本發(fā)明涉及有機el發(fā)光裝置和電子設備。
背景技術：
：以往，作為顯示器中使用的發(fā)光裝置，使用液晶顯示裝置等，然而近年來，作為新型的發(fā)光裝置，使用了有機電致發(fā)光元件(以下，有時簡稱為有機el元件。)的有機el發(fā)光裝置也正在得到實用化。在有機el元件中，在陽極與陰極之間具備包含發(fā)光層的發(fā)光區(qū)域，由注入到發(fā)光層的空穴與電子的復合而產生的激子(exciton)能量得到發(fā)光。作為彩色顯示器中使用的發(fā)光裝置的方式，例如，采用了3色發(fā)光方式。3色發(fā)光方式中，分別形成能夠發(fā)出紅色(r)、綠色(g)和藍色(b)的光的三原色的元件，通過控制各色的發(fā)光強度的而得到彩色顯示。例如，專利文獻1中記載了如下的有機el發(fā)光裝置，即，形成紅、綠、藍的各透明像素電極，僅在紅和綠的透明像素電極上分別形成紅色和綠色各自的有機發(fā)光層，進一步地在整個面形成藍色的發(fā)光層，進一步地在這些層的上層形成對置電極。專利文獻1中記載的有機el發(fā)光裝置中，各色的發(fā)光層中含有熒光發(fā)光性的化合物。另外，根據專利文獻2，記載了通過設置相鄰層而得到高效率的有機el多色發(fā)光裝置的內容。其中，所述相鄰層包含對于紅、黃色磷光發(fā)光元件或綠色磷光發(fā)光元件而言能夠作為電子傳輸層和三重態(tài)阻擋層發(fā)揮作用、對于藍色熒光發(fā)光元件而言能夠作為空穴注入、傳輸層發(fā)揮作用的材料。另外，根據非專利文獻1，提出了如下的方法，即，利用使用磷光發(fā)光性的敏化劑來激發(fā)熒光發(fā)光色素的機理的有機發(fā)光元件，來提高熒光發(fā)光型的有機發(fā)光元件的發(fā)光效率?，F有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特開平10-153967號公報專利文獻2：國際公開第2012/157211號非專利文獻非專利文獻1：m.a.baldo，另外2人，“high-efficiencyfluorescentorganiclight-emittingdevicesusingaphosphorescentsensitizer”，nature，2000年2月17日，403卷，p.750～753非專利文獻2：takahirohiguchi，另外2人，“high-efficiencywhiteorganiclight-emittingdiodesbasedonabluethermallyactivateddelayedfluorescentemittercombinedwithgreenandredfluorescentemitters”，advancedmaterials，(doi：10.1002/adma.201404967)技術實現要素：發(fā)明要解決的課題本發(fā)明的目的在于提供能夠使發(fā)光效率提高的有機el發(fā)光裝置、和具備該有機el發(fā)光裝置的電子設備。解決課題的方法本發(fā)明的一個方式涉及的有機el發(fā)光裝置具備包含第一像素和第二像素的多個像素，上述第一像素和上述第二像素具有以上述第一像素和上述第二像素共有的方式設置的共有層，上述第二像素以外的像素各自具有非共有層，上述共有層包含延遲熒光性的化合物，上述第二像素呈現來自上述共有層的發(fā)光，上述第二像素以外的像素呈現來自各自的上述非共有層的發(fā)光。本發(fā)明的一個方式涉及的電子設備具備上述本發(fā)明的一個方式涉及的有機el發(fā)光裝置。根本發(fā)明的一個方式，能夠提供能夠使發(fā)光效率提高的有機el發(fā)光裝置、和具備該有機el發(fā)光裝置的電子設備。附圖說明圖1為第一實施方式涉及的有機el發(fā)光裝置的簡圖。圖2為測定過渡pl的裝置的簡圖。圖3為示出過渡pl的衰減曲線的一例的圖。圖4為第二實施方式涉及的有機el發(fā)光裝置的簡圖。圖5為第三實施方式涉及的有機el發(fā)光裝置的簡圖。具體實施方式〔第一實施方式〕圖1中示出本實施方式涉及的有機el發(fā)光裝置1的簡圖。有機el發(fā)光裝置1具有第一像素10、第二像素20和第三像素30。本實施方式中，有機el發(fā)光裝置1并排地具有第一像素10、第二像素20和第三像素30。本實施方式中，舉出第一像素10呈現綠色的發(fā)光、第二像素20呈現藍色的發(fā)光、第三像素30呈現紅色的發(fā)光的有機el發(fā)光裝置1作為示例進行說明?！暗诙袼匾酝獾南袼亍笔侵福瑯嫵膳c第二像素不同的像素，例如，本實施方式中，第一像素和第三像素相當于“第二像素以外的像素”?！暗诙袼匾酝獾南袼亍辈⒉幌薅ㄓ诒緦嵤┓绞侥菢拥?種像素，可以為1種，也可以為3種以上。有機el發(fā)光裝置1包含陽極2、空穴注入層3、空穴傳輸層4、發(fā)光區(qū)域5、電子傳輸層6、電子注入層7和陰極8。依如下順序層疊有陽極2、空穴注入層3、空穴傳輸層4、發(fā)光區(qū)域5、電子傳輸層6、電子注入層7、和陰極8。發(fā)光區(qū)域5負責有機el發(fā)光裝置1的發(fā)光。發(fā)光區(qū)域5的構成在第一像素10、第二像素20和第三像素30中各自不同。發(fā)光區(qū)域5具有包含延遲熒光性的化合物(有時稱為延遲熒光性化合物。)的共有層50。本實施方式的共有層50為以第一像素10、第二像素20和第三像素30共有的方式設置的層。共有層50使因共有層50中含有的延遲熒光性化合物的激發(fā)而產生的能量向第一像素10、第三像素30所具有的非共有層進行能量轉移，從而使非共有層中含有的化合物敏化。本實施方式中，共有層50可以進一步含有熒光發(fā)光性的化合物(有時稱為第一熒光發(fā)光性化合物。)。第一像素10的發(fā)光區(qū)域5在空穴傳輸層4與電子傳輸層6之間具有作為非共有層的第一發(fā)光層15，在第一發(fā)光層15與電子傳輸層6之間設有共有層50。第一發(fā)光層15與共有層50接觸。第一發(fā)光層15中含有的化合物從共有層50中含有的延遲熒光性化合物直接、或經由第一熒光發(fā)光性化合物接受能量而被敏化。本實施方式中，第一發(fā)光層15包含第二熒光發(fā)光性化合物。通過使與第一發(fā)光層15接觸的共有層50包含延遲熒光性化合物，由此，能夠使第二熒光發(fā)光性化合物效率良好地進行發(fā)光。即，能夠使第一像素10的發(fā)光效率提高。第二像素20的發(fā)光區(qū)域5具有共有層50。第二像素20呈現來自共有層50的發(fā)光。