本發(fā)明涉及LED驅(qū)動(dòng)技術(shù)，具體來(lái)說(shuō)是一種適用于芯片OVP引腳的調(diào)光裝置及其實(shí)現(xiàn)方法。
背景技術(shù)：
：目前市面上LED燈的調(diào)光大多采用專用調(diào)光芯片，就是芯片自帶調(diào)光引腳，支持10-100％的調(diào)光范圍，但當(dāng)我們的實(shí)際使用需求只局限在開(kāi)和關(guān)兩種狀態(tài)的時(shí)候，使用這種專用調(diào)光芯片性價(jià)比就不高，成本壓力較大。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的在于克服以上現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提供了一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低廉、可靠性高、操作方便及維護(hù)時(shí)間少的適用于芯片OVP(超壓保護(hù))引腳的調(diào)光裝置。本發(fā)明另一目的在于提供一種適用于芯片OVP引腳的調(diào)光裝置的實(shí)現(xiàn)方法。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：一種適用于芯片OVP引腳的調(diào)光裝置，包括芯片，芯片上具有OVP引腳，OVP引腳依次與管腳連接電阻、MOS管的D極連接，MOS管的S極與接地線連接，MOS管的G極與MOS管控制模塊連接。所述芯片為L(zhǎng)ED驅(qū)動(dòng)芯片。所述管腳連接電阻的阻值為100～200歐姆。所述MOS管控制模塊包括IO輸出高低電平模塊，IO輸出高低電平模塊與MOS管的G極連接。所述MOS管導(dǎo)通后的導(dǎo)通內(nèi)阻約等于零。上述的適用于芯片OVP引腳的調(diào)光裝置的實(shí)現(xiàn)方法，包括以下步驟：(1)、MOS管串接在OVP引腳和對(duì)地電阻中間；(2)、MOS管通過(guò)MOS控制模塊會(huì)處于兩種狀態(tài)：導(dǎo)通和斷開(kāi)；(3)、當(dāng)MOS管導(dǎo)通的時(shí)候，內(nèi)阻很小，相當(dāng)于短路，近似OVP引腳直接連接到管腳電阻到電源地，此時(shí)芯片可以正常工作，LED燈亮；(4)、當(dāng)MOS管斷開(kāi)的時(shí)候，內(nèi)阻趨近與無(wú)窮大，相當(dāng)于開(kāi)路，近似OVP引腳連接到管腳電阻到無(wú)窮大電阻，再到電源地，此時(shí)芯片的保護(hù)電壓變小，小于負(fù)載電壓，芯片無(wú)法正常工作，LED燈滅。所述芯片為L(zhǎng)ED驅(qū)動(dòng)芯片；所述管腳連接電阻的阻值為100～200歐姆；所述MOS管控制模塊包括IO輸出高低電平模塊，IO輸出高低電平模塊與MOS管的G極連接。本發(fā)明相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，具有如下的優(yōu)點(diǎn)及效果：1、本發(fā)明包括芯片，芯片上具有OVP引腳，OVP引腳依次與管腳連接電阻、MOS管的D極連接，MOS管的S極與接地線連接，MOS管的G極與MOS管控制模塊連接，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低廉、可靠性高、操作方便及維護(hù)時(shí)間少等特點(diǎn)。2、本發(fā)明通過(guò)將MOS管串接在OVP引腳和對(duì)地電阻中間，通過(guò)控制MOS管的導(dǎo)通與關(guān)斷來(lái)間接控制芯片的開(kāi)關(guān)達(dá)到調(diào)光的目的，MOS管所需的控制信號(hào)沒(méi)有特殊要求，只要能產(chǎn)生普通的高低電平就能控制MOS管，對(duì)控制模塊要求很低，不需要專用芯片來(lái)產(chǎn)生PWM或IIC等復(fù)雜信號(hào)來(lái)控制。3、本發(fā)明中的控制方式，在沒(méi)有輸出的情況下芯片接近停機(jī)狀態(tài)，與傳統(tǒng)的待機(jī)狀態(tài)相比，具有更好的待機(jī)功耗，更節(jié)能。附圖說(shuō)明圖1為一種適用于芯片OVP引腳的調(diào)光裝置的連接示意圖。圖中標(biāo)號(hào)與名稱如下：1芯片2OVP引腳3管腳連接電阻4MOS管5電源地6MOS管控制模塊具體實(shí)施方式為便于本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。實(shí)施例1：如圖1所示，一種適用于芯片OVP引腳的調(diào)光裝置，包括芯片，芯片上具有OVP引腳，OVP引腳依次與管腳連接電阻、MOS管的D極連接，MOS管的S極與接地線連接，MOS管的G極與MOS管控制模塊連接。本實(shí)施例中的芯片為L(zhǎng)ED驅(qū)動(dòng)芯片；管腳連接電阻的阻值為100～200歐姆。本實(shí)施例管腳連接電阻的阻值為150歐姆.本實(shí)施例中的MOS管控制模塊包括IO輸出高低電平模塊，IO輸出高低電平模塊與MOS管的G極連接。上述的適用于芯片OVP引腳的調(diào)光裝置的實(shí)現(xiàn)方法，包括以下步驟：(1)、MOS管串接在OVP引腳和對(duì)地電阻中間；(2)、MOS管通過(guò)MOS控制模塊會(huì)處于兩種狀態(tài)：導(dǎo)通和斷開(kāi)；(3)、當(dāng)MOS管導(dǎo)通的時(shí)候，內(nèi)阻很小，相當(dāng)于短路，近似OVP引腳直接連接到管腳電阻到電源地，此時(shí)芯片可以正常工作，LED燈亮；(4)、當(dāng)MOS管斷開(kāi)的時(shí)候，內(nèi)阻趨近與無(wú)窮大，相當(dāng)于開(kāi)路，近似OVP引腳連接到管腳電阻到無(wú)窮大電阻，再到電源地，芯片無(wú)法正常工作，LED燈滅。本實(shí)施例通過(guò)將MOS管串接在OVP引腳和對(duì)地電阻中間，通過(guò)控制MOS管的導(dǎo)通與關(guān)斷來(lái)間接控制芯片的開(kāi)關(guān)達(dá)到調(diào)光的目的，MOS管所需的控制信號(hào)沒(méi)有特殊要求，只要能產(chǎn)生普通的高低電平就能控制MOS管，對(duì)控制模塊要求很低，不需要專用芯片來(lái)產(chǎn)生PWM或IIC等復(fù)雜信號(hào)來(lái)控制。本實(shí)施例中的控制方式，在沒(méi)有輸出的情況下芯片接近停機(jī)狀態(tài)，與傳統(tǒng)的待機(jī)狀態(tài)相比，具有更好的待機(jī)功耗，更節(jié)能。上述具體實(shí)施方式為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并不能對(duì)本發(fā)明進(jìn)行限定，其他的任何未背離本發(fā)明的技術(shù)方案而所做的改變或其它等效的置換方式，都包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3