相關(guān)申請(qǐng)交叉引用

本非臨時(shí)申請(qǐng)還要求于基于以下在先美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)：(i)2016年1月11日提交的申請(qǐng)?zhí)?2/277,335的“用于光學(xué)仿真器的共模瞬態(tài)抗擾性改進(jìn)電路(commonmodetransientimmunityimprovementcircuitforopto-emulators)”和(ii)2016年1月11日提交的申請(qǐng)?zhí)?2/277,354的“用于光學(xué)仿真器的共模瞬態(tài)抗擾性改進(jìn)電路(commonmodetransientimmunityimprovementcircuitforopto-emulators)”，二者均以sudhirkomarlaadinarayana、sreenivasamallias[sic]和sreeramnasumsubramanyam[sic]的名義提交，通過引用全文并入本文。

所公開的實(shí)施方式總體上涉及跨隔離裝置的通信的領(lǐng)域。更具體地，并且不通過任何限制的方式，本公開針對(duì)用于針對(duì)光學(xué)隔離器仿真的共模瞬態(tài)抗擾性的電路。

背景技術(shù)：

隔離器是提供兩個(gè)通信塊之間的電隔離(galvanicisolation)的接口電路。需要隔離器消除可避免的接地回路，并且還保護(hù)高電壓敏感電路。這些電路確保電路之間的電絕緣和信號(hào)隔離，即，不允許電子從一個(gè)電路流向其它電路，而且同時(shí)確保兩個(gè)電路之間的可靠的數(shù)據(jù)傳輸，隔離來自共模噪聲和快速瞬態(tài)的信號(hào)。在其中共模噪聲能夠被預(yù)期和人類交互是無可避免的(例如，心電圖儀)的應(yīng)用中，然后隔離器充當(dāng)為接口，這確保安全性和可靠性。在易受電涌、快速瞬態(tài)和高噪聲基底影響的若干工業(yè)的應(yīng)用中，針對(duì)安全性和可靠性使用隔離器。

隔離屏障能夠被視為隔離器的核心。根據(jù)被用作隔離屏障的介質(zhì)和被使用以跨屏障傳送數(shù)據(jù)的物理特性，隔離器被分類為光學(xué)隔離器、電容性隔離器和電感隔離器。通常，光學(xué)隔離器已經(jīng)被研發(fā)，是因?yàn)榈统杀荆子谥圃旌蜎]有輻射排放和不易受輻射排放影響。然而，光學(xué)隔離器遭受諸如低速操作(即，50mbps)、溫度不穩(wěn)定、led性能隨時(shí)間退化和由于串?dāng)_問題制造多通道裝置困難的限制。因?yàn)楣材Ｋ矐B(tài)抗擾性(cmti)沒有影響裝置的輸出，所以共模瞬態(tài)抗擾性表示能夠被容忍的共模電壓的變化率。光學(xué)隔離器的cmti比所需的光學(xué)隔離器的cmti較低，例如小于35kv/μs。

隨著cmos技術(shù)的最近發(fā)展，cmos數(shù)字隔離器相對(duì)于速度和可靠性與光學(xué)隔離器競(jìng)爭(zhēng)。然而，許多系統(tǒng)當(dāng)前使用光學(xué)隔離器。能夠被利用代替現(xiàn)存光學(xué)隔離器的數(shù)字隔離器是可期望的，而不需要在更新的cmos數(shù)字隔離器周圍設(shè)計(jì)的代替系統(tǒng)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

公開實(shí)施方式實(shí)現(xiàn)基于電容性隔離的on/off鍵控(ook)發(fā)送器。在至少一個(gè)實(shí)施方式中，所公開的電容性隔離封裝件能夠被用作用于常規(guī)的光學(xué)隔離器的嵌入式(drop-in)替換，其中，數(shù)據(jù)信號(hào)提供通過發(fā)送器使用的功率。使用所公開的電容性隔離封裝件，對(duì)系統(tǒng)的剩余部分幾乎沒有變化是必要的。為了防止cmti事件導(dǎo)致發(fā)送器的誤開啟，新的cmti電路被公開，其響應(yīng)于輸入信號(hào)是低的，放出電容器的發(fā)送器側(cè)的電荷。

