本實(shí)用新型涉及電路設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種可控硅調(diào)光處于最小角度時(shí)，可開(kāi)機(jī)啟動(dòng)快速充電的可探硅調(diào)光最小角度啟動(dòng)電路。

背景技術(shù)：

隨著智能LED照明產(chǎn)品在市場(chǎng)上的強(qiáng)烈需求，各種寬電壓、高精度的調(diào)光驅(qū)動(dòng)器越來(lái)越受客戶歡迎。客戶對(duì)調(diào)光產(chǎn)品的人性化需求也越發(fā)重要。

寬電壓可控硅調(diào)光芯片在市場(chǎng)應(yīng)用也比較多。但芯片啟動(dòng)回路在可控硅調(diào)光應(yīng)用中，不能在可控硅調(diào)光處于最小角度時(shí)開(kāi)機(jī)啟動(dòng)的功能，大大降低了客戶對(duì)調(diào)光照明產(chǎn)品的體驗(yàn)感。

如圖1的所示的普通直接采用上拉電阻充電方式的可控硅調(diào)光電路，在正常120V、60HZ電源輸入1個(gè)周期為16.66ms，半波時(shí)間為8.33ms?？煽毓枵{(diào)節(jié)范圍通常為30-140度，處于最小調(diào)光角度30度時(shí)，輸入電源只有1.3ms周期電壓，Vp峰值電壓約為70V，Vrms有效值電壓僅21V。調(diào)光芯片最小啟動(dòng)工作電壓為10.5V。在最小調(diào)光狀態(tài)DCBUS線電壓Vp峰值經(jīng)RS62給CS62充電，但由損耗原因RS62阻值在680K-2.2M之間，經(jīng)RS66給Q61驅(qū)動(dòng)極提供有效電壓在5V左右，遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到10.5V啟動(dòng)電壓，所以IC芯片不工作。

要想將DCBUS上線電壓21V給芯片供電啟動(dòng)工作，只有兩種方法。1、是采用超小電阻，用電阻降壓的方式給IC供電，但這種方式在輸入電壓達(dá)277V時(shí)，DCBUS線電壓上Vp超400V,將在這個(gè)供電電阻上，產(chǎn)生巨大的損耗。2、是采用復(fù)合管的形式，讓最小角度的Vp電壓直接灌到VDD上充電，這種控制方式很復(fù)雜，成本很高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的發(fā)明目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中調(diào)光芯片在處于可控硅調(diào)節(jié)最小角度時(shí)，開(kāi)機(jī)無(wú)法啟動(dòng)的不足，提供了一種可控硅調(diào)光處于最小角度時(shí)，可開(kāi)機(jī)啟動(dòng)快速充電的可探硅調(diào)光最小角度啟動(dòng)電路。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案：

一種可探硅調(diào)光最小角度啟動(dòng)電路，包括交流電源，全橋整流電路，可控硅調(diào)光芯片IC，電阻RS62，電阻RS63，電阻RS66，MOSFET管Q61，極性電容C61，電容CS61，電容CS62，電容CS63和穩(wěn)壓二極管ZS61；所述交流電源經(jīng)切相后的AC電壓再經(jīng)全橋整流電路后的得到DCBUS線電壓；所述DCBUS線電壓的一端分別與MOSFET管Q61的漏極、電阻RS62的一端和電阻RS63的一端電連接，MOSFET管Q61的源極分別與極性電容C61的正極端、電容CS61的一端和可控硅調(diào)光芯片IC的VDD接口電連接，電阻RS63另一端與電容CS63的一端電連接，電容CS63的另一端分別與MOSFET管Q61的柵極、穩(wěn)壓二極管ZS61的負(fù)極和電阻RS66的一端電連接，電阻RS62的另一端分別與電阻RS66的另一端、電容CS62的一端和可控硅調(diào)光芯片IC的BIAS接口電連接，電容CS62的另一端分別與穩(wěn)壓二極管ZS61的正極、極性電容C61的負(fù)極、電容CS61的另一端和可控硅調(diào)光芯片IC的PG接口電連接并接地。

