技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種基于雙采樣技術(shù)的高壓信號(hào)采樣電路。其包括第三采樣電容CS3、第四采樣電容CS4、全差分跨導(dǎo)放大器S、第三積分電容CI3、第四積分電容CI4、第一開關(guān)c1、第二開關(guān)c2、第三開關(guān)c3、第四開關(guān)c4、第五開關(guān)c5、第六開關(guān)c6、第七開關(guān)c7和第八開關(guān)c8。本發(fā)明提供的基于雙采樣技術(shù)的高壓信號(hào)采樣電路的效果及優(yōu)點(diǎn)：該電路利用雙采樣技術(shù)，可有效解決低壓CMOS工藝中因無高壓電容而無法實(shí)現(xiàn)對(duì)高壓鋰電池電壓采集問題，即能夠利用低壓CMOS工藝代替高壓CMOS工藝，從而降低成本。

技術(shù)研發(fā)人員：段權(quán)珍;丁月民;黃勝明;劉慧敏;蘇林;郭天
受保護(hù)的技術(shù)使用者：天津理工大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.05
技術(shù)公布日：2017.09.08