比較器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種比較器，包括：電源輸入端，用于輸入電源；第一待比較電壓輸入端，用于接收第一待比較電壓；第二待比較電壓輸入端，用于接收第二待比較電壓；失調(diào)電壓調(diào)節(jié)電路，用于調(diào)節(jié)失調(diào)電壓的大?。槐容^電路，用于接收第一待比較電壓和第二待比較電壓，并用于對第一待比較電壓和第三待比較電壓進行比較，以生成比較結(jié)果，其中，第三待比較電壓為第二待比較電壓與失調(diào)電壓之和；比較結(jié)果輸出端，用于輸出比較結(jié)果；其中，比較電路與電源輸入端、比較結(jié)果輸出端、失調(diào)電壓調(diào)節(jié)電路、第一待比較電壓輸入端和第二待比較電壓輸入端連接。本發(fā)明能使得比較器的失調(diào)電壓能夠任意調(diào)整，從而擴大比較器的應(yīng)用場合。
【專利說明】比較器 【【技術(shù)領(lǐng)域】】
[0001] 本發(fā)明涉及電子電路【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種比較器。 【【背景技術(shù)】】
[0002] 傳統(tǒng)的比較器一般用于將兩個電壓信號進行比較，并輸出比較結(jié)果。
[0003] 傳統(tǒng)的比較器的失調(diào)電壓的范圍都非常小，該失調(diào)電壓是外界環(huán)境的變化引起 的。
[0004] 在理論上，當V正=V負時，傳統(tǒng)的比較器的輸出將翻轉(zhuǎn)，然而在實際應(yīng)用中，只有 V正和V負相差一個很小的失調(diào)電壓時，傳統(tǒng)的比較器的輸出才會翻轉(zhuǎn)，這個很小的失調(diào)電 壓是由外界環(huán)境引起的，不可控制。
[0005] 當應(yīng)用于以下應(yīng)用環(huán)境（應(yīng)用條件）時，上述傳統(tǒng)的比較器將無法使用：
[0006] 在V正=V負+V1時，比較器的輸出才允許翻轉(zhuǎn)。
[0007] 其中，VI為失調(diào)電壓，VI的電壓值固定。
[0008] 故，有必要提出一種新的技術(shù)方案，以解決上述技術(shù)問題。 【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0009] 本發(fā)明的目的在于提供一種，其能使得比較器的失調(diào)電壓能夠任意調(diào)整，從而擴 大比較器的應(yīng)用場合。
[0010] 為解決上述問題，本發(fā)明的技術(shù)方案如下：
[0011] -種比較器，所述比較器包括：電源輸入端，用于輸入電源；第一待比較電壓輸入 端，用于接收第一待比較電壓；第二待比較電壓輸入端，用于接收第二待比較電壓；失調(diào)電 壓調(diào)節(jié)電路，用于調(diào)節(jié)失調(diào)電壓的大??；比較電路，用于接收所述第一待比較電壓和所述第 二待比較電壓，并用于對所述第一待比較電壓和第三待比較電壓進行比較，以生成比較結(jié) 果，其中，所述第三待比較電壓為所述第二待比較電壓與所述失調(diào)電壓之和；比較結(jié)果輸出 端，用于輸出所述比較結(jié)果；其中，所述比較電路與所述電源輸入端、所述比較結(jié)果輸出端、 所述失調(diào)電壓調(diào)節(jié)電路、所述第一待比較電壓輸入端和所述第二待比較電壓輸入端連接。
[0012] 在上述比較器中，所述比較電路包括：第一場效應(yīng)晶體管，包括第一控制端、第一 連接端、第二連接端，其中，所述第一控制端與所述第二連接端連接，所述第一連接端與所 述電源輸入端連接；第二場效應(yīng)晶體管，包括第二控制端、第三連接端、第四連接端，其中， 所述第二控制端與所述第一控制端連接，所述第三連接端與所述電源輸入端連接；第三場 效應(yīng)晶體管，包括第三控制端、第五連接端、第六連接端，其中，所述第三控制端與所述第四 連接端連接，所述第五連接端與所述電源輸入端連接，所述第六連接端與所述比較結(jié)果輸 出端連接；第四場效應(yīng)晶體管，包括第四控制端、第七連接端、第八連接端，其中，所述第四 控制端與所述第二待比較電壓輸入端連接，所述第七連接端與所述第二連接端連接；第五 場效應(yīng)晶體管，包括第五控制端、第九連接端、第十連接端，其中，所述第五控制端與所述第 一待比較電壓輸入端連接，所述第九連接端與所述第四連接端連接，所述第十連接端與所 述第八連接端連接；第六場效應(yīng)晶體管，包括第六控制端、第十一連接端、第十二連接端，其 中，所述第六控制端與所述第三控制端連接，所述第十二連接端與所述比較結(jié)果輸出端連 接，所述第十一連接端與所述第十連接端連接。
