一種提高mos管模擬開關(guān)線性度的方法及mos管模擬開關(guān)電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種基于電荷補(bǔ)償?shù)奶岣進(jìn)OS管模擬開關(guān)線性度方法，主要應(yīng)用于集成電路領(lǐng)域，特別是涉及MOS管作為模擬信號采樣開關(guān)的集成電路應(yīng)用領(lǐng)域。該方法具體為，在MOS管模擬開關(guān)電路中設(shè)置補(bǔ)償電路，補(bǔ)償MOS管模擬開關(guān)在導(dǎo)通階段由于寄生電容電荷分配損失的電荷量，提高M(jìn)OS管模擬開關(guān)線性度。該方法能夠消除柵壓自舉電路中由于寄生電容造成的MOS管模擬開關(guān)非線性影響，提高M(jìn)OS管模擬開關(guān)的線性度。
【專利說明】一種提高M(jìn)OS管模擬開關(guān)線性度的方法及MOS管模擬開關(guān) 電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域，特別涉及M0S管作為模擬信號采樣開關(guān)的集成電路應(yīng) 用領(lǐng)域。

【背景技術(shù)】
[0002] 在一些集成電路應(yīng)用中，需要采用M0S晶體管作為模擬開關(guān)進(jìn)行信號的傳輸控 制，特別是采用M0S晶體管集成設(shè)計的采樣保持電路中，其應(yīng)用最為廣泛。為了降低M0S管 作為模擬開關(guān)時，其等效導(dǎo)通電阻阻值隨輸入信號變化的非線性影響，較常見的方法是采 用柵壓自舉技術(shù)，使M0S管模擬開關(guān)柵極電壓值含有輸入信號分量，從而將M0S管模擬開 關(guān)源極的輸入信號分量抵消，實現(xiàn)M0S管模擬開關(guān)等效導(dǎo)通電阻阻值與輸入信號無關(guān)的目 的，提商M0S管t旲擬開關(guān)性能。
[0003] 通常的柵壓自舉技術(shù)在一定的設(shè)計指標(biāo)范圍內(nèi)可以滿足M0S管模擬開關(guān)線性度 要求，并沒有考慮M0S管模擬開關(guān)柵極寄生電容對其線性度的影響。但是進(jìn)一步的分析可 以發(fā)現(xiàn)，由于柵壓自舉電路中寄生電容和M0S管模擬開關(guān)柵極寄生電容的影響，M0S管模擬 開關(guān)柵極電壓值中的輸入信號分量并不能完全抵消其源漏極輸入信號值，特別是在高精度 模擬信號傳輸應(yīng)用中，當(dāng)M0S模擬開關(guān)尺寸增大，寄生電容影響將嚴(yán)重影響其等效導(dǎo)通電 阻線性度。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 鑒于此，本發(fā)明提供一種提高M(jìn)0S管模擬開關(guān)線性度的方法，該方法消除由寄生 電容造成的M0S管模擬開關(guān)非線性影響，同時本發(fā)明還提供一種M0S管模擬開關(guān)電路。
[0005] 為達(dá)到上述目的之一，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種提高M(jìn)0S管模擬開關(guān)線性 度方法，在M0S管模擬開關(guān)電路中設(shè)置補(bǔ)償電路，補(bǔ)償M0S管模擬開關(guān)在導(dǎo)通階段由于寄生 電容電荷分配損失的電荷量，提高M(jìn)0S管模擬開關(guān)線性度。
[0006] 為達(dá)到上述目的之二，一種M0S管模擬開關(guān)電路，包括柵壓自舉電路、電荷補(bǔ)償電 路和M0S管模擬開關(guān)，所述柵壓自舉電路用于產(chǎn)生一個與輸入電壓幅度相關(guān)的自舉電壓， 所述M0S管模擬開關(guān)用于控制輸入信號的傳輸，所述電荷補(bǔ)償電路用于補(bǔ)償M0S管模擬開 關(guān)在導(dǎo)通階段由于寄生電容電荷分配損失的電荷量。