因此，第二像素中的共有層50也能夠作為有機el發(fā)光裝置1中的第二發(fā)光層發(fā)揮作用。在第二像素20中共有層50含有延遲熒光性化合物和第一熒光發(fā)光性化合物的情況下，能夠使第一熒光發(fā)光性化合物效率良好地進行發(fā)光。即，能夠使第二像素20的發(fā)光效率提高。優(yōu)選延遲熒光性化合物的單重態(tài)能量大于第一熒光發(fā)光性化合物的單重態(tài)能量。共有層50可以還包含第三化合物。第三化合物的單重態(tài)能量優(yōu)選大于延遲熒光性化合物的單重態(tài)能量。在共有層50包含第一熒光發(fā)光性化合物的情況下，優(yōu)選延遲熒光性化合物的單重態(tài)能量大于第一熒光發(fā)光性化合物的單重態(tài)能量，并且第三化合物的單重態(tài)能量大于延遲熒光性化合物的單重態(tài)能量。第三像素30的發(fā)光區(qū)域5在空穴傳輸層4與電子傳輸層6之間具有作為非共有層的第三發(fā)光層35，在第三發(fā)光層35與電子傳輸層6之間設有共有層50。第三發(fā)光層35與共有層50接觸。第三發(fā)光層35中含有的化合物由共有層50中含有的延遲熒光性化合物直接、或經由第一熒光發(fā)光性化合物接受能量而被敏化。本實施方式中，第三發(fā)光層35包含第三熒光發(fā)光性化合物。通過使與第三發(fā)光層35接觸的共有層50包含延遲熒光性化合物，能夠使第三熒光發(fā)光性化合物效率良好地進行發(fā)光。即，能夠使第三像素30的發(fā)光效率提高。有機el發(fā)光裝置1中，優(yōu)選：第二像素20呈現來自共有層50的發(fā)光，第一像素10不呈現來自共有層50的發(fā)光，而呈現來自第一發(fā)光層15的發(fā)光，第三像素30也不呈現來自共有層50的發(fā)光，而呈現來自第三發(fā)光層35的發(fā)光。另外，第一像素10也可以呈現來自共有層50的發(fā)光與來自第一發(fā)光層15的發(fā)光的混色發(fā)光。第三像素30也可以呈現來自共有層50的發(fā)光與來自第三發(fā)光層35的發(fā)光的混色發(fā)光。來自共有層50的發(fā)光的峰值波長優(yōu)選小于來自作為非共有層的第一發(fā)光層15和第三發(fā)光層35的發(fā)光的峰值波長。通過滿足這樣的峰值波長的關系，效率良好地產生從共有層50向第一發(fā)光層15的能量轉移、和從共有層50向第三發(fā)光層35的能量轉移。共有層50中含有的延遲熒光性化合物的發(fā)光能級的能量優(yōu)選大于作為非共有層的第一發(fā)光層15中含有的化合物的發(fā)光能級的能量、和作為非共有層的第三發(fā)光層35中含有的化合物的發(fā)光能級的能量。通過滿足這樣的發(fā)光能級的能量的關系，效率良好地產生從共有層50向第一發(fā)光層15的能量轉移、和從共有層50向第三發(fā)光層35的能量轉移?！ぱ舆t熒光性關于延遲熒光(熱活性化延遲熒光)，“有機半導體的器件物性”(安達千波矢編，講談社發(fā)行)的261～268頁中進行了解說。在該文獻中說明了：若能夠使熒光發(fā)光材料的激發(fā)單重態(tài)狀態(tài)與激發(fā)三重態(tài)狀態(tài)的能量差δe13減小，則通常以高概率發(fā)生躍遷概率低的自激發(fā)三重態(tài)狀態(tài)向激發(fā)單重態(tài)狀態(tài)的逆能量轉移，表現出熱活性化延遲熒光(thermallyactivateddelayedfluorescence，tadf)。另外，該文獻中的圖10.38中說明了延遲熒光的發(fā)生機制。本實施方式中的延遲熒光性化合物為顯示出以這樣的機制發(fā)生的熱活性化延遲熒光的化合物。延遲熒光的發(fā)光可以通過過渡pl(photoluminescence)測定進行確認。也可以基于由過渡pl測定得到的衰減曲線來分析延遲熒光的行為。過渡pl測定是如下的方法，即，向試樣照射脈沖激光使其激發(fā)，并測定終止照射后的pl發(fā)光的衰減行為(過渡特性)。tadf材料中的pl發(fā)光被分類為：來自由初始的pl激發(fā)生成的單重態(tài)激子的發(fā)光分量、和來自經由三重態(tài)激生成的單重態(tài)激子的發(fā)光分量。由初始的pl激發(fā)生成的單重態(tài)激子的壽命為納秒級，非常短。因此，來自該單重態(tài)激子的發(fā)光在照射脈沖激光后迅速地衰減。另一方面，延遲熒光是來自經由壽命長的三重態(tài)激子生成的單重態(tài)激子的發(fā)光，因此緩慢地衰減?？梢?，來自由初始的pl激發(fā)生成的單重態(tài)激子的發(fā)光與來自經由三重態(tài)激子生成的單重態(tài)激子的發(fā)光在時間上存在顯著差異。因此，可以求出來自延遲熒光的發(fā)光強度。圖2中示出了用于測定過渡pl的例示的裝置的簡圖。本實施方式的過渡pl測定裝置100具備：能夠照射規(guī)定波長的光的脈沖激光部101、收納測定試樣的試樣室102、對從測定試樣放射的光進行分光的分光器103、用于成像二維圖像的條紋相機104、和導入二維圖像進行分析的個人電腦105。此外，過渡pl的測定不限定于本實施方式中說明的裝置。收納于試樣室102的試樣，能夠通過將對于基體材料以12質量％的濃度摻雜了摻雜材料的薄膜成膜于石英基板上而得到。對于收納于試樣室102的薄膜試樣，從脈沖激光部101照射脈沖激光使摻雜材料激發(fā)。提取激發(fā)光中向相對于照射方向為90度的方向的發(fā)光，用分光器103對提取光進行分光，在條紋相機104內成像二維圖像。其結果是，能夠得到縱軸對應于時間、橫軸對應于波長、亮點對應于發(fā)光強度的二維圖像。若將該二維圖像以規(guī)定的時間軸切出，則能夠得到縱軸為發(fā)光強度、橫軸為波長的發(fā)光光譜。另外，若將該二維圖像以波長軸分切，則能夠得到縱軸為發(fā)光強度的對數、橫軸為時間的衰減曲線(過渡pl)。例如，作為基體材料，使用下述參考化合物m1，作為摻雜材料使用下述參考化合物dp1，按照上述那樣制作薄膜試樣a，進行了過渡pl測定?！净?】在此，使用上述薄膜試樣a和薄膜試樣b分析衰減曲線。薄膜試樣b使用下述參考化合物m2作為基體材料，并使用上述參考化合物dp1作為摻雜材料，如上所述地制作薄膜試樣。圖3中示出了由對于薄膜試樣a和薄膜試樣b測定的過渡pl得到的衰減曲線?！净?】通過上述這樣的過渡pl測定，能夠得到縱軸為發(fā)光強度、橫軸為時間的發(fā)光衰減曲線。