一種具有上電清零功能的電平轉(zhuǎn)換器的制造方法
【專利摘要】一種具有上電清零功能的電平轉(zhuǎn)換器，包括第一P型MOSFET、第二P型MOSFET、第三P型MOSFET、第四P型MOSFET、第五P型MOSFET、第一N型MOSFET、第二N型MOSFET、第三N型MOSFET、第四N型MOSFET和第五N型MOSFET，以及上述各MOSFET之間的互聯(lián)線。本發(fā)明為采用多電源域的現(xiàn)代集成電路(Integrated?Circuits，簡稱IC)芯片設(shè)計人員提供一種硬件規(guī)模更小的具有上電清零功能的電平轉(zhuǎn)換器單元電路，從而起到減小整體芯片面積、降低芯片成本的作用。
【專利說明】—種具有上電清零功能的電平轉(zhuǎn)換器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于集成電路(Integrated Circuits,簡稱IC)設(shè)計領(lǐng)域,更具體地,屬于IC設(shè)計中的接口電路設(shè)計領(lǐng)域。

【背景技術(shù)】
[0002]出于低功耗等因素的考慮，現(xiàn)代IC系統(tǒng)設(shè)計中，越來越多地使用到了多電源域的設(shè)計方法。在多電源域的IC芯片中，各個電源域的電壓值往往各不相同，因而可以適應(yīng)不同電路功能模塊各不相同的速度和性能的要求。盡管多電源域的設(shè)計提高了 IC設(shè)計的靈活性，但是，由于各個電源域之間的工作電壓不同，需要特殊的接口電路來連接分布于不同電源域的各個模塊，從而實現(xiàn)各個電源域之間信號的有效傳輸，這一用來實現(xiàn)電源域之間信號轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)碾娐?，稱作電平轉(zhuǎn)換器(Level Shifter) 0隨著IC設(shè)計技術(shù)的不斷發(fā)展，電平轉(zhuǎn)換器已經(jīng)滲透到了功能各異、種類繁多的各種IC芯片中，大到多核中央處理器(Central Process Unit,簡稱 CPU),小到射頻識別(Rad1 Frequency Identificat1n,簡稱RFID)標(biāo)簽，電平轉(zhuǎn)換器的身影隨處可見。
[0003]作為多電源域設(shè)計的一種特例,非揮發(fā)性存儲器(Non-volatile Memory)電路與其控制電路往往工作在兩個不同的電源域中。出于數(shù)據(jù)安全的考慮，需要在整個電源上電和下電的過程中，保證存儲器的控制信號不被誤操作。該功能在IC設(shè)計中，可以采用上電復(fù)位信號(Power On Reset，簡稱Por)同存儲器控制信號進行邏輯與操作來實現(xiàn)。在整個Por沒有被置“I”有效的時間段內(nèi)，所有供給存儲器的控制信號均為邏輯“O”的確定信號，而非未知態(tài)或中間態(tài)。上述包括電平轉(zhuǎn)換器以及后續(xù)邏輯“與”操作在內(nèi)的電路模塊，稱作具有上電清零功能的電平轉(zhuǎn)換器。
[0004]由于不同的IC設(shè)計中使用到的電源域的差值不同、信號速度不同，電平轉(zhuǎn)換器的電路結(jié)構(gòu)往往各不相同?；趥鹘y(tǒng)的電平轉(zhuǎn)換器，圖1給出了一種具有上電清零功能的電平轉(zhuǎn)換器，它實現(xiàn)了信號從低電壓電源域Vddl信號向高電壓電源域Vdd2的轉(zhuǎn)換。
[0005]圖1是一個傳統(tǒng)的具有上電清零功能的電平轉(zhuǎn)換器101的示意圖，它由一個傳統(tǒng)的電平轉(zhuǎn)換器102和一個傳統(tǒng)的與邏輯電路103組成。其中，傳統(tǒng)的電平轉(zhuǎn)換器102包括了一個P型的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor,簡稱 M0SFET) 104、一個 P 型 M0SFET105、一個 P 型 M0SFET106、一個 P 型 M0SFET107、一個 N 型 M0SFET108、一個 N 型 M0SFET109、一個 P 型 M0SFET110、一個N型M0SFET111，以及上述器件之間的互聯(lián)線。傳統(tǒng)的與邏輯電路103包括了一個P型 M0SFET113、一個 P 型 M0SFET114、一個 N 型 M0SFET115、一個 N 型 M0SFET116、一個 P 型M0SFET117、一個N型M0SFET118，以及上述器件之間的互聯(lián)線。
[0006]傳統(tǒng)的具有上電清零功能的電平轉(zhuǎn)換器101的器件互聯(lián)關(guān)系如下:
[0007]P型M0SFET104的源極接到了電源Vdd2，漏極接到了 P型M0SFET106的源極；P型M0SFET105的源極接到了電源Vdd2，漏極接到了 P型M0SFET107的源極；P型M0SFET106的漏極接到了 P型M0SFET105的柵極，以及N型M0SFET108的漏極；P型M0SFET107的漏極接到了 P型M0SFET104的柵極、N型M0SFET109的漏極、P型M0SFET114的柵極以及N型M0SFET115的柵極；N型M0SFET108和N型M0SFET109的源極都接到了地。輸入信號Din接到了 P型MOSFET106, N 型 MOSFET108, P 型 MOSFET110 以及 N 型 M0SFET111 的柵極；P 型 MOSFET110的漏極與N型M0SFET111的漏極相連接，并連接到了 P型M0SFET107和N型M0FET109的柵極；P型M0SFET110的源極接到了電源Vddl，N型M0SFET111的源極接到了地；另一個輸入信號Por接到了 P型M0SFET113和N型M0SFET116的柵極；N型M0SFET115的源極接到了 N型M0SFET116的漏極；N型M0SFET116的源極接到了地；P型M0SFET113和P型M0SFET114的源極接到了電源Vdd2 ;P型M0SFET113、P型M0SFET114以及N型M0SFET115的漏極相連，并連接到P型M0SFET117和N型M0SFET118的柵極。P型M0SFET117的源極接到電源Vdd2，N型M0SFET118的源極接到地。P型M0SFET117的漏極和N型M0SFET118的漏極相連，作為電路的輸出Dout。