[0013] 在上述比較器中，所述第一場效應(yīng)晶體管、所述第二場效應(yīng)晶體管和所述第三場 效應(yīng)晶體管均為P溝道金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管，所述第四場效應(yīng)晶體管、所述第 五場效應(yīng)晶體管和所述第六場效應(yīng)晶體管均為N溝道金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管。
[0014] 在上述比較器中，所述失調(diào)電壓調(diào)節(jié)電路包括：第一調(diào)節(jié)部，包括：調(diào)節(jié)電阻，用 于通過調(diào)節(jié)所述第一調(diào)節(jié)部的電阻阻值來調(diào)節(jié)所述失調(diào)電壓，其中，所述失調(diào)電壓與所述 第一調(diào)節(jié)部的電壓對應(yīng)；其中，所述第十連接端通過所述調(diào)節(jié)電阻與所述第八連接端連接， 所述第十一連接端通過所述調(diào)節(jié)電阻與所述第十連接端連接；所述調(diào)節(jié)電阻包括第十三連 接端和第十四連接端，所述第十三連接端與所述第十連接端連接，所述第十四連接端與所 述第八連接端和所述第十一連接端連接。
[0015] 在上述比較器中，所述失調(diào)電壓調(diào)節(jié)電路還包括：第二調(diào)節(jié)部，用于通過調(diào)節(jié)流經(jīng) 所述調(diào)節(jié)電阻的電流來調(diào)節(jié)所述失調(diào)電壓；其中，所述第十一連接端通過所述第二調(diào)節(jié)部 與所述第十四連接端連接。
[0016] 在上述比較器中，所述第二調(diào)節(jié)部包括：控制電壓輸入端，用于接收控制電壓，其 中，所述控制電壓用于控制流經(jīng)所述調(diào)節(jié)電阻的電流；第七場效應(yīng)晶體管，包括第七控制 端、第十五連接端、第十六連接端，其中，所述第七控制端與所述控制電壓輸入端連接，所述 第十五連接端與所述第十四連接端連接，所述第十六連接端與所述第十一連接端連接；第 八場效應(yīng)晶體管，包括第八控制端、第十七連接端、第十八連接端，其中，所述第八控制端與 所述控制電壓輸入端連接，所述第八控制端還與所述第十七連接端連接，所述第十八連接 端與所述第十六連接端連接；所述比較器還包括：接地端，所述接地端與所述第十六連接 端連接。
[0017] 在上述比較器中，所述第一場效應(yīng)晶體管、所述第二場效應(yīng)晶體管和所述第七場 效應(yīng)晶體管中金屬氧化物半導體并聯(lián)的數(shù)目均為第一數(shù)目，所述第八場效應(yīng)晶體管中金屬 氧化物半導體并聯(lián)的數(shù)目為第二數(shù)目，其中，所述第一數(shù)目是所述第二數(shù)目的兩倍。
[0018] 在上述比較器中，流經(jīng)所述第一場效應(yīng)晶體管的電流與流經(jīng)所述第二場效應(yīng)晶體 管的電流相等；流經(jīng)所述第七場效應(yīng)晶體管的電流為流經(jīng)所述第二場效應(yīng)晶體管的電流的 兩倍。
[0019] 在上述比較器中，所述第七場效應(yīng)晶體管和所述第八場效應(yīng)晶體管均為N溝道金 屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管。
[0020] 在上述比較器中，在所述第一待比較電壓小于所述第三待比較電壓時，所述第五 場效應(yīng)晶體管和所述第三場效應(yīng)晶體管均處于截止狀態(tài)，所述第六場效應(yīng)晶體管處于導通 狀態(tài)，所述比較結(jié)果輸出端所輸出的所述比較結(jié)果為低電平信號；在所述第一待比較電壓 大于或等于所述第三待比較電壓時，所述第五場效應(yīng)晶體管和所述第三場效應(yīng)晶體管均處 于導通狀態(tài)，所述第六場效應(yīng)晶體管處于截止狀態(tài)，所述比較結(jié)果輸出端所輸出的所述比 較結(jié)果為高電平信號。
[0021] 相對現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明可以使得比較器的失調(diào)電壓任意調(diào)整，從而可以擴大比較 器的應(yīng)用場合。
[0022] 為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合所附圖式，作 詳細說明如下。 【【專利附圖】

【附圖說明】】
[0023] 圖1為本發(fā)明的比較器的示意圖；
[0024] 圖2為圖1所示的比較器的框圖；
