn)單地由平板型構(gòu)件形成。因此，支承板13和14也能在這樣的要求下制成，既沒有復(fù)雜的機(jī)械加工，又沒有復(fù)雜的成形毛坯。為了通過成型來得到圖2所示的保護(hù)基片5和6，以便確保諧振部分的振動(dòng)空間，必須制備具有與空腔5a和6a相應(yīng)大小凸出部分的模具。但是，所需振動(dòng)空間的尺寸是隨頻率而變化的。為了得到各種不同頻率的壓電諧振器，因此，需要不同類型的模具來形成不同尺寸的空腔5a和6a。
另一方面，由于不要求形成上述的空腔，就可以靠費(fèi)用低的模壓來有效的得到支承板13和14。再有，包圍諧振部分的振動(dòng)空間，通過簡(jiǎn)單地改變圖4中示出的粘接劑層15a至15d的長(zhǎng)度X來得到可靠的保證。由于振動(dòng)空間的尺寸是如上文的方式加以改變，所以，當(dāng)使用不同頻率的壓電諧振元件12時(shí)，可以通過簡(jiǎn)單地改變本實(shí)施例的粘接劑層15a至15d的長(zhǎng)度X，來可靠地限定允許諧振部分振動(dòng)的振動(dòng)空間。
由于本實(shí)施例的能量收集壓電諧振器11，能用于圖3所示的結(jié)構(gòu)中，所以可以通過將金屬帽31，安放到起外電極作用的圓柱形的絕緣圓筒30上，把圖3示出的能量收集壓電諧振器11插入絕緣圓筒30，然后再把與金屬帽31類似的另一金屬帽，安放在絕緣圓筒30的另一端，如圖6所示，來形成芯片型壓電諧振器。在這種情況下，金屬帽31和安放在絕緣圓筒30另一端的金屬帽，通過導(dǎo)電的粘接劑或通過焊接，分別與前面提及的引線電極19a和19b進(jìn)行電連接。
當(dāng)將本實(shí)施例用于這樣的芯片型壓電諧振器時(shí)，壓電諧振器11中的壓電板的長(zhǎng)度可以標(biāo)準(zhǔn)化，因此，可以使制備用的絕緣圓筒30和金屬帽31的尺寸也標(biāo)準(zhǔn)化。
圖7是根據(jù)圖3中所示的能量收集壓電諧振器11的改型的能量收集壓電諧振器41的透視圖。在圖7的能量收集壓電諧振器41中，在支承板14的側(cè)表面上有電極42，用以獲得電容。因此，在電極42與兩側(cè)的引線電極19a和19b之間形成了電容，從而可以形成三接線端的電容性壓電振蕩器，帶有起與外部連接端作用的引線電極19a和19b及電極42。這種改型的其余地方類似于第一實(shí)施例中相應(yīng)的部分，因此，與第一實(shí)施例相同的那些部分，用相同的參考標(biāo)號(hào)來代表，在此省略累贅的描述。
圖8示出了根據(jù)第一實(shí)施例的另一改型的壓電諧振器51。如圖8所示，附加的引線電極52a和52b，可在與提供有引線電極19a和19b的側(cè)面相對(duì)的那個(gè)側(cè)面上形成。
再則，在圖7和圖8示出的能量收集壓電諧振器41和51中，可以可靠地限定允許諧振部分振動(dòng)的空間，因?yàn)檎辰觿?5a至15d含有類似于第一實(shí)施例的壓電諧振器11的粒狀固體。
現(xiàn)在參照?qǐng)D9和10，對(duì)根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的芯片型壓電諧振元件進(jìn)行描述。
如圖9所示，采用厚度切變模式的壓電諧振元件62，被用于根據(jù)該實(shí)施例的芯片型壓電諧振組件中。再有，第1和第2支承板63和64靠粘接劑層65a和65d粘接到壓電諧振元件62的一對(duì)相對(duì)的側(cè)面上。
壓電諧振元件62是采用厚度切變模式的壓電諧振元件，它類似于圖4中示出的壓電諧振元件12。也就是說，壓電諧振元件62具有由壓電材料例如壓電陶瓷制成的壓電體66。壓電體66沿箭頭P極化，即沿與那對(duì)相對(duì)的側(cè)面平行的方向極化。再有，第1和第2諧振電極67和68，在壓電體的一對(duì)側(cè)面上形成。第1諧振電極67形成在壓電體的一個(gè)側(cè)面上，自一端向中心區(qū)域延伸。另一方面，第2諧振電極68形成在壓電體的另一側(cè)面上，自另一端向中心區(qū)延伸。第1和第2諧振電極67和68，在壓電體66的中心區(qū)域，通過壓電體66彼此相對(duì)而置。因此，諧振電極67和68的相對(duì)部分，確定了能量收集諧振部分。因此，當(dāng)把交流電壓加到諧振電極67和68之間時(shí)，諧振部分被激勵(lì)為切變模式，以便諧振能量在此諧振部分被收集。