基于該發(fā)光衰減曲線，能夠估算由通過光激發(fā)而生成的單重態(tài)激發(fā)狀態(tài)發(fā)光的熒光、與由經由三重態(tài)激發(fā)狀態(tài)并通過逆能量轉移而生成的單重態(tài)激發(fā)狀態(tài)發(fā)光的延遲熒光的熒光強度比。延遲熒光發(fā)光性的材料中，緩慢地衰減的延遲熒光的強度相對于極快地衰減的熒光的強度的比例在某種程度上大。本實施方式中的延遲熒光發(fā)光量可以使用上述圖2的裝置求出。對于上述延遲熒光性化合物而言，該延遲熒光性化合物被所吸收的波長的脈沖光(由脈沖激光照射的光)激發(fā)后，存在由該激發(fā)狀態(tài)立即觀察到的prompt發(fā)光(即時發(fā)光)、和該激發(fā)后不會立即觀察到，而隨后觀察到的delay發(fā)光(延遲發(fā)光)。本實施方式中，優(yōu)選delay發(fā)光(延遲發(fā)光)的量相對于prompt發(fā)光(即時發(fā)光)的量為5％以上。prompt發(fā)光和delay發(fā)光的量可以利用與“nature492，234-238，2012”中記載的方法同樣的方法求出。此外，prompt發(fā)光和delay發(fā)光的量的算出所使用的裝置并不限定于上述的文獻中記載的裝置。另外，延遲熒光發(fā)光性的測定所使用的試樣，例如可以使用如下試樣，即，將延遲熒光性化合物和下述化合物th-2以延遲熒光性化合物的比例成為12質量％的方式共蒸鍍于石英基板上，形成膜厚100nm的薄膜的試樣。【化3】·tadf機理優(yōu)選使用δst(df)小的化合物作為延遲熒光性化合物、通過從外部給與的熱量，容易發(fā)生從延遲熒光性化合物的三重態(tài)能級向延遲熒光性化合物的單重態(tài)能級的反向系間竄躍。有機el元件內部的被電激發(fā)的激子的激發(fā)三重態(tài)狀態(tài)通過反向系間竄躍，進行向激發(fā)單重態(tài)狀態(tài)的自旋交換的能量狀態(tài)轉換機理稱為tadf機理。將最低激發(fā)單重態(tài)狀態(tài)s1與最低激發(fā)三重態(tài)狀態(tài)t1之差定義為δst。本實施方式中，第二像素20的發(fā)光區(qū)域5中的共有層50含有延遲熒光性化合物。另外，第二像素20的發(fā)光區(qū)域5中的共有層50可以還含有第一熒光發(fā)光性化合物。若使用δst(df)小的化合物作為延遲熒光性化合物、則最低激發(fā)三重態(tài)狀態(tài)t1(df)能夠通過熱量發(fā)生向最低激發(fā)單重態(tài)狀態(tài)s1(df)的反向系間竄躍。而且，發(fā)生自延遲熒光性化合物的最低激發(fā)單重態(tài)狀態(tài)s1(df)向第一熒光發(fā)光性化合物的最低激發(fā)單重態(tài)狀態(tài)s1(m1)的forster型能量轉移。其結果是，能夠觀測到來自第一熒光發(fā)光性化合物的最低激發(fā)單重態(tài)狀態(tài)s1(m1)的熒光發(fā)光。本實施方式中，第一像素10的發(fā)光區(qū)域5中的共有層50與第一發(fā)光層15接觸，該第一發(fā)光層15包含第二熒光發(fā)光性化合物。因此，發(fā)生自延遲熒光性化合物的最低激發(fā)單重態(tài)狀態(tài)s1(df)向第二熒光發(fā)光性化合物的最低激發(fā)單重態(tài)狀態(tài)s1(m2)的forster型能量轉移，或者在共有層50中包含第一熒光發(fā)光性化合物的情況下，發(fā)生自第一熒光發(fā)光性化合物的最低激發(fā)單重態(tài)狀態(tài)s1(m1)向第二熒光發(fā)光性化合物的最低激發(fā)單重態(tài)狀態(tài)s1(m2)的forster型能量轉移。其結果是，能夠觀測到來自第二熒光發(fā)光性化合物的最低激發(fā)單重態(tài)狀態(tài)s1(m2)的熒光發(fā)光。延遲熒光性化合物的單重態(tài)能量s(df)優(yōu)選大于第二熒光發(fā)光性化合物的單重態(tài)能量s(m2)。本實施方式中，第三像素30的發(fā)光區(qū)域5中的共有層50與第三發(fā)光層35接觸，該第三發(fā)光層35包含第三熒光發(fā)光性化合物。因此，發(fā)生自延遲熒光性化合物的最低激發(fā)單重態(tài)狀態(tài)s1(df)向第三熒光發(fā)光性化合物的最低激發(fā)單重態(tài)狀態(tài)s1(m3)的forster型能量轉移，或者在共有層50中包含第一熒光發(fā)光性化合物的情況下，發(fā)生自第一熒光發(fā)光性化合物的最低激發(fā)單重態(tài)狀態(tài)s1(m1)向第三熒光發(fā)光性化合物的最低激發(fā)單重態(tài)狀態(tài)s1(m3)的forster型能量轉移。其結果是，能夠觀測到來自第三熒光發(fā)光性化合物的最低激發(fā)單重態(tài)狀態(tài)s1(m3)的熒光發(fā)光。延遲熒光性化合物的單重態(tài)能量s(df)優(yōu)選大于第三熒光發(fā)光性化合物的單重態(tài)能量s(m3)。通過像本實施方式的有機el發(fā)光裝置1那樣，在共有層50中使用延遲熒光性化合物，能夠使發(fā)光效率提高。另外，在具有呈現相互不同的發(fā)光色的多個像素的有機el發(fā)光裝置1中，以各像素共有的方式設置共有層50即可，因此能夠簡化構成、制造工序。以往提出過在共有層中包含熒光發(fā)光性的化合物的有機el發(fā)光裝置、在共有層中包含磷光發(fā)光性的化合物的有機el發(fā)光裝置等。這些有機el發(fā)光裝置試圖從共有層向鄰近的發(fā)光層進行能量轉移，通過對鄰近的發(fā)光層中含有的化合物的敏化效果來提高發(fā)光效率。例如，通過在共有層中使用磷光發(fā)光性的化合物，由此將內部量子收率提高到100％。然而，磷光是禁止躍遷的，因此forster半徑(能量進行轉移的距離)小，從共有層向發(fā)光層的能量轉移中存在課題。另外，在共有層中使用熒光發(fā)光性的化合物的情況下，熒光是允許躍遷的，因此forster半徑大，容易發(fā)生自共有層向發(fā)光層的能量轉移。然而，el內部量子收率為25％，因此在發(fā)光效率中存在課題。對于本實施方式的有機el發(fā)光裝置1而言，認為，共有層50中含有的延遲熒光性化合物能夠將內部量子收率提高至100％。另外，延遲熒光是允許躍遷的，因此forster半徑大，容易發(fā)生自共有層向發(fā)光層的能量轉移。因此，根據本實施方式的有機el發(fā)光裝置1，能夠使發(fā)光效率提高。