[0008]在電路規(guī)模日益增長的現(xiàn)代集成電路系統(tǒng)中，芯片內(nèi)所包含的器件數(shù)量，越來越明顯地影響到了芯片的面積大小。在包含存儲器的集成電路系統(tǒng)中，隨著數(shù)據(jù)交互和地址訪問總線規(guī)模的增加，具有上電清零功能的電平轉(zhuǎn)換器將作為連接存儲器和控制電路之間的單元電路而大量使用。由圖1所述的傳統(tǒng)的具有上電清零功能的電平轉(zhuǎn)換器25總共由14個MOSFET組成，減少該電路的規(guī)模大小，將有利于芯片面積的減小，從而起到降低芯片成本的作用。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是為多電源域的現(xiàn)代IC系統(tǒng)提供一種電路規(guī)模較小的具有上電清零功能的電平轉(zhuǎn)換器電路。實現(xiàn)這一目的的核心方法是利用傳統(tǒng)的電平轉(zhuǎn)換器本身的電路結(jié)構(gòu)，將邏輯與操作簡并到電平轉(zhuǎn)換器電路中，減少進行邏輯與操作所需的MOSFET的數(shù)量，從而起到減少具有上電清零功能的電平轉(zhuǎn)換器所需MOSFET總數(shù)的作用。
[0010]本發(fā)明的技術(shù)解決方案如下:
[0011]一種具有上電清零功能的電平轉(zhuǎn)換器，其特點在于，包括第一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、第二 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、第三P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、第四P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、第五P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、第三N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、第四N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管和第五N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管；
[0012]上述各元件的連接關(guān)系如下:
[0013]所述的第一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的源極與第一電源連接、漏極與所述的第三P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的源極連接；
[0014]所述的第二 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的源極與第二電源連接、漏極與所述的第四P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的源極連接；
[0015]所述的第三P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的漏極與所述的第二 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的柵極和第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的漏極連接；
[0016]所述的第四P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的漏極、第一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的柵極、第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的漏極和第四N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的漏極構(gòu)成電路的公共輸出節(jié)點；
[0017]所述的第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的源極與第三N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的漏極連接；
[0018]所述的第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的源極、第三N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的源極、第四N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的源極、第五N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的源極分別接地；
[0019]所述的第五P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的源極與第三電源連接，漏極與所述的第五N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的漏極、第四P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的柵極、第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的柵極構(gòu)成公共節(jié)點；
[0020]所述的第三P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的柵極、第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的柵極、第五P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的柵極和第五N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的柵極構(gòu)成公共節(jié)點與第一輸入信號連接；
[0021]所述的第三N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的柵極與第二輸入信號連接，所述的第四N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的柵極與第三輸入信號連接。
[0022]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所述電路201僅僅使用了 10個M0SFET，便可以實現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中需要14個MOSFET才能夠?qū)崿F(xiàn)的電路功能。電平轉(zhuǎn)換器是現(xiàn)代大規(guī)模集成電路中的一個基本工作單元，在同一顆芯片中，會被多次使用到。因此，減少單個單元電路中使用到的元器件數(shù)量，可以大大地減少同一顆芯片中使用到的元器件的總數(shù)，從而在整體上減小芯片面積，起到降低芯片成本的作用。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1是傳統(tǒng)的具有上電清零功能的電平轉(zhuǎn)換器的電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖2是本發(fā)明具有上電清零功能的電平轉(zhuǎn)換器的電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖3是在圖2的基礎(chǔ)上命名了中間信號節(jié)點的具有上電清零功能的電平轉(zhuǎn)換器的電路結(jié)構(gòu)意圖。
