專利名稱:一種雙向電平轉(zhuǎn)換電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子電路技術(shù)，特別涉及一種雙向電平轉(zhuǎn)換的電路。
背景技術(shù)：
目前，隨著集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和電子產(chǎn)品不斷推陳出新，3.3V工作的電子器件如MCU的應(yīng)用越來越廣泛，這類電子器件的輸入或輸出口的工作電平通常是3.3V；而在設(shè)計電路和實際生產(chǎn)時又經(jīng)常會用到5V工作的電子器件，比如5V工作的串行端口的A/D、I2C總線器件等；而3.3V的邏輯電平同5.5V邏輯電平存在電平差異，因此在設(shè)計3.3V邏輯電平和5V邏輯電平的互連接口時必須考慮邏輯電平的電平匹配和驅(qū)動能力，才能保證電路的高穩(wěn)定性和可靠性，從而提高系統(tǒng)的抗干擾能力。
現(xiàn)有技術(shù)采用常用的邏輯電平轉(zhuǎn)換接口芯片僅能實現(xiàn)輸入/輸出單方向的邏輯電平轉(zhuǎn)換，在實現(xiàn)不同邏輯電平的雙向輸入/輸出端口之間互連時只能采用特殊轉(zhuǎn)換器件例如74LVC4245A實現(xiàn)。這類特殊轉(zhuǎn)換器件成本非常高，一般情況比常用器件高5倍以上價格，而且在一般市場上很難購買，需要專門訂購，交貨周期長，影響開發(fā)和生產(chǎn)進度，產(chǎn)生一定的生產(chǎn)經(jīng)營風險。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于，提供一種雙向電平轉(zhuǎn)換電路，用于實現(xiàn)低電平端雙向端口與高電平端的單向輸入端口、輸出端口之間的電平轉(zhuǎn)換，包括開關(guān)器件Q1，二極管D1，開關(guān)器件Q1的基極、集電極分別連接低電平端雙向端口和高電平端的輸入端口，開關(guān)器件Q1的發(fā)射極接地；二極管D1正、負極分別連接低電平端雙向端口和所述高電平端輸出端口。該雙向電平轉(zhuǎn)換電路還包括第一反相器件，第一反相器件輸入端與高電平端輸出端口連接，第一反相器件輸出端與二極管D1負極連接。雙向電平轉(zhuǎn)換電路還包括第二反相器件，第二反相器件的輸入端與開關(guān)器件Q1的集電極連接，第二反相器件的輸出端與高電平端輸入端口連接。雙向電平轉(zhuǎn)換電路還可以包括第三反相器件，第三反相器件串接于第一反相器件和二極管D1之間，第三反相器件輸入端與第一反相器件的輸出端連接，第三反相器件輸出端與二極管D1負極連接。
本發(fā)明還提供一種雙向電平轉(zhuǎn)換電路，用于實現(xiàn)高電平端雙向端口與低電平端的單向輸入端口、輸出端口之間的電平轉(zhuǎn)換，包括開關(guān)器件Q1，二極管D2，開關(guān)器件Q1的基極、集電極分別連接低電平端輸出端口和高電平端雙向端口，開關(guān)器件Q1的發(fā)射極接地；二極管D2正、負極分別連接低電平端輸入端口和高電平端雙向端口。該雙向電平轉(zhuǎn)換電路還包括第一反相器件和二極管D1，第一反相器件與二極管D1依次串接在開關(guān)器件Q1和高電平端雙向端口之間，第一反相器件的輸入端與開關(guān)器件Q1的集電極連接，第一反相器件的輸出端與二極管D1的負極連接；二極管D1的正極與高電平端雙向端口連接。該雙向電平轉(zhuǎn)換電路還包括第二反相器件，第二反相器件串接在高電平端雙向端口和二極管D2之間，反相器件輸入端與高電平端雙向端口連接，反相器件輸入端輸出端與二極管D1的負極連接。