本實施方式的有機el發(fā)光裝置1中，在共有層50包含第一熒光發(fā)光性化合物的情況下，在共有層50內發(fā)生自延遲熒光性化合物向第一熒光發(fā)光性化合物的能量轉移。另外，由于第一熒光發(fā)光性化合物的放射速度常數大于延遲熒光性化合物的放射速度常數，因此forster半徑大，易于自共有層50向第二熒光發(fā)光性化合物、第三熒光發(fā)光性化合物進行能量轉移。因此，有機el發(fā)光裝置1在發(fā)光效率方面更優(yōu)選。本實施方式的有機el發(fā)光裝置1中，第一發(fā)光層15和第三發(fā)光層35各自含有熒光發(fā)光性化合物。熒光發(fā)光性化合物的吸光系數高于延遲熒光性化合物、磷光發(fā)光性化合物，因此易于接受來自共有層50的延遲熒光性化合物的能量。因此，有機el發(fā)光裝置1在發(fā)光效率方面更優(yōu)選。本實施方式中，延遲熒光性化合物的77[k]下的能隙t77k(df)優(yōu)選大于第一熒光發(fā)光性化合物的77[k]下的能隙t77k(m1)。t77k(df)優(yōu)選為2.0ev以上，更優(yōu)選為2.2ev以上?！と貞B(tài)能量與77[k]下的能隙的關系在此，對三重態(tài)能量與77[k]下的能隙的關系進行說明。本實施方式中，77[k]下的能隙與通常定義的三重態(tài)能量有不同之處。三重態(tài)能量的測定按如下方式進行。首先，將成為測定對象的化合物蒸鍍到石英基板上而制作試樣、或者將溶解在適當的溶劑中的溶液封入石英玻璃管內而制作試樣。對于該測定試樣，在低溫(77[k])下測定磷光光譜(縱軸：磷光發(fā)光強度、橫軸：波長)，對該磷光光譜的短波長側的上升引出切線，基于該切線與橫軸的交點的波長值，由規(guī)定的換算式算出三重態(tài)能量。在此，作為本實施方式中使用的延遲熒光性化合物、優(yōu)選為δst小的化合物。若δst小，則即使在低溫(77[k])狀態(tài)下，也容易發(fā)生系間竄越和反向系間竄越，激發(fā)單重態(tài)狀態(tài)與激發(fā)三重態(tài)狀態(tài)共存。其結果是，與上述同樣地測定的光譜包含來自激發(fā)單重態(tài)狀態(tài)和激發(fā)三重態(tài)狀態(tài)這兩者的發(fā)光，難以區(qū)別是由哪個狀態(tài)發(fā)光的，但基本上可以認為三重態(tài)能量的值是決定性的。因此，本實施方式中，測定方法與通常的三重態(tài)能量t相同，但為了在其嚴格意義上區(qū)分出不同，將按以下方式測定的值稱為能隙t77k。在使用薄膜進行測定的情況下，將成為測定對象的化合物以膜厚100nm蒸鍍到石英基板上而制作試樣。對該試樣，在低溫(77[k])下測定磷光光譜(縱軸：磷光發(fā)光強度，橫軸：波長。)，對該磷光光譜的短波長側的上升引出切線，基于該切線與橫軸的交點的波長值λedge[nm]，將由下面的換算式(f1)算出的能量作為能隙t77k。換算式(f1)：t77k[ev]＝1239.85/λedge按以下方式對磷光光譜的短波長側的上升引出切線。在從磷光光譜的短波長側起至光譜的極大值之中最短波長側的極大值為止在光譜曲線上移動時，朝向長波長側考察曲線上的各點處的切線。該切線隨著曲線上升(即隨著縱軸增加)，而斜率增加。在該斜率的值取極大值的點處引出的切線(即拐點處的切線)作為對該磷光光譜的短波長側的上升的切線。此外，光譜的具有最大峰強度的15％以下的峰強度的極大點不包含在上述的最短波長側的極大值中，將在最接近最短波長側的極大值、且斜率的值取極大值的點處引出的切線作為對于該發(fā)光光譜的短波長側的上升的切線。磷光的測定中，可以使用(株)日立高新技術制的f-4500型分光熒光光度計主體。此外，測定裝置并不限定于此，也可以通過組合冷卻裝置和低溫用容器、激發(fā)光源以及受光裝置來進行測定?！沃貞B(tài)能量s單重態(tài)能量s如下所述地進行測定。將成為測定對象的化合物以膜厚100nm蒸鍍到石英基板上，制作試樣，在常溫(300k)測定該試樣的發(fā)光光譜(縱軸：發(fā)光強度、橫軸：波長。)。對于該發(fā)光光譜的短波長側的上升引出切線，基于該切線與橫軸的交點的波長值λedge[nm]，由以下的換算式(f2)算出。換算式(f2)：s[ev]＝1239.85/λedge吸收光譜利用分光光度計進行測定。例如，可以使用日立公司制的分光光度計(裝置名：u3310)等。針對發(fā)光光譜的短波長側的上升引出的切線如下所述地引出。在從磷光光譜的短波長側起至光譜的極大值之中最短波長側的極大值為止在光譜曲線上移動時，朝著長波長側考慮曲線上的各點的切線。對于該切線而言，隨著曲線上升(即隨著縱軸增加)，其斜率增加。在該斜率的值取極大值的點處引出的切線(即拐點處的切線)，為對于該發(fā)光光譜的短波長側的上升的切線。此外，光譜的具有最大峰強度的15％以下的峰強度的極大點不包含在上述最短波長側的極大值中，將在最接近最短波長側的極大值、且斜率的值取極大值的點處引出的切線作為對于該發(fā)光光譜的短波長側的上升的切線。此外，在使用蒸鍍到石英基板上的試樣而得的測定結果、與使用溶液而得的測定結果顯著不同的情況下，作為其原因，認為是分子的締合體的形成、與溶劑的強相互作用等。因此，也可以將成為測定對象的化合物、和能隙大、不形成復合受激態(tài)(exciplex)的適當的其他材料共蒸鍍到石英基板上得到試樣，使用所得到的試樣進行上述測定。(基板)有機el發(fā)光裝置1可以還具有作為支承體的基板。作為基板，例如可以使用玻璃、石英、塑料等。另外，也可以使用撓性基板。撓性基板是指能夠彎曲的(柔性的)基板。作為撓性基板，例如，可舉出包含聚碳酸酯、聚氯乙烯的塑料基板等。(陽極)陽極2優(yōu)選使用功函數大的(具體地為4.0ev以上)金屬、合金、導電性化合物和它們的混合物等。作為陽極2的材質，具體地，例如可舉出氧化銦-氧化錫(ito：indiumtinoxide)、含有硅或氧化硅的氧化銦-氧化錫、氧化銦-氧化鋅、含有氧化鎢和氧化鋅的氧化銦、石墨烯等。另外，作為陽極2的材質，可舉出金(au)、鉑(pt)或金屬材料的氮化物(例如，氮化鈦)等。(空穴注入層)空穴注入層3為包含空穴注入性高的物質的層。作為空穴注入性高的物質，例如可舉出，鉬氧化物、鈦氧化物、釩氧化物、錸氧化物、釕氧化物、鉻氧化物、鋯氧化物、鉿氧化物、鉭氧化物、銀氧化物、鎢氧化物、錳氧化物、芳香族胺化合物和高分子化合物(低聚物、樹形分子、聚合物等)等。(空穴傳輸層)空穴傳輸層4為包含空穴傳輸性高的物質的層。作為空穴傳輸層4中使用的化合物，例如可舉出，芳香族胺化合物、咔唑衍生物和蒽衍生物等。