本公開涉及印刷布線板及其制造方法。

背景技術(shù)：

1、近年來(lái)，要求電子設(shè)備的高性能化、小型化、輕量化等。與此相伴，要求具有微細(xì)化的導(dǎo)電圖案的印刷布線板。在此，提出了具有微細(xì)化的導(dǎo)電圖案的柔性印刷電路基板及其制造方法。該提案涉及密合性非常牢固并且能夠利用蝕刻形成高精細(xì)電路圖案的柔性印刷電路基板及其制造方法，在該柔性印刷電路基板中，在塑料膜的至少單面直接粘合有由銅或以銅作為主要成分的合金形成的銅薄膜，通過(guò)控制應(yīng)進(jìn)行成膜的塑料膜基板表面的狀態(tài)、并且優(yōu)化銅薄膜的成膜條件，從而控制塑料膜與銅薄膜的界面結(jié)構(gòu)以及繼續(xù)生長(zhǎng)的銅薄膜的晶體結(jié)構(gòu)(日本特開2004-31370號(hào)公報(bào))。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1：日本特開2004-31370號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開的印刷布線板具備具有絕緣性的基膜和層疊在所述基膜的至少一面?zhèn)鹊膶?dǎo)電圖案，所述導(dǎo)電圖案包含多個(gè)布線部，所述多個(gè)布線部的平均寬度為5μm以上且20μm以下，所述多個(gè)布線部具有以銅作為主要成分的晶種層和層疊在所述晶種層上且以銅作為主要成分的鍍層，所述鍍層中所含的銅晶粒的晶面包含(111)面、(200)面、(220)面和(311)面，并且由下式(1)求出的所述(220)面的x射線衍射強(qiáng)度的強(qiáng)度比ir220為0.05以上且0.14以下。

2、ir220＝i220/(i111+i200+i220+i311)……(1)

3、(式(1)中，i111為(111)面的x射線衍射強(qiáng)度，i200為(200)面的x射線衍射強(qiáng)度，i220為(220)面的x射線衍射強(qiáng)度，i311為(311)面的x射線衍射強(qiáng)度。)

4、本公開的印刷布線板的制造方法是如下的印刷布線板的制造方法：包括在具有絕緣性的基膜的至少一面?zhèn)韧ㄟ^(guò)半加成法形成導(dǎo)電圖案的工序，所述導(dǎo)電圖案包含多個(gè)布線部，所述形成導(dǎo)電圖案的工序包括如下工序：在所述基膜的所述一面?zhèn)葘盈B以銅作為主要成分的晶種層的工序；在所述晶種層的表面形成抗蝕劑圖案的工序，所述抗蝕劑圖案具有所述多個(gè)布線部的反轉(zhuǎn)形狀；在所述形成抗蝕劑圖案的工序后的所述晶種層的表面上層疊鍍層的工序，所述鍍層以銅作為主要成分；在所述層疊鍍層的工序后除去所述抗蝕劑圖案的工序；和在所述層疊鍍層的工序結(jié)束后24小時(shí)以上后利用蝕刻除去通過(guò)所述除去抗蝕劑圖案的工序而露出的晶種層的工序。

技術(shù)特征：

1.一種印刷布線板，具備：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷布線板，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的印刷布線板，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷布線板，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷布線板，其中，

6.一種印刷布線板的制造方法，

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的印刷布線板的制造方法，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的印刷布線板的制造方法，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的印刷布線板的制造方法，其中，

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及印刷布線板及其制造方法，所述印刷布線板具備具有絕緣性的基膜和層疊在所述基膜的至少一面?zhèn)鹊膶?dǎo)電圖案，所述導(dǎo)電圖案中所含的多個(gè)布線部的平均寬度為5μm以上且20μm以下，所述布線部具有晶種層和鍍層，所述鍍層中所含的銅晶粒的平均粒徑為0.2μm以上且5μm以下，并且所述銅晶粒的標(biāo)準(zhǔn)偏差為2.60μm以上且9.60μm以下，所述鍍層包含銅晶面(111)、(200)、(220)和(311)，并且由下式(1)求出的所述銅晶面(220)的強(qiáng)度比IR<subgt;220</subgt;為0.05以上且0.14以下。所述晶種層的厚度為0.01μm以上且2μm以下。IR<subgt;220</subgt;＝I<subgt;220</subgt;/(I<subgt;111</subgt;+I<subgt;200</subgt;+I<subgt;220</subgt;+I<subgt;311</subgt;)……(1)(式(1)中，I<subgt;111</subgt;為(111)的X射線衍射強(qiáng)度，I<subgt;200</subgt;為(200)的X射線衍射強(qiáng)度，I<subgt;220</subgt;為(220)的X射線衍射強(qiáng)度，I<subgt;311</subgt;為(311)的X射線衍射強(qiáng)度)。

技術(shù)研發(fā)人員：池邊茉紀(jì),新田耕司,酒井將一郎
受保護(hù)的技術(shù)使用者：住友電氣工業(yè)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19