技術(shù)特征：

1.一種可實(shí)現(xiàn)快速通斷的電子開關(guān)驅(qū)動(dòng)器，其特征在于：包括：方波發(fā)生器（1）、推挽電路（2）、高壓MOS管（3）、加速網(wǎng)絡(luò)單元（4）、耦合變壓器（5）和至少2個(gè)驅(qū)動(dòng)支路（6），此驅(qū)動(dòng)支路（6）由依次串聯(lián)的驅(qū)動(dòng)小信號單元（7）、功率管單元（8）和主電路取能單元（9）組成；

所述方波發(fā)生器（1）與推挽電路（2）的輸入端連接，所述高壓MOS管（3）的柵極連接到推挽電路（2）的輸出端，所述高壓MOS管（3）的源極和漏極位于接地和加速網(wǎng)絡(luò)單元（4）之間，所述加速網(wǎng)絡(luò)單元（4）與耦合變壓器（5）的初級線圈連接；

所述耦合變壓器（5）初級側(cè)和次級側(cè)分別具有一個(gè)初級線圈和至少4個(gè)次級線圈，此至少4個(gè)次級線圈進(jìn)一步分為至少2個(gè)V_Tp次級線圈和至少2個(gè)V_Tn次級線圈，所述加速網(wǎng)絡(luò)單元（4）與耦合變壓器（5）的初級線圈串連連接，耦合變壓器（5）的V_Tp次級線圈和V_Tn次級線圈均連接到對應(yīng)驅(qū)動(dòng)支路（6）的驅(qū)動(dòng)小信號單元（7）上；

所述驅(qū)動(dòng)小信號單元（7）進(jìn)一步包括濾波模塊（71）、MOS管（72）和位于濾波模塊（71）、MOS管（72）之間的第一二極管（73），此濾波模塊（71）與VTn次級線圈連接，此MOS管（72）的柵極和源極分別與VTp次級線圈的高電位輸出端和低電位輸出端連接，一穩(wěn)壓二極管（10）與串聯(lián)的第一二極管（73）、濾波模塊（71）并聯(lián)；

所述主電路取能單元（9）進(jìn)一步包括存儲電容（91）、第二二極管（92）和2個(gè)串聯(lián)的限流電阻（93），所述存儲電容（91）與驅(qū)動(dòng)小信號單元（7）的MOS管（72）的漏極連接，所述第二二極管（92）位于2個(gè)串聯(lián)的限流電阻（93）的接點(diǎn)與MOS管（72）與存儲電容的接點(diǎn)之間，驅(qū)動(dòng)小信號單元（7）的MOS管的源極連接到功率管單元（8）中功率管（81）的柵極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可實(shí)現(xiàn)快速通斷的電子開關(guān)驅(qū)動(dòng)器，其特征在于：所述加速網(wǎng)絡(luò)單元（4）由并聯(lián)的R_v電阻和C_v電容并聯(lián)組成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可實(shí)現(xiàn)快速通斷的電子開關(guān)驅(qū)動(dòng)器，其特征在于：所述功率管單元（8）中的功率管（81）由第一功率MOS管和第二功率MOS管并聯(lián)組成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可實(shí)現(xiàn)快速通斷的電子開關(guān)驅(qū)動(dòng)器，其特征在于：所述推挽電路（2）包括第一功率MOS管（21）、第二功率MOS管（22）和第三功率MOS管（23），第二功率MOS管（22）與第三功率MOS管（23）并聯(lián)，第一功率MOS管（21）與第二功率MOS管（22）和第三功率MOS管（23）串聯(lián)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可實(shí)現(xiàn)快速通斷的電子開關(guān)驅(qū)動(dòng)器，其特征在于：所述驅(qū)動(dòng)支路（6）數(shù)目為四個(gè)，此四個(gè)驅(qū)動(dòng)支路（6）并聯(lián)連接。