Ab類兩級(jí)運(yùn)算放大器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種驅(qū)動(dòng)負(fù)載(RLB、RLA)的AB類兩級(jí)運(yùn)算放大器(400)，包括：輸入級(jí)(401)，其包括差分輸入端子(IN、IP)、分別提供第一差分驅(qū)動(dòng)信號(hào)(Out1P)和第二差分驅(qū)動(dòng)信號(hào)(Out1N)的第一差分輸出端子(O1P)和第二差分輸出端子(O1N)；輸出級(jí)(402)，其包括第一輸出支路(403)和第二輸出支路(404)，第一輸出支路具有與輸入級(jí)(401)的第一差分輸出端子(O1P)可操作地連接的第一差分輸入端子(I1P)以接收第一差分驅(qū)動(dòng)信號(hào)(OUT1P)，第二輸出支路具有與輸出級(jí)(401)的第二差分輸出端子(O1N)可操作地連接的第二差分輸入端子(I1N)以接收第二差分驅(qū)動(dòng)信號(hào)(Out1N)；配置成控制輸出級(jí)(402)的控制電路(405)。
【專利說(shuō)明】AB類兩級(jí)運(yùn)算放大器