上述雙向電平轉(zhuǎn)換電路還可以包括第二反相器件和第三反相器件，第二反相器件和第三反相器件依次串接于二極管D2和高電平端雙向端口之間，第三反相器件的輸入端與高電平端雙向端口連接，第三反相器件的輸出端與第二反相器件的輸入端連接，第二反相器件的輸出端與二極管D2的負極連接。該雙向電平轉(zhuǎn)換電路還可以包括第一反相器件，第一反相器件輸入端與開關(guān)器件Q1的集電極連接，第一反相器件輸出端與二極管D1的負極連接。
上述雙向電平轉(zhuǎn)換電路的開關(guān)器件Q1采用晶體三極管或MOS場效應(yīng)管；二極管D1或二極管D2采用低導通壓降二極管，可選用肖特基二極管，或其它滿足TTL/CMOS低電平門限的二極管；而第一反相器件、第二反相器件或第三反相器件是反向門器件或同向驅(qū)動器件，可以選用兼容TTL邏輯電平的驅(qū)動器件74LS14、74LS244、74LS245或其他74LS系列器件，或選用兼容CMOS邏輯電平的驅(qū)動器件74HC14、74HC244、74HC245或其他74HC系列器件。
本發(fā)明提供的雙向電平轉(zhuǎn)換電路，采用普通元器件組成電路實現(xiàn)不同邏輯電平端口之間的雙向互連，電路設(shè)計簡單，驅(qū)動能力強，抗干擾能力強，同時元器件成本低廉易于采購，便于電路開發(fā)和迅速投產(chǎn)，可有效降低生產(chǎn)成本和經(jīng)營風險。
圖1是本發(fā)明實施例1的電平轉(zhuǎn)換電路圖；圖2是本發(fā)明實施例2的電平轉(zhuǎn)換電路圖；圖3是本發(fā)明實施例3的電平轉(zhuǎn)換電路圖；圖4是本發(fā)明實施例4的電平轉(zhuǎn)換電路圖；圖5是本發(fā)明實施例5的電平轉(zhuǎn)換電路圖；圖6是本發(fā)明實施例6的電平轉(zhuǎn)換電路的管腳接線示意圖；圖7是本發(fā)明實施例7的電平轉(zhuǎn)換電路圖；圖8是本發(fā)明實施例8的電平轉(zhuǎn)換電路圖；圖9是本發(fā)明實施例9的電平轉(zhuǎn)換電路圖；圖10是本發(fā)明實施例10的電平轉(zhuǎn)換電路圖；圖11是本發(fā)明實施例11的電平轉(zhuǎn)換電路圖；圖12是本發(fā)明實施例12的電平轉(zhuǎn)換電路的管腳接線示意圖；圖13是本發(fā)明實施例12的具體應(yīng)用電路的管腳接線示意圖。
本發(fā)明目的的實現(xiàn)、功能特點及優(yōu)點將結(jié)合實施例，參照附圖做進一步說明。
具體實施方式(實施例1)參照圖1，給出實施例1的電平轉(zhuǎn)換電路圖。
該實施例實現(xiàn)3.3V雙向端口與5V輸入端口、輸出端口之間的電平轉(zhuǎn)換，包括三極管Q1，肖特基二極管D1以及電阻R1、電阻R2、電阻R4和電阻R5。三極管Q1的基極、集電極分別連接3.3V雙向端口即3V3_OUT_IN端口和5V輸入端口即5V_IN端口，三極管Q1的發(fā)射極接地；二極管D1正、負極分別連接3.3V雙向端口即3V3_OUT_IN端口和5V輸出端即5V_OUT端口。
本實施例的工作原理如下當3V3_OUT_IN端口作為輸入時，若5V_OUT端口輸出高電平，則二極管D1截止，3V3_OUT_IN端口通過電阻R4上拉為高電平；若5V_OUT端口輸出低電平，則二極管D1導通，3V3_OUT_IN端口輸入為低電平。
當3V3_OUT_IN端口作為輸出時，若3V3_OUT_IN端口輸出高電平，三極管Q1導通，5V_IN端口通過R1上拉即為高電平；若3V3_OUT_IN端口輸出為低電平時，三極管Q1截止，5V_IN端口即為低電平。
本實施例選用晶體三極管、肖特基二極管作為開關(guān)器件Q1和二極管D1，輔以多個電阻實現(xiàn)發(fā)明目的，該實施例具有3V3_OUT_IN端口輸出到5V_IN端口輸入是反向，5V_OUT端口輸出到3V3_OUT_IN端口輸入是同向的特點，電路非常簡單，成本極低；同時也存在驅(qū)動能力弱，抗干擾能力弱的不足。
(實施例2)為克服以上不足，在實施例1的基礎(chǔ)上，提出實施例2，如圖2所示。
