本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種用于運(yùn)算放大器的密勒補(bǔ)償電路及運(yùn)算放大器。
背景技術(shù):
運(yùn)算放大器在生活中有非常廣泛的應(yīng)用。在很多應(yīng)用場合,要求運(yùn)算放大器具有較寬的帶寬和較好的穩(wěn)定性。
為了增強(qiáng)運(yùn)算放大器的穩(wěn)定性,通常在運(yùn)算放大器的第一級(jí)和第二級(jí)之間加入密勒補(bǔ)償電路。傳統(tǒng)的密勒補(bǔ)償電路是一個(gè)電阻和一個(gè)電容的串聯(lián)實(shí)現(xiàn)的,密勒補(bǔ)償電容的作用主要是將主極點(diǎn)向低頻移動(dòng),非主極點(diǎn)向高頻移動(dòng)從而實(shí)現(xiàn)極點(diǎn)的分離;密勒補(bǔ)償電阻的作用是將右半平面的零點(diǎn)移向高頻,以減小甚至抵消零點(diǎn)對(duì)系統(tǒng)穩(wěn)定性的影響。
傳統(tǒng)的密勒補(bǔ)償電路如圖1所示,包括第一nmos晶體管n1、第二nmos晶體管n2、第三nmos晶體管n3、第四nmos晶體管n4、第一pmos晶體管p1、第二pmos晶體管p2、第三pmos晶體管p3、第一電容c1、第一電阻r1。第一nmos晶體管n1的柵極接運(yùn)算放大器的第一輸入端uin1,源極接第二nmos晶體管n2的源極和第三nmos晶體管n3的漏極,漏極接第一pmos晶體管p1的柵極和漏極;第二nmos晶體管n2的柵極接運(yùn)算放大器的第二輸入端uin2,漏極接第二pmos晶體管p2的漏極和第三pmos晶體管的柵極;第一pmos晶體管p1的源極接電源;第二pmos晶體管的源極接電源;第一pmos晶體管p1的柵極與第二pmos晶體管p2的柵極相連,第三nmos晶體管n3的柵極接運(yùn)算放大器的偏置電流輸入端bias,源極接地;第三pmos晶體管p3的源極接電源,漏極接運(yùn)算放大器的輸出端uout;第四nmos晶體管n4的柵極接運(yùn)算放大器的偏置電流輸入端bias,源極接地,漏極接運(yùn)算放大器的輸出端uout;第一電阻r1與第一電容c2串聯(lián)構(gòu)成彌勒補(bǔ)償電路,彌勒補(bǔ)償電路第一電容c2的一端接第二nmos管n2的漏極輸出,第一電容c1的一端接運(yùn)算放大器的輸出端uout。
傳統(tǒng)的密勒補(bǔ)償電路在增強(qiáng)穩(wěn)定性的同時(shí)會(huì)大大減小運(yùn)算放大器的帶寬。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
為解決現(xiàn)有密勒補(bǔ)償電路會(huì)減小帶寬的技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種具有較寬帶寬的用于運(yùn)算放大器的密勒補(bǔ)償電路及運(yùn)算放大器。
一種用于運(yùn)算放大器的密勒補(bǔ)償電路,包括:第一電容c1、第二電容c2和第一電阻r1;第二電容c2、第一電阻r1、第一電容c1依次串聯(lián)構(gòu)成彌勒補(bǔ)償電路。
本發(fā)明還提供了一種運(yùn)算放大器,包括第一nmos晶體管n1、第二nmos晶體管n2、第三nmos晶體管n3、第四nmos晶體管n4、第一pmos晶體管p1、第二pmos晶體管p2、第三pmos晶體管p3;第一nmos晶體管n1的柵極接運(yùn)算放大器的第一輸入端uin1,源極接第二nmos晶體管n2的源極和第三nmos晶體管n3的漏極,漏極接第一pmos晶體管p1的柵極和漏極;第二nmos晶體管n2的柵極接運(yùn)算放大器的第二輸入端uin2,漏極接第二pmos晶體管p2的漏極和第三pmos晶體管的柵極;第一pmos晶體管p1的源極接電源;第二pmos晶體管的源極接電源;第二pmos晶體管p2的柵極與第一pmos晶體管p1的柵極相連;第三nmos晶體管n3的柵極接運(yùn)算放大器的偏置電流輸入端bias,源極接地;第三pmos晶體管p3的源極接電源,漏極接運(yùn)算放大器的輸出端uout;第四nmos晶體管n4的柵極接運(yùn)算放大器的偏置電流輸入端bias,源極接地,漏極接運(yùn)算放大器的輸出端uout;該運(yùn)算放大器還包括上述的彌勒補(bǔ)償電路,所述彌勒補(bǔ)償電路中第二電容c2的一端接第二nmos管n2的漏極輸出,第一電容c1的一端接運(yùn)算放大器的輸出端uout。
