1.一種互阻抗放大器，其特征在于，包括：
第一電源端子和第二電源端子，用于接收正的恒定電源電壓，其中所述第二電源端子表示接地；
輸入端子，被配置成電耦合至電流源；
第一晶體管，包括控制端子以及第一傳導(dǎo)端子和第二傳導(dǎo)端子，其中所述輸入端子電耦合至所述第一晶體管的所述控制端子；
第一電感器，電耦合在所述第一晶體管的所述第一傳導(dǎo)端子與所述第一電源端子之間；以及
偏置網(wǎng)絡(luò)，電耦合在所述第一晶體管的所述第二傳導(dǎo)端子與所述第二電源端子之間；
其中所述互阻抗放大器具有在所述第一晶體管的所述第一傳導(dǎo)端子與所述第一電源端子之間的電阻，所述電阻足夠小以使得所述互阻抗放大器作為微分器來操作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互阻抗放大器，其特征在于，包括耦合至所述第一晶體管的所述控制端子的偏置電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互阻抗放大器，其特征在于，
所述第一晶體管是npn雙極結(jié)型晶體管，其中所述第一晶體管的所述控制端子是所述npn雙極結(jié)型晶體管的基極，所述第一晶體管的所述第一傳導(dǎo)端子是所述npn雙極結(jié)型晶體管的集電極，并且所述第一晶體管的所述第二傳導(dǎo)端子是所述npn雙極結(jié)型晶體管的發(fā)射極；或者
所述第一晶體管是n溝道場效應(yīng)晶體管，其中所述第一晶體管的所述控制端子是所述場效應(yīng)晶體管的柵極，所述第一晶體管的所述第一傳導(dǎo)端子是所述場效應(yīng)晶體管的漏極，并且所述第一晶體管的所述第二傳導(dǎo)端子是所述場效應(yīng)晶體管的源極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互阻抗放大器，其特征在于，所述第一晶體管的所述第一傳導(dǎo)端子經(jīng)由所述第一電感器直接連接至所述第一電源端子。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互阻抗放大器，其特征在于，包括電阻器和被配置成將所述電阻器與所述第一電感器選擇性地串聯(lián)耦合的電子開關(guān)，使得能夠選擇性地增加所述晶體管的所述第一傳導(dǎo)端子與所述第一電源端子之間的所述電阻。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互阻抗放大器，其特征在于，包括：
第二電感器；以及
第二晶體管，具有控制端子以及第一傳導(dǎo)端子和第二傳導(dǎo)端子，其中所述第二晶體管的所述控制端子被配置成接收參考信號，其中所述第二晶體管的所述第一傳導(dǎo)端子經(jīng)由所述第二電感器電耦合至所述第一電源端子，并且其中所述第二晶體管的所述第二傳導(dǎo)端子經(jīng)由所述偏置網(wǎng)絡(luò)電耦合至所述第二電源端子。
7.一種集成電路，其特征在于，包括：
半導(dǎo)體芯片；以及
互阻抗放大器，集成在所述半導(dǎo)體芯片中并且包括：
第一電源端子和第二電源端子，用于接收正的恒定電源電壓，其中所述第二電源端子表示接地；
輸入端子，被配置成電耦合至電流源；
第一晶體管，包括控制端子以及第一傳導(dǎo)端子和第二傳導(dǎo)端子，其中所述輸入端子電耦合至所述第一晶體管的所述控制端子；
第一電感器，電耦合在所述第一晶體管的所述第一傳導(dǎo)端子與所述第一電源端子之間；以及
偏置網(wǎng)絡(luò)，電耦合在所述第一晶體管的所述第二傳導(dǎo)端子與所述第二電源端子之間；
其中所述互阻抗放大器具有在所述第一晶體管的所述第一傳導(dǎo)端子與所述第一電源端子之間的電阻，所述電阻足夠小以使得所述互阻抗放大器作為微分器來操作。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路，其特征在于，所述電流源是具有電耦合至所述第一晶體管的所述控制端子的陰極的光電二極管。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路，其特征在于，包括：
電壓調(diào)節(jié)器，被配置成生成用于所述互阻抗放大器的所述正的恒定電源電壓。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路，其特征在于，包括：
