涉及交叉點存儲器陣列及相關制造技術。

背景技術：

1、下文大體上涉及形成存儲器陣列，且更特定來說涉及交叉點存儲器陣列及相關制造技術。

2、存儲器裝置廣泛地用于在例如計算機、無線通信裝置、相機、數(shù)字顯示器及其類似者的各種電子裝置中存儲信息。信息是通過編程存儲器裝置的不同狀態(tài)而進行存儲。舉例來說，二進制裝置具有兩個狀態(tài)，通常表示為邏輯“1”或邏輯“0”。在其它系統(tǒng)中，可存儲兩個以上狀態(tài)。為了存取所存儲的信息，電子裝置的組件可讀取或感測存儲器裝置中的所存儲的狀態(tài)。為了存儲信息，電子裝置的組件可寫入或編程存儲器裝置中的狀態(tài)。

3、存在各種類型的存儲器裝置，包括磁性硬盤、隨機存取存儲器(ram)、只讀存儲器(rom)、動態(tài)ram(dram)、同步動態(tài)ram(sdram)、鐵電ram(feram)、磁性ram(mram)、電阻式ram(rram)、快閃存儲器、相變存儲器(pcm)及其它者。存儲器裝置可包含易失性存儲器胞元或非易失性存儲器胞元。非易失性存儲器胞元可維持其所存儲邏輯狀態(tài)歷時較長時間段，即使在不存在外部電源的情況下也如此。易失性存儲器胞元隨時間推移可能會失去其存儲狀態(tài)，除非其通過外部電源經周期性地刷新。

4、通常，改進存儲器裝置可包括增大存儲器胞元密度、提高讀取/寫入速度、增強可靠性、延長數(shù)據(jù)保持、降低功率消耗，或縮減制造成本，以及其它度量?？赡苄枰繂挝粎^(qū)域建置較多存儲器胞元，以增大存儲器胞元密度且縮減每位成本而不增加存儲器裝置的大小。還可能需要用于制造存儲器裝置的改進型技術(例如較快、成本較低)，所述存儲器裝置包含具有增大的存儲器胞元密度的存儲器裝置。

技術實現(xiàn)思路

1、描述一種方法。所述方法可包含：形成穿過堆疊的頂層的多個通孔，所述堆疊在第一層處包含第一電介質材料；在所述第一電介質材料中形成第一溝道，所述第一溝道與所述多個通孔對準；使所述第一溝道填充有電極材料；在所述第一溝道內的所述電極材料中形成比所述第一溝道窄的第二溝道；及使所述第二溝道填充有所述第一電介質材料。

2、描述一種設備。所述設備可包含：堆疊的上部層，所述上部層包含各自具有第一寬度的多個孔；所述堆疊內的第一電極層，所述第一電極層包含第一電極及第二電極；及電介質溝道，其與所述多個孔對準且使所述第一電極與所述第二電極分隔達大于所述第一寬度的第一距離。

3、描述另一種方法。所述方法可包含：形成延伸穿過堆疊到導電元件的貫通孔，所述堆疊包含目標電極；使所述貫通孔填充有導電材料；從所述貫通孔移除所述導電材料的一部分以曝露插入于所述貫通孔與所述目標電極之間的電介質緩沖器；移除所述電介質緩沖器以曝露所述目標電極；及使所述貫通孔填充有所述導電材料以使所述目標電極與所述導電元件耦合。

4、描述另一種設備。所述設備可包含：堆疊，其包含電極層及存儲器層；導電元件，其與所述堆疊接觸；導電塞，其延伸穿過所述堆疊且與所述導電元件耦合，所述導電塞在所述存儲器層處具有第一寬度且在所述電極層處具有第二寬度，所述第二寬度大于所述第一寬度；及所述電極層處的第一電極，所述第一電極與所述導電塞耦合。

技術特征：

1.一種半導體制造的方法，其包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中移除所述電介質緩沖器以曝露所述第一電極同時曝露包含所述第一電極的電極層處的第二電極，所述第二電極相對于所述第一電極在所述貫通孔的相對側上。

3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中使所述貫通孔填充有所述導電材料以使所述第一電極與所述導電元件耦合進一步包括：

4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述第一電極是位于所述堆疊內的電極層，其進一步包括：

5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其進一步包括：

6.根據(jù)權利要求5所述的方法，其中在所述第一電極中形成所述間隙包括：

7.根據(jù)權利要求5所述的方法，其中在所述第一電極中形成所述間隙包括：

8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述導電材料和所述第一電極包括相同的材料。

9.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中移除所述電介質緩沖器包括：

10.一種存儲器設備，其包括：

11.根據(jù)權利要求10所述的存儲器設備，其進一步包括：

12.根據(jù)權利要求11所述的存儲器設備，其中所述第二電極與所述電極層處的共線電極隔離。

13.根據(jù)權利要求11所述的存儲器設備，其中所述第一電極平行于所述第二電極。

14.根據(jù)權利要求10所述的存儲器設備，其進一步包括：

15.根據(jù)權利要求14所述的存儲器設備，其中所述電介質材料插入于所述保形襯里與所述第二電極層處的第三電極之間。

16.根據(jù)權利要求10所述的存儲器設備，其中所述導電塞和所述第一電極包括相同的材料。

17.根據(jù)權利要求10所述的存儲器設備，其中所述第一電極包括間隙。

18.根據(jù)權利要求17所述的存儲器設備，其中所述間隙將所述第一電極分段為第一存取線和第二存取線。

19.一種存儲器設備，其包括：

20.根據(jù)權利要求19所述的存儲器設備，其進一步包括：

技術總結
本申請涉及用于制造存儲器裝置的方法。本文中所描述的制造技術可有助于同時建置安置于交叉點架構中的兩個或兩個以上存儲器胞元層。每一存儲器胞元層可包含多個第一存取線(例如字線)、多個第二存取線(例如位線)及第一存取線與第二存取線的每一拓樸相交點處的存儲器組件。所述制造技術可使用形成于復合堆疊的頂層處的通孔的圖案，從而可有助于在使用縮減數(shù)目個處理步驟時在所述復合堆疊內建置3D存儲器陣列。所述制造技術還可適于形成插槽區(qū)，在所述插槽區(qū)處，所述3D存儲器陣列可與存儲器裝置的其它組件耦合。

技術研發(fā)人員：埃爾南·A·卡斯特羅,斯蒂芬·H·唐,斯蒂芬·W·魯塞爾
受保護的技術使用者：美光科技公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/23