第1和第2支承板63和64，自壓電諧振元件62的一對(duì)側(cè)面外側(cè)，粘接到壓電體66上。支承板63和64適合于加強(qiáng)壓電諧振元件62，這類似于圖4中示出的支承板13和14。因此，支承板63和64可以由類似于用于支承板13和14的的材料制成。
再則，類似于支承板13和14，支承板63和64最好由具有與壓電體66接近的熱膨脹系數(shù)的材料制成。
在本實(shí)施例中，允許壓電諧振元件62的諧振部分振動(dòng)的空間，靠粘接劑層65a至65d給予確保，粘接劑層65a至65d含有能可靠確保所述空間的粒狀固體。因此，即使沿粘接方向，把壓力施加到被粘接于壓電諧振元件62的支承板63和64上，粘接劑層65a至65d有足夠的厚度來保證振動(dòng)空間。
另外，在本實(shí)施例中，壓電諧振元件62靠支承板63和64加強(qiáng)，從而可以減小壓電體的那對(duì)側(cè)面之間的距離，因此，容易適用于高頻范圍。因而，可以形成能用于較高頻率的壓電諧振組件61，同時(shí)保持壓電體為恒定的長(zhǎng)度。
用來形成粘接劑層65a至65d的粘接劑，可以由與形成粘接劑層15a至15d的粘接劑相類似的粘接劑來制備。
根據(jù)本實(shí)施例，支承板63和64，如上所述那樣，被粘接到壓電諧振元件62的側(cè)面部分，從而形成諧振板69。
引線電極67a和68a在諧振板69的上表面形成，分別伸到諧振板69的外周邊緣。再有，引線電極67a和68a分別與諧振電極67和68進(jìn)行電連接。
作為封接諧振部分的第三和第四支承板的封接基片70和71，被粘接到諧振板69的上部和下部。這兩塊封接基片70和71通過粘接劑層72和73進(jìn)行粘接，而粘接劑層72和73分別形成在封接基片70和71的上表面和下表面。粘接劑層73在其中央具有矩形開口部分73a，且粘接劑層72在其中央也具有矩形開口部分。這些矩形開口部分，適合于在所述諧振部分的之上和之下限定允許壓電諧振元件62的諧振部分振動(dòng)的空間。
粘接劑層72和73也最好由適合的粘接劑制備，例如，環(huán)氧基粘接劑，或者硅樹脂基粘接劑，而且這些粘接劑都含有上述的與粘接劑層65a至65d類似的粒狀固體。因此，可以在諧振部分之上和之下可靠地限定允許振動(dòng)的空間。
然而，粘接劑層72和73可以改變?yōu)橛刹缓罟腆w的粘接劑制成。
通過把封接基片70和71粘接到諧振部分69上并適當(dāng)?shù)匦纬赏獠侩姌O，可以得到圖10中示出的芯片型壓電諧振組件61。在該芯片型壓電諧振組件61中，外部電極74和75形成在層狀體的外表面，而該層狀體是由諧振板69和封接基片70與71堆疊形成的。外部電極74與引線電極67a形成電連接，從而電連接至諧振電極67。類似地，外部電極75與另一引線電極68a形成電連接，并通過引線電極68a與諧振電極68進(jìn)行電連接。
在圖10示出的芯片型壓電諧振組件61中，外部電極74和75覆蓋在以上述方式得到的層狀體的兩個(gè)外周緣上。因此，芯片型壓電諧振組件61，可以表面安裝在印刷線路板上的導(dǎo)線布圖上，這類似于其它的片式電子部件。
亦即，外部電極74和75覆蓋形成于芯片型壓電諧振組件61的底表面，一對(duì)側(cè)表面和上表面。
圖11是根據(jù)本發(fā)明第三個(gè)實(shí)施例的芯片型壓電諧振組件81的分解透視圖，而圖12是第三個(gè)實(shí)施例的芯片型壓電諧振組件81的透視圖。
參考圖11，利用厚度膨脹模式的壓電諧振器82，在本實(shí)施例中得到應(yīng)用。該壓電諧振器82由矩形壓電板83來形成。第1諧振電極84，在壓電極83的上表面中央處形成，而第2諧振電極85，在通過壓電板83與第1諧振電極84相對(duì)而置的下表面的中央處形成。諧振電極84和85通過導(dǎo)電的連接部分86和87，分別與引線電極88和89進(jìn)行電連接。引線電極88和89分別在壓電板83的上表面和下表面上形成。