[0007] 進(jìn)一步，所述柵壓自舉電路包括柵壓自舉電容Cb、控制開關(guān)％、控制開關(guān)M 2、控制 開關(guān)M3、控制開關(guān)M4、控制開關(guān)M5、控制開關(guān)M 6、控制開關(guān)M7、控制開關(guān)M8 ;所述控制開關(guān)札 的源極接電源，控制開關(guān)A的柵極分別與控制開關(guān)％的漏極、控制開關(guān)M2的源極連接；控 制開關(guān)M 2的柵極接第一控制信號；控制開關(guān)％的源極接地，控制開關(guān)M3的柵極接第一控制 信號；控制開關(guān)札的漏極分別與控制開關(guān)M 2的漏極、控制開關(guān)M4的源極、柵壓自舉電容Cb 的一端連接，柵壓自舉電容Cb的另一端與控制開關(guān)M8的漏極連接，控制開關(guān)M8的源極接地， 控制開關(guān)凡的柵極接第一控制信號；控制開關(guān)仏的漏極與控制開關(guān)M 6的漏極連接，控制開 關(guān)凡的源極接地，控制開關(guān)M6的柵極接第一控制信號，控制開關(guān)M4的柵極分別與控制開關(guān) M5的漏極、控制開關(guān)M7的漏極，控制開關(guān)M5的源極接電源，控制開關(guān)M 7的源極接地，控制開 關(guān)馬的柵極與控制開關(guān)M5的柵極接第二控制信號。
[0008] 進(jìn)一步，所述電荷補(bǔ)償電路包括控制開關(guān)M9a、控制開關(guān)Mlla、補(bǔ)償電容、傳輸門 ?\ ;控制開關(guān)Mlla的源極分別與控制開關(guān)M4的漏極、控制開關(guān)M6的漏極連接，控制開關(guān)M lla 的柵極與控制開關(guān)M4的柵極連接，控制開關(guān)Mlla的漏極分別與補(bǔ)償電容的一端、傳輸門 ?\的輸出端連接，補(bǔ)償電容的另一端分別與控制開關(guān)M8的漏極、控制開關(guān)M9a的漏極連 接，控制開關(guān)M 9a的柵極與控制開關(guān)Mlla的源極連接，傳輸門?\的輸入端接輸入信號，控制開 關(guān)M 9a的源極與傳輸門?\的輸入端連接，傳輸門?\的其中一個控制端接第一控制信號，另一 個控制端接第二控制信號。
[0009] 進(jìn)一步，所述M0S管模擬開關(guān)包括M0S管M1Qa，M0S管M1Qa的柵極與控制開關(guān)M 9a的 柵極連接，M0S管M1Qa的源極與控制開關(guān)M9a的源極連接，M0S管M 1Qa的漏極作為輸出端，M0S 管M1(la的襯底與控制開關(guān)M9a的漏極連接。
[0010] 進(jìn)一步，所述補(bǔ)償電容的容值等于柵壓自舉電容cb上極板結(jié)點處的寄生電容 Cp與M0S管M1(la柵極寄生電容Q容值的總和。
[0011] 進(jìn)一步，所述柵壓自舉電容cb容值遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于補(bǔ)償電容容值。
[0012] 進(jìn)一步，所述電荷補(bǔ)償電路包括放大器AMPb、電阻Rlb、電阻R2b、控制開關(guān)M 9b、控制 開關(guān)Mllb、控制開關(guān)M12b;控制開關(guān)M9b的漏極與控制開關(guān)M8的漏極連接，控制開關(guān)M 9b的柵極 與控制開關(guān)M4的漏極連接，控制開關(guān)M9b的源極與放大器AMPb的輸出端連接，放大器AMPb 的輸出端通過串聯(lián)的電阻R2b、Rlb接地，放大器AMPb的反向輸入端通過電阻Rlb接地，放大 器AMPb的正向輸入端與控制開關(guān)M llb的漏極連接，控制開關(guān)Mllb的源極與控制開關(guān)M12b的 漏極連接，控制開關(guān)M 12b的源極接地，控制開關(guān)Mllb的漏極接輸入信號，控制開關(guān)M12b的柵極 接第一控制信號；所述M0S管電路包括M0S管M 1Qb，M0S管M1Qb的柵極分別與控制開關(guān)M9b的 柵極、控制開關(guān)M llb的柵極連接，的源極分別與放大器AMPb的正向輸入端、輸入 信號連接，M0S管M1(lb的襯底分別與控制開關(guān)M llb的源極、控制開關(guān)M12b的漏極連接，M0S管 M1(lb的漏極作為輸出端。
