功率器件開關放大保護電路的制作方法
【專利摘要】功率器件開關放大保護電路，包括保護電路；所述的保護電路包括電阻R1，PNP型三極管Q1,NPN型三極管Q2，電阻R2和電阻R4，其中,電阻R1的一端與三極管Q1的發(fā)射極相連，電阻R1的另一端與三極管Q1的基極、三極管Q2的集電極相連，三極管Q1的基極、三極管Q2集電極的連接點還與一MOS管T1的柵極連接，MOS管T1的柵極還與電阻R1連接，MOS管T1的源極通過電阻R4接地；在MOS管T1的源極與電阻R1間設有放大電路。本實用新型對功率器件開關進行保護，而且有效避免了MOS管開關的輸入信號削弱現(xiàn)象，提高電路輸出信號的品質，進而提高MOS管開關的控制質量。
【專利說明】 功率器件開關放大保護電路
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種LED控制電路，具體為功率器件開關放大保護電路。
【背景技術】
[0002]現(xiàn)有技術中，在功率器件的應用中，對過載及負載短路的保護十分重要，一些設備的損壞往往是由于缺少保護電路或保護電路不及時造成的，雖然有些專用集成電路集成了某種保護功能，但往往保護參數(shù)單一不能很方便地實現(xiàn)設計者意圖。而沒有使用具備保護功能集成電路的方案，則功率器件處于裸奔狀態(tài)，隨時面臨意外情況下的損壞，即使有意單獨設計保護電路,往往電路相對復雜,成本也相應較高；在皿)5管開關電路中，過載保護尤其重要，在生產實際中過載保護電路對于MOS管開關的輸入信號會有一定的削弱作用，如何能夠減小這種削弱作用，避免MOS管開關的工作受到影響，是亟待解決的問題。
實用新型內容
[0003]本實用新型的目的在于提供一種功率器件開關放大保護電路，以解決【背景技術】中的問題。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供如下技術方案:
[0005]功率器件開關放大保護電路，包括保護電路；所述的保護電路包括電阻Rl，PNP型三極管Ql，NPN型三極管Q2，電阻R2和電阻R4，其中，電阻Rl的一端與三極管Ql的發(fā)射極相連，電阻Rl的另一端與三極管Ql的基極、三極管Q2的集電極相連，三極管Ql的基極、三極管Q2集電極的連接點還與一 MOS管Tl的柵極連接，MOS管Tl的柵極還與電阻Rl連接，MOS管Tl的源極通過電阻R4接地；三極管Q2的發(fā)射極接地，三極管Q2的基極與三極管Ql的集電極以及電阻R2相連，電阻R4 —端接地，另一端與電阻R2 —端相連端相連；在MOS管Tl的源極與電阻Rl間設有放大電路，所述的放大電路括電容Cl、電容C2、放大器Ql和偏置電路，放大器Ql的兩個接地端分別接地，放大器Ql的輸入端與電容Cl連接，電容Cl與三極管Ql的基極、三極管Q2集電極的連接點和電阻Rl連接，放大器Ql的輸出端分別與電容C2及偏置電路連接；所述的偏置電路包括電感L1、電容C3、電容C4和電阻R1，電感LI的一端與放大器Ql的輸出端連接，電感LI的另一端通過電容C3接地，電感LI的另一端還與電阻Rl的一端連接，電阻Rl的另一端通過電容C4接地，電阻LI的另一端還與電源VDD連接。
[0006]進一步的，所述的MOS管Tl為N溝道型MOS管。
[0007]與現(xiàn)有技術相比，本實用新型工作中當脈沖寬度調制(PWM)驅動信號為高電平且通過電阻Rl作用到MOS管后，MOS管開始導通并且電流開始增加，電阻R5上壓降也同步增大，電阻R5上壓降大于三極管Q2導通電壓后，三極管Q2開始導通，電阻Rl壓降開始增加，電阻Rl壓降超過三極管Ql導通電壓后，三極管Ql導通，三極管Ql導通的結果是使NPN三極管Q2的基極電壓上升促使三極管Q2導通程度進一步加大，而三極管Q2導通程度的加大又促使三極管Ql導通程度的進一步加大，如此正反饋的結果是三極管Q2、三極管Ql快速進入了飽和自鎖狀態(tài)，由于NPN三極管Q2飽和，MOS管進入關斷狀態(tài)，R5上壓降為0，但由于三極管Ql飽和抬高了三極管Q2基極電壓，自鎖狀態(tài)仍然繼續(xù)維持，MOS管處于持續(xù)關斷狀態(tài)，當PWM驅動信號為低電平，自鎖狀態(tài)解除，本實用新型中的放大電路有效避免了 MOS管開關的輸入信號削弱現(xiàn)象，提高電路輸出信號的品質，進而提高MOS管開關的控制質量。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0008]圖1為本實用新型的電路原理圖。
【具體實施方式】
[0009]為了使本實用新型實現(xiàn)的技術手段、創(chuàng)作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結合具體圖示，進一步闡述本實用新型。