也能夠在空穴傳輸層4中使用聚(n-乙烯基咔唑)(簡稱：pvk)、聚(4-乙烯基三苯基胺)(簡稱：pvtpa)等高分子化合物。但是，若為空穴傳輸性高于電子傳輸性的物質，則也可以在空穴傳輸層4中使用這些以外的化合物。此外，包含空穴傳輸性高的物質的層可以為單層，也可以為包含上述物質的層層疊二層以上而成的疊層。(熒光發(fā)光性化合物)共有層50、第一發(fā)光層15和第三發(fā)光層35中含有的熒光發(fā)光性化合物為能夠從單重態(tài)激發(fā)狀態(tài)發(fā)光的化合物。熒光發(fā)光性化合物的種類沒有特別限定。作為呈現藍色的發(fā)光的熒光發(fā)光性化合物，例如可舉出，芘衍生物、苯乙烯基胺衍生物、衍生物、熒蒽衍生物、芴衍生物、二胺衍生物和三芳基胺衍生物等。作為呈現綠色的發(fā)光的熒光發(fā)光性化合物，例如可舉出，香豆素衍生物、吡咯甲川硼絡合物和芳香族胺衍生物等。作為呈現紅色的發(fā)光的熒光發(fā)光性化合物，例如可舉出，并四苯衍生物、二茚并芘衍生物、吡咯甲川硼絡合物和二胺衍生物等。第一發(fā)光層15和第三發(fā)光層35可以為將上述熒光發(fā)光性化合物分散到其他物質(基質材料)中的構成。作為用于使發(fā)光性高的物質分散的物質，可以使用各種化合物。作為基質材料，優(yōu)選使用與發(fā)光性高的物質相比最低空軌道能級(lumo能級)更高、且最高被占據軌道能級(homo能級)更低的物質。作為用于使發(fā)光性高的物質分散的物質(基質材料)，例如可舉出，金屬絡合物、雜環(huán)化合物、稠合芳香族化合物和芳香族胺化合物。作為金屬絡合物，例如可舉出，鋁絡合物、鈹絡合物和鋅絡合物等。作為雜環(huán)化合物，例如可舉出，噁二唑衍生物、苯并咪唑衍生物、二苯并呋喃衍生物、二苯并噻吩衍生物、吖嗪衍生物、吲哚衍生物、咔唑衍生物和菲咯啉衍生物等。作為稠合芳香族化合物，例如可舉出，蒽衍生物、菲衍生物、三亞苯基衍生物、芘衍生物、和衍生物等。作為芳香族胺化合物，例如可舉出，三芳基胺衍生物和稠合多環(huán)芳香族胺衍生物等。(電子傳輸層)電子傳輸層6為包含電子傳輸性高的物質的層。作為電子傳輸層6中使用的化合物，例如可舉出，金屬絡合物、雜芳香族化合物和高分子化合物等。作為金屬絡合物，例如可舉出，鋁絡合物、鈹絡合物和鋅絡合物等。作為雜芳香族化合物，例如可舉出，咪唑衍生物、苯并咪唑衍生物、吖嗪衍生物、咔唑衍生物和菲咯啉衍生物等。(電子注入層)電子注入層7為包含電子注入性高的物質的層。作為電子注入層7中使用的化合物，例如可舉出，堿金屬、堿土金屬、堿金屬化合物和堿土金屬化合物等。作為電子注入層7中使用的化合物的具體例，例如可舉出，鋰(li)、氟化鋰(lif)、氟化銫(csf)、氟化鈣(caf2)和鋰氧化物(liox)等。作為金屬絡合物，例如可舉出，鋰喹啉(liq)絡合物等。(陰極)陰極8優(yōu)選使用功函數小的(具體地為3.8ev以下)金屬、合金、導電性化合物和它們的混合物等。作為陰極8中使用的化合物的具體例，可舉出屬于元素周期表的第1族或第2族的元素，即鋰(li)、銫(cs)等堿金屬、和鎂(mg)等堿土金屬、和包含它們的合金(例如，mgag、alli)、銪(eu)、鐿(yb)等稀土金屬和包含它們的合金等。(膜厚)有機el發(fā)光裝置1的各層的膜厚除上文中特別提及的以外沒有限制。一般而言，若膜厚過薄，則容易產生針孔等缺陷，相反若膜厚過厚，則需要高的施加電壓，效率變差，因此通常膜厚優(yōu)選幾nm至1μm的范圍。(層形成方法)作為有機el發(fā)光裝置1的各層的形成方法，除上述中特別提及的以外沒有限制，可以采用干式成膜法、濕式成膜法等公知的方法。作為干式成膜法，例如可舉出，真空蒸鍍法、濺射法、等離子體法、離子鍍法等。作為濕式成膜法，例如可舉出，旋涂法、浸漬法、流涂法、噴墨法等。<電子設備>有機el發(fā)光裝置1可以用于顯示裝置、發(fā)光裝置等電子設備。作為顯示裝置，例如可舉出，有機el面板模塊等顯示部件、電視、移動電話、平板電腦或者個人計算機等。作為發(fā)光裝置，例如可舉出，照明或車輛用燈具等?！驳诙嵤┓绞健硨Φ诙嵤┓绞缴婕暗挠袡Cel發(fā)光裝置的構成進行說明。第二實施方式的說明中與第一實施方式相同的構成要素被賦予相同的符號、名稱等，從而省略或簡化說明。另外，第二實施方式中，對于沒有特別提及的材料、化合物，可以使用與第一實施方式中說明過的材料、化合物同樣的材料、化合物。圖4中示出本實施方式涉及的有機el發(fā)光裝置1a的簡圖。本實施方式的有機el發(fā)光裝置1a在如下方面與第一實施方式的有機el發(fā)光裝置1不同，即，共有層51為以第一像素11和第二像素21共有的方式設置的層的方面、第三像素31不與共有層51接觸的方面。其他方面與第一實施方式同樣。本實施方式中，舉出如下示例進行說明，即，第一像素11呈現紅色的發(fā)光、第二像素21呈現藍色的發(fā)光、第三像素31呈現綠色的發(fā)光的有機el發(fā)光裝置1a。有機el發(fā)光裝置1a的發(fā)光區(qū)域5a具有包含延遲熒光性化合物的共有層51。本實施方式中，共有層51可以還包含第一熒光發(fā)光性化合物。第一像素11的發(fā)光區(qū)域5a在空穴傳輸層4與電子傳輸層6之間具有作為非共有層的第一發(fā)光層15a，在第一發(fā)光層15a與電子傳輸層6之間設有共有層51。第一發(fā)光層15a與共有層51接觸。本實施方式中，第一發(fā)光層15a包含第二熒光發(fā)光性化合物，因此與上述同樣，能夠使第一像素11的發(fā)光效率提高。第二像素21的發(fā)光區(qū)域5a具有共有層51。第二像素21呈現來自共有層51的發(fā)光。第二像素21中共有層51包含延遲熒光性化合物。另外，在共有層51包含第一熒光發(fā)光性化合物的情況下，與上述同樣，能夠使第二像素21的發(fā)光效率提高。優(yōu)選延遲熒光性化合物的單重態(tài)能量大于第一熒光發(fā)光性化合物的單重態(tài)能量。第三像素31的發(fā)光區(qū)域5a在空穴傳輸層4與電子傳輸層6之間具有作為非共有層的第三發(fā)光層35a。來自共有層51的發(fā)光的峰值波長優(yōu)選小于來自作為非共有層的第一發(fā)光層15a的發(fā)光的峰值波長。通過滿足這樣的峰值波長的關系，由此，易于從共有層51向第一發(fā)光層15a進行能量轉移。共有層51中含有的延遲熒光性化合物的發(fā)光能級的能量優(yōu)選大于作為非共有層的第一發(fā)光層15a中含有的化合物的發(fā)光能級的能量。通過滿足這樣的發(fā)光能級的能量的關系，由此易于從共有層51向第一發(fā)光層15a進行能量轉移。