壓電板83被這樣極化，以致極化軸調(diào)整在厚度方向。因此，當(dāng)在諧振電極84和85之間加上交流電壓時(shí)，壓電諧振器就作為利用厚度膨脹模式的能量收集壓電諧振器而工作。
根據(jù)本實(shí)施例，封接基片91和92分別粘接到壓電諧振器82的上表面和下表面上，用以封接諧振部分。封接基片91和92靠粘接劑層93和94粘合。粘接到層94在其中央具有矩形的開口部分94a，而粘接劑層93也在其中央具有矩形的開口部分。這兩個(gè)開口適合于限定允許諧振部分的振動(dòng)的空間，而該諧振部分是由在其上面和下面對(duì)置的諧振電極84和85形成的。因此，開口部分94a不一定具有矩形的平面形狀，而可以具有另外的形狀，例如圓形。
在本實(shí)施例中，粘接劑層93和94由按下述方式制備的材料制成，即把上述的粒狀固體摻入適合的粘接劑，例如硅樹脂基粘接劑或環(huán)氧樹脂基粘接劑。因此，即使粘接到壓電諧振器82的上面部分和下面部分的封接基片91和92沿厚度方向被加壓，也可以在諧振部分之上和之下可靠地限定允許振動(dòng)的空間。
根據(jù)本實(shí)施例，用來在諧振部分之上和之下限定允許振動(dòng)的空間以及封接諧振部分的封接基片91和92，也適合于加強(qiáng)壓電諧振器82。也就是說，壓電諧振器82由堆疊在其上的封接基片91和92得以加強(qiáng)，因此可以減小形成壓電諧振器82的壓電板83的厚度，從而容易適用于高頻范圍。
在本實(shí)施例中，外部電極95和96，在如圖12所示那樣得到的層狀體的表面上形成，類似于第2實(shí)施例。外部電極95和96這樣形成，以致覆蓋層狀體的底部表面、一對(duì)側(cè)表面和上表面，因此外部電極95和96，分別與引線電極88和89進(jìn)行電連接。
在本實(shí)施例中，外部電極95和96在層狀體的外表面上形成，因此，根據(jù)本實(shí)施例的芯片型壓電諧振組件81，能夠表面安裝在印刷線路板上的導(dǎo)線布圖上。
正如從參照?qǐng)D11和12所描述的實(shí)施例可清楚地理解到，根據(jù)本發(fā)明還可以使用厚度膨脹模式的壓電諧振元件。
盡管已經(jīng)對(duì)本發(fā)明作了詳細(xì)的描述和圖解說明，但可以清楚地理解這僅是解說和例子，并不受其限制，本發(fā)明的精神和范圍只由權(quán)利要求來限制。
權(quán)利要求
1.一種能量收集芯片型壓電諧振組件，包括能量收集壓電諧振元件，具有壓電體和部分地形成在壓電體上的第一和第二諧振電極；第一和第二支承板，它們被配置成從所述壓電體的一對(duì)相對(duì)表面對(duì)所述壓電諧振元件加以支承；和粘接劑層，用于在非諧振部分的區(qū)域中，使所述壓電諧振元件與所述第一和第二支承板相互粘接，以便允許所述諧振部分的振動(dòng)以及使所述壓電諧振元件與所述第一和第二支承板成為一個(gè)整體；所述粘接劑含有粒狀固體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的芯片型壓電諧振組件，其中所述粒狀固體的顆粒尺寸在3-10μm范圍之內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的芯片型壓電諧振組件，其中所述壓電體是壓電板，所述一對(duì)相對(duì)的表面，是所述壓電板的兩個(gè)主表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的芯片型壓電諧振組件，還包括第一和第二引線電極，它們與所述第一和第二諧振電極進(jìn)行電連接，并被設(shè)置在通過粘接所述壓電體和所述第一與第二支承板形成的結(jié)構(gòu)體的外表面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的芯片型壓電諧振組件，其中所述第一和第二引線電極，形成作為所述芯片型壓電諧振組件的外部電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求4的芯片型壓電諧振組件，還包括絕緣圓筒和安放在所述絕緣圓筒兩端的金屬帽，起外部電極的作用，通過粘接所述壓電諧振元件和第一與第二支承板形成的結(jié)構(gòu)被插入所述的絕緣圓筒之中。