本申請的實施例涉及存儲器器件、半導(dǎo)體器件及其制造方法。

背景技術(shù)：

1、集成電路(ic)有時包括一次可編程(otp)存儲器，以提供非易失性存儲器(nvm)，當(dāng)ic斷電時，其中的數(shù)據(jù)不會丟失。一種類型的otp設(shè)備包括反熔絲存儲器。反熔絲存儲器包括多個反熔絲存儲器單元(或位單元)，其端子在編程之前斷開，并且在編程之后短路(例如連接)。反熔絲存儲器可以基于金屬氧化物半導(dǎo)體(mos)技術(shù)。例如，反熔絲存儲器單元可以包括串聯(lián)耦合的編程mos晶體管(或mos電容器)和至少一個讀取mos晶體管。編程mos晶體管的柵極電介質(zhì)可以被擊穿以使得編程mos晶體管的柵極和源極或漏極互連。取決于編程mos晶體管的柵極電介質(zhì)是否被擊穿，通過讀取流經(jīng)編程mos晶體管和讀取mos晶體管的合成電流，反熔絲存儲器單元可以呈現(xiàn)不同的數(shù)據(jù)位。由于反熔絲單元的編程狀態(tài)不能通過反向工程來確定，因此反熔絲存儲器具有反向工程證明的有利特征。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、根據(jù)本申請的實施例的一個方面，提供了一種存儲器器件，包括：存儲器單元，包括第一晶體管和第二晶體管，第一晶體管和第二晶體管均設(shè)置在襯底的第一側(cè)上；第一互連結(jié)構(gòu)，設(shè)置在襯底的與第一側(cè)相對的第二側(cè)上，其中，第一晶體管的第一源極/漏極端子是浮置的，第一晶體管的第二源極/漏極端子耦合到第二晶體管的第一源極/漏極端子，并且第二晶體管的第二源極/漏極端子耦合到第一互連結(jié)構(gòu)；第一通孔結(jié)構(gòu)，設(shè)置在襯底的第一區(qū)中并且被配置為將第二晶體管的第二源極/漏極端子耦合到第一互連結(jié)構(gòu)；多個第二通孔結(jié)構(gòu)，設(shè)置在襯底的第二區(qū)中并且每個第二通孔結(jié)構(gòu)均耦合到第一互連結(jié)構(gòu)；以及第三通孔結(jié)構(gòu)，設(shè)置在襯底的第二區(qū)中并且各自耦合到第一互連結(jié)構(gòu)，其中，第一通孔結(jié)構(gòu)和第二通孔結(jié)構(gòu)各自具有第一截面面積，并且第三通孔結(jié)構(gòu)具有不同于第一截面面積的第二截面面積。

2、根據(jù)本申請的實施例的另一個方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：襯底，包括第一區(qū)和第二區(qū)，第一區(qū)和第二區(qū)各自沿第一方向縱向延伸并且沿垂直于第一方向的第二方向橫向延伸；第一有源區(qū)，設(shè)置在第一區(qū)中并且在襯底的前側(cè)上，第一有源區(qū)沿第一方向縱向延伸；第一晶體管和第二晶體管，設(shè)置在第一有源區(qū)中并且串聯(lián)耦合；第一互連結(jié)構(gòu)，形成在襯底的前側(cè)上并且耦合到第一晶體管和第二晶體管；第二互連結(jié)構(gòu)，形成在襯底的與前側(cè)相對的背側(cè)上；第一通孔結(jié)構(gòu)，將第二晶體管的部分耦合到第二互連結(jié)構(gòu)；第二有源區(qū)，設(shè)置在第二區(qū)中并且在襯底的第一側(cè)上，第二有源區(qū)沿第一方向縱向延伸；多個第二通孔結(jié)構(gòu)，各自將第二有源區(qū)的部分耦合到第二互連結(jié)構(gòu)；以及第三通孔結(jié)構(gòu)，將第一互連結(jié)構(gòu)耦合到第二區(qū)中的第二互連結(jié)構(gòu)，其中：第一通孔結(jié)構(gòu)和第二通孔結(jié)構(gòu)各自沿第一方向延伸第一長度，并且第三通孔結(jié)構(gòu)沿第一方向延伸第二長度，第二長度比第一長度長。