通過本實施方式的有機el發(fā)光裝置1a，能夠使發(fā)光效率提高?！驳谌龑嵤┓绞健硨Φ谌龑嵤┓绞缴婕暗挠袡Cel發(fā)光裝置的構成進行說明。第三實施方式的說明中與第一實施方式、第二實施方式相同的構成要素被賦予相同的符號、名稱等，從而省略或簡化說明。另外，第三實施方式中，對于沒有特別提及的材料、化合物，可以使用與第一實施方式中說明過的材料、化合物同樣的材料、化合物。圖5中示出本實施方式涉及的有機el發(fā)光裝置1b的簡圖。本實施方式的有機el發(fā)光裝置1b在如下方面與第一實施方式的有機el發(fā)光裝置1不同，即，共有層52為以第一像素12和第二像素22共有的方式設置的層的方面、第三像素32不與共有層52接觸的方面、在共有層52與第一發(fā)光層15b之間包含阻隔層9的方面、以及第一像素12呈現紅色的發(fā)光、第二像素22呈現綠色的發(fā)光、第三像素32呈現藍色的發(fā)光的方面。其他方面與第一實施方式同樣。有機el發(fā)光裝置1b的發(fā)光區(qū)域5b具有包含延遲熒光性化合物的共有層52。本實施方式中，共有層52可以還包含第一熒光發(fā)光性化合物。優(yōu)選延遲熒光性化合物的單重態(tài)能量大于第一熒光發(fā)光性化合物的單重態(tài)能量。第一像素12的發(fā)光區(qū)域5b在空穴傳輸層4與電子傳輸層6之間具有作為非共有層的第一發(fā)光層15b，在第一發(fā)光層15b與電子傳輸層6之間具有共有層52。本實施方式中，第一發(fā)光層15b包含第二熒光發(fā)光性化合物。本實施方式中，在共有層52與第一發(fā)光層15b之間還具有阻隔層9。阻隔層9中含有的化合物的77[k]下的能隙t77k(bl)優(yōu)選為共有層52中含有的延遲熒光性化合物的77[k]下的能隙t77k(df)以上，阻隔層9中含有的化合物的t77k(bl)更優(yōu)選大于共有層52中含有的延遲熒光性化合物的t77k(df)。通過將這樣的阻隔層9包含在共有層52與第一發(fā)光層15b之間，由此能夠抑制自共有層52向第一發(fā)光層15b的三重態(tài)能量轉移，能夠在共有層52的內部在由三重態(tài)激子向單重態(tài)激子轉換后使單重態(tài)能量向第一發(fā)光層15b轉移。因此，通過有機el發(fā)光裝置1b，能夠使第一像素12的發(fā)光效率提高。另外，阻隔層9中含有的化合物的77[k]下的能隙t77k(bl)優(yōu)選為作為非共有層的第一發(fā)光層15b中含有的第二熒光發(fā)光性化合物的77[k]下的能隙t77k(m2)以上。阻隔層9中含有的化合物的單重態(tài)能量優(yōu)選為第二熒光發(fā)光性化合物的單重態(tài)能量以上，更優(yōu)選大于第二熒光發(fā)光性化合物的單重態(tài)能量。第二像素22的發(fā)光區(qū)域5b具有共有層52。第二像素22呈現來自共有層52的發(fā)光。第二像素22中共有層52包含延遲熒光件化合物。另外，在共有層52包含第一熒光發(fā)光性化合物的情況下，與上述同樣，能夠使第二像素22的發(fā)光效率提高。第三像素32的發(fā)光區(qū)域5b在空穴傳輸層4與電子傳輸層6之間具有作為非共有層的第三發(fā)光層35b。來自共有層52的發(fā)光的峰值波長優(yōu)選小于來自作為非共有層的第一發(fā)光層15b的發(fā)光的峰值波長。通過滿足這樣的峰值波長的關系，由此，易于從共有層52向第一發(fā)光層15b進行能量轉移。共有層52中含有的延遲熒光性化合物的發(fā)光能級的能量優(yōu)選大于作為非共有層的第一發(fā)光層15b中含有的化合物的發(fā)光能級的能量。通過滿足這樣的發(fā)光能級的能量的關系，由此易于從共有層52向第一發(fā)光層15b進行能量轉移。通過本實施方式的有機el發(fā)光裝置1b，也能夠使發(fā)光效率提高。〔實施方式的變形例〕此外，本發(fā)明并不限定于上述實施方式。在能夠達成本發(fā)明的目的的范圍內的變更、改良等包含于本發(fā)明中。例如，上述實施方式中，舉出各像素呈現紅色、綠色或藍色的發(fā)光的方式為例進行了說明，但本發(fā)明并不限定于這樣的方式。作為像素所呈現的其他發(fā)光色，例如可舉出，黃色、橙色、淺藍色、紫色和白色等。作為其他有機el發(fā)光裝置，例如可舉出如下的方式，即，在第二實施方式的有機el發(fā)光裝置1a中變更為第一像素呈現綠色的發(fā)光、第三像素呈現紅色的發(fā)光的方式。作為其他有機el發(fā)光裝置，例如可舉出如下的方式，即，將第二實施方式的有機el發(fā)光裝置1a變更為第一像素呈現紅色的發(fā)光、第二像素呈現綠色的發(fā)光、第三像素呈現藍色的發(fā)光的方式。使共有層和非共有層層疊的順序并不限定于上述實施方式中例示的方式。例如，可以在共有層與陽極之間設置非共有層，也可以在共有層與陰極之間設置非共有層。例如，在第一實施方式的有機el發(fā)光裝置中，可以為如下的方式，即，將第一像素的作為非共有層的第一發(fā)光層設置于電子傳輸層與共有層之間，將第三像素的作為非共有層的第三發(fā)光層設置于空穴傳輸層與共有層之間。阻隔層可以設置于第三實施方式以外的有機el發(fā)光裝置中。阻隔層被設置于共有層與非共有層之間。例如，在第一實施方式的有機el發(fā)光裝置中，可以在第一像素的作為非共有層的第一發(fā)光層與共有層之間設置第一阻隔層，在第三像素的作為非共有層的第三發(fā)光層與共有層之間設置第二阻隔層。在具有多個阻隔層的有機el發(fā)光裝置中，各自的阻隔層中含有的化合物可以相同也可以不同。阻隔層中使用的化合物根據與阻隔層接觸的作為非共有層的發(fā)光層中含有的化合物、共有層中含有的延遲熒光性化合物來適當選擇。上述實施方式中，舉出在作為非共有層的發(fā)光層中包含熒光發(fā)光性化合物的方式為例進行了說明，但本發(fā)明并不限定于這些方式。例如，作為非共有層的發(fā)光層可以包含磷光發(fā)光性化合物。共有層包含延遲熒光性化合物，因此與以往的有機el發(fā)光裝置相比，易于從共有層向包含磷光發(fā)光性化合物的層進行能量轉移。磷光發(fā)光性化合物為能夠從三重態(tài)激發(fā)狀態(tài)進行發(fā)光的化合物。作為呈現藍色的發(fā)光的磷光發(fā)光性化合物，例如可使用銥絡合物、鋨絡合物和鉑絡合物等金屬絡合物。作為呈現綠色的發(fā)光的磷光發(fā)光性化合物，例如可使用銥絡合物、鋱絡合物等。作為呈現紅色的發(fā)光的磷光發(fā)光性化合物，例如可使用銥絡合物、鉑絡合物和銪絡合物等金屬絡合物。