本技術(shù)涉及顯示，尤其涉及一種光電器件及其制備方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、目前廣泛使用的光電器件為有機發(fā)光二極管(oled)和量子點發(fā)光二極管(qled)。oled由于具有自發(fā)光、結(jié)構(gòu)簡單、超輕薄、響應速度快、寬視角、低功耗、可柔性顯示等十分優(yōu)異的顯示性能，已成為顯示技術(shù)領(lǐng)域中的主流技術(shù)。qled具有出射光顏色飽和以及波長可調(diào)的優(yōu)點，而且光致、電致發(fā)光量子產(chǎn)率高，近年來成了oled的有力競爭者。但現(xiàn)有光電器件的發(fā)光效率較低，有待進一步改善。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本技術(shù)提供一種光電器件，旨在改善現(xiàn)有的光電器件的發(fā)光效率較低的問題。

2、本技術(shù)實施例是這樣實現(xiàn)的，一種光電器件，包括依次層疊設(shè)置的第一電極、光電功能層、第一載流子功能層和第二電極，所述第一載流子功能層包括含有oh-的納米粒子。

3、可選地，在本技術(shù)的一些實施例中，所述含有oh-的納米粒子與所述第二電極通過化學鍵連接。

4、可選地，在本技術(shù)的一些實施例中，所述光電器件還包括吸附層，所述吸附層設(shè)置在所述第二電極遠離所述第一載流子功能層的一側(cè)。

5、可選地，在本技術(shù)的一些實施例中，所述吸附層的材料包括胺類化合物，所述胺類化合物包括己內(nèi)酰胺、n,n′-二(1-萘基)-n,n′-二苯基-1,1′-聯(lián)苯-4-4′-二胺中的一種或幾種；和/或

6、所述吸附層的厚度為30nm～60nm。

7、可選地，在本技術(shù)的一些實施例中，所述光電功能層包括第二載流子功能層、發(fā)光層中的一種或幾種，所述發(fā)光層設(shè)置在所述第一電極和所述第一載流子功能層之間，所述第二載流子功能層設(shè)置在所述第一電極和所述發(fā)光層之間；

8、所述第一載流子功能層為電子功能層，所述第二載流子功能層為空穴功能層，或者，所述第一載流子功能層為空穴功能層，所述第二載流子功能層為電子功能層。

9、可選地，在本技術(shù)的一些實施例中，所述第二電極的材料包括金屬，所述金屬包括al、ag、cu、mo、au、ba、ca、yb以及mg中的一種或幾種；和/或

10、所述第一載流子功能層為電子功能層時，所述納米粒子包括第一摻雜型金屬氧化物顆粒、第一非摻雜型金屬氧化物顆粒、iib-via族半導體材料、iiia-va族半導體材料及ib-iiia-via族半導體材料中的一種或幾種，所述第一非摻雜型金屬氧化物顆粒的材料包括zno、tio2、sno2、zro2、ta2o5中的一種或幾種，所述第一摻雜型金屬氧化物顆粒中的金屬氧化物包括zno、tio2、sno2、zro2、ta2o5、al2o3中的一種或幾種，所述第一摻雜型金屬氧化物顆粒中的摻雜元素包括al、mg、li、mn、y、la、cu、ni、zr、ce、in、ga中的一種或幾種，所述iib-via族半導體材料包括zns、znse、cds中的一種或幾種，所述iiia-va族半導體材料包括inp、gap中的一種或幾種，所述ib-iiia-via族半導體材料包括cuins、cugas中的一種或幾種；所述第一載流子功能層為空穴功能層時，所述納米粒子包括第二摻雜型金屬氧化物顆粒、第二非摻雜型金屬氧化物顆粒、金屬硫化物、金屬硒化物和金屬氮化物中的一種或幾種，所述第二摻雜型金屬氧化物顆粒中的金屬氧化物和所述第二非摻雜型金屬氧化物顆粒中的金屬氧化物各自獨立地包括moo3、wo3、nio、cro3、cuo、cu2o、v2o5中的一種或幾種，所述第二摻雜型金屬氧化物顆粒中的摻雜元素包括mo、w、ni、cr、cu、v中的一種或幾種，所述金屬硫化物包括cus、mos3、ws3中的一種或幾種，所述金屬硒化物包括mose3、wse3中的一種或幾種，所述金屬氮化物包括p型氮化鎵；和/或