本實施例實現(xiàn)3.3V雙向端口3V3_OUT_IN與5V輸入端口5V_IN、輸出端口5V_OUT之間的電平轉(zhuǎn)換，包括三極管Q1，肖特基二極管D1、7 4HC14反相器U1B以及電阻R1、電阻R2、電阻R4和電阻R5。三極管Q1的基極、集電極分別連接3V3_OUT_IN端口和5V_IN端口，三極管Q1的發(fā)射極接地；5V_OUT端口通過反相器U1B、二極管D1與3V3_OUT_IN端口連接，反相器U1B輸入端連接5V_OUT端口，輸出端連接二極管D1的負極；二極管D1正極連接3V3_OUT_IN端口。
本實施例的工作原理如下當3V3_OUT_IN端口為輸入時，若5V_OUT端口輸出高電平，經(jīng)U1B反向后，二極管D1截止，3V3_OUT_IN端口通過電阻R4上拉為高電平；若5V_OUT端口輸出低電平，經(jīng)U1B反向后，二極管D1導通，3V3_OUT_IN端口輸入為低電平。
當3V3_OUT_IN端口作為輸出時，若3V3_OUT_IN端口輸出高電平，三極管Q1導通，5V_IN端口通過R1上拉即為高電平；若3V3_OUT_IN端口輸出為低電平時，三極管Q1截止，5V_IN端口即為低電平。
該實施例是對前一實施例的改進，成本有所增加，性能較前一實施例有改善。
(實施例3)在上述實施例基礎(chǔ)上，提出進一步改進方案。如圖3所示，在反相器U1B的輸出端與二極管D1的負極之間，加入一個反相器U1C，該反相器選用74HC14器件，接收U1B輸出的電平信號，反向后輸出到二極管D1的負極。該電路工作原理與實施例2類似，故不贅述。
實施例2的5V_OUT端口輸出到3V3_OUT_IN端口輸入是反向的，而本實施例5V_OUT端口輸出到3V3_OUT_IN端口輸入是同向的，本實施例較上述實施例驅(qū)動能力更強，抗干擾能力更強。
(實施例4)在實施例2的基礎(chǔ)上，還可對電平轉(zhuǎn)換電路作出改進，如圖4所示，在晶體管Q1的集電極和5V_IN端口之間增設(shè)一反相器U1A，該反相器選用74HC14器件。反相器U1A的輸入極與晶體管Q1的集電極連接，輸出極與5V_IN端口連接。
本實施例的工作原理如下當3V3_OUT_IN端口為輸入時，若5V_OUT端口輸出高電平，經(jīng)U1B反向后，二極管D1截止，3V3_OUT_IN端口通過電阻R4上拉為高電平；若5V_OUT端口輸出低電平，經(jīng)U1B反向后，二極管D1導通，3V3_OUT_IN端口輸入為低電平。
當3V3_OUT_IN端口作為輸出時，若3V3_OUT_IN端口輸出高電平，三極管Q1導通，經(jīng)U1A反相后，5V_IN端口通過R1上拉為高電平；若3V3_OUT_IN端口輸出為低電平時，三極管Q1截止，5V_IN端口即為低電平。
該實施例是與實施例2相比，成本增加，性能改善。本實施例5V_OUT端口輸出到3V3_OUT_IN端口輸入是反向的；而3V3_OUT_IN端口輸出到5V_IN端口輸入是同向的。
(實施例5)在實施例3或4的基礎(chǔ)上，還可進一步加入反相器，以實現(xiàn)對電平轉(zhuǎn)換電路的進一步改進。如圖5所示，在5V_OUT端口和二極管D1之間串接兩個反相器U1B和U1C，在5V_IN端口與三極管Q1之間接一個反相器U1A。
本實施例較上述實施例性能均有改善，驅(qū)動能力強，抗干擾能力強，并且5V_OUT端口輸出到3V3_OUT_IN端口輸入是同向的；3V3_OUT_IN端口輸出到5V_IN端口輸入也是同向的。
上述5個實施例選用的反相器都是74HC14器件，根據(jù)實際需要，還可選擇其他器件實現(xiàn)反相器功能，為此提出實施例6。
(實施例6)本實施例選用74HC244器件作為反相器U1。如圖6所示，三極管Q1的基極、集電極分別連接3V3_OUT_IN端口和反相器U1，三極管Q1的發(fā)射極接地；二極管D1正、負極分別連接3V3_OUT_IN端口和反相器U1；反相器U1再分別連接5V_OUT端口和5V_IN端口。