[0013] 進(jìn)一步，所述電荷補(bǔ)償電路包括放大器AMPc、控制開關(guān)M12。、控制開關(guān)M 9。、電阻1、 電阻&。，放大器AMPc的輸出端與控制開關(guān)M8的漏極連接，放大器AMPc的輸出端經(jīng)過依次 連接的電阻R 2。、電阻&。接地，放大器AMPc的反向輸入端經(jīng)電阻&。接地，放大器AMPc的正 向輸入端分別與控制開關(guān)M 9。的漏極、控制開關(guān)M12。的漏極連接，控制開關(guān)M12。的源極接地， 控制開關(guān)M 12。的柵極接第一控制信號，控制開關(guān)M9。的柵極與控制開關(guān)M4的漏極連接。
[0014] 進(jìn)一步，所述M0S管模擬開關(guān)包括M0S管M1Q。，控制開關(guān)M9。的源極與M0S管M 1Qc的 源極連接，M0S管M1(l。的漏極作為輸出端，M0S管M1(l。的源極接輸入信號，M0S管M 1(l。的柵極 與控制開關(guān)M9。的柵極連接；M0S管M1(l。的襯底與控制開關(guān)M 9。的漏極連接。
[0015] 由于采用了以上技術(shù)方案，本發(fā)明具有以下有益技術(shù)效果：
[0016] ⑴本發(fā)明可以消除由于柵壓自舉電路寄生電容和M0S管模擬開關(guān)柵極寄生電容 造成的柵壓自舉電路輸出柵壓中的輸入信號分量低于實際輸入信號電壓值的非理想影響， 提高M(jìn)0S管模擬開關(guān)線性度；
[0017] (2)本發(fā)明還非常有利于與M0S管模擬開關(guān)襯底調(diào)制技術(shù)相結(jié)合，在具體實施中， 通過柵壓自舉電路中某些結(jié)點電位與MOS管襯底結(jié)點電位復(fù)用，減少M(fèi)OS管模擬開關(guān)襯底 調(diào)制控制開關(guān)數(shù)量，降低柵壓自舉電路負(fù)載，從而進(jìn)一步提高M(jìn)0S管模擬開關(guān)線性度，滿足 更高要求的高精度模擬信號傳輸要求；
[0018] ⑶電荷補(bǔ)償電路一在輸入信號頻率較低的應(yīng)用中，只需很少的硬件消耗，就能對 M0S管模擬開關(guān)線性度有很大提高；
[0019] (4)電荷補(bǔ)償電路二對輸入信號進(jìn)行實時放大和傳輸，其提高M(jìn)0S管模擬開關(guān)線 性度的能力不受輸入信號頻率限制。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020] 為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn) 一步的詳細(xì)描述，其中：
[0021] 圖1為本發(fā)明M0S模擬開關(guān)電路一實施例的結(jié)構(gòu)。
[0022] 圖2為本發(fā)明M0S模擬開關(guān)電路二實施例的結(jié)構(gòu)。
[0023] 圖3為本發(fā)明M0S模擬開關(guān)電路三實施例的結(jié)構(gòu)。
[0024] 圖4為本發(fā)明控制時序圖。

【具體實施方式】
[0025] 以下將結(jié)合附圖，對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進(jìn)行詳細(xì)的描述；應(yīng)當(dāng)理解，優(yōu)選實施例 僅為了說明本發(fā)明，而不是為了限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0026] 實施例一
[0027] 本發(fā)明提出一種電荷補(bǔ)償方法，補(bǔ)償M0S管模擬開關(guān)在導(dǎo)通階段由于寄生電容電 荷分配損失的電荷量，提高M(jìn)0S管模擬開關(guān)線性度。
[0028] 根據(jù)上電荷補(bǔ)償方法，本發(fā)明同時提供一種M0S模擬開關(guān)電路，包括柵壓自舉電 路、電荷補(bǔ)償電路、M0S管模擬開關(guān)。
[0029] 如圖1所示，所述柵壓自舉電路用于產(chǎn)生一個與輸入電壓幅度相關(guān)的自舉電壓， 所述M0S管模擬開關(guān)用于控制輸入信號的傳輸，所述電荷補(bǔ)償電路用于補(bǔ)償M0S管模擬開 關(guān)在導(dǎo)通階段由于寄生電容電荷分配損失的電荷量。