本實(shí)用新型中，在正常120V、60HZ電源輸入1個(gè)周期為16.66ms，半波時(shí)間為8.33ms?？煽毓枵{(diào)節(jié)范圍通常為30-140度，處于最小調(diào)光角度30度時(shí)，輸入電源只有1.3ms周期電壓，Vp峰值電壓約為70V，Vrms有效值電壓僅21V。調(diào)光芯片最小啟動(dòng)工作電壓為10.5V。在最小調(diào)光狀態(tài)DCBUS線電壓Vp峰值經(jīng)RS62給CS62充電，但由損耗原因RS62阻值在680K-2.2M之間，經(jīng)RS66給Q61驅(qū)動(dòng)極提供有效電壓在5V左右，遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到10.5V啟動(dòng)電壓，所以IC芯片不工作。

當(dāng)加入RS63串接CS63和穩(wěn)壓管ZS61后，將很容易啟動(dòng)工作。CS63為高壓電容，DCBUS線電壓Vp約70V峰值，在峰值沒(méi)到來(lái)時(shí)CS63基本無(wú)電狀態(tài)，當(dāng)Vp峰值到來(lái)時(shí)，由于充電瞬間電容相當(dāng)于短路，充電能量很大，直接給Q61柵極提供一個(gè)高壓電平，使Q61導(dǎo)通，快速將VDD充到10.5V以上，芯片開(kāi)始工作。

由于每個(gè)正弦周期內(nèi)會(huì)有兩次最小角度時(shí)的峰值電壓，所以調(diào)節(jié)CS63和RS63大小，可確?？煽毓枵{(diào)光器最小角度時(shí)芯片能達(dá)到最小啟動(dòng)電壓10.5V的要求。當(dāng)無(wú)調(diào)光器時(shí)，由于沒(méi)有突變電壓，CS63上電壓會(huì)跟隨DCBUS一樣波形，只有很小的充電電流，不會(huì)造成線路高損耗和也不會(huì)影響Q61調(diào)光時(shí)的正常使能。

本實(shí)用新型提供了一種簡(jiǎn)單的快充方式。其工作原理是利用電容特性：通交流、阻直流，上電充電瞬間基本處于短路狀態(tài)，充滿電后基本無(wú)電流通過(guò)處于開(kāi)路狀態(tài)。

因此，本實(shí)用新型具有可以實(shí)現(xiàn)可控硅調(diào)光處于最小角度時(shí)，開(kāi)機(jī)啟動(dòng)快速充電的功能，大大提高了客戶對(duì)調(diào)光照明產(chǎn)品的體驗(yàn)感的特點(diǎn)。

作為優(yōu)選，所述電阻RS63為限流電阻；所述電阻RS63由1個(gè)電阻或多個(gè)電阻串聯(lián)組成。

其中RS63為限流電阻，由1個(gè)或多個(gè)組成，可調(diào)CS63充電電流。

作為優(yōu)選，所述電容CS63為高壓電容。

作為優(yōu)選，所述穩(wěn)壓二極管ZS61為22V穩(wěn)壓二極管。

穩(wěn)壓二極管ZS61主要為保護(hù)Q61柵極不過(guò)沖，造成MOSFET損壞。

因此，本實(shí)用新型具有如下有益效果：可以實(shí)現(xiàn)可控硅調(diào)光處于最小角度時(shí)，開(kāi)機(jī)啟動(dòng)快速充電的功能，大大提高了客戶對(duì)調(diào)光照明產(chǎn)品的體驗(yàn)感。

附圖說(shuō)明

圖1是普通直接采用上拉電阻充電方式的可控硅調(diào)光電路的電路原理圖；

圖2是本實(shí)用新型的一種電路原理圖；

圖3是本實(shí)用新型的一種典型應(yīng)用的電路原理圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步的描述。