本實施例采用74HC244器件實現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換電路，驅(qū)動能力較強，抗干擾能力較強。但需注意的是，5V_OUT端口輸出到3V3_OUT_IN端口輸入是同向的；3V3_OUT_IN端口輸出到5V_IN端口輸入是反向的。本實施例提供的電平轉(zhuǎn)換電路可以使用74HC244的任意兩對驅(qū)動引腳，其它引腳可以作為它用，不用的輸入口應(yīng)接地。
上述各實施例中根據(jù)具體需求，反相器件可以是反向門器件或同向驅(qū)動器件，可選用兼容TTL邏輯電平的驅(qū)動器件74LS14、74LS244、74LS245或其他74LS系列芯片，或選用兼容CMOS邏輯電平的驅(qū)動器件74HC14、74HC244、74HC245或其他74HC系列芯片。
根據(jù)具體需求，上述各實施例中的開關(guān)器件可以是晶體三極管或MOS場效應(yīng)管或其他等效器件；相應(yīng)地，與三極管基極、集電極和發(fā)射極建立的電連接關(guān)系應(yīng)替換為與MOS場效應(yīng)管的柵極、漏極和源極建立電連接關(guān)系。而上述各實施例中的二極管可采用低導通壓降二極管，可選用肖特基二極管，或其它滿足TTL/CMOS低電平門限的二極管。
上述各實施例都是實現(xiàn)3.3V雙向端口3V3_OUT_IN與5V輸入端口5V_IN、輸出端口5V_OUT之間的電平轉(zhuǎn)換。相應(yīng)地，為實現(xiàn)5V雙向端口5V_OUT_IN與3.3V輸入端口3V3_IN、輸出端口3V3_OUT之間的電平轉(zhuǎn)換，本發(fā)明也提出一系列方案。
(實施例7)如圖7所示，本實施例實現(xiàn)5V雙向端口5V_OUT_IN即與3.3V輸入端口3V3_IN、輸出端口3V3_OUT之間的電平轉(zhuǎn)換，包括三極管Q1，二極管D2以及電阻R1、電阻R2、電阻R5和電阻R7。
3V3_OUT端口通過電阻R2與三極管Q1的基極連接；5V_OUT_IN端口接電阻R7并與三極管Q1的集電極連接；3V3_IN端口接電阻R5，并與二極管D2的正極連接；二極管D2的負極與5V_OUT_IN端口連接。
當5V_OUT_IN端口作為輸出端，若5V_OUT_IN端口輸出高電平，二極管D2截止，3V3_IN端口通過電阻R5上拉為高電平；若5V_OUT_IN端口輸出低電平，二極管D2導通，3V3_IN端口輸入低電平。
當5V_OUT_IN端口作為輸入端，則3V3_OUT端口輸出高電平，信號通過三極管Q1導通，5V_OUT_IN端口通過電阻R7上拉為高電平；若3V3_OUT端口輸出為低電平時，三極管Q1截止，5V_OUT_IN端口即為低電平。
本實施例選用晶體三極管、肖特基二極管作為開關(guān)器件Q1和二極管D2，輔以多個電阻實現(xiàn)發(fā)明目的，該實施例具有3V3_OUT端口輸出到5V_OUT_IN端口輸入是反向，5V_OUT_IN端口輸出到3V3_IN端口輸入是同向的特點，電路非常簡單，成本極低；同時存在驅(qū)動能力弱，抗干擾能力弱的不足。
對實施例7也可進行一系列改進，加入反相器進行方案的優(yōu)化。如圖8、9、10、11所示的實施例8、9、10、11，加入反相器可增強電平轉(zhuǎn)換電路的驅(qū)動能力和抗干擾能力，但部分實施例如實施例9，3V3_OUT端口輸出到5V_OUT_IN端口輸入是同向的，5V_OUT_IN端口輸出到3V3_IN端口輸入是反向的，使用時需加以注意。
上述實施例電路結(jié)構(gòu)與工作原理與前述實施例2到5類似，現(xiàn)僅選擇其一進行詳細說明(實施例11)