在一個(gè)方面中，公開了隔離器芯片的一個(gè)實(shí)施方式。隔離器芯片包括經(jīng)耦合以提供差分輸出信號(hào)至第一電容器和第二電容器的相應(yīng)第一端子的發(fā)送器電路，該發(fā)送器電路包括：經(jīng)耦合以接收輸入信號(hào)并提供鉗位信號(hào)的電壓鉗位電路，經(jīng)耦合以接收所述鉗位信號(hào)并提供所述差分輸出信號(hào)的振蕩器，以及響應(yīng)于該鉗位信號(hào)是低的，將第一電容器和第二電容器的相應(yīng)第一端子耦合至較低軌(lowerrail)的共模瞬態(tài)抗擾性(cmti)電路，以及經(jīng)耦合以接收來自第一電容器和第二電容器的相應(yīng)第二端子的差分信號(hào)的接收器電路。

在另一方面，公開了on-off鍵控(ook)發(fā)送器的一個(gè)實(shí)施方式。ook發(fā)送器包括經(jīng)耦合以提供第一信號(hào)至第一電容器的第一端子并提供第二信號(hào)至第二電容器的第一端子的振蕩器，形成差分對(duì)的第一信號(hào)和第二信號(hào)，經(jīng)耦合以接收輸入信號(hào)并提供鉗位信號(hào)至振蕩器的電壓鉗位電路，和經(jīng)耦合以在鉗位信號(hào)是低的時(shí)傳導(dǎo)(conduct)第一電容器的第一端子上的電壓至較低軌并傳導(dǎo)第二電容器的第二端子上的電壓至較低軌的共模瞬態(tài)抗擾性(cmti)電路。

在另外一個(gè)方面中，公開了用于on-off鍵控發(fā)送器的共模瞬態(tài)抗擾性(cmti)電路的實(shí)施方式。cmti電路包括第一pmos晶體管、第二pmos晶體管、第三pmos晶體管和第四pmos晶體管以及第一nmos晶體管、第二nmos晶體管、第三nmos晶體管和第四nmos晶體管，其各自具有耦合至向振蕩器提供的輸入信號(hào)的柵極，所述第一pmos晶體管和所述第二pmos晶體管各自具有耦合至所述振蕩器的第一輸出信號(hào)的源極，所述第三pmos晶體管和所述第四pmos晶體管各自具有耦合至所述振蕩器的第二輸出信號(hào)的源極，所述第一輸出信號(hào)和所述第二輸出信號(hào)是差分信號(hào)，所述第二pmos晶體管和所述第三pmos晶體管各自具有耦合至較低軌的漏極；第一nmos晶體管和第四nmos晶體管各自具有耦合至輸入信號(hào)的漏極和耦合至較低軌的源極，第二nmos晶體管具有耦合至第一pmos晶體管的漏極的漏極，第三nmos晶體管具有耦合至第四pmos晶體管的漏極的漏極，第一nmos晶體管和第二nmos晶體管具有耦合在一起并且耦合至第二nmos晶體管的漏極的相應(yīng)柵極，第三nmos晶體管和第四nmos晶體管具有耦合在一起的并且耦合至第三nmos晶體管的漏極的相應(yīng)柵極。

附圖說明

通過實(shí)例并且不通過限制的方式例示本公開的實(shí)施方式，附圖中相同的附圖標(biāo)記指示相似的元件。應(yīng)該注意的是，對(duì)這個(gè)公開中的“一個(gè)(an/one)”實(shí)施方式的不同參考不必參考相同的實(shí)施方式，并且這種標(biāo)記可以意味著至少一個(gè)。另外，當(dāng)與實(shí)施方式結(jié)合描述具體特征、結(jié)構(gòu)或特性時(shí)，其服從于以下情況：無論是否明確地描述，與其它實(shí)施方式結(jié)合以實(shí)現(xiàn)這種特征、結(jié)構(gòu)或特性是在本領(lǐng)域技術(shù)人員知識(shí)范圍之內(nèi)。

附圖被并入說明書并且形成該說明的一部分，以例示本公開的一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施方式。將從結(jié)合所附權(quán)利要求并且參考所附附圖進(jìn)行以下詳細(xì)的描述來理解本公開的各種優(yōu)點(diǎn)和特征，在附圖中：

