專利名稱：混頻級的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于自身連接有一工作電阻的用于向下級中頻放大器傳送中頻信號的混頻級，其特征是；該工作電阻由一低通電路，一陷波電路和一高通電路串聯(lián)構(gòu)成。
本發(fā)明是從帶有一混頻級工作電阻的混頻級出發(fā)的、該工作電阻要么作如在調(diào)整接收機中頻部件中被調(diào)制的中頻的并聯(lián)諧振電路要么就作成如在電視接收機中頻部件中濾除圖象和伴音載波中頻的兩用或多的帶通濾波器。
這樣一種單獨回路或一帶通濾波器構(gòu)成的混頻級工作電阻，其缺點在于對由這種工作電阻組成的混頻級的調(diào)整上。
因此這里提出的發(fā)明的任務(wù)是給予前而所說的那種混頻級一個混頻級工作電阻，不再具有這類缺點、權(quán)利要求1所表明的特點就解決這一任務(wù)。
為此本發(fā)明將混頻級作為一帶通濾波器，從而不再對相應(yīng)中頻加收調(diào)整、此外，由于陷波電路的作用而使低通電路在其截止頻率段得到一陡峭的衰減斜度，從而產(chǎn)生一抑制所希望的都是伴音載波中頻的無限衰減頻率。
對本發(fā)明所提出混頻級工作電阻的更有的擴展如權(quán)利要求2至10中所述。
下面將結(jié)合圖示實施例以本發(fā)明作詳細(xì)敘述、其中

圖1為具有一本發(fā)明所提出的混頻級工作電阻實例的混頻級方框圖；圖2為圖1所示實施例線路圖3a為圖1和圖2所示實施例濾波單元的傳輸特性；和圖3b為圖1和圖2所示的本發(fā)明提出的混頻級工作電阻的傳輸特性。
圖中互相對應(yīng)的部分和元件以同一標(biāo)號表示。
如圖1所示，混頻級1連接有一混頻級工作電阻2。在此，由振蕩器8所產(chǎn)生的振蕩信號經(jīng)由接點1a通過耦合電容C11、而前級外信號的高頻信號則由接點1b通過另一耦合電容C12的被迭到混頻級1的輸入端。該混頻級工作電阻2由一低通電路5，陷波電路6和一高通電路7串接組成，在此，接點2a將的通電路5與混頻級1的輸出端相連接，而接點2b制作為高通電路7的輸出，此接點2b接到連接在后面的中頻放大器3的輸入端，因3a表明組成圖1所示混頻級工作電阻2的濾波單元5、6和7的濾波曲線，其中標(biāo)號1，2和3分分別指明低通電路5，陷波電路6和高通電路7的傳輸曲線，低通濾波器5的截止頻率的40MHz，而高通濾波器7的截止頻率則為32MHz。陷波電路6的諧振頻率被設(shè)量為≥41.4MHz，圖3b表示由圖2a所示的各個濾波曲線組成而得到的混頻低工作電阻2的傳輸特性，由此可看到在其約40MHz的截止頻率區(qū)具有較之圖3a中所示濾波器曲線要大得多的陡峭度，圖3b所示傳輸特性相當(dāng)于一下截止頻率約為32MH和上截止頻率約為40MHz并且另外還具有一41.4MHz無限衰減頻率帶通濾波器電路的傳輸曲線。
圖2表示帶有其工作電阻2的混頻級1的具體接線圖，pnp晶體管T的基極通過耦合電容C11與接點1a，通過耦合電容C12與接點1b相連，其中接點1a和1b正如在說明圖1所示的方柜圖已談到的用以傳送振蕩信號和高頻信號，而且晶體管T的基極和發(fā)射極還通過兩個互相串聯(lián)的電阻R4和R6相連，在此兩個電阻連接所成的接點處被加以工作電壓Vcc。由此，一由線卷L3和電容C14組成的串聯(lián)諧振回路以及電阻R5同時將此晶體管的基極連接到電路的基極電壓，最后，這一晶體管T的發(fā)射極通過一電容C13也連接到電路的基準(zhǔn)電位，而共集電極電路則與混頻級工作電阻2的端接點2a相連。
