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C波段超寬帶下變頻型鎖相高速跳頻合成器的制作方法

文檔序號:12125241閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.C波段超寬帶下變頻型鎖相高速跳頻合成器,其特征在于:包括數(shù)字電路(10)和射頻電路,所述數(shù)字電路(10)的輸入端和射頻電路的輸入端均連接晶振信號,數(shù)字電路(10)的輸出端連接射頻電路的另一個輸入端。

2.如權(quán)利要求1所述的C波段超寬帶下變頻型鎖相高速跳頻合成器,其特征在于:所述數(shù)字電路(10)包括第一功分器(11)、分頻器(12)、FPGA控制器(13)以及用于輸出故障檢測信號的第一檢波器(14),所述第一功分器(11)的輸入端連接晶振信號,第一功分器(11)的兩個輸出端分別連接分頻器(12)的輸入端、第一檢波器(14)的輸入端,所述分頻器(12)的輸出端連接FPGA控制器(13)的輸入端,所述FPGA控制器(13)的輸出端連接射頻電路的另一個輸入端。

3.如權(quán)利要求2所述的C波段超寬帶下變頻型鎖相高速跳頻合成器,其特征在于:所述射頻電路包括PLL電路模塊(21)和放大倍頻濾波模塊(22),所述PLL電路模塊(21)的第一輸入端和放大倍頻濾波模塊(22)的輸入端均連接第二功分器的輸出端,所述第二功分器的輸入端連接晶振信號,所述PLL電路模塊(21)的第二輸入端連接FPGA控制器(13)的輸出端,PLL電路模塊(21)的第三輸入端連接放大倍頻濾波模塊(22)的輸出端。

4.如權(quán)利要求3所述的C波段超寬帶下變頻型鎖相高速跳頻合成器,其特征在于:所述PLL電路模塊(21)包括第一衰減放大單元,所述第一衰減放大單元的輸入端連接第二功分器的一個輸出端,第一衰減放大單元的輸出端連接第一低通濾波器的輸入端,所述第一低通濾波器的輸出端連接鑒相器(210)的一個輸入端,鑒相器(210)的另外兩個輸入端分別連接第二低通濾波器(219)的輸出端、FPGA控制器(13)的輸出端,鑒相器(210)的輸出端連接運(yùn)算放大器(211)的輸入端,所述運(yùn)算放大器(211)的輸出端連接壓控振蕩器(212)的輸入端,所述壓控振蕩器(212)的輸出端連接第二衰減放大單元(213)的輸入端,所述第二衰減放大單元(213)的輸出端連接第一微帶功分器(214)的輸入端,所述第一微帶功分器(214)的兩個輸出端分別連接第三衰減放大單元(215)的輸入端、第一放大器的輸入端,所述第三衰減放大單元(215)的輸出端連接混頻器(216)的一個輸入端,所述混頻器(216)的另一個輸入端連接放大倍頻濾波模塊(22)的輸出端,混頻器(216)的輸出端連接高通濾波器(217)的輸入端,所述高通濾波器(217)的輸出端連接第四衰減放大單元(218)的輸入端,所述第四衰減放大單元(218)的輸出端連接第二低通濾波器(219)的輸入端;所述鑒相器(210)、運(yùn)算放大器(211)、壓控振蕩器(212)、第二衰減放大單元(213)、第一微帶功分器(214)、第三衰減放大單元(215)、混頻器(216)、高通濾波器(217)、第四衰減放大單元(218)、第二低通濾波器(219)組成鎖相環(huán)路;

所述第一放大器的輸出端連接第二微帶功分器的輸入端,所述第二微帶功分器的兩個輸出端分別連接第三微帶功分器的輸入端、第四微帶功分器的輸入端,所述第三微帶功分器的兩個輸出端分別連接第二檢波器的輸入端、第二放大器的輸入端,所述第四微帶功分器的兩個輸出端分別連接第三放大器的輸入端、第四放大器的輸入端,所述第二放大器的輸出端連接第一介質(zhì)濾波器的輸入端,所述第三放大器的輸出端連接第二介質(zhì)濾波器的輸入端,所述第四放大器的輸出端連接第三介質(zhì)濾波器的輸入端。

5.如權(quán)利要求4所述的C波段超寬帶下變頻型鎖相高速跳頻合成器,其特征在于:所述放大倍頻濾波模塊(22)包括第一帶通濾波器(220)、第一放大倍頻器(221)、第二帶通濾波器(222)、第二放大倍頻器(223)、第四介質(zhì)濾波器(224)、第五衰減放大器(225),所述第一帶通濾波器(220)的輸入端連接第二功分器的另一個輸出端,所述第一帶通濾波器(220)的輸出端連接第一放大倍頻器(221)的輸入端,所述第一放大倍頻器(221)的輸出端連接第二帶通濾波器(222)的輸入端,所述第二帶通濾波器(222)的輸出端連接第二放大倍頻器(223)的輸入端,所述第二放大倍頻器(223)的輸出端連接第四介質(zhì)濾波器(224)的輸入端,所述第四介質(zhì)濾波器(224)的輸出端連接第五衰減放大器(225)的輸入端,所述第五衰減放大器(225)的輸出端連接混頻器(216)的輸入端。

6.如權(quán)利要求4所述的C波段超寬帶下變頻型鎖相高速跳頻合成器,其特征在于:所述FPGA控制器(13)的型號為美國Altera公司生產(chǎn)的EP1C3T100I7芯片。

7.如權(quán)利要求4所述的C波段超寬帶下變頻型鎖相高速跳頻合成器,其特征在于:所述鑒相器(210)的型號為美國Hittite公司生產(chǎn)的HMC704LP4芯片。

8.如權(quán)利要求5所述的C波段超寬帶下變頻型鎖相高速跳頻合成器,其特征在于:所述混頻器(216)的型號為美國Hittite公司生產(chǎn)的HMC557LC4芯片。

9.如權(quán)利要求4所述的C波段超寬帶下變頻型鎖相高速跳頻合成器,其特征在于:所述第一放大器、第二放大器、第三放大器、第四放大器的型號均為美國Hittite公司生產(chǎn)的HMC392LC4芯片。

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