[0010]如圖1所示的功率器件開關放大保護電路，包括保護電路；所述的保護電路包括電阻Rl，PNP型三極管Ql，NPN型三極管Q2，電阻R2和電阻R4，其中，電阻Rl的一端與三極管Ql的發(fā)射極相連，電阻Rl的另一端與三極管Ql的基極、三極管Q2的集電極相連，三極管Ql的基極、三極管Q2集電極的連接點還與一 N溝道型MOS管Tl的柵極連接，MOS管Tl的柵極還與電阻Rl連接，MOS管Tl的源極通過電阻R4接地；三極管Q2的發(fā)射極接地，三極管Q2的基極與三極管Ql的集電極以及電阻R2相連，電阻R4 —端接地，另一端與電阻R2 —端相連端相連；在MOS管Tl的源極與電阻Rl間設有放大電路，所述的放大電路括電容Cl、電容C2、放大器Ql和偏置電路，放大器Ql的兩個接地端分別接地，放大器Ql的輸入端與電容Cl連接，電容Cl與三極管Ql的基極、三極管Q2集電極的連接點和電阻Rl連接，放大器Ql的輸出端分別與電容C2及偏置電路連接；所述的偏置電路包括電感L1、電容C3、電容C4和電阻R1，電感LI的一端與放大器Ql的輸出端連接，電感LI的另一端通過電容C3接地，電感LI的另一端還與電阻Rl的一端連接，電阻Rl的另一端通過電容C4接地，電阻LI的另一端還與電源VDD連接。
[0011]當脈沖寬度調制(PWM)驅動信號為高電平且通過電阻Rl作用到MOS管后，MOS管開始導通并且電流開始增加，電阻R5上壓降也同步增大，電阻R5上壓降大于三極管Q2導通電壓后，三極管Q2開始導通，電阻Rl壓降開始增加，電阻Rl壓降超過三極管Ql導通電壓后，三極管Ql導通，三極管Ql導通的結果是使NPN三極管Q2的基極電壓上升促使三極管Q2導通程度進一步加大，而三極管Q2導通程度的加大又促使三極管Ql導通程度的進一步加大，如此正反饋的結果是三極管Q2、三極管Ql快速進入了飽和自鎖狀態(tài)，由于NPN三極管Q2飽和，MOS管進入關斷狀態(tài)，R5上壓降為0，但由于三極管Ql飽和抬高了三極管Q2基極電壓，自鎖狀態(tài)仍然繼續(xù)維持，MOS管處于持續(xù)關斷狀態(tài)，當PWM驅動信號為低電平，自鎖狀態(tài)解除。
[0012]放大電路有效避免了 MOS管開關的輸入信號削弱現(xiàn)象，提高電路輸出信號的品質，進而提聞MOS管開關的控制質量。
[0013]以上顯示和描述了本實用新型的基本原理和主要特征和本實用新型的優(yōu)點。本行業(yè)的技術人員應該了解，本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本實用新型的原理，在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下，本實用新型還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型范圍內。本實用新型要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定。
【權利要求】
1.功率器件開關放大保護電路，其特征在于，功率器件開關放大保護電路，包括保護電路；所述的保護電路包括電阻Rl，PNP型三極管Ql，NPN型三極管Q2，電阻R2和電阻R4，其中，電阻Rl的一端與三極管Ql的發(fā)射極相連，電阻Rl的另一端與三極管Ql的基極、三極管Q2的集電極相連，三極管Ql的基極、三極管Q2集電極的連接點還與一 MOS管Tl的柵極連接，MOS管Tl的柵極還與電阻Rl連接，MOS管Tl的源極通過電阻R4接地；三極管Q2的發(fā)射極接地，三極管Q2的基極與三極管Ql的集電極以及電阻R2相連，電阻R4 —端接地，另一端與電阻R2 —端相連端相連；在MOS管Tl的源極與電阻Rl間設有放大電路，所述的放大電路括電容Cl、電容C2、放大器Ql和偏置電路，放大器Ql的兩個接地端分別接地，放大器Ql的輸入端與電容Cl連接，電容Cl與三極管Ql的基極、三極管Q2集電極的連接點和電阻Rl連接，放大器Ql的輸出端分別與電容C2及偏置電路連接；所述的偏置電路包括電感L1、電容C3、電容C4和電阻Rl，電感LI的一端與放大器Ql的輸出端連接，電感LI的另一端通過電容C3接地，電感LI的另一端還與電阻Rl的一端連接，電阻Rl的另一端通過電容C4接地，電阻LI的另一端還與電源VDD連接。
2.根據(jù)權利要求1所述的功率器件開關放大保護電路，其特征在于:所述的MOS管Tl為N溝道型MOS管。
【文檔編號】H03K17/687GK204103886SQ201420506077
【公開日】2015年1月14日 申請日期:2014年9月4日 優(yōu)先權日:2014年9月4日
【發(fā)明者】朱曉宏 申請人:江西雙宏科技電氣有限公司