發(fā)光層可以包含磷光發(fā)光性化合物和上述基質材料。與共有層直接接觸的、或夾隔著阻隔層等而間接地接觸的發(fā)光層中含有的發(fā)光性的化合物，對于各像素而言可以為相同的發(fā)光型，也可以為不同的發(fā)光型。例如，在第一實施方式的有機el發(fā)光裝置中，可以是第一像素的第一發(fā)光層中包含磷光發(fā)光性化合物、第三像素的第三發(fā)光層中包含熒光發(fā)光性化合物的方式，也可以是第一發(fā)光層中包含熒光發(fā)光性化合物、第三發(fā)光層中包含磷光發(fā)光性化合物的方式。另外，作為非共有層的發(fā)光層中也可以包含延遲熒光性化合物。此時，發(fā)光層更優(yōu)選包含延遲熒光性化合物和熒光發(fā)光性化合物。有機el發(fā)光裝置的發(fā)光區(qū)域的構成并不限定于上述實施方式的例示。例如，發(fā)光區(qū)域可以為下述表1～4所示的no.1～36的構成。表1～4中，df表示延遲熒光性化合物，fl表示熒光發(fā)光性化合物，ph表示磷光發(fā)光性化合物。no.1的構成示出，以第一、第二和第三像素共有的方式設置的共有層包含df+fl，即，包含延遲熒光性化合物和熒光發(fā)光性化合物。示出，第一發(fā)光層和第三發(fā)光層包含fl，即包含熒光發(fā)光性的化合物。此外，表1～4中，即使為相同的記號，也有時表示相互不同的化合物。例如，no.1的構成中存在如下的情況，即，第一發(fā)光層中含有的熒光發(fā)光性化合物fl與第三發(fā)光層中含有的熒光發(fā)光性化合物fl為不同的化合物的情況。另外，各像素的層構成中，像共有層/發(fā)光層那樣，將層疊構成以“/”表示。表1～4中，層疊構成可以直接進行層疊，也可以在共有層與發(fā)光層之間包含阻隔層。另外，表1～4中，作為共有層，示出了“共有層(df+fl)”的構成，但本發(fā)明并不限定于這些方式，也可以是不包含熒光發(fā)光性化合物fl的構成的“共有層(df)”。另外，表1～4中，作為第一發(fā)光層或第三發(fā)光層，例示了“第一發(fā)光層(df)”、“第三發(fā)光層(df)”的構成，但本發(fā)明并不限定于這些方式，也可以是包含熒光發(fā)光性化合物fl的構成的“第一發(fā)光層(df+fl)”、“第三發(fā)光層(df+fl)”?！颈?】【表2】【表3】【表4】有機el發(fā)光裝置可以具備使由各像素放射的光的色進行轉換的色轉換裝置。作為色轉換裝置，可舉出濾色器等。例如，在第一像素的發(fā)光為來自共有層的發(fā)光與來自發(fā)光層的發(fā)光的混色的情況下，通過在有機el發(fā)光裝置中設置色轉換裝置，由此能夠阻斷來自共有層的發(fā)光、并透射來自發(fā)光層的發(fā)光。發(fā)光層并不限于1層，可以層疊有多個發(fā)光層。在一個像素具有多個發(fā)光層的情況下，優(yōu)選至少1個發(fā)光層與共有層直接接觸、或者夾隔著阻隔層等而間接地接觸。一個像素中含有的多個發(fā)光層可以是相同的發(fā)光型，也可以是不同的發(fā)光型。一個像素中含有的多個發(fā)光層可以相互相鄰地設置，也可以為夾隔著中間層地層疊有多個發(fā)光單元的所謂的串聯型的層疊結構。在發(fā)光層與電子傳輸層之間、發(fā)光層與空穴傳輸層之間，可以在設置在共有層與發(fā)光層之間的上述阻隔層之外還相鄰地設置阻擋層。阻擋層優(yōu)選與發(fā)光層接觸地配置，并阻止空穴、電子和激子中的至少一者。例如，在共有層與空穴傳輸層之間具有發(fā)光層的情況下，優(yōu)選在發(fā)光層與空穴傳輸層之間設置第一阻擋層。另外，在共有層與電子傳輸層之間具有發(fā)光層的情況下，優(yōu)選在發(fā)光層與電子傳輸層之間設置第二阻擋層。在有機el發(fā)光裝置具有第一阻擋層的情況下，該第一阻擋層阻止傳輸空穴，并阻止電子到達比該第一阻擋層更靠近陽極側的層(例如，空穴傳輸層)。在有機el發(fā)光裝置具有第二阻擋層的情況下，該第二阻擋層阻止傳輸電子，并阻止空穴到達比該第二阻擋層更靠近陰極側的層(例如，電子傳輸層)。另外，可以使第一阻擋層和第二阻擋層中的至少一層與發(fā)光層相鄰，以使激發(fā)能量不從發(fā)光層向其周邊層漏出。阻止發(fā)光層中生成的激子遷移至比該阻擋層更靠近電極側的層(例如，電子傳輸層、空穴傳輸層)。優(yōu)選發(fā)光層與阻擋層接合。有機el發(fā)光裝置中，可以在設置共有層的同時使像素之間分離，以使各像素各自獨立地進行發(fā)光。例如，可以使陽極按照每個像素進行分離，可以使從陽極至空穴傳輸層或發(fā)光層為止的層構成按照每個像素進行分離，可以使從電子傳輸層至陰極為止的層構成分離，也可以使陰極按照每個像素進行分離。在分離后的像素之間可以夾隔著絕緣膜等。為了對有機el發(fā)光裝置按照每個像素進行驅動，可以在基板形成驅動各像素的薄膜晶體管，進而形成與各像素對應的像素電極(陽極)，在像素電極上形成上述各層。另外，上述實施方式中，作為示例舉出并列設置有3種以上像素的有機el發(fā)光裝置進行了說明，但也可以是并列設置有2種像素的有機el發(fā)光裝置。另外，有機el發(fā)光裝置可以具備多個包含2種以上像素的組。例如，可以是如下的有機el發(fā)光裝置，其具備多個包含第一像素、第二像素和第三像素這3種像素的組。不限于第一實施方式的有機el發(fā)光裝置，本發(fā)明的有機el發(fā)光裝置可以用于電子設備。另外，本發(fā)明的實施中的具體的結構和形狀等可以在達成本發(fā)明的目的的范圍內設為其他結構等。實施例對本發(fā)明涉及的實施例進行說明。本發(fā)明并不限于這些實施例。以下示出有機el發(fā)光裝置的制造中使用的化合物?！净?】【化5】【化6】【化7】<化合物的評價>接著，對本實施例中使用的化合物的物性進行測定。測定方法和算出方法如下所示。(延遲熒光性)利用圖2所示的裝置測定過渡pl，由此來確認延遲熒光性。將上述化合物df和上述化合物th-2以使化合物df的比例達到12質量％的方式共蒸鍍到石英基板上，形成膜厚100nm的薄膜，制作試樣。上述化合物df被所吸收的波長的脈沖光(由脈沖激光照射的光)激發(fā)后，存在由該激發(fā)狀態(tài)立即觀察到的prompt發(fā)光(即時發(fā)光)、和該激發(fā)后不會立即觀察到，而隨后觀察到的delay發(fā)光(延遲發(fā)光)。本實施例中的延遲熒光性是指，delay發(fā)光(延遲發(fā)光)的量相對于prompt發(fā)光(即時發(fā)光)的量為5％以上。