如圖2所示的實(shí)施例是一種可探硅調(diào)光最小角度啟動(dòng)電路，包括交流電源，全橋整流電路，可控硅調(diào)光芯片IC，電阻RS62，電阻RS63，電阻RS66，MOSFET管Q61，極性電容C61，電容CS61，電容CS62，電容CS63和穩(wěn)壓二極管ZS61；所述交流電源經(jīng)切相后的AC電壓再經(jīng)全橋整流電路后的得到DCBUS線電壓；所述DCBUS線電壓的一端分別與MOSFET管Q61的漏極、電阻RS62的一端和電阻RS63的一端電連接，MOSFET管Q61的源極分別與極性電容C61的正極端、電容CS61的一端和可控硅調(diào)光芯片IC的VDD接口電連接，電阻RS63另一端與電容CS63的一端電連接，電容CS63的另一端分別與MOSFET管Q61的柵極、穩(wěn)壓二極管ZS61的負(fù)極和電阻RS66的一端電連接，電阻RS62的另一端分別與電阻RS66的另一端、電容CS62的一端和可控硅調(diào)光芯片IC的BIAS接口電連接，電容CS62的另一端分別與穩(wěn)壓二極管ZS61的正極、極性電容C61的負(fù)極、電容CS61的另一端和可控硅調(diào)光芯片IC的PG接口電連接并接地；

所述電阻RS63為限流電阻；所述電阻RS63由1個(gè)電阻或多個(gè)電阻串聯(lián)組成；所述電容CS63為高壓電容；所述穩(wěn)壓二極管ZS61為22V穩(wěn)壓二極管。

圖3 以ED-RT、20W、400-700I、20-42V、120-277V機(jī)種為例，采用可控硅調(diào)光器，切相后的AC電壓，經(jīng)全橋DS11、DS12、DS13、DS14整流后形成包洛DCBUS線電壓，在正常120V、60HZ電源輸入1個(gè)周期為16.66ms，半波時(shí)間為8.33ms。可控硅調(diào)節(jié)范圍通常為30-140度，處于最小調(diào)光角度30度時(shí)，輸入電源只有1.3ms周期電壓，Vp峰值電壓約為70V，Vrms有效值電壓僅21V。調(diào)光芯片最小啟動(dòng)工作電壓為10.5V。CS63為高壓電容，在峰值沒(méi)到來(lái)時(shí)CS63基本無(wú)電狀態(tài)，當(dāng)Vp峰值到來(lái)時(shí)，由于充電瞬間電容相當(dāng)于短路，充電電流經(jīng)RS63A、RS63B限流后，直接給Q62柵極提供一個(gè)約22V（ZS62 22V穩(wěn)壓管）高壓電平，使Q62導(dǎo)通經(jīng)RS64和DS62快速將VDD充到10.5V以上，US31芯片開(kāi)始工作。芯片工作后，開(kāi)關(guān)信號(hào)控制MOSFET開(kāi)通，給主電感儲(chǔ)能，并由主電感繞輔助線圈給IC進(jìn)行供電，形成自供電狀態(tài)穩(wěn)定工作。CS63電容的快充方式，可確保調(diào)光器在最小角度，開(kāi)機(jī)時(shí)能將US31芯片VDD能快速充電到最小啟動(dòng)需要的10.5V電壓以上，讓驅(qū)動(dòng)器線路能正常啟動(dòng)工作，達(dá)到最小角度開(kāi)機(jī)的目的。

因此，本實(shí)用新型具有如下有益效果：可以實(shí)現(xiàn)可控硅調(diào)光處于最小角度時(shí)，開(kāi)機(jī)啟動(dòng)快速充電的功能，大大提高了客戶對(duì)調(diào)光照明產(chǎn)品的體驗(yàn)感。

應(yīng)理解，本實(shí)施例僅用于說(shuō)明本實(shí)用新型而不用于限制本實(shí)用新型的范圍。此外應(yīng)理解，在閱讀了本實(shí)用新型講授的內(nèi)容之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型作各種改動(dòng)或修改，這些等價(jià)形式同樣落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求書(shū)所限定的范圍。