[0030] 其中，所述柵壓自舉電路包括柵壓自舉電容cb、控制開關(guān)札為為為為為為為； 所述控制開關(guān)Mi的源極接電源，控制開關(guān)Mi的柵極分別與控制開關(guān)M 3的漏極、控制開關(guān)M2 的源極連接；控制開關(guān)仏的柵極接第一控制信號；控制開關(guān)％的源極接地，控制開關(guān)M3的 柵極接第一控制信號；控制開關(guān)A的漏極分別與控制開關(guān)仏的漏極、控制開關(guān)M 4的源極、 柵壓自舉電容Cb的一端連接，柵壓自舉電容Cb的另一端與控制開關(guān)M 8的漏極連接，控制開 關(guān)凡的源極接地，控制開關(guān)M8的柵極接第一控制信號；控制開關(guān)仏的漏極與控制開關(guān)M 6的 漏極連接，控制開關(guān)M6的源極接地，控制開關(guān)M6的柵極接第一控制信號，控制開關(guān)M 4的柵 極分別與控制開關(guān)M5的漏極、控制開關(guān)M7的漏極，控制開關(guān)M 5的源極接電源，控制開關(guān)M7 的源極接地，控制開關(guān)M7的柵極與控制開關(guān)M5的柵極接第二控制信號。
[0031] 所述電荷補(bǔ)償電路包括控制開關(guān)M9a、控制開關(guān)Mlla、補(bǔ)償電容、傳輸門?\ ;控制 開關(guān)Mlla的源極分別與控制開關(guān)仏的漏極、控制開關(guān)Μ6的漏極連接，控制開關(guān)M lla的柵極與 控制開關(guān)仏的柵極連接，控制開關(guān)Mlla的漏極分別與補(bǔ)償電容的一端、傳輸門?\的輸出 端連接，補(bǔ)償電容的另一端分別與控制開關(guān)M8的漏極、控制開關(guān)M9a的漏極連接，控制開 關(guān)M9a的柵極與控制開關(guān)Mlla的源極連接，傳輸門?\的輸入端接輸入信號，控制開關(guān)I的 源極與傳輸門?\的輸入端連接，傳輸門?\的其中一個控制端接第一控制信號，另一個控制 端接第二控制信號。
[0032] 所述M0S管模擬開關(guān)包括M0S管M1Qa，M0S管M1Qa的柵極與控制開關(guān)M 9a的柵極連 接，M0S管M1Qa的源極與控制開關(guān)M9a的源極連接，M0S管M 1Qa的漏極作為輸出端，M0S管M1Qa 的襯底與控制開關(guān)M9a的漏極連接。
[0033] 如圖4所示，第一控制信號為Φρ，第二控制信號為Φ3。
[0034] 具體工作過程如下：預(yù)充電階段，控制時鐘Φ3低電平，Φρ高電平，控制開關(guān)札、 M3、M5、M6、M8和傳輸門?\導(dǎo)通，控制開關(guān)M 2、M4、M7、M9a和Mlla關(guān)斷，M0S管M 1(la關(guān)斷，其襯底 接地。此時，柵壓自舉電容Cb上極板與電源Vdd連接，下極板與地連接，其充電電荷為Q bap = CbVdd，補(bǔ)償電容C。上極板與輸入信號Vin連接，下極板與地連接，假設(shè)此時刻輸入信號電壓 瞬時值為V in(p)，其充電電荷為QMP = C；Vin(p)，假設(shè)柵壓自舉電容Cb上極板結(jié)點P處寄生電容 容值為Cp，其上極板與電源電壓連接，下極板與地連接，充電電荷為Q pap = CpVdd，M0S管札。3 柵極結(jié)點La處寄生電容容值為Qa，其上下極板都與地連接，充電電荷為= Qa*0,導(dǎo)通 階段，控制時鐘Φ3高電平，Φρ低電平，控制開關(guān)A、M 3、M5、M6、M8和傳輸門?\關(guān)斷，控制開 關(guān)M 2、M4、M7、M9a和Mlla導(dǎo)通，M0S管M 1(la導(dǎo)通，其襯底與輸入信號連接。此時，柵壓自舉電容 Cb與補(bǔ)償電容C。并聯(lián)，其上極板同時與M0S管M1(la的柵極連接，下極板同時與輸入信號V in 連接，假設(shè)M0S管M1(la柵極電壓此時為Vea，且此時刻輸入信號瞬時電壓值為Vin(s)，則柵壓自 舉電容C b與補(bǔ)償電容C。上保持總電荷為Qbeas = (Cb+C。）（Vea-Vin(s))，柵壓自舉電容Cb上極 板結(jié)點P處寄生電容C p與M0S管M1(la柵極結(jié)點La處寄生電容并聯(lián)，其上極板與柵壓自 舉電容C b和補(bǔ)償電容C。上極板連接，并與M0S管M1(la柵極連接，其下極板與地連接，該兩結(jié) 點寄生電容保持總電荷為：Q_ s= (Cp+CjVea。根據(jù)電荷守恒定理，預(yù)充電階段和導(dǎo)通階段 存儲在上述四種電容上的總電荷相等，即：Q bap+QMP+Qpap+Q_ = Qb^+Q：^，代入上述一系列表 達(dá)式可得M0S管柵極電壓