[0026]圖4是用以示意本發(fā)明【具體實施方式】的一組輸入輸出信號的波形圖；
[0027]圖5是一個具體設(shè)計實例的仿真波形圖。

【具體實施方式】
[0028]下面結(jié)合實施例和附圖對本發(fā)明作進一步說明，但不應(yīng)以此限制本發(fā)明的保護范圍。
[0029]請先參閱圖2，圖2是本發(fā)明具有上電清零功能的電平轉(zhuǎn)換器的電路結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示，一種具有上電清零功能的電平轉(zhuǎn)換器，包括第一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管202、第二 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管203，、第三P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管204、第四P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管205、第五P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管210、第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管206、第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管207、第三N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管208、第四N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管209和第五N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管211 ；
[0030]上述各元件的連接關(guān)系如下:
[0031]所述的第一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管202的源極與第一電源Vdd2連接、漏極與所述的第三P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管204的源極連接；
[0032]所述的第二 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管203的源極與第二電源Vdd2’連接、漏極與所述的第四P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管205的源極連接；
[0033]所述的第三P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管204的漏極與所述的第二 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管203的柵極和第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管206的漏極連接；
[0034]所述的第四P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管205的漏極、第一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管202的柵極、第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管207的漏極和第四N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管209的漏極構(gòu)成電路的公共輸出節(jié)點Dout ；
[0035]所述的第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管206的源極與第三N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管208的漏極連接；
[0036]所述的第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管207的源極、第三N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管208的源極、第四N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管209的源極、第五N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管211的源極分別接地；
[0037]所述的第五P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管210的源極與第三電源Vddl連接，漏極與所述的第五N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管211的漏極、第四P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管205的柵極、第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管207的柵極構(gòu)成公共節(jié)點；
[0038]所述的第三P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管204的柵極、第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管206的柵極、第五P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管210的柵極和第五N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管211的柵極構(gòu)成公共節(jié)點與第一輸入信號Din連接；所述的第三N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管208的柵極與第二輸入信號Por連接，所述的第四N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管209的柵極與第三輸入信號？01*_11連接。