圖1描述根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施方式的隔離器芯片的示例；

圖2a-2c根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施方式分別描述圖1的差分信號(hào)中的一個(gè)的輸入電流、偏置電壓和輸出電壓；

圖3根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施方式描述當(dāng)數(shù)據(jù)信號(hào)是低時(shí)發(fā)生的cmti事件和對(duì)應(yīng)輸出信號(hào)；

圖4例示能夠利用本公開隔離器芯片的實(shí)施方式的系統(tǒng)；

圖5a描述光隔離器的框圖；

圖5b描述電容性隔離器的框圖；

圖5c描述電感隔離器的框圖；

圖6a-6b描述含有電容性隔離器的系統(tǒng)和共模瞬態(tài)的圖，并且其被用于解釋這種瞬態(tài)怎樣能夠影響發(fā)送器的操作。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)將參考附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的具體實(shí)施方式。在以下本發(fā)明的具體實(shí)施方式中，許多具體細(xì)節(jié)被闡述以提供更加徹底的理解本發(fā)明。然而，將對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下可以實(shí)踐本發(fā)明。應(yīng)該注意的是，對(duì)這個(gè)公開中的“一個(gè)(an/one)”實(shí)施方式的不同參考不必參考相同的實(shí)施方式，并且這種標(biāo)記可以意味著至少一個(gè)。另外，當(dāng)與實(shí)施方式結(jié)合描述具體特征、結(jié)構(gòu)或特性時(shí)，其服從于以下情況：無論是否明確地描述，與其它實(shí)施方式結(jié)合以實(shí)現(xiàn)這種特征、結(jié)構(gòu)或特性是在本領(lǐng)域技術(shù)人員知識(shí)范圍之內(nèi)。在其它實(shí)例中，沒有詳細(xì)地公開眾所周知的特征以避免不必要地復(fù)雜化該描述。如本文中所使用，術(shù)語(yǔ)“耦合”旨在意味著直接電連接或間接電連接，除非限定為以可以包括無線連接的“通信地耦合”。因此，如果第一裝置耦合至第二裝置，則連接可以是通過直接電連接或通過經(jīng)由其它裝置和連接的間接電連接。

首先參照?qǐng)D4，示出使用隔離器的系統(tǒng)400的框圖。在這個(gè)圖中，傳感器402接受(takein)生物計(jì)量信息，這通過信號(hào)調(diào)節(jié)和決策框404處理以確定用戶是否被授權(quán)。基于跨過隔離器406發(fā)送的決策，電子鎖控制件408打開門。尤其是在這個(gè)系統(tǒng)中，傳感器402和信號(hào)調(diào)節(jié)和決策框404例如使用電池正在低電壓下工作，并且電子鎖控制件408根據(jù)高電壓(例如電力網(wǎng)供電)正在工作。在這個(gè)系統(tǒng)中，如果直接連接存在于框404和鎖控制件408之間，則在供電電源中的任何高電壓瞬態(tài)可能損壞低電壓電路或能夠?qū)е聦?duì)系統(tǒng)用戶的損傷。隔離器406被用作兩個(gè)電壓電平之間的電平移位器并且還被用于安全性的目的?？邕^隔離器降低任何共模噪聲，這防止對(duì)高電壓敏感電路的損壞。將理解的是，存在其中使用隔離器的許多其它應(yīng)用和針對(duì)這個(gè)使用的多個(gè)原因。

如前所述，隔離器能夠廣泛地被劃分為光學(xué)隔離器、電容性隔離器和電感隔離器。在圖5a-5c中示出了這三個(gè)主要類型的隔離器。圖5a示出光學(xué)隔離器500a。光學(xué)隔離器500a的發(fā)送器側(cè)上是led驅(qū)動(dòng)器502和led506，而接收器側(cè)包括輸出級(jí)504和光電二極管508。在該實(shí)施方式中的屏障是發(fā)送器和接收器之間的間隙，其中光波用于跨過屏障傳送數(shù)據(jù)。