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的芯片型壓電諧振組件，其中所述第一和第二引線電極分別與安放在所述絕緣圓筒兩端的金屬帽進(jìn)行電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求4的芯片型壓電諧振組件，還包括至少在第一和第二支承板之一上形成的電容導(dǎo)出電極，由所述電容導(dǎo)出電極和所述第一與第二引線電極中至少之一形成的電容器。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任何一項(xiàng)的芯片型壓電諧振組件，其中所述壓電諧振元件是利用厚度切變模式的。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的芯片型壓電諧振組件，其中所述壓電體的一對(duì)相對(duì)表面位于所述壓電體的所述一對(duì)側(cè)面上，所述第一和第二諧振電極分別形成在所述一對(duì)側(cè)面上;所述芯片型壓電諧振組件還包括第三和第四支承板，它們堆疊在由所述第一和第二支承板與所述壓電諧振元件粘接而形成的結(jié)構(gòu)的上表面和下表面上;和第二粘接劑層，用來將所述第三和第四支承板，粘接到所述壓電諧振元件與所述第一和第二支承板的粘接結(jié)構(gòu)的上部分和下部分上。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的芯片型壓電諧振組件，其中所述第二粘接劑層含有粒狀固體。
12.根據(jù)權(quán)利要求10的芯片型壓電諧振組件，還包括第一和第二引線電極，它們形成在粘接結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)主表面上，并與所述第一和第二諧振元件進(jìn)行電連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的芯片型壓電諧振組件，還包括一對(duì)形成在其外表面的外部電極，這對(duì)外部電極與第一和第二引線電極進(jìn)行電連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的芯片型壓電諧振組件，其中所述第二粘接劑層，在其中央具有開口部分，由所述開口部分限定允許所述諧振部分振動(dòng)的空間。
15.根據(jù)權(quán)利要求10的芯片型壓電諧振組件，其中所述壓電諧振元件是利用厚度切變模式的。
16.根據(jù)權(quán)利要求4的芯片型壓電諧振組件，其中所述壓電諧振元件是利用厚度膨脹模式的。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的芯片型壓電諧振組件，還包括第一和第二外部電極，它們形成在由粘接所述壓電諧振元件與所述第一和第二支承板得到的結(jié)構(gòu)的外表面上，所述第一和第二外部電極，與所述第一和第二引線電極進(jìn)行電連接。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的芯片型壓電諧振組件，其中所述壓電板在厚度方向被極化。
全文摘要
一種能量收集芯片型壓電諧振組件，它具有由第一和第二諧振電極限定的諧振部分，這兩個(gè)諧振電極形成在壓電板的一對(duì)相對(duì)表面上，因此，諧振部分的振動(dòng)能量被部分收集；它還具有通過粘接劑層粘接到一對(duì)相對(duì)表面的兩側(cè)的第一和第二支承板，而粘接劑層被涂覆在非諧振部分的區(qū)域上，以便允許諧振部分的振動(dòng)，且粘接層含有粒狀固體。
文檔編號(hào)H03H9/17GK1111404SQ95102938
公開日1995年11月8日 申請(qǐng)日期1995年2月16日 優(yōu)先權(quán)日1994年2月16日
發(fā)明者吉田龍平, 輪島正哉 申請(qǐng)人:村田制作株式會(huì)社