1.一種C波段高增益GaN微波功率放大器電路，其特征是，包括集成在封裝管殼內(nèi)部對(duì)輸入信號(hào)依次進(jìn)行放大的前級(jí)放大電路和后級(jí)放大電路，還包括為前級(jí)放大電路和后級(jí)放大電路進(jìn)行供電的供電電路；
前級(jí)放大電路包括GaN驅(qū)動(dòng)功率放大器；后級(jí)放大電路包括GaN芯片、兩級(jí)匹配電路和偏置電路；兩級(jí)匹配電路的第一級(jí)T型匹配電路由串聯(lián)電感和匹配電容串聯(lián)，第二級(jí)為輸入阻抗變換線和輸出阻抗變換線；偏置電路包括設(shè)置在GaN芯片輸入和輸出端的四分之一波長(zhǎng)線和與波長(zhǎng)線并聯(lián)的偏置電容；
GaN驅(qū)動(dòng)功率放大器和GaN芯片的柵極和漏極分別共用同一個(gè)電源。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種C波段高增益GaN微波功率放大器電路，其特征是，還包括一分壓電路，使前、后級(jí)放大電路中的GaN驅(qū)動(dòng)功率放大器和GaN芯片達(dá)到所需的閾值電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種C波段高增益GaN微波功率放大器電路，其特征是，所述的串聯(lián)電感由鍵合金絲形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種C波段高增益GaN微波功率放大器電路，其特征是，GaN驅(qū)動(dòng)功率放大器和GaN芯片的柵極和漏極供電線路上分別接入濾波電容。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種C波段高增益GaN微波功率放大器電路，其特征是，輸入信號(hào)經(jīng)信號(hào)輸入端輸入GaN驅(qū)動(dòng)功率放大器放大后，經(jīng)過(guò)輸入阻抗變換線、由匹配電容和串聯(lián)電感組成的T型匹配電路，輸入GaN芯片的柵極，再?gòu)腉aN芯片漏極輸出，依次經(jīng)過(guò)由匹配電容和串聯(lián)電感組成的T型匹配電路、輸出阻抗變換線，最后傳送到信號(hào)輸出端。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種C波段高增益GaN微波功率放大器電路，其特征是，后級(jí)放大電路的信號(hào)輸出端還貼有隔直電容。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種C波段高增益GaN微波功率放大器電路，其特征是，供電電路中的柵極供電端分兩路，一路經(jīng)第三電阻、第一供電傳輸線、第一偏置電容和四分之一波長(zhǎng)線，為后級(jí)的GaN芯片的柵極供電；另外一路經(jīng)第二電阻、第四濾波電容和第二供電傳輸線，為前級(jí)的GaN驅(qū)動(dòng)功率放大器柵極供電。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種C波段高增益GaN微波功率放大器電路，其特征是，供電電路中的漏極供電端分兩路，一路依次經(jīng)過(guò)并聯(lián)的第三濾波電容、第二偏置電容和四分之一波長(zhǎng)線，傳送至后級(jí)的GaN芯片的漏極；另外一路依次經(jīng)過(guò)并聯(lián)的第一濾波電容、第三供電傳輸線和第二濾波電容，最后傳送到前級(jí)驅(qū)動(dòng)功率放大器的漏極。