[0025] 圖3為圖1所示的比較器的電路圖。 【【具體實施方式】】
[0026] 以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實施的特定實施 例。
[0027] 參考圖1和圖2,圖1為本發(fā)明的比較器101的示意圖，圖2為圖1所示的比較器 101的框圖。
[0028] 本發(fā)明的比較器101包括電源輸入端1011、第一待比較電壓輸入端1012、第二待 比較電壓輸入端1013、失調(diào)電壓調(diào)節(jié)電路202、比較電路201和比較結(jié)果輸出端1014。
[0029] 其中，所述電源輸入端1011用于輸入電源；所述第一待比較電壓輸入端1012用 于接收第一待比較電壓；所述第二待比較電壓輸入端1013用于接收第二待比較電壓；所述 失調(diào)電壓調(diào)節(jié)電路202用于調(diào)節(jié)失調(diào)電壓的大??；所述比較電路201用于接收所述第一待 比較電壓和所述第二待比較電壓，并用于對所述第一待比較電壓和第三待比較電壓進行比 較，以生成比較結(jié)果，其中，所述第三待比較電壓為所述第二待比較電壓與所述失調(diào)電壓之 和；所述比較結(jié)果輸出端1014用于輸出所述比較結(jié)果。
[0030] 所述失調(diào)電壓調(diào)節(jié)電路202和所述比較電路201連接。所述比較電路201與所述 電源輸入端1011、所述比較結(jié)果輸出端1014、所述失調(diào)電壓調(diào)節(jié)電路202、所述第一待比較 電壓輸入端1012和所述第二待比較電壓輸入端1013連接。
[0031] 參考圖3,圖3為圖1所示的比較器101的電路圖。
[0032] 在本實施例中，所述比較電路201包括第一場效應(yīng)晶體管301 (FET，F(xiàn)ield Effect Transistor)、第二場效應(yīng)晶體管302、第三場效應(yīng)晶體管303、第四場效應(yīng)晶體管304、第五 場效應(yīng)晶體管305和第六場效應(yīng)晶體管306。
[0033] 其中，所述第一場效應(yīng)晶體管301包括第一控制端3011、第一連接端3012、第二連 接端3013,所述第一控制端3011與所述第二連接端3013連接，所述第一連接端3012與所 述電源輸入端1011連接；所述第二場效應(yīng)晶體管302,包括第二控制端3021、第三連接端 3022、第四連接端3023,所述第二控制端3021與所述第一控制端3011連接，所述第三連接 端3022與所述電源輸入端1011連接；所述第三場效應(yīng)晶體管303包括第三控制端3031、 第五連接端3032、第六連接端3033,所述第三控制端3031與所述第四連接端3023連接，所 述第五連接端3032與所述電源輸入端1011連接，所述第六連接端3033與所述比較結(jié)果輸 出端1014連接；所述第四場效應(yīng)晶體管304包括第四控制端3041、第七連接端3042、第八 連接端3043,所述第四控制端3041與所述第二待比較電壓輸入端1013連接，所述第七連接 端3042與所述第二連接端3013連接；所述第五場效應(yīng)晶體管305包括第五控制端3051、 第九連接端3052、第十連接端3053,所述第五控制端3051與所述第一待比較電壓輸入端 1012連接，所述第九連接端3052與所述第四連接端3023連接，所述第十連接端3053與所 述第八連接端3043連接；所述第六場效應(yīng)晶體管306包括第六控制端3061、第i^一連接端 3062、第十二連接端3063,所述第六控制端3061與所述第三控制端3031連接，所述第十二 連接端3063與所述比較結(jié)果輸出端1014連接，所述第i^一連接端3062與所述第十連接端 3053連接。
[0034] 在本實施例中，所述第一場效應(yīng)晶體管301、所述第二場效應(yīng)晶體管302和所述第 三場效應(yīng)晶體管303均為P溝道金屬氧化物半導體（PMOS，Positive channel Metal Oxide Semiconductor)場效應(yīng)晶體管，所述第四場效應(yīng)晶體管304、所述第五場效應(yīng)晶體管305和 所述第六場效應(yīng)晶體管306均為N溝道金屬氧化物半導體（NMOS，Negative channel Metal Oxide Semiconductor)場效應(yīng)晶體管。
[0035] 在本實施例中，所述失調(diào)電壓調(diào)節(jié)電路202包括第一調(diào)節(jié)部，其中，所述第一調(diào)節(jié) 部包括調(diào)節(jié)電阻307。