本發(fā)明帶密勒補(bǔ)償電路的運(yùn)算放大器,在傳統(tǒng)密勒補(bǔ)償電路的基礎(chǔ)上,增加了第二電容c2接于運(yùn)算放大器第一級(jí)的輸出端。與傳統(tǒng)的密勒補(bǔ)償電路相比,本發(fā)明的密勒補(bǔ)償電路在增加運(yùn)算放大器穩(wěn)定性的同時(shí),并不會(huì)減小其帶寬,大大提高了運(yùn)算放大器的性能。
附圖說明
圖1是傳統(tǒng)的帶密勒補(bǔ)償電路的運(yùn)算放大器電路結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本發(fā)明提供的密勒補(bǔ)償電路結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3是本發(fā)明實(shí)施方式提供的運(yùn)算放大器電路結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明了,下面結(jié)合具體實(shí)施方式并參照附圖,對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)該理解,這些描述只是示例性的,而并非要限制本發(fā)明的范圍。此外,在以下說明中,省略了對(duì)公知結(jié)構(gòu)和技術(shù)的描述,以避免不必要地混淆本發(fā)明的概念。
為了解決現(xiàn)有運(yùn)算放大器帶寬過窄的技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種新型的用于運(yùn)算放大器的密勒補(bǔ)償電路,如圖2所示,包括第一電容c1、第二電容c2和第一電阻r1,第二電容c2、第一電阻r1、第一電容c1依次串聯(lián)構(gòu)成彌勒補(bǔ)償電路。
如圖3所示,本發(fā)明提供的帶彌勒補(bǔ)償電路的運(yùn)算放大器電路,包括第一nmos晶體管n1、第二nmos晶體管n2、第三nmos晶體管n3、第四nmos晶體管n4、第一pmos晶體管p1、第二pmos晶體管p2、第三pmos晶體管p3、第一電容c1、第二電容c2和第一電阻r1,第一nmos晶體管n1的柵極接運(yùn)算放大器的第一輸入端uin1,源極接第二nmos晶體管n2的源極和第三nmos晶體管n3的漏極,漏極接第一pmos晶體管p1的柵極和漏極;第二nmos晶體管n2的柵極接運(yùn)算放大器的第二輸入端uin2,漏極接第二pmos晶體管p2的漏極和第三pmos晶體管的柵極;第一pmos晶體管p1的源極接電源;第二pmos晶體管的源極接電源;第二pmos晶體管p2的柵極與第一pmos晶體管p1的柵極相連;第三nmos晶體管n3的柵極接運(yùn)算放大器的偏置電流輸入端bias,源極接地;第三pmos晶體管p3的源極接電源,漏極接運(yùn)算放大器的輸出端uout;第四nmos晶體管n4的柵極接運(yùn)算放大器的偏置電流輸入端bias,源極接地,漏極接運(yùn)算放大器的輸出端uout;該運(yùn)算放大器還包括上述的彌勒補(bǔ)償電路,所述彌勒補(bǔ)償電路中第二電容c2的一端接第二nmos管n2的漏極輸出,第一電容c1的一端接運(yùn)算放大器的輸出端uout。
本發(fā)明帶密勒補(bǔ)償電路的運(yùn)算放大器,在傳統(tǒng)密勒補(bǔ)償電路的基礎(chǔ)上,增加了第二電容c2接于運(yùn)算放大器第一級(jí)的輸出端。與傳統(tǒng)的密勒補(bǔ)償電路相比,本發(fā)明的密勒補(bǔ)償電路在增加運(yùn)算放大器穩(wěn)定性的同時(shí),并不會(huì)減小其帶寬,大大提高了運(yùn)算放大器的性能。
應(yīng)當(dāng)理解的是,本發(fā)明的上述具體實(shí)施方式僅僅用于示例性說明或解釋本發(fā)明的原理,而不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。因此,在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。此外,本發(fā)明所附權(quán)利要求旨在涵蓋落入所附權(quán)利要求范圍和邊界、或者這種范圍和邊界的等同形式內(nèi)的全部變化和修改例。