在圖5b中，電容性隔離器500b的發(fā)送器側(cè)包括調(diào)制器和驅(qū)動(dòng)器512，以及接收器側(cè)包括解調(diào)器和驅(qū)動(dòng)器514。電容器c1和c2的板之間的空間形成這個(gè)電容性隔離器中的隔離屏障并且電場(chǎng)中的變化被用于跨過隔離屏障傳送數(shù)據(jù)。在圖5c中，電感隔離器500c包括發(fā)送器側(cè)上的調(diào)制器和驅(qū)動(dòng)器522和接收器側(cè)上的解調(diào)器和驅(qū)動(dòng)器524。變壓器526的初級(jí)線圈和次級(jí)線圈之間的空間充當(dāng)為隔離屏障并且磁場(chǎng)中的變化被用于跨過屏障傳送數(shù)據(jù)。

在光學(xué)隔離器中，通過充當(dāng)發(fā)送器的led實(shí)現(xiàn)開關(guān)(on-off)鍵控。光學(xué)隔離器固有地從輸入數(shù)據(jù)信號(hào)得到其功率，即，電流被切換on和off以提供信號(hào)。因此，不像其它數(shù)字隔離器，光學(xué)隔離器不需要外部供電電源。目前所公開的發(fā)送器已經(jīng)被建模成替代基于led的隔離器，并且因此已經(jīng)被設(shè)計(jì)成利用輸入電流對(duì)發(fā)送器電路系統(tǒng)供電。必須在隔離器中處理的問題中的一個(gè)是共模瞬態(tài)，這將參照?qǐng)D6a和6b進(jìn)行討論。

圖6a例示電容性隔離器600，其包括發(fā)送器(tx)602、隔離電容器c1，c2、和接收器(rx)604并且其可以被實(shí)現(xiàn)在單個(gè)芯片上。已知的是，寄生電容存在于局部接地和耦合發(fā)送器至電容器的連接件之間。在on-off鍵控中，當(dāng)數(shù)據(jù)信號(hào)是低的時(shí)，發(fā)送器應(yīng)該是關(guān)。然而，如圖6b所建模如果共模瞬態(tài)發(fā)生，則接地連接件上的電壓或較低軌上升至給定值vcm，保持相對(duì)穩(wěn)定以一些持續(xù)時(shí)間，且然后下降回至零。在vgnd的正沿期間，由于具有局部接地的寄生電容，隔離電容器c1，c2變成被充電至共模電壓vcm。在vgnd的下沿期間，隔離電容器通過向發(fā)送器602泵送電流icm從vcm放電。如下將更詳細(xì)示出，電流icm能夠開啟(on)發(fā)送器，使得接收器604檢測(cè)出旨在沒有數(shù)據(jù)時(shí)的數(shù)據(jù)的存在。根據(jù)光學(xué)隔離器，這個(gè)被稱為誤開啟，其中由于甚至當(dāng)數(shù)據(jù)輸入是低時(shí)泵送額外電流，因此led開啟。這種系統(tǒng)能夠針對(duì)比20kv/μs更小的cmti值具有誤開啟。

圖1根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施方式例示隔離器芯片100，其使用電容性隔離并且具有向共模瞬態(tài)提供改進(jìn)的響應(yīng)的cmti電路108。如這個(gè)圖所示，隔離器芯片100包括通過電容器c1和c2分開的發(fā)送器110和接收器106。接收器106被示出為單個(gè)塊，因?yàn)榻邮掌鞯念~外配置不是這個(gè)公開的一部分。發(fā)送器110包括被耦合以接收輸入電流if的電壓鉗位電路vclamp102，其中兩級(jí)電壓被用于驅(qū)動(dòng)on-off鍵控。耦合電壓鉗位電路102以向振蕩器104提供偏置信號(hào)vbias116，該振蕩器104供應(yīng)差分輸出信號(hào)vout118、voutb120至反相器112、114，并且然后供應(yīng)至電容器c1，c2。包括四個(gè)p型金屬氧化半導(dǎo)體(pmos)晶體管m23，m24，m27，m28和四個(gè)n型金屬氧化半導(dǎo)體(nmos)晶體管m25，m26，m29，m30的cmti電路108被耦合至偏置信號(hào)116、輸出信號(hào)118和輸出信號(hào)120，以及被耦合至局部接地。如前所述，在至少一個(gè)實(shí)施方式中，隔離器芯片100已經(jīng)被設(shè)計(jì)成代替現(xiàn)有l(wèi)ed光學(xué)隔離器，雖然將理解的是，所公開的cmti電路還能夠被使用在需要防止共模瞬態(tài)的其它狀況中。