[0035]

【權(quán)利要求】
1. 一種提高M(jìn)OS管模擬開關(guān)線性度的方法，其特征在于：在MOS管模擬開關(guān)電路中設(shè) 置補(bǔ)償電路，補(bǔ)償M0S管模擬開關(guān)在導(dǎo)通階段由于寄生電容電荷分配損失的電荷量，提高 M0S管模擬開關(guān)線性度。
2. -種M0S管模擬開關(guān)電路，其特征在于：包括柵壓自舉電路、電荷補(bǔ)償電路和M0S管 電路，所述柵壓自舉電路用于產(chǎn)生一個與輸入電壓幅度相關(guān)的自舉電壓，所述M0S管模擬 開關(guān)用于控制輸入信號的傳輸，所述電荷補(bǔ)償電路用于補(bǔ)償M0S管在導(dǎo)通階段由于寄生電 容電荷分配損失的電荷量。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的M0S管模擬開關(guān)電路，其特征在于：所述柵壓自舉電路包括 柵壓自舉電容Cb、控制開關(guān)％、控制開關(guān)M 2、控制開關(guān)M3、控制開關(guān)M4、控制開關(guān)M5、控制開關(guān) M6、控制開關(guān)M7、控制開關(guān)M8 ;所述控制開關(guān)A的源極接電源，控制開關(guān)A的柵極分別與控 制開關(guān)M3的漏極、控制開關(guān)M2的源極連接；控制開關(guān)仏的柵極接第一控制信號；控制開關(guān) M3的源極接地，控制開關(guān)M3的柵極接第一控制信號；控制開關(guān)A的漏極分別與控制開關(guān)仏 的漏極、控制開關(guān)M 4的源極、柵壓自舉電容Cb的一端連接，柵壓自舉電容Cb的另一端與控 制開關(guān)M 8的漏極連接，控制開關(guān)M8的源極接地，控制開關(guān)M8的柵極接第一控制信號；控制 開關(guān)M 4的漏極與控制開關(guān)M6的漏極連接，控制開關(guān)M6的源極接地，控制開關(guān)M6的柵極接第 一控制信號，控制開關(guān)《的柵極分別與控制開關(guān)M 5的漏極、控制開關(guān)M7的漏極，控制開關(guān)M5 的源極接電源，控制開關(guān)M7的源極接地，控制開關(guān)M7的柵極與控制開關(guān)M5的柵極接第二控 制信號。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的M0S管模擬開關(guān)電路，其特征在于：所述電荷補(bǔ)償電路包括 控制開關(guān)M9a、控制開關(guān)M lla、補(bǔ)償電容、傳輸門?\ ;控制開關(guān)Mlla的源極分別與控制開關(guān)仏 的漏極、控制開關(guān)M6的漏極連接，控制開關(guān)M lla的柵極與控制開關(guān)M4的柵極連接，控制開關(guān) Mlla的漏極分別與補(bǔ)償電容的一端、傳輸門?\的輸出端連接，補(bǔ)償電容的另一端分別 與控制開關(guān)M 8的漏極、控制開關(guān)M9a的漏極連接，控制開關(guān)的柵極與控制開關(guān)Mlla的源 極連接，傳輸門?\的輸入端接輸入信號，控制開關(guān)M 9a的源極與傳輸門?\的輸入端連接，傳 輸門?\的其中一個控制端接第一控制信號，另一個控制端接第二控制信號。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的M0S管模擬開關(guān)電路，其特征在于：所述M0S管模擬開關(guān)包 括M0S管M1Qa，M0S管M 1Qa的柵極與控制開關(guān)M9a的柵極連接，M0S管M1Qa的源極與控制開關(guān) M9a的源極連接，M0S管M1Qa的漏極作為輸出端，M0S管M1Qa的襯底與控制開關(guān)M 9a的漏極連 接。