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IPM過(guò)流保護(hù)及延時(shí)恢復(fù)電路的制作方法

文檔序號(hào):12198011閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

1.一種IPM過(guò)流保護(hù)及延時(shí)恢復(fù)電路,包括IPM,其特征在于:所述的IPM過(guò)流保護(hù)及延時(shí)恢復(fù)電路還包括保護(hù)延時(shí)恢復(fù)電路以及用于采集IPM工作電源電流的信號(hào)采樣電路;所述信號(hào)采樣電路的輸入端與IPM的工作電源連接,所述信號(hào)采樣電路的輸出端與保護(hù)延時(shí)恢復(fù)電路的輸入端連接;所述保護(hù)延時(shí)恢復(fù)電路的輸出端與IPM的電流信號(hào)檢測(cè)輸入端連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IPM過(guò)流保護(hù)及延時(shí)恢復(fù)電路,其特征在于:所述的信號(hào)采樣電路包括信號(hào)采樣芯片和電阻R12、R13、R14、R15、R16;所述電阻R12的一端與公共接地端連接,所述電阻R12的另一端與保護(hù)延時(shí)恢復(fù)電路、信號(hào)采樣芯片的OUT腳連接;所述信號(hào)采樣芯片的GND端與公共接地端連接;所述信號(hào)采樣芯片的RA端與電阻R16的一端連接,所述電阻R16的另一端與信號(hào)采樣芯片的IN端、IPM的工作電源電壓輸入端、電阻R15的一端、電阻R16的一端、電容C3的一端連接;所述信號(hào)采樣芯片的LOAD端與電容C3的另一端、電阻R13的一端連接;所述電阻R13的另一端、電阻R14的另一端、電阻R15的另一端與信號(hào)采樣芯片的電源端連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IPM過(guò)流保護(hù)及延時(shí)恢復(fù)電路,其特征在于:所述的保護(hù)延時(shí)恢復(fù)電路,包括第一比較電路,用于第一基準(zhǔn)電壓與采樣電壓信號(hào)相比較的第一比較電路;所述的第一比較電路輸入第一基準(zhǔn)電壓和采樣電壓信號(hào);第二比較電路,用于第二基準(zhǔn)電壓與第一比較電路輸出電壓相比較的第二比較電路;所述的第二比較電路輸入第二基準(zhǔn)電壓和第一比較電路輸出電壓,所述的第二比較電路輸出過(guò)流保護(hù)信號(hào);充放電延時(shí)電路,通過(guò)充放電使得在一段時(shí)間內(nèi)處于保護(hù)狀態(tài);所述的充放電延時(shí)電路與第一比較電路、第二比較電路均電連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的IPM過(guò)流保護(hù)及延時(shí)恢復(fù)電路,其特征在于:所述的充放電延時(shí)電路包括充放電電路和受第二比較電路控制的保護(hù)狀態(tài)保持電路;所述的充放電電路與第一比較電路、第二比較電路均電連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的IPM過(guò)流保護(hù)及延時(shí)恢復(fù)電路,其特征在于:所述的充放電電路包括電阻R4、R5,二極管D1、D2以及電容C1;所述電阻R5的一端與第一電源正極連接,所述電阻R5的另一端與第一比較電路的輸出端、電容C1的一端連接;所述電容C1的另一端與二極管D1的陽(yáng)極、二極管D2的陰極連接;所述二極管D1的陰極與電阻R4的一端、第二比較電路的輸入端連接;所述電阻R4的另一端、二極管D2的陽(yáng)極均與公共接地端連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的IPM過(guò)流保護(hù)及延時(shí)恢復(fù)電路,其特征在于:所述的保護(hù)狀態(tài)保持電路包括電阻R1、R2、R3以及PNP型三極管Q1;所述PNP型三極管Q1的e極與第二電源的正極、電阻R3的一端連接;所述PNP型三極管Q1的b極與電阻R2的一端連接;所述PNP型三極管Q1的c極與電阻R1的一端連接;所述電阻R2的另一端、電阻R3的另一端均與第二比較電路的輸出端連接;所述電阻R1的另一端與公共接地端連接。

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