11、所述第二載流子功能層為電子功能層時，所述第二載流子功能層的材料包括第一摻雜型金屬氧化物顆粒、第一非摻雜型金屬氧化物顆粒、iib-via族半導體材料、iiia-va族半導體材料及ib-iiia-via族半導體材料中的一種或幾種，所述第一非摻雜型金屬氧化物顆粒的材料包括zno、tio2、sno2、zro2、ta2o5中的一種或幾種，所述第一摻雜型金屬氧化物顆粒中的金屬氧化物包括zno、tio2、sno2、zro2、ta2o5、al2o3中的一種或幾種，所述第一摻雜型金屬氧化物顆粒中的摻雜元素包括al、mg、li、mn、y、la、cu、ni、zr、ce、in、ga中的一種或幾種，所述iib-via族半導體材料包括zns、znse、cds中的一種或幾種，所述iiia-va族半導體材料包括inp、gap中的一種或幾種，所述ib-iiia-via族半導體材料包括cuins、cugas中的一種或幾種；所述第二載流子功能層為空穴功能層時，所述第二載流子功能層的材料包括4,4'-n,n'-二咔唑基-聯(lián)苯、n,n'-二苯基-n,n'-雙(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺、n,n'-二苯基-n,n'-雙(3-甲基苯基)-(1,1'-聯(lián)苯基)-4,4'-二胺、n,n'-雙(3-甲基苯基)-n,n'-雙(苯基)-螺、n,n'-二(4-(n,n'-二苯基-氨基)苯基)-n,n'-二苯基聯(lián)苯胺、4,4',4'-三(n-咔唑基)-三苯胺、4,4',4'-三(咔唑-9-基)三苯胺、三氯異氰尿酸、摻鋱的磷酸鹽基綠色發(fā)光材料、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮雜苯并菲、4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n-苯基氨基)三苯胺、聚[(9,9'-二辛基芴-2,7-二基)-co-(4,4'-(n-(4-仲丁基苯基)二苯胺))]、聚(4-丁基苯基-二苯基胺)、聚[雙(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、聚苯胺、聚吡咯、聚(對)亞苯基亞乙烯基、聚(亞苯基亞乙烯基)、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亞苯基亞乙烯基]、聚[2-甲氧基-5-(3',7'-二甲基辛氧基)-1,4-亞苯基亞乙烯基]、銅酞菁、芳香族叔胺、多核芳香叔胺、4,4'-雙(對咔唑基)-1,1'-聯(lián)苯化合物、n,n,n',n'-四芳基聯(lián)苯胺、pedot、pedot:pss及其衍生物、pedot:pss摻有s-moo3的衍生物、聚(n-乙烯基咔唑)及其衍生物、聚甲基丙烯酸酯及其衍生物、聚(9,9-辛基芴)及其衍生物、聚(螺芴)及其衍生物、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基聯(lián)苯胺、螺npb、納米多晶金剛石、微晶纖維素及四氰基醌二甲烷、摻雜石墨烯、非摻雜石墨烯、第二摻雜型金屬氧化物顆粒、第二非摻雜型金屬氧化物顆粒、金屬硫化物、金屬硒化物和金屬氮化物中的一種或幾種，所述第二摻雜型金屬氧化物顆粒中的金屬氧化物和所述第二非摻雜型金屬氧化物顆粒中的金屬氧化物各自獨立地包括moo3、wo3、nio、cro3、cuo、cu2o、v2o5中的一種或幾種，所述第二摻雜型金屬氧化物顆粒中的摻雜元素包括mo、w、ni、cr、cu、v中的一種或幾種，所述金屬硫化物包括cus、mos3、ws3中的一種或幾種，所述金屬硒化物包括mose3、wse3中的一種或幾種，所述金屬氮化物包括p型氮化鎵；和/或

12、所述發(fā)光層的材料包括4,4'-雙(n-咔唑)-1,1'-聯(lián)苯:三[2-(對甲苯基)吡啶合銥(iii)]、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(對甲苯基)吡啶合銥]、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、tbpe熒光材料、ttpx熒光材料、tbrb熒光材料、dbp熒光材料、延遲熒光材料、tta材料、tadf材料、含有b-n共價鍵合的聚合物、hlct材料、exciplex發(fā)光材料、cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、hgznste、sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete、snpbste、gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb、cuins2、cuinse2、agins2、cdse/cdses/cds、inp/znses/zns、cdznse/znse/zns、cdses/znses/zns、cdse/zns、cdse/znse/zns、znse/zns、znsete/zns、cdse/cdznses/zns、inp/znse/zns、amx3及bmx3中的一種或幾種，其中a為cs+離子，m為二價金屬陽離子，選自pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+中的一種或幾種，x為鹵素陰離子，選自cl-、br-、i-中的一種或幾種；b為有機胺陽離子，選自ch3(ch2)n-2nh3+或[nh3(ch2)nnh3]2+，其中n≥2；和/或

13、所述第一電極的材料包括金屬、碳材料以及金屬氧化物中的一種或幾種；所述金屬包括al、ag、cu、mo、au、ba、ca、yb以及mg中的一種或幾種；所述碳材料包括石墨、碳納米管、石墨烯以及碳纖維中的一種或幾種；所述金屬氧化物包括金屬氧化物電極或者摻雜或非摻雜透明金屬氧化物之間夾著金屬的復合電極，所述金屬氧化物電極的材料包括ito、fto、ato、azo、gzo、izo、mzo以及amo中的一種或幾種，所述復合電極包括azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、zns/ag/zns、zns/al/zns、tio2/ag/tio2以及tio2/al/tio2中的一種或幾種。