[0039]圖2所述電路201和圖1所述電路101相比，增加了一個輸入信號Por_n，該信號為輸入信號Por的邏輯反向。其余信號端口 DiruDout和Por的定義均同圖1所述電路25相同。Por_n不由所述電路201產(chǎn)生，而由上電清零電路本身或多電源域現(xiàn)代IC系統(tǒng)中的其它電路產(chǎn)生。
[0040]為更好解釋本發(fā)明中電路的工作原理，圖3在圖2的基礎(chǔ)上，命名了圖2中電路的中間信號節(jié)點。其中，P型M0SFET202的漏極與P型M0SFET204的源極相連的節(jié)點稱為節(jié)點A ;P型M0SFET203的漏極與P型M0SFET205的源極相連的節(jié)點稱為節(jié)點B ;P型M0SFET204的漏極、N型M0SFET206的漏極和P型M0SFET203的柵極相連的節(jié)點稱為節(jié)點C ；N型M0SFET206的源極與N型M0SFET208的漏極相連的節(jié)點稱為節(jié)點D ;P型M0SFET210的漏極、N型M0SFET211的漏極、P型M0SFET205的柵極和N型M0SFET207的柵極相連的節(jié)點稱為節(jié)點E。
[0041]結(jié)合圖3，圖4給出了一組典型的輸入輸出波形。圖4中，？01'、？01'_11和0111為輸入信號，它們是一組以第三電源Vddl為電源電壓的邏輯電平；Dout為輸出信號，是一個以第一電源Vdd2和第二電源Vdd2’為電源電壓的邏輯電平，其中，Vdd2>Vddl。根據(jù)輸入信號Por、Por_n和Din的不同組合，可以把圖3分成4個不同的時間段T1301，T2302，T3303，Τ4304。
[0042]在Tl時間段中，Por信號為邏輯0，Por_n信號為電源域Vddl中的邏輯1，Din信號為邏輯O。根據(jù)上述輸入信號可知，圖4中的各個MOSFET將呈現(xiàn)出以下的工作狀態(tài):N型 M0SFET206 關(guān)斷，N 型 M0SFET208 關(guān)斷，N 型 M0SFET209 導(dǎo)通，P 型 M0SFET210 導(dǎo)通，N 型M0SFET211關(guān)斷。由上述MOSFET的開關(guān)關(guān)系可知，內(nèi)部節(jié)點D為高阻節(jié)點，內(nèi)部節(jié)點E為邏輯I。當(dāng)電源電壓Vdd2大于一個P型MOSFET的閾值電壓時，可知P型M0SFET204的導(dǎo)通程度大于P型M0SFET205，從而導(dǎo)致P型M0SFET202導(dǎo)通，P型M0SFET203關(guān)斷，內(nèi)部節(jié)點A和內(nèi)部節(jié)點C被充高至電源電壓Vdd2的電位，成為邏輯I節(jié)點。由上述MOSFET的導(dǎo)通和關(guān)斷之間的關(guān)系，可知輸出信號Dout為邏輯O。
[0043]在T2時間段中，Por信號為邏輯0，Por_n信號為邏輯0，Din信號為電源域Vddl中的邏輯I。根據(jù)上述輸入信號可知，圖4中的各個MOSFET將呈現(xiàn)出以下的工作狀態(tài):N型 M0SFET206 導(dǎo)通，N 型 M0SFET208 關(guān)斷，N 型 M0SFET209 導(dǎo)通，P 型 M0SFET210 關(guān)斷，N 型M0SFET211導(dǎo)通。由上述MOSFET的開關(guān)關(guān)系可知，內(nèi)部節(jié)點E為邏輯O。當(dāng)電源電壓Vdd2大于電源電壓Vddl時，P型MOSFET 204導(dǎo)通或弱導(dǎo)通，內(nèi)部節(jié)點C被充高至電源電壓Vdd2的電位，成為邏輯I節(jié)點，從而使得P型M0SFET203被關(guān)斷，輸出節(jié)點Dout只存在經(jīng)由P型M0SFET205和N型M0SFET209的下拉路徑，輸出為邏輯O。
[0044]在T3時間段中，Por信號為電源域Vddl中的邏輯1，Por_n信號為邏輯0，Din信號為邏輯O。根據(jù)上述輸入信號可知，圖4中的各個MOSFET將呈現(xiàn)出以下的工作狀態(tài):N型M0SFET208導(dǎo)通，節(jié)點D將被下拉拉到地電位；N型M0SFET209關(guān)斷，不對輸出節(jié)點Dout產(chǎn)生影響。由此可知，在T3時間段中，具有上電清零功能的電平轉(zhuǎn)換器201將等價于一個傳統(tǒng)的電平轉(zhuǎn)換器102。由于輸入信號Din為邏輯0，輸出Dout也將為邏輯O。
[0045]在T4時間段中，Por信號為電源域Vddl中的邏輯1，Por_n信號為邏輯0，Din信號為邏輯I。根據(jù)上述輸入信號可知，圖4中的各個MOSFET將呈現(xiàn)出以下的工作狀態(tài):N型M0SFET208導(dǎo)通，節(jié)點D將被下拉拉到地電位；N型M0SFET209關(guān)斷，不對輸出節(jié)點Dout產(chǎn)生影響。由此可知，在T4時間段中，具有上電清零功能的電平轉(zhuǎn)換器201將等價于一個傳統(tǒng)的電平轉(zhuǎn)換器102。由于輸入信號Din為電源域Vddl中的邏輯1，輸出Dout將為電源域Vdd2中的邏輯I。
[0046]以下結(jié)合一個具體設(shè)計實例及其仿真結(jié)果來說明本發(fā)明的【具體實施方式】。
[0047]在這個設(shè)計實例中，需要實現(xiàn)從電源域Vddl = 0.9V到電源域Vdd2 = 1.8V的電平轉(zhuǎn)換。輸入信號Din是一個周期為500ns的方波。結(jié)合圖2，各個MOSFET的實際設(shè)計參數(shù)如下:P 型 M0SFET202:w = 650nm/L = 180nm、P 型 M0SFET203:w = 650nm/L = 180nm、P 型 M0SFET204:w = 650nm/L = 180nm、一個 P 型 M0SFET205:w = 650nm/L = 180nm、一個N 型 M0SFET206:w = 390nm/L = 180nm、一個 N 型 M0SFET207:w = 390nm/L = 180nm、一個N 型 M0SFET208:w = 460nm/L = 180nm、一個 N 型 M0SFET209:w = 460nm/L = 180nm、P 型M0SFET210:w = 650nm/L = 180nm、一個 N 型 M0SFET211:w = 460nm/L = 180nm。圖 5 為使用中芯國際0.18um工藝的電路模型對上述設(shè)計實施例進行瞬態(tài)仿真得到的結(jié)果。由圖5可知，通過仿真得到的信號波形和圖4中的結(jié)果類似，從而表明，該電路確已實現(xiàn)了 Por對輸出信號的清零作用，實現(xiàn)了輸入信號Din從電源域Vddl到電源域Vdd2的電平轉(zhuǎn)換。
