1.一種用于汞離子微波頻標(biāo)的囚禁射頻源，其特征在于，
包括振蕩器、移相分路模塊、第一功放模塊、第二功放模塊、升壓器、第一可調(diào)電容、第二可調(diào)電容、離子阱；
所述振蕩器，用于產(chǎn)生振蕩信號；
所述移相分路模塊，用于將所述振蕩信號分為兩路相位相反、頻率相同的信號，分別為正相振蕩、反相振蕩；
所述第一功放模塊，用于放大所述正相振蕩，產(chǎn)生正相振蕩放大信號；
所述第二功放模塊，用于放大所述反相振蕩，產(chǎn)生反相振蕩放大信號；
所述升壓器，與所述第一功放模塊和所述第二功放模塊的輸出相連，用于對所述正相振蕩和反相振蕩進(jìn)行升壓，產(chǎn)生正相振蕩升壓信號和反相振蕩升壓信號；
所述正相振蕩升壓信號輸入到所述離子阱的第一電極；反相振蕩升壓信號輸入到所述離子阱的第二電極。
2.如權(quán)利要求1所述用于汞離子微波頻標(biāo)的囚禁射頻源，其特征在于，所述振蕩信號的頻率f，滿足1MHz≤f≤6MHz。
3.如權(quán)利要求1所述用于汞離子微波頻標(biāo)的囚禁射頻源，其特征在于，所述正相振蕩放大信號的電壓v+和反相振蕩放大信號的電壓v-，滿足10V≤v+≤60V，10V≤v-≤60V。
4.如權(quán)利要求1所述用于汞離子微波頻標(biāo)的囚禁射頻源，其特征在于，所述正相振蕩升壓信號電壓峰峰值u+和反相振蕩升壓信號電壓峰峰值u-，滿足1500V≤u+≤3000V，1500V≤u-≤3000V。
5.如權(quán)利要求1所述用于汞離子微波頻標(biāo)的囚禁射頻源，其特征在于，所述離子阱的容性值范圍為20pF～100pF。
6.如權(quán)利要求1所述用于汞離子微波頻標(biāo)的囚禁射頻源，其特征在于，還包含第一可調(diào)電容和第二可調(diào)電容；
所述第一可調(diào)電容并聯(lián)在所述離子阱第一電極；
所述第二可調(diào)電容并聯(lián)在所述離子阱第二電極。
7.如權(quán)利要求1～5任意一項所述用于汞離子微波頻標(biāo)的囚禁射頻源，其特征在于，所述振蕩器為數(shù)字振蕩器。
8.如權(quán)利要求6所述用于汞離子微波頻標(biāo)的囚禁射頻源，其特征在于，還包含微控制器，用于對所述數(shù)字振蕩器進(jìn)行控制。
9.如權(quán)利要求7所述用于汞離子微波頻標(biāo)的囚禁射頻源，其特征在于，還包含USB接口，所述微控制器通過USB接口與計算機(jī)相連接。