3、根據(jù)本申請的實施例的又一個方面，提供了一種用于制造存儲器器件的方法，包括：提供襯底，襯底具有第一部分和與第一部分相鄰的第二部分；在襯底的前側(cè)上形成在第一部分中的第一晶體管和第二晶體管以及在第二部分中的第三晶體管，其中，第一晶體管和第二晶體管串聯(lián)耦合以形成反熔絲存儲器單元，并且其中，第一晶體管、第二晶體管和第三晶體管沿第一方向布置；在襯底的前側(cè)上形成耦合到第一晶體管、第二晶體管和第三晶體管的第一互連結(jié)構(gòu)；在與前側(cè)相對的襯底的背側(cè)上形成第一通孔結(jié)構(gòu)，第一通孔結(jié)構(gòu)分別耦合到第二晶體管和第三晶體管中的每個的部分；在襯底的背側(cè)上形成在第二部分中沿第一方向延伸的第二通孔結(jié)構(gòu)，其中，第二通孔結(jié)構(gòu)耦合到第一互連結(jié)構(gòu)，并且沿垂直于第一方向的第二方向與第三晶體管相鄰地形成；以及在襯底的背側(cè)上形成第二互連結(jié)構(gòu)，第二互連結(jié)構(gòu)沿第一方向延伸并且耦合到第一通孔結(jié)構(gòu)和第二通孔結(jié)構(gòu)。

技術(shù)特征：

1.一種存儲器器件，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器器件，其中，所述第一互連結(jié)構(gòu)可操作地用作所述存儲器單元的位線。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器器件，其中，通過在所述第一晶體管的柵極端子上施加編程電壓來形成傳導(dǎo)路徑。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲器器件，其中，所述傳導(dǎo)路徑從所述第一晶體管的所述柵極端子延伸，通過所述第一晶體管的至少所述第二源極/漏極端子、所述第二晶體管的所述第一源極/漏極端子和所述第二源極/漏極端子，并延伸到所述第一互連結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器器件，還包括設(shè)置在所述第一側(cè)上的第二互連結(jié)構(gòu)，其中，所述第一通孔結(jié)構(gòu)、所述第二通孔結(jié)構(gòu)和所述第三通孔結(jié)構(gòu)分別耦合到所述第二互連結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器器件，其中，所述存儲器單元設(shè)置在所述第一區(qū)中，所述存儲器器件還包括設(shè)置在所述第二區(qū)中的多個第三晶體管，其中，每個所述第三晶體管的柵極端子和源極/漏極端子耦合到所述第一互連結(jié)構(gòu)。

7.一種半導(dǎo)體器件，包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一有源區(qū)沿所述第二方向延伸第一高度，并且所述第二有源區(qū)沿所述第二方向延伸第二高度，所述第二高度小于所述第一高度。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，還包括第三晶體管，所述第三晶體管沿所述第一方向設(shè)置在所述第二有源區(qū)中，其中，所述第二通孔結(jié)構(gòu)將所述第三晶體管的源極/漏極區(qū)耦合到所述第二互連結(jié)構(gòu)。

10.一種用于制造存儲器器件的方法，包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請的實施例公開了存儲器器件、半導(dǎo)體器件及其制造方法。存儲器器件包括存儲器單元，存儲器單元包括設(shè)置在襯底的前側(cè)上的第一晶體管和第二晶體管，襯底具有第一區(qū)和第二區(qū)。存儲器器件包括設(shè)置在襯底的背側(cè)上的第一互連結(jié)構(gòu)。第一晶體管的一個S/D端子耦合到第二晶體管的一個S/D端子，而第二晶體管的另一S/D端子通過第一區(qū)中的第一通孔結(jié)構(gòu)耦合到第一互連結(jié)構(gòu)。存儲器器件包括第二通孔結(jié)構(gòu)和第三通孔結(jié)構(gòu)，均設(shè)置在第二區(qū)中并且各自耦合到第一互連結(jié)構(gòu)。第一通孔結(jié)構(gòu)和第二通孔結(jié)構(gòu)各自具有不同于第三通孔結(jié)構(gòu)的截面面積。

技術(shù)研發(fā)人員：楊憶欣,張盟昇
受保護的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19