[0048]雖然本發(fā)明已通過較佳實施例說明如上，但這一較佳實施例并非用以限定本發(fā)明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，應(yīng)有能力對該較佳實施例做出各種改正和補充，因此，本發(fā)明的保護范圍以權(quán)利要求書的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種具有上電清零功能的電平轉(zhuǎn)換器，其特征在于，包括第一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(202)、第二 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(203)、第三P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(204)、第四P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(205)、第五P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(210)、第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(206)、第二N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(207)、第三N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(208)、第四N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(209)和第五N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(211)； 上述各元件的連接關(guān)系如下: 所述的第一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(202)的源極與第一電源(Vdd2)連接、漏極與所述的第三P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(204)的源極連接； 所述的第二 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(203)的源極與第二電源(Vdd2’)連接、漏極與所述的第四P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(205)的源極連接； 所述的第三P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(204)的漏極與所述的第二 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(203)的柵極和第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(206)的漏極連接； 所述的第四P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(205)的漏極、第一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(202)的柵極、第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(207)的漏極和第四N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(209)的漏極構(gòu)成電路的公共輸出節(jié)點(Dout)； 所述的第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(206)的源極與第三N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(208)的漏極連接； 所述的第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(207)的源極、第三N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(208)的源極、第四N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(209)的源極、第五N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(211)的源極分別接地； 所述的第五P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(210)的源極與第三電源(Vddl)連接，漏極與所述的第五N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(211)的漏極、第四P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(205)的柵極、第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(207)的柵極構(gòu)成公共節(jié)點； 所述的第三P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(204)的柵極、第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(206)的柵極、第五P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(210)的柵極和第五N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(211)的柵極構(gòu)成公共節(jié)點與第一輸入信號(Din)連接； 所述的第三N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(208)的柵極與第二輸入信號(Por)連接，所述的第四N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(209)的柵極與第三輸入信號(Por_η)連接。
【文檔編號】H03K19/0185GK104184458SQ201410471349
【公開日】2014年12月3日 申請日期:2014年9月16日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月16日
【發(fā)明者】車文毅 申請人:上海坤銳電子科技有限公司