一個或多個放大器，與所述互阻抗放大器級聯(lián)電耦合。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路，其特征在于，包括：
信號整形電路，被配置成在頻譜中補(bǔ)償所述第一晶體管的所述第一傳導(dǎo)端子和所述第二傳導(dǎo)端子中的所述第一傳導(dǎo)端子與所述第一電源端子之間的所述電阻。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路，其特征在于，包括：
另外的互阻抗放大器；以及
電子開關(guān)，被配置成選擇性地啟用所述互阻抗放大器或者所述另外的互阻抗放大器。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路，其特征在于，所述互阻抗放大器包括電阻器和被配置成將所述電阻器與所述第一電感器選擇性地串聯(lián)耦合的電子開關(guān)，使得能夠選擇性地增加所述晶體管的所述第一傳導(dǎo)端子與所述第一電源端子之間的所述電阻。
14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路，其特征在于，所述互阻抗放大器包括：
第二電感器；以及
第二晶體管，具有控制端子以及第一傳導(dǎo)端子和第二傳導(dǎo)端子，其中所述第二晶體管的所述控制端子被配置成接收參考信號，其中所述第二晶體管的所述第一傳導(dǎo)端子經(jīng)由所述第二電感器電耦合至所述第一電源端子，并且其中所述第二晶體管的所述第二傳導(dǎo)端子經(jīng)由所述偏置網(wǎng)絡(luò)電耦合至所述第二電源端子。
15.一種光學(xué)接收器，其特征在于，包括：
光電二極管；以及
互阻抗放大器；包括：
第一電源端子和第二電源端子，用于接收正的恒定電源電壓，其中所述第二電源端子表示接地；
第一晶體管，包括控制端子以及第一傳導(dǎo)端子和第二傳導(dǎo)端子，其中所述控制端子電耦合至所述光電二極管的陰極；
第一電感器，電耦合在所述第一晶體管的所述第一傳導(dǎo)端子與所述第一電源端子之間；以及
偏置網(wǎng)絡(luò)，電耦合在所述第一晶體管的所述第二傳導(dǎo)端子與所述第二電源端子之間；
其中所述互阻抗放大器具有在所述第一晶體管的所述第一傳導(dǎo)端子與所述第一電源端子之間的電阻，所述電阻足夠小以使得所述互阻抗放大器作為微分器來操作。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光學(xué)接收器，其特征在于，包括：
電壓調(diào)節(jié)器，被配置成生成用于所述互阻抗放大器的所述正的恒定電源電壓。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光學(xué)接收器，其特征在于，包括：
一個或多個放大器，與所述互阻抗放大器級聯(lián)電耦合。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光學(xué)接收器，其特征在于，包括：
信號整形電路，被配置成在頻譜中補(bǔ)償所述第一晶體管的所述第一傳導(dǎo)端子和所述第二傳導(dǎo)端子中的所述第一傳導(dǎo)端子與所述第一電源端子之間的所述電阻。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光學(xué)接收器，其特征在于，包括：
另外的互阻抗放大器；以及
電子開關(guān)，被配置成選擇性地啟用所述互阻抗放大器或者所述另外的互阻抗放大器。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光學(xué)接收器，其特征在于，所述互阻抗放大器包括電阻器和被配置成將所述電阻器與所述第一電感器選擇性地串聯(lián)耦合的電子開關(guān)，使得能夠選擇性地增加所述晶體管的所述第一傳導(dǎo)端子與所述第一電源端子之間的所述電阻。
21.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光學(xué)接收器，其特征在于，所述互阻抗放大器包括：
第二電感器；以及
第二晶體管，具有控制端子以及第一傳導(dǎo)端子和第二傳導(dǎo)端子，其中所述第二晶體管的所述控制端子被配置成接收參考信號，其中所述第二晶體管的所述第一傳導(dǎo)端子經(jīng)由所述第二電感器電耦合至所述第一電源端子，并且其中所述第二晶體管的所述第二傳導(dǎo)端子經(jīng)由所述偏置網(wǎng)絡(luò)電耦合至所述第二電源端子。