1.一種驅(qū)動電路,其特征在于,包括:保護模塊、電壓調(diào)節(jié)模塊和待連接器件;
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種驅(qū)動電路,其特征在于,所述待連接器件為氮化鎵器件,當所述驅(qū)動信號為0v時,位移電流通過所述氮化鎵器件的寄生電容在門極上產(chǎn)生第一電壓,所述肖特基二極管用于泄放所述第一電壓;所述位移電流由電場強度隨時間的變化率引起。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種驅(qū)動電路,其特征在于,所述待連接器件為氮化鎵器件時,所述穩(wěn)壓二極管與所述第三電阻放電至指定值。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種驅(qū)動電路,其特征在于,所述驅(qū)動信號為硅mos管的驅(qū)動信號。
5.一種驅(qū)動電路,其特征在于,包括:保護模塊、電壓調(diào)節(jié)模塊和待連接器件;
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種驅(qū)動電路,其特征在于,所述待連接器件為碳化硅器件,當所述驅(qū)動信號為0v時,所述肖特基二極管用于泄放第二電壓,所述第二電壓由位移電流通過所述碳化硅器件的寄生電容在門極上產(chǎn)生,?所述位移電流由電場強度隨時間的變化率引起。
7.一種氮化鎵器件的驅(qū)動裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求1~4任意一項所述的一種驅(qū)動電路。
8.一種碳化硅器件的驅(qū)動裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求5~6任意一項所述的一種驅(qū)動電路。
9.一種電路轉(zhuǎn)換器,其特征在于,包括如權(quán)利要求7所述的一種氮化鎵器件的驅(qū)動裝置或如權(quán)利要求8所述的一種碳化硅器件的驅(qū)動裝置。
10.一種移動設(shè)備,其特征在于,包括權(quán)利要求9所述的一種電路轉(zhuǎn)換器。