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的M0S管模擬開關(guān)電路，其特征在于：所述補(bǔ)償電容Cea的容值 等于柵壓自舉電容C b上極板結(jié)點處的寄生電容Cp與M0S管M1(la柵極寄生電容容值的總 和。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的M0S管模擬開關(guān)電路，其特征在于：所述柵壓自舉電容Cb容 值遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于補(bǔ)償電容容值。
8. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的M0S管模擬開關(guān)電路，其特征在于：所述電荷補(bǔ)償電路包括 放大器AMPb、電阻Rlb、電阻R 2b、控制開關(guān)M9b、控制開關(guān)Mllb、控制開關(guān)M12b ;控制開關(guān)M9b的漏 極與控制開關(guān)M8的漏極連接，控制開關(guān)M9b的柵極與控制開關(guān)M 4的漏極連接，控制開關(guān)M9b 的源極與放大器AMPb的輸出端連接，放大器AMPb的輸出端通過串聯(lián)的電阻R2b、Rlb接地，放 大器AMPb的反向輸入端通過電阻R lb接地，放大器AMPb的正向輸入端與控制開關(guān)Mllb的漏 極連接，控制開關(guān)Mllb的源極與控制開關(guān)M12b的漏極連接，控制開關(guān)M12b的源極接地，控制開 關(guān)Mllb的漏極接輸入信號，控制開關(guān)M12b的柵極接第一控制信號；所述MOS管電路包括MOS 管M1Qb，MOS管M1Qb的柵極分別與控制開關(guān)M9b的柵極、控制開關(guān)M llb的柵極連接，MOS管M1Qb 的源極分別與放大器AMPb的正向輸入端、輸入信號連接，MOS管襯底分別與控制開關(guān) Mllb的源極、控制開關(guān)M12b的漏極連接，M0S管M1(lb的漏極作為輸出端。
9. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的M0S管模擬開關(guān)電路，其特征在于：所述電荷補(bǔ)償電路包括 放大器AMPc、控制開關(guān)M12。、控制開關(guān)M 9。、電阻R2。、電阻&。，放大器AMPc的輸出端與控制開 關(guān)凡的漏極連接，放大器AMPc的輸出端經(jīng)過依次連接的電阻馬。、電阻1^。接地，放大器AMPc 的反向輸入端經(jīng)電阻凡。接地，放大器AMPc的正向輸入端分別與控制開關(guān)凡。的漏極、控制 開關(guān)M12。的漏極連接，控制開關(guān)M 12。的源極接地，控制開關(guān)M12。的柵極接第一控制信號，控制 開關(guān)M9。的柵極與控制開關(guān)M 4的漏極連接。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的M0S管模擬開關(guān)電路，其特征在于：所述M0S管模擬開關(guān)包 括M0S管M1(l。，控制開關(guān)M9。的源極與M0S管M1(l。的源極連接，M0S管M 1(l。的漏極作為輸出端， M0S管M1Q。的源極接輸入信號，M0S管M1Q。的柵極與控制開關(guān)M9。的柵極連接；M0S管M 1Q。的 襯底與控制開關(guān)凡。的漏極連接。
【文檔編號】H03K17/687GK104158526SQ201410403850
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2014年8月15日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月15日
【發(fā)明者】黃正波, 李婷, 李儒章, 張勇, 王妍, 陳光炳, 付東兵, 王育新 申請人:中國電子科技集團(tuán)公司第二十四研究所