本實施例包括三極管Q1，二極管D1、二極管D2、反相器U1A、反相器U1B和反相器U1C，以及電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6和電阻R7。3V3_OUT端口接電阻R1，并通過R2與三極管Q1的基極連接；三極管的發(fā)射極接地，集電極與反相器U1A的輸入端連接；反相器U1A輸出端經(jīng)二極管D1與5V_OUT_IN端口連接。3V3_IN端口與電阻R5連接，并通過二極管D2與反相器U1B的輸出極連接；反相器U1B輸入極與U1C輸出極連接，反相器U1C輸入極與5V_OUT_IN端口連接。
本實施例采用低成本的NPN三極管和5V工作的邏輯門進行電平轉(zhuǎn)換，二極管D1、二極管D2使用肖特基二極管，降低導通門限，使用5V工作的邏輯門提高了電路的驅(qū)動能力和抗干擾能力。
當5V_OUT_IN端口作為輸出時，先將3V3_OUT端口置為高電平，則二極管D1截止；當5V_OUT_IN端口輸出為高電平，通過反相器U1C、反相器U1B兩次反向后，二極管D2截止，3V3_IN端口通過電阻R5上拉為高電平；若5V_OUT_IN端口輸出低電平，通過反相器U1C、反相器U1B兩次反向后，二極管D2導通，3V3_IN端口輸入低電平。
當5V_OUT_IN端口作為輸入時，若3V3_OUT端口輸出為高電平，信號通過三極管Q1導通，經(jīng)反相器U1A反向后，二極管D1截止，5V_OUT_IN端口通過電阻R7上拉，即為高電平；若3V3_OUT端口輸出為低電平，三極管Q1截止，通過反相器U1A反向后，二極管D1導通，5V_OUT_IN端口即輸入低電平。
本實施例良好地實現(xiàn)了發(fā)明目的，采用較低成本的普通器件實現(xiàn)了實現(xiàn)5V雙向端口5V_OUT_IN與3.3V輸入端口3V3_IN、輸出端口3V3_OUT之間的電平轉(zhuǎn)換，電路驅(qū)動能力強，抗干擾能力強。
上述實施例7到11選用的反相器都是74HC14器件，根據(jù)實際需要，還可選擇其他器件實現(xiàn)反相器功能，為此提出實施例12。
(實施例12)本實施例選用74HC244器件作為反相器U1。如圖12所示，三極管Q1的基極、集電極分別連接3V3_OUT端口和反相器U1，三極管Q1的發(fā)射極接地；二極管D1正、負極分別連接5V_OUT_IN端口和反相器U1；反相器U1連接5V_OUT_IN端口，并且通過二極管D2連接3V3_IN端口。
本實施例采用74HC244器件實現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換電路，驅(qū)動能力較強，抗干擾能力較強。本實施例的電平轉(zhuǎn)換電路可以使用74HC244反相器的任意兩對驅(qū)動引腳，其它引腳可以作為它用，不用的輸入口需要接地。
現(xiàn)以實施例12為例說明本發(fā)明的電平轉(zhuǎn)換電路應(yīng)用方案。如圖13所示，本發(fā)明可應(yīng)用于3.3V工作的MCU與5V工作的溫濕度傳感器SHT10之間的電平轉(zhuǎn)換。
具體來說，MCU的SDO口為輸出端口3V3_OUT，SDI為輸入端口3V3_IN；溫濕度傳感器SHT10的SDATA口為雙向數(shù)據(jù)口，電平是5VCMOS電平，即為5V_OUT_IN端口。采用實施例12提供的電平轉(zhuǎn)換電路，可以較低成本和良好性能實現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換。
本發(fā)明可以應(yīng)用于5VTTL與3.3VTTL、5VCMOS與3.3VCOMS、5VTTL與3.3VCOMS、5VCMOS與3.3VTTL的雙向口邏輯電平轉(zhuǎn)換。上述各實施例中根據(jù)具體需求，反相器件可以是反向門器件或同向驅(qū)動器件，可選用兼容TTL邏輯電平的驅(qū)動器件74LS14、74LS244、74LS245或其他74LS系列芯片，或選用兼容CMOS邏輯電平的驅(qū)動器件74HC14、74HC244、74HC245或其他74HC系列芯片。