[0036] 所述調(diào)節(jié)電阻307用于通過調(diào)節(jié)所述第一調(diào)節(jié)部的電阻阻值R來調(diào)節(jié)所述失調(diào)電 壓，其中，所述失調(diào)電壓與所述第一調(diào)節(jié)部的電壓對應(yīng)。所述第十連接端3053通過所述調(diào) 節(jié)電阻307與所述第八連接端3043連接，所述第i^一連接端3062通過所述調(diào)節(jié)電阻307 與所述第十連接端3053連接。
[0037] 所述調(diào)節(jié)電阻307包括第十三連接端3071和第十四連接端3072,所述第十三連接 端3071與所述第十連接端3053連接，所述第十四連接端3072與所述第八連接端3043和 所述第i^一連接端3062連接。
[0038] 在本實施例中，所述失調(diào)電壓調(diào)節(jié)電路202還包括第二調(diào)節(jié)部。
[0039] 所述第二調(diào)節(jié)部用于通過調(diào)節(jié)流經(jīng)所述調(diào)節(jié)電阻307的電流來調(diào)節(jié)所述失調(diào)電 壓。
[0040] 所述第十一連接端3062通過所述第二調(diào)節(jié)部與所述第十四連接端3072連接。
[0041] 所述第二調(diào)節(jié)部包括控制電壓輸入端203、第七場效應(yīng)晶體管308和第八場效應(yīng) 晶體管309。
[0042] 其中，所述控制電壓輸入端203用于接收控制電壓，其中，所述控制電壓用于控制 流經(jīng)所述調(diào)節(jié)電阻307的電流；所述第七場效應(yīng)晶體管308包括第七控制端3081、第十五 連接端3082、第十六連接端3083,其中，所述第七控制端3081與所述控制電壓輸入端203 連接，所述第十五連接端3082與所述第十四連接端3072連接，所述第十六連接端3083與 所述第i^一連接端3062連接；所述第八場效應(yīng)晶體管309包括第八控制端3091、第十七連 接端3092、第十八連接端3093,其中，所述第八控制端3091與所述控制電壓輸入端203連 接，所述第八控制端3091還與所述第十七連接端3092連接，所述第十八連接端3093與所 述第十六連接端3083連接。
[0043] 所述第七場效應(yīng)晶體管308和所述第八場效應(yīng)晶體管309均為N溝道金屬氧化物 半導體場效應(yīng)晶體管。
[0044] 在本實施例中，所述比較器101還包括接地端1015,所述接地端1015與所述第 十六連接端3083連接。
[0045] 流經(jīng)所述第一場效應(yīng)晶體管301的電流與流經(jīng)所述第二場效應(yīng)晶體管302的電流 相等；流經(jīng)所述第七場效應(yīng)晶體管308的電流為流經(jīng)所述第二場效應(yīng)晶體管302的電流的 兩倍。
[0046] 具體地，在本實施例中，所述第一場效應(yīng)晶體管301、所述第二場效應(yīng)晶體管302 和所述第七場效應(yīng)晶體管308中金屬氧化物半導體（M0S)并聯(lián)的數(shù)目（數(shù)量）均為第一數(shù) 目，所述第八場效應(yīng)晶體管309中金屬氧化物半導體并聯(lián)的數(shù)目為第二數(shù)目，所述第一數(shù) 目是所述第二數(shù)目的兩倍，例如，所述第一數(shù)目為2N，所述第二數(shù)目為N，其中，所述N為正 整數(shù)。例如，所述第一場效應(yīng)晶體管301、所述第二場效應(yīng)晶體管302和所述第七場效應(yīng)晶 體管308中金屬氧化物半導體并聯(lián)的數(shù)目均為2,所述第八場效應(yīng)晶體管309中金屬氧化物 半導體并聯(lián)的數(shù)目為1，如圖3所示。
[0047] 在本實施例中，所述第一場效應(yīng)晶體管301和所述第二場效應(yīng)晶體管302組成電 流鏡，由于所述第一場效應(yīng)晶體管301和所述第二場效應(yīng)晶體管302中金屬氧化物半導體 并聯(lián)的數(shù)目均為2N，則流過所述第一場效應(yīng)晶體管301的電流（記為I_Q1)和流過所述第 二場效應(yīng)晶體管302的電流（記為I_Q2)相等；所述第七場效應(yīng)晶體管308和所述第八場 效應(yīng)晶體管309組成電流鏡，則流過所述第七場效應(yīng)晶體管308的電流（記為I_Q8)為流過 所述第八場效應(yīng)晶體管309的電流（記為I_Q9)的兩倍。因此，I_Q1 = I_Q2 = (I_Q8)/2 =I_Q9。
