本技術涉及諧振器，具體涉及一種小電極小ts值的晶片結構及諧振器。

背景技術：

1、隨著石英晶體諧振器2520規(guī)格的smd貼片晶體使用領域越來越廣泛，對晶體特性參數(shù)也越來越嚴格，特別是頻差的控制和晶體的性能及穩(wěn)定性。要求晶體的頻率受外界雜散電容影響要小，從而在不影響晶體的特性參數(shù)的基礎下，靈敏度(ts)的值越小越好。

2、靈敏度(ts)表示頻率隨負載電容變化的變化值，負載電容越小，ts越大，頻率受外界雜散電容影響變化越大。ts值跟動態(tài)電容c1值成正比，跟靜電容c0值成反比；c0和c1跟電極面積成正比，故電極有效面積越小，c0值和c1值相對越小，ts值越小。在同負載的要求情況下，要把ts值做小，最有效的方法就是把電極的有效面積做小。例如smd?252026m?7pf規(guī)格貼片晶體常規(guī)設計尺寸：1.60*1.25，最佳電極設計的有效面積：1.3mm2左右，ts值：27ppm/pf；在同負載的前提下客戶要求ts值：15ppm/pf，所以必須將電極的有效面積設計在0.6mm2左右。但是1.60*1.25尺寸，電極有效面積設計在0.6mm2，根據(jù)at的“能陷”原理，容易引起寄生耦合，造成晶體性能變差，嚴重的可能會造成整機無法正常工作。

技術實現(xiàn)思路

1、1、實用新型要解決的技術問題

2、本實用新型要解決的技術問題是提供一種小電極小ts值的晶片結構及諧振器，解決了現(xiàn)有石英晶體諧振器容易引起寄生耦合，造成晶體性能變差的問題。

3、2、技術方案

4、為解決上述問題，本實用新型提供的技術方案為：

5、一種小電極小ts值的晶片結構，包括石英晶片，所述石英晶片為矩形結構，所述石英晶片的長邊a尺寸為1.3mm，所述石英晶片的短邊b的尺寸為1.0mm。

6、進一步地，所述石英晶片上下表面均鍍設有金屬薄膜。

7、進一步地，所述金屬薄膜為上下電極連接形狀。

8、進一步地，所述金屬薄膜分為鍍銀層和鍍鉻層，所述石英晶片上下表面均先鍍設一層鍍鉻層，再在鍍鉻層上鍍設一層鍍銀層，所述鍍鉻層位于所述石英晶片與所述鍍銀層之間。

9、進一步地，石英晶片的上下兩表面的所述金屬薄膜均與電極電連接。

10、一種石英晶體諧振器，包括使用上述晶片結構的諧振器。

11、3、有益效果

12、采用本實用新型提供的技術方案，與現(xiàn)有技術相比，具有如下有益效果：

13、本實用新型提供的技術方案通過更改石英晶體的長度和寬度，以及對石英晶體上金屬薄膜的尺寸進行相應的更改，是更改后的尺寸能夠滿足陷能理論，使其能夠良好的寄生控制，提高石英晶體的穩(wěn)定性，并進一步提高使用此石英晶體的諧振器的穩(wěn)定性。

技術特征：

1.一種小電極小ts值的晶片結構，其特征在于，包括石英晶片，所述石英晶片為矩形結構，所述石英晶片的長邊a尺寸為1.3mm，所述石英晶片的短邊b的尺寸為1.0mm。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種小電極小ts值的晶片結構，其特征在于，所述石英晶片上下表面均鍍設有金屬薄膜。

3.根據(jù)權利要求2所述的一種小電極小ts值的晶片結構，其特征在于，所述金屬薄膜為上下電極連接形狀。

4.根據(jù)權利要求2所述的一種小電極小ts值的晶片結構，其特征在于，所述金屬薄膜分為鍍銀層和鍍鉻層，所述石英晶片上下表面均先鍍設一層鍍鉻層，再在鍍鉻層上鍍設一層鍍銀層，所述鍍鉻層位于所述石英晶片與所述鍍銀層之間。

5.根據(jù)權利要求2所述的一種小電極小ts值的晶片結構，其特征在于，石英晶片的上下兩表面的所述金屬薄膜均與電極電連接。

6.一種石英晶體諧振器，其特征在于，包括權利要求1-5任意權利要求所述的小電極小ts值的晶片結構。

技術總結
本技術公開了一種小電極小TS值的晶片結構及諧振器，包括石英晶片，所述石英晶片為矩形結構，所述石英晶片的長邊A尺寸為1.3mm，所述石英晶片的短邊B的尺寸為1.0mm，所述石英晶片上下表面均鍍設有金屬薄膜，所述金屬薄膜為上下電極連接形狀，本技術提供的技術方案通過更改石英晶體的長度和寬度，以及對石英晶體上金屬薄膜的尺寸進行相應的更改，是更改后的尺寸能夠滿足陷能理論，使其能夠良好的寄生控制，提高石英晶體的穩(wěn)定性，并進一步提高使用此石英晶體的諧振器的穩(wěn)定性。

技術研發(fā)人員：王曉東,黃文俊,臧方月,李凱
受保護的技術使用者：東晶電子金華有限公司
技術研發(fā)日：20240329
技術公布日：2024/12/26