在一個(gè)實(shí)施方式中，發(fā)送器110在接收到在3-8ma的范圍中的輸入電流if時(shí)檢測(cè)出數(shù)據(jù)信號(hào)的存在，并且在呈現(xiàn)數(shù)據(jù)時(shí)發(fā)送電容器c1，c2兩端的電場(chǎng)中的變化。電壓鉗位電路102使用輸入電流if以生成偏置信號(hào)116上的電壓vbias，其對(duì)發(fā)送器110內(nèi)的全部其它電路塊供電。在一個(gè)實(shí)施方式中，偏壓信號(hào)116是帶隙電壓的比例版本，即，鉗位電壓vbias是大體上溫度獨(dú)立的并且提供固定電壓，而無論供電電源變化、溫度變化和加載。電壓鉗位電路102還確保發(fā)送器的單向操作。在一個(gè)實(shí)施方式中，放電電路(未具體示出)確保vbias在這個(gè)信號(hào)的下沿上放電至接地，確保一段時(shí)間上保護(hù)電路中的初始條件。

在至少一個(gè)實(shí)施方式中，差分振蕩器104是源耦合弛豫振蕩器，其具有軌至軌的擺幅和好的共模抑制。振蕩器104實(shí)現(xiàn)on-off鍵控，并且在一個(gè)實(shí)施方式中使用擴(kuò)頻調(diào)制(ssm)以限制可允許限制內(nèi)的輻射發(fā)射并且因此滿足符合規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)。另外，使用振蕩器104中的自偏置(未具體示出)獲得振蕩器104的增益和軌對(duì)軌操作。圖2a-2c例示在發(fā)送器110的一個(gè)實(shí)施方式的操作期間提供的信號(hào)。圖2a例示在輸入信號(hào)if上的電流隨時(shí)間的變化。如這個(gè)圖所示，電流if正在提供一系列的一和零，其分別通過大約4ma和0ma的電流在這個(gè)示例中表示。圖2b例示提供在vbias上的所得的電壓，這在一段短時(shí)間內(nèi)上升至約1.8伏，然后在if停止時(shí)在一段短時(shí)間內(nèi)下降至零。圖2c例示在輸出信號(hào)vout118上提供的電壓。

在沒有cmti電路108的情況下，共模瞬態(tài)能夠?qū)е洛e(cuò)誤數(shù)據(jù)從發(fā)送器110被發(fā)送至接收器106，如下所示。參照光學(xué)振蕩器如前所述，寄生電容形成在局部接地和連接器之間，該連接器將vout和voutb耦合至電容器c1、c2。如前所述，共模噪聲或接地噪聲中的上升導(dǎo)致電流icm在vgnd上的瞬態(tài)的正沿期間從電路被引出，并且針對(duì)這個(gè)相同電流icm在下沿上朝向發(fā)送器110被提供。像發(fā)送器110的其它電路塊一樣的反相器112，114接收vbias作為供電電源(未具體示出)?？紤]到在反相器112，114的每個(gè)中的pmos晶體管(未具體示出)的正常on狀態(tài)，電流icm在cmti事件的下沿期間甚至在輸入電流if是零時(shí)被傳導(dǎo)至偏置信號(hào)116上。由于這個(gè)電流，振蕩器104能夠開啟并且開始振蕩，這導(dǎo)致接收器106誤檢測(cè)出數(shù)據(jù)的存在。在額外的cmti電路108之前，隔離器芯片100針對(duì)比20kv/μs更小的cmti值具有誤開啟。