[0048] 而由于I_Q9由所述控制電壓及所述第八場效應(yīng)晶體管309中金屬氧化物半導體 并聯(lián)的數(shù)目決定，所以可以確定1_91、1_92、1_08。此時，所述調(diào)節(jié)電阻307兩端的電壓（即， 所述失調(diào)電壓）VR = R*I_Q2。
[0049] 在本實施例中，在所述第一待比較電壓小于所述第三待比較電壓時，所述第五場 效應(yīng)晶體管305和所述第三場效應(yīng)晶體管303均處于截止狀態(tài)，所述第六場效應(yīng)晶體管306 處于導通狀態(tài)，所述比較結(jié)果輸出端1014所輸出的所述比較結(jié)果為低電平信號；在所述第 一待比較電壓大于或等于所述第三待比較電壓時，所述第五場效應(yīng)晶體管305和所述第三 場效應(yīng)晶體管303均處于導通狀態(tài)，所述第六場效應(yīng)晶體管306處于截止狀態(tài)，所述比較結(jié) 果輸出端1014所輸出的所述比較結(jié)果為高電平信號。
[0050] 在上述技術(shù)方案中，可以通過調(diào)整所述控制電壓或者改變所述調(diào)節(jié)電阻307的阻 值R來調(diào)節(jié)所述失調(diào)電壓VR，從而可以使得本發(fā)明的比較器101的失調(diào)電壓任意調(diào)整。因 此可以擴大所述比較器101的應(yīng)用場合。
[0051] 綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例揭露如上，但上述優(yōu)選實施例并非用以限 制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與潤 飾，因此本發(fā)明的保護范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準。
【權(quán)利要求】
1. 一種比較器，其特征在于，所述比較器包括： 電源輸入端，用于輸入電源； 第一待比較電壓輸入端，用于接收第一待比較電壓； 第二待比較電壓輸入端，用于接收第二待比較電壓； 失調(diào)電壓調(diào)節(jié)電路，用于調(diào)節(jié)失調(diào)電壓的大??； 比較電路，用于接收所述第一待比較電壓和所述第二待比較電壓，并用于對所述第一 待比較電壓和第三待比較電壓進行比較，以生成比較結(jié)果，其中，所述第三待比較電壓為所 述第二待比較電壓與所述失調(diào)電壓之和； 比較結(jié)果輸出端，用于輸出所述比較結(jié)果； 其中，所述比較電路與所述電源輸入端、所述比較結(jié)果輸出端、所述失調(diào)電壓調(diào)節(jié)電 路、所述第一待比較電壓輸入端和所述第二待比較電壓輸入端連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的比較器，其特征在于，所述比較電路包括： 第一場效應(yīng)晶體管，包括第一控制端、第一連接端、第二連接端，其中，所述第一控制端 與所述第二連接端連接，所述第一連接端與所述電源輸入端連接； 第二場效應(yīng)晶體管，包括第二控制端、第三連接端、第四連接端，其中，所述第二控制端 與所述第一控制端連接，所述第三連接端與所述電源輸入端連接； 第三場效應(yīng)晶體管，包括第三控制端、第五連接端、第六連接端，其中，所述第三控制端 與所述第四連接端連接，所述第五連接端與所述電源輸入端連接，所述第六連接端與所述 比較結(jié)果輸出端連接； 第四場效應(yīng)晶體管，包括第四控制端、第七連接端、第八連接端，其中，所述第四控制端 與所述第二待比較電壓輸入端連接，所述第七連接端與所述第二連接端連接； 第五場效應(yīng)晶體管，包括第五控制端、第九連接端、第十連接端，其中，所述第五控制端 與所述第一待比較電壓輸入端連接，所述第九連接端與所述第四連接端連接，所述第十連 接端與所述第八連接端連接； 第六場效應(yīng)晶體管，包括第六控制端、第十一連接端、第十二連接端，其中，所述第六控 制端與所述第三控制端連接，所述第十二連接端與所述比較結(jié)果輸出端連接，所述第十一 連接端與所述第十連接端連接。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的比較器，其特征在于，所述第一場效應(yīng)晶體管、所述第二場效 應(yīng)晶體管和所述第三場效應(yīng)晶體管均為P溝道金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管，所述第四 場效應(yīng)晶體管、所述第五場效應(yīng)晶體管和所述第六場效應(yīng)晶體管均為N溝道金屬氧化物半 導體場效應(yīng)晶體管。