對于化合物df確認到，delay發(fā)光(延遲發(fā)光)的量相對于prompt發(fā)光(即時發(fā)光)的量為5％以上。prompt發(fā)光和delay發(fā)光的量可以利用與“nature492，234-238，2012”中記載的方法同樣的方法求出。此外，prompt發(fā)光和delay發(fā)光的量的算出所使用的裝置并不限定于圖2的裝置、文獻中記載的裝置。(發(fā)光能級的能量)各化合物的發(fā)光能級的能量如下所述。各化合物的發(fā)光能級的能量按照上述單重態(tài)能量的測定方法進行測定?；衔飀f：2.73ev化合物gd：2.44ev化合物rd：2.00ev<有機el發(fā)光裝置的構成>簡略地在表5中示出實施例1～2的有機el發(fā)光裝置中的第一像素(r)和第二像素(g)的構成。在實施例1～2的有機el發(fā)光裝置中，第二像素(g)為相同的構成。實施例1～2的有機el發(fā)光裝置中以共有的方式設置共有層(g)。【表5】簡略地在表6中示出比較例1的有機el發(fā)光裝置中的像素(r)的構成。比較例1的有機el發(fā)光裝置中設有不包含化合物df的共有層?！颈?】比較例1第一像素(r)陰極電子注入層電子傳輸層阻擋層共有層(g)第一發(fā)光層(r)第二空穴傳輸層第一空穴傳輸層空穴注入層陽極<有機el發(fā)光裝置的制作>有機el發(fā)光裝置如下所述地制作。(實施例1)對25mm×75mm×1.1mm厚的帶有ito透明電極(陽極)的玻璃基板(geomatec公司制)在異丙醇中進行5分鐘超聲波清洗后，進行uv臭氧清洗30分鐘。ito的膜厚設為130nm。將清洗后的帶有透明電極線的玻璃基板裝載于真空蒸鍍裝置的基板夾持器。首先，在形成有透明電極線的一側的面上以覆蓋透明電極的方式蒸鍍化合物hi，形成第一像素(r)和第二像素(g)的空穴注入層?？昭ㄗ⑷雽拥哪ず裨O為5nm。接著，在空穴注入層上蒸鍍化合物ht1，在hi膜上形成第一像素(r)和第二像素(g)的第一空穴傳輸層。第一空穴傳輸層的膜厚設為80nm。接著，在第二像素(g)的第一空穴傳輸層上蒸鍍化合物ht2，形成第二空穴傳輸層。第二空穴傳輸層的膜厚設為10nm。另外，在第一像素(r)的第一空穴傳輸層上蒸鍍化合物ht2，形成第二空穴傳輸層。第二空穴傳輸層的膜厚設為5nm。然后，在第二空穴傳輸層上共蒸鍍化合物rh和化合物rd，形成第一發(fā)光層(r)。第一發(fā)光層(r)的膜厚設為5nm。第一發(fā)光層(r)中的化合物rd的濃度設為1質量％。接著在，第二像素(g)的第二空穴傳輸層、和第一像素(r)的第一發(fā)光層(r)上同時共蒸鍍化合物da、化合物df、化合物gd，以第一像素(r)和第二像素(g)共有的形式形成共有層(g)。共有層(g)中的化合物df的濃度設為50質量％，化合物gd的濃度設為1質量％。共有層(g)的膜厚設為5nm。接著，在第一像素(r)和第二像素(g)的共有層(g)上蒸鍍化合物bl，形成膜厚5nm的阻擋層。接著，在第一像素(r)和第二像素(g)的阻擋層上蒸鍍化合物et，形成膜厚20nm的電子傳輸層。接著，在第一像素(r)和第二像素(g)的電子傳輸層上蒸鍍氟化鋰(lif)，形成膜厚1nm的電子注入層。然后，在第一像素(r)和第二像素(g)的電子注入層上蒸鍍金屬鋁(al)，形成膜厚80nm的陰極。若簡要示出實施例1的有機el發(fā)光裝置的構成，則如下所示。第一像素(r)：ito(130)/hi(5)/ht1(80)/ht2(5)/rh：rd(5，rd：1％)/da：df：gd(5，df：50％，gd：1％)/bl(5)/et(20)/lif(1)/al(80)第二像素(g)：ito(130)/hi(5)/ht1(80)/ht2(10)/da：df：gd(5，df：50％，gd：1％)/bl(5)/et(20)/lif(1)/al(80)此外，括號內的數字表示膜厚(單位：nm)。另外，在相同的括號內，百分率所示的數字表示層中含有的化合物的比例(質量％)。(實施例2)實施例2的有機el發(fā)光裝置中，第二像素(g)與實施例1同樣，第一像素(r)在以下的方面與實施例1不同。在第一像素(r)的第一發(fā)光層(r)上蒸鍍化合物ht2，得到阻隔層。阻隔層的膜厚設為1nm。從在阻隔層上層疊的共有層(g)至陰極為止的構成與實施例1的第一像素(r)同樣。若簡要示出實施例2的有機el發(fā)光裝置中的第一像素(r)的構成，則如下所示。第一像素(r)：ito(130)/hi(5)/ht1(80)/ht2(5)/rh：rd(5，rd：1％)/ht2(1)/da：df：gd(5，df：50％，gd：1％)/bl(5)/et(20)/lif(1)/al(80)(比較例1)比較例1的有機el發(fā)光裝置在以下的方面與實施例1的有機el發(fā)光裝置不同，即，在實施例1的第一像素(r)中的共有層(g)中不包含df的方面、和不具備第二像素(g)的方面。若簡要示出比較例1的有機el發(fā)光裝置的構成，則如下所示。第一像素(r)：ito(130)/hi(5)/ht1(80)/ht2(5)/rh：rd(5，rd：1％)/da：gd(5，gd：1％)/bl(5)/et(20)/lif(1)/al(80)<有機el發(fā)光裝置的評價>對實施例1～2和比較例1中制作的有機el元件進行以下的評價。評價結果如表7所示?！ち炼?電流效率(l/j)以使電流密度達到10ma/cm2的方式對所制作的有機el發(fā)光裝置施加電壓，使用分光放射亮度計(柯尼卡美能達公司制，商品名：cs-1000)計測此時的亮度l(單位cd/m2)。對所得到的亮度，算出亮度-電流效率(單位cd/a)。此外，表7中以使比較例1的亮度-電流效率為1的相對值示出?！し逯挡ㄩLλp由所得到的上述分光放射亮度光譜求出峰值波長λp。來自第一像素(r)的峰值波長λp(r)為620nm。來自第二像素(g)的發(fā)光的峰值波長λp(g)為532nm。【表7】根據具備含有延遲熒光性化合物的共有層的實施例1～2的有機el發(fā)光裝置，與在共有層中不含有df的比較例1的有機el發(fā)光裝置相比，亮度-電流效率提高了2.2～2.3倍。特別是在實施例2中，由于在共有層與發(fā)光層之間使用了阻隔層，因此，與實施例1相比，亮度-電流效率(l/j)進一步得到提高。符號說明1，1a，1b…有機el發(fā)光裝置，9…阻隔層，10，11，12…第一像素、15，15a，15b…第一發(fā)光層(非共有層)，20，21，22…第二像素、30，31，32…第三像素、35，35a，35b…第三發(fā)光層，50，51，52…共有層。當前第1頁12