cmti電路108提供用于icm的替換路徑，因此防止這個(gè)電流流入至偏置信號(hào)116并且通過振蕩器104。用于cmti事件的這個(gè)替換路徑的可用性在數(shù)字信號(hào)是低時(shí)防止輸出信號(hào)的誤開啟，同時(shí)確保在正常操作期間路徑維持空閑。在一個(gè)實(shí)施方式中，cmti電路108如圖1所示包括四個(gè)pmos晶體管m23，m24，m27，m28和四個(gè)nmos晶體管m25，m26，m29，m30。pmos晶體管m23，m24，m27，m28中的每個(gè)的柵極被耦合至偏置信號(hào)116以及每個(gè)pmos晶體管的源極被耦合至輸出信號(hào)118，120中的一個(gè)，即，pmos晶體管m23，m24中的每個(gè)的源極被耦合至輸出信號(hào)120以及pmos晶體管m27，m28中的每個(gè)的源極被耦合至輸出信號(hào)118。pmos晶體管m23，m27的漏極被耦合至較低軌，同時(shí)pmos晶體管m24，m28的漏極分別被耦合至nmos晶體管m25，m29的漏極。nmos晶體管m25的柵極被耦合至nmos晶體管m26的柵極并且還被耦合至pmos晶體管m24的漏極和nmos晶體管m25的漏極之間的點(diǎn)。相似地，nmos晶體管m29的柵極被耦合至nmos晶體管m30的柵極并且還被耦合至pmos晶體管m28的漏極和nmos晶體管m29的漏極之間的點(diǎn)。nmos晶體管m26，m30中的每個(gè)的漏極被耦合至偏置信號(hào)116，同時(shí)nmos晶體管m25，m26，m29，m30中的每個(gè)的源極被耦合至較低軌。

在cmti事件期間，輸出信號(hào)118上的電壓vout和輸出信號(hào)120上的電壓voutb增加。當(dāng)這個(gè)電壓增加至閾值電壓vth之上時(shí)，晶體管m23，m24，m27，m28在它們的柵極電壓被連接至偏置信號(hào)116時(shí)開啟，該偏置信號(hào)116的電壓vbias是零伏。在輸出信號(hào)118，120上，電流分開，其中，一些電流流至偏置信號(hào)116，但是剩下電流通過cmti電路108流向較低軌。流至偏置信號(hào)116的電流再次在不同電路(即，vclamp102和振蕩器104)之間分開并且不足以觸發(fā)振蕩器104的振蕩。cmti電路108的m26和m30確保流入至發(fā)送器的電流是可忽略不計(jì)的并且vbias電壓幾乎維持在接地電平處。因此，cmti電路108提供用于cmti電流的替換路徑并且防止誤開啟。在包含cmti電路108的一個(gè)實(shí)施方式中，發(fā)送器110在不具有誤開啟的情況下提供100kv/μs的最小cmti。圖3例示執(zhí)行實(shí)驗(yàn)以測(cè)試所公開的cmti電路。在這個(gè)示例中，示出小于或等于100kv/μs的cmti事件302，這個(gè)cmti事件結(jié)束在數(shù)據(jù)信號(hào)是低的時(shí)。當(dāng)所得輸出信號(hào)304沒有維持十分平坦，電壓波動(dòng)不足以改變狀態(tài)。

在一些示例中，這個(gè)公開描述用于檢測(cè)cmti事件的技術(shù)和電路系統(tǒng)，并且響應(yīng)于檢測(cè)cmti事件選擇性地啟用(enable)耦合在隔離器芯片(100)的一個(gè)或更多個(gè)輸出信號(hào)節(jié)點(diǎn)(118，120)和低電壓軌(或接地節(jié)點(diǎn))之間的第一放電路徑(或電流路徑)。可以被使能的示例電流/放電路徑包括通過晶體管m23形成的電流路徑，通過晶體管m27形成的電流路徑，通過晶體管m24，m25形成的電流路徑和通過晶體管m28，m29形成的電流路徑。響應(yīng)于檢測(cè)cmti事件已經(jīng)停止和/或響應(yīng)于將輸出電壓節(jié)點(diǎn)放電至偏置電壓的閾值電壓內(nèi)，該技術(shù)可以選擇性地禁用放電/電流路徑。