一由第一電阻R1，第一線卷L1、第二電阻R2和第一電容C1組成的串聯(lián)電路將混頻工作電阻的接點2a與2b連接起來，為了構(gòu)成一陷波電路，一第二電容C2并聯(lián)連到第一線卷L1，同時為了構(gòu)成一低通濾波電路，一第三電容C3在后端將基極電位接到第一線卷L1，并由一第四電容C4同樣將基準(zhǔn)電位在前端接到第一電阻R1，而且第二電阻R2與第一電容C1的連接點通過一由第三電阻R3和第二線卷L2組成的串聯(lián)電路與電路的基準(zhǔn)電位相接，由此來與第一電容一齊構(gòu)成一高通電路，一與接點2b連接的第五電容C5和第一電容C1共同組成一電容分壓器。
圖2的混頻級工作電阻2的傳輸特性即相當(dāng)于圖3b中所作出的這一特性、三個電阻R1、R2和R3均為低阻值，它們起作使傳輸特性值線性質(zhì)的作用。
權(quán)利要求
1.自身連接有一工作電阻(2)的用于向下級中頻放大器(3)傳送中頻信號的混頻級，其特征是；該工作電阻(2)由一低通電路(5)，一陷波電路(6)和一高通電路(7)串聯(lián)構(gòu)成。
2.按權(quán)利要求1所述混頻級，其特征是，所述的低通電路(5)被作為低通濾波器。
3.按權(quán)利要求1或2所述混頻級，其特征是，所述中頻放大器(3)接有一電容式分后器(C1、C5)。
4.按前述任一權(quán)利要求所述混頻級，其特征是，信號路經(jīng)至少接有一歐姆電阻(R1，R2，R3)。
5.按前述任一權(quán)利要求所述混頻級，其特征是，所述低通(5)的截止頻率約為40MHz。
6.按權(quán)利要求1至4之一所述混頻級，其特征是陷波回路(6)的諧振頻率為≥41.4MHz。
7.權(quán)利要求1至4之一所述混頻級，其特征是，所述高通電路(7)的截止頻率約為32MHz。
8.按前述任一權(quán)利要求所述混頻級，其特征是，所述工作電阻(2)具有一第一線卷(L1)，它不僅與低通電路(5)而且與陷波電路(6)配合。
9.按前述任一權(quán)利要求所述混頻級，其特征是，所述混頻級(1)是1pnp晶體管(T)，而其集電極與所述工作電阻(2)相連接。
10.按權(quán)利要求9所述混頻級，其特征是，所述工作是阻(2)由第一電阻(R1)，一第一線卷(L1)，第二電阻(R2)和一第一電容(C1)按這一排列順序串連組成，其中，所述第一電阻(R1)與所述晶體管(T)的集電極相連，所述電容(C1)與所述中頻放大器(3)的輸入相連；一第二電容(C2)與所述第一線卷并聯(lián)；所述第一線卷(L1)與所述第二電阻(R2)的連接點通過第三電容(C3)連接到電路的基準(zhǔn)電位；和與所述晶體管(T)的集電極相接的所述第一電阻(R1)的端點通過一第四電容(C4)以及與所述中頻放大器(3)相接納所述第一電容(C1)的端點通過一第五電容(C5)均被連接到電路的基準(zhǔn)電位。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種自身連接有一工作電阻的、用于將一中頻信號傳送到下一級中頻放大器的混頻級。發(fā)明特點則在于該工作電阻是由一低通、一陷波和一高通電路串接所組成的。
文檔編號H03D7/12GK1052755SQ9010987
公開日1991年7月3日 申請日期1990年11月30日 優(yōu)先權(quán)日1989年12月1日
發(fā)明者屈斯坡特·路德維希, 施勒特伯格·弗蘭茨, 舒爾茨·喬治 申請人:德律風(fēng)根電子儀器有限公司