14、可選地，在本技術(shù)的一些實施例中，所述吸附層的厚度為30nm～60nm；和/或

15、所述第二電極的厚度為15nm～100nm；和/或

16、所述第一載流子功能層的厚度為10nm～120nm；和/或

17、所述發(fā)光層的厚度為10nm～60nm；和/或

18、所述第一電極的厚度為10nm～100nm；和/或

19、所述第二載流子功能層的厚度為10nm～120nm。

20、相應地，本技術(shù)實施例還提供一種光電器件的制備方法，包括：

21、提供光電器件預制體，所述光電器件預制體包括層疊設(shè)置的第一電極、發(fā)光層、第一載流子功能層、第二電極和吸附層；

22、將所述光電器件預制體置于含水氣氛中，所述含水氣氛中含有水，經(jīng)第一預設(shè)時間t后取出，退火，得到光電器件。

23、可選地，在本技術(shù)的一些實施例中，所述退火的溫度為120℃～150℃；和/或

24、所述退火的時間為10min～60min。

25、可選地，在本技術(shù)的一些實施例中，所述含水氣氛的相對濕度為30％～70％。

26、可選地，在本技術(shù)的一些實施例中，所述吸附層的材料包括胺類化合物；和/或

27、所述吸附層的厚度為30nm～60nm；和/或

28、所述第二電極的材料包括金屬；和/或

29、所述含水氣氛中還包括氧氣、氮氣、氦氣、氖氣、氬氣、氪氣、氙氣、氡氣中的一種或幾種；和/或

30、所述退火在氮氣、氦氣、氖氣、氬氣、氪氣、氙氣、氡氣中的一種或幾種氛圍中進行；和/或

31、所述第一預設(shè)時間t為0.1h～10h。

32、可選地，在本技術(shù)的一些實施例中，所述胺類化合物包括己內(nèi)酰胺、n,n′-二(1-萘基)-n,n′-二苯基-1,1′-聯(lián)苯-4-4′-二胺中的一種或幾種；和/或

33、所述金屬包括al、ag、cu、mo、au、ba、ca、yb以及mg中的一種或幾種；和/或

34、所述第一預設(shè)時間t為1h～5h。

35、可選地，在本技術(shù)的一些實施例中，所述第一載流子功能層為電子功能層或空穴功能層；

36、所述第一載流子功能層為電子功能層時，所述第一載流子功能層的材料包括第一摻雜型金屬氧化物顆粒、第一非摻雜型金屬氧化物顆粒、iib-via族半導體材料、iiia-va族半導體材料及ib-iiia-via族半導體材料中的一種或幾種，所述第一非摻雜型金屬氧化物顆粒的材料包括zno、tio2、sno2、zro2、ta2o5中的一種或幾種，所述第一摻雜型金屬氧化物顆粒中的金屬氧化物包括zno、tio2、sno2、zro2、ta2o5、al2o3中的一種或幾種，所述第一摻雜型金屬氧化物顆粒中的摻雜元素包括al、mg、li、mn、y、la、cu、ni、zr、ce、in、ga中的一種或幾種，所述iib-via族半導體材料包括zns、znse、cds中的一種或幾種，所述iiia-va族半導體材料包括inp、gap中的一種或幾種，所述ib-iiia-via族半導體材料包括cuins、cugas中的一種或幾種；

37、所述第一載流子功能層為空穴功能層時，所述第一載流子功能層的材料包括第二摻雜型金屬氧化物顆粒、第二非摻雜型金屬氧化物顆粒、金屬硫化物、金屬硒化物和金屬氮化物中的一種或幾種，所述第二摻雜型金屬氧化物顆粒中的金屬氧化物和所述第二非摻雜型金屬氧化物顆粒中的金屬氧化物各自獨立地包括moo3、wo3、nio、cro3、cuo、cu2o、v2o5中的一種或幾種，所述第二摻雜型金屬氧化物顆粒中的摻雜元素包括mo、w、ni、cr、cu、v中的一種或幾種，所述金屬硫化物包括cus、mos3、ws3中的一種或幾種，所述金屬硒化物包括mose3、wse3中的一種或幾種，所述金屬氮化物包括p型氮化鎵。

38、可選地，在本技術(shù)的一些實施例中，所述光電器件預制體還包括第二載流子功能層，所述第二載流子功能層設(shè)置在所述第一電極和所述發(fā)光層之間；

39、所述第一載流子功能層為電子功能層，所述第二載流子功能層為空穴功能層，或者，所述第一載流子功能層為空穴功能層，所述第二載流子功能層為電子功能層。

40、相應地，本技術(shù)實施例還提供一種顯示裝置，包括上述光電器件，或者包括上述的制備方法制備得到的光電器件。

41、本技術(shù)提供的光電器件，第一載流子功能層的載流子傳輸性能好，光電器件的發(fā)光效率佳。