根據(jù)具體需求，上述各實施例中的開關(guān)器件可以是晶體三極管或MOS場效應(yīng)管或其他等效器件；相應(yīng)地，與三極管基極、集電極和發(fā)射極建立的電連接關(guān)系應(yīng)替換為與MOS場效應(yīng)管的柵極、漏極和源極建立電連接關(guān)系。而上述各實施例中的二極管可采用低導通壓降二極管，可選用肖特基二極管，或其它滿足TTL/CMOS低電平門限的二極管。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域：
，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種雙向電平轉(zhuǎn)換電路，用于實現(xiàn)低電平端雙向端口與高電平端的單向輸入端口、輸出端口之間的電平轉(zhuǎn)換，包括開關(guān)器件Q1，二極管D1，所述開關(guān)器件Q1的基極、集電極分別連接所述低電平端雙向端口和所述高電平端的輸入端口，所述開關(guān)器件Q1的發(fā)射極接地；所述二極管D1正、負極分別連接所述低電平端雙向端口和所述高電平端輸出端口。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的雙向電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，還包括第一反相器件，所述第一反相器件輸入端與所述高電平端輸出端口連接，所述第一反相器件輸出端與所述二極管D1負極連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求
2所述的雙向電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，還包括第二反相器件，所述第二反相器件的輸入端與所述開關(guān)器件Q1的集電極連接，所述第二反相器件的輸出端與所述高電平端輸入端口連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求
2所述的雙向電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，還包括第三反相器件，所述第三反相器件串接于所述第一反相器件和所述二極管D1之間，所述第三反相器件輸入端與所述第一反相器件的輸出端連接，所述第三反相器件輸出端與所述二極管D1負極連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求
3所述的雙向電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，還包括第三反相器件，所述第三反相器件串接于所述第一反相器件和所述二極管D1之間，所述第三反相器件輸入端與所述第一反相器件的輸出端連接，所述第三反相器件輸出端與所述二極管D1負極連接。
6.一種雙向電平轉(zhuǎn)換電路，用于實現(xiàn)高電平端雙向端口與低電平端的單向輸入端口、輸出端口之間的電平轉(zhuǎn)換，包括開關(guān)器件Q1，二極管D2，所述開關(guān)器件Q1的基極、集電極分別連接所述低電平端輸出端口和高電平端雙向端口，所述開關(guān)器件Q1的發(fā)射極接地；所述二極管D2正、負極分別連接所述低電平端輸入端口和所述高電平端雙向端口。
7.根據(jù)權(quán)利要求
6所述的雙向電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，還包括第一反相器件和二極管D1，所述第一反相器件與所述二極管D1依次串接在所述開關(guān)器件Q1和所述高電平端雙向端口之間，所述第一反相器件的輸入端與所述開關(guān)器件Q1的集電極連接，第一反相器件的輸出端與所述二極管D1的負極連接；所述二極管D1的正極與所述高電平端雙向端口連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求
