1.一種具有PWM和DIM調(diào)光的非隔離LED驅(qū)動(dòng)芯片，包括高壓轉(zhuǎn)低壓模塊、退磁時(shí)間檢測(cè)模塊、開關(guān)控制模塊，峰值檢測(cè)模塊以及兩個(gè)調(diào)光信號(hào)輸入端DIM1、DIM2、兩個(gè)連接照明電路的端口DN1、DN2，兩個(gè)用于連接外部設(shè)備的端口VDD、VCC、兩個(gè)接地端口CS1、CS2；所述每個(gè)調(diào)光信號(hào)輸入端用于輸入直流信號(hào)和PWM信號(hào)；所述高壓轉(zhuǎn)低壓模塊連接端口DN1和DN2，輸出供外部設(shè)備或控制器使用的工作電壓到VDD，所述高壓轉(zhuǎn)低壓模塊的輸出端還連接5V電壓產(chǎn)生模塊，5V電壓產(chǎn)生模塊連接端口VCC用于MCU控制系統(tǒng)供電；所述開關(guān)控制模塊包括兩組控制通道，每個(gè)通道連接一個(gè)調(diào)光信號(hào)輸入端和一個(gè)高壓MOS管的柵極，兩個(gè)高壓MOS管的漏極分別連接DN1和DN2；所述退磁時(shí)間檢測(cè)模塊檢測(cè)照明電路的電感退磁時(shí)間，且根據(jù)輸入的直流信號(hào)調(diào)整高壓MOS管的關(guān)閉時(shí)間從而調(diào)整退磁時(shí)間；所述峰值檢測(cè)模塊用于檢測(cè)高壓MOS管的源極電壓，根據(jù)檢測(cè)到的源極電壓通過開關(guān)控制模塊控制高壓MOS管的關(guān)閉從而調(diào)整LED調(diào)光電路中電感放電的峰值；所述開關(guān)控制模塊根據(jù)輸入的PWM信號(hào)、退磁時(shí)間檢測(cè)模塊的輸出信號(hào)以及峰值檢測(cè)模塊的信號(hào)控制高壓MOS管的柵極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有PWM和DIM調(diào)光的非隔離LED驅(qū)動(dòng)芯片，其特征在于：所述峰值檢測(cè)模塊包括峰值檢測(cè)比較器，峰值檢測(cè)比較器的一端連接高壓MOS管的源極，輸入基電壓，當(dāng)高壓MOS管的源極電壓達(dá)到基準(zhǔn)電壓時(shí)，峰值檢測(cè)比較器輸出控制信號(hào)給開關(guān)控制模塊關(guān)閉高壓MOS管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有PWM和DIM調(diào)光的非隔離LED驅(qū)動(dòng)芯片，其特征在于：高壓轉(zhuǎn)低壓模塊包括高壓JFET，高壓JFET的源極連接MOS管M2的漏極，還通過一個(gè)電阻連接MOS管M1的漏極，MOS管M2和MOS管M1的柵極相連接，且MOS管M2的漏極和柵極相連接，MOS管M2的源極輸出供外部設(shè)備使用的直流電壓，MOS管M2連接的源極連接遲滯比較器，遲滯比較器輸入基準(zhǔn)電壓，遲滯比較器再連接控制電路調(diào)控MOS管M2的柵極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有PWM和DIM調(diào)光的非隔離LED驅(qū)動(dòng)芯片，其特征在于：所述退磁時(shí)間檢測(cè)模塊包括一個(gè)放大器、邏輯控制模塊和電容，放大器的輸入端連接高壓MOS管的柵極，放大器連接邏輯控制模塊產(chǎn)生控制信號(hào)，控制信號(hào)控制對(duì)電容充電的電流大小，產(chǎn)生時(shí)間控制信號(hào)控制高壓MOS管柵極的關(guān)閉時(shí)間。