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的比較器，其特征在于，所述失調(diào)電壓調(diào)節(jié)電路包括： 第一調(diào)節(jié)部，包括： 調(diào)節(jié)電阻，用于通過調(diào)節(jié)所述第一調(diào)節(jié)部的電阻阻值來調(diào)節(jié)所述失調(diào)電壓，其中，所述 失調(diào)電壓與所述第一調(diào)節(jié)部的電壓對應(yīng)； 其中，所述第十連接端通過所述調(diào)節(jié)電阻與所述第八連接端連接，所述第十一連接端 通過所述調(diào)節(jié)電阻與所述第十連接端連接； 所述調(diào)節(jié)電阻包括第十三連接端和第十四連接端，所述第十三連接端與所述第十連接 端連接，所述第十四連接端與所述第八連接端和所述第十一連接端連接。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的比較器，其特征在于，所述失調(diào)電壓調(diào)節(jié)電路還包括： 第二調(diào)節(jié)部，用于通過調(diào)節(jié)流經(jīng)所述調(diào)節(jié)電阻的電流來調(diào)節(jié)所述失調(diào)電壓； 其中，所述第十一連接端通過所述第二調(diào)節(jié)部與所述第十四連接端連接。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的比較器，其特征在于，所述第二調(diào)節(jié)部包括： 控制電壓輸入端，用于接收控制電壓，其中，所述控制電壓用于控制流經(jīng)所述調(diào)節(jié)電阻 的電流； 第七場效應(yīng)晶體管，包括第七控制端、第十五連接端、第十六連接端，其中，所述第七 控制端與所述控制電壓輸入端連接，所述第十五連接端與所述第十四連接端連接，所述第 十六連接端與所述第十一連接端連接； 第八場效應(yīng)晶體管，包括第八控制端、第十七連接端、第十八連接端，其中，所述第八 控制端與所述控制電壓輸入端連接，所述第八控制端還與所述第十七連接端連接，所述第 十八連接端與所述第十六連接端連接； 所述比較器還包括： 接地端，所述接地端與所述第十六連接端連接。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的比較器，其特征在于，所述第一場效應(yīng)晶體管、所述第二場效 應(yīng)晶體管和所述第七場效應(yīng)晶體管中金屬氧化物半導體并聯(lián)的數(shù)目均為第一數(shù)目，所述第 八場效應(yīng)晶體管中金屬氧化物半導體并聯(lián)的數(shù)目為第二數(shù)目，其中，所述第一數(shù)目是所述 第二數(shù)目的兩倍。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的比較器，其特征在于，流經(jīng)所述第一場效應(yīng)晶體管的電流與 流經(jīng)所述第二場效應(yīng)晶體管的電流相等； 流經(jīng)所述第七場效應(yīng)晶體管的電流為流經(jīng)所述第二場效應(yīng)晶體管的電流的兩倍。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的比較器，其特征在于，所述第七場效應(yīng)晶體管和所述第八場 效應(yīng)晶體管均為N溝道金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管。
10. 根據(jù)權(quán)利要求3至9中任意一項所述的比較器，其特征在于，在所述第一待比較電 壓小于所述第三待比較電壓時，所述第五場效應(yīng)晶體管和所述第三場效應(yīng)晶體管均處于截 止狀態(tài)，所述第六場效應(yīng)晶體管處于導通狀態(tài)，所述比較結(jié)果輸出端所輸出的所述比較結(jié) 果為低電平信號； 在所述第一待比較電壓大于或等于所述第三待比較電壓時，所述第五場效應(yīng)晶體管和 所述第三場效應(yīng)晶體管均處于導通狀態(tài)，所述第六場效應(yīng)晶體管處于截止狀態(tài)，所述比較 結(jié)果輸出端所輸出的所述比較結(jié)果為高電平信號。
【文檔編號】H03K5/24GK104158517SQ201410424215
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2014年8月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月26日
【發(fā)明者】曹丹 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司