7所述的雙向電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，還包括第二反相器件，所述第二反相器件串接在所述高電平端雙向端口和所述二極管D2之間，所述反相器件輸入端與所述高電平端雙向端口連接，反相器件輸入端輸出端與所述二極管D1的負極連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求
6所述的雙向電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，還包括第二反相器件和第三反相器件，所述第二反相器件和第三反相器件依次串接于所述二極管D2和所述高電平端雙向端口之間，所述第三反相器件的輸入端與所述高電平端雙向端口連接，第三反相器件的輸出端與所述第二反相器件的輸入端連接，所述第二反相器件的輸出端與所述二極管D2的負極連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求
9所述的雙向電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，還包括第一反相器件，所述第一反相器件輸入端與所述開關(guān)器件Q1的集電極連接，第一反相器件輸出端與所述二極管D1的負極連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求
1至10中任一權(quán)利要求
所述的雙向電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，開關(guān)器件Q1采用晶體三極管或MOS場效應(yīng)管。
12.根據(jù)權(quán)利要求
1至10中任一權(quán)利要求
所述的雙向電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述二極管D1或二極管D2采用低導通壓降二極管，可選用肖特基二極管，或其它滿足TTL/CMOS低電平門限的二極管。
13.根據(jù)權(quán)利要求
1至10中任一權(quán)利要求
所述的雙向電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述第一反相器件、第二反相器件或第三反相器件是反向門器件或同向驅(qū)動器件。
14.根據(jù)權(quán)利要求
1至10中任一權(quán)利要求
所述的雙向電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述第一反相器件、第二反相器件或第三反相器件選用兼容TTL邏輯電平的驅(qū)動器件74LS14、74LS244、74LS245或其他74LS系列器件，或選用兼容CMOS邏輯電平的驅(qū)動器件74HC14、74HC244、74HC245或其他74HC系列器件。
專利摘要
本發(fā)明提供一種雙向電平轉(zhuǎn)換電路，用于實現(xiàn)低電平端雙向端口與高電平端的單向輸入端口、輸出端口之間的電平轉(zhuǎn)換，包括開關(guān)器件Q1，二極管D1，開關(guān)器件Q1的基極、集電極分別連接低電平端雙向端口和高電平端的輸入端口，開關(guān)器件Q1的發(fā)射極接地；二極管D1正、負極分別連接低電平端雙向端口和高電平端輸出端口。本發(fā)明提供的雙向電平轉(zhuǎn)換電路設(shè)計簡單，驅(qū)動能力強，抗干擾能力強，元器件成本低廉易于采購，便于電路開發(fā)和迅速投產(chǎn)，可有效降低生產(chǎn)成本和經(jīng)營風險。
文檔編號H03K19/0175GK1996758SQ200610145288
公開日2007年7月11日 申請日期2006年11月24日
發(fā)明者周澤萬, 陳巍, 呂敬民 申請人:艾默生網(wǎng)絡(luò)能源有限公司導出引文BiBTeX, EndNote, RefMan