為了檢測(cè)cmti事件，隔離器芯片100可以包括一個(gè)或更多個(gè)電路，其檢測(cè)諧振器芯片100的輸出電壓(118，120)中的一個(gè)或二者是否比偏置電壓(116)大至少閾值量。電路可以包括一個(gè)或更多個(gè)pmos晶體管，該一個(gè)或更多個(gè)pmos晶體管中的每個(gè)可以具有耦合至輸出電壓節(jié)點(diǎn)之一的第一電流傳導(dǎo)端子(例如，源極端子)，耦合至偏置電壓節(jié)點(diǎn)的控制端子(例如，柵極端子)，以及耦合至接地節(jié)點(diǎn)或電流路徑的第二電流傳導(dǎo)端子(例如，漏極端子)，其中，電流路徑耦合至接地節(jié)點(diǎn)。用于檢測(cè)cmti事件和/或用于檢測(cè)輸出電壓是否大于偏置電壓閾值量的示例電路包括晶體管m23，m24，m27，m28中的每個(gè)。檢測(cè)電路還可以在輸出電壓中的一個(gè)或二者是在偏置電壓的閾值電壓內(nèi)時(shí)進(jìn)行檢測(cè)，并且響應(yīng)于該檢測(cè)選擇性地禁用該放電路徑。

在一些示例中，響應(yīng)于啟用輸出節(jié)點(diǎn)和接地端子之間的第一放電路徑和/或響應(yīng)于檢測(cè)cmti事件，隔離器芯片100可以選擇性地啟用耦合在偏置電壓節(jié)點(diǎn)和低電壓軌(或接地節(jié)點(diǎn))之間的第二放電路徑(或電流路徑)。第二放電路徑或電流路徑的示例可以包括晶體管m26和m30。響應(yīng)于檢測(cè)cmti事件已經(jīng)停止和/或響應(yīng)于禁用第一放電路徑，隔離器芯片100可以禁用第二放電路徑。

隔離器芯片100可以包括基于第一放電路徑是否被啟用或被禁用導(dǎo)致第二放電路徑被啟用或被禁用的電流路徑控制電路系統(tǒng)。該控制電路系統(tǒng)可以包括晶體管m24，m25，m28，m29。在一些示例中，晶體管m25，m26可以形成電流鏡，其中輸入電流端子耦合至輸出電壓節(jié)點(diǎn)120(經(jīng)由晶體管m24)并且輸出電流端子耦合至偏置電壓節(jié)點(diǎn)。相似地，晶體管m29，m30可以形成另一個(gè)電流鏡，其中輸入電流端子被耦合至輸出電壓節(jié)點(diǎn)118(經(jīng)由晶體管m28)并且輸出電流端子耦合至偏置電壓。

在一些示例中，可基于輸入電流通過隔離器芯片100生成偏置電壓，該輸入電流包含用于隔離器的輸入數(shù)據(jù)，以及偏置電壓可以被用于對(duì)隔離器的發(fā)送器中的振蕩器和其它構(gòu)件供電。隔離器芯片100可以包括電源電路(例如，102)，該電源電路具有耦合至隔離器的數(shù)據(jù)輸入引線的第一電流輸入端和輸出端。電源電路的輸出端可以被耦合至振蕩器104的電源輸入端和/或耦合至在發(fā)送器中的一個(gè)或更多個(gè)額外構(gòu)件的電源輸入端。

雖然已經(jīng)示出和詳細(xì)描述了各種實(shí)施方式，但權(quán)利要求不局限于任何具體實(shí)施方式或示例。上面的詳細(xì)描述不應(yīng)該被解讀為暗示任何特定的構(gòu)件、元素、步驟、行動(dòng)、或功能是必要的，使得其必須被包括在本權(quán)利要求的范圍內(nèi)。除非特殊聲明，單數(shù)元件的參考不意指“一個(gè)且僅一個(gè)”，而是指“一個(gè)或更多個(gè)”。對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言已知的上述實(shí)施方式的元件的在結(jié)構(gòu)上和功能上的所有等同形式作為參考在此清楚地并入，并旨在包括在本發(fā)明的權(quán)利要求內(nèi)。因此，本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員認(rèn)識(shí)到，在所附權(quán)利要求書中的精神和范圍內(nèi)，能夠利用各種修改和等價(jià)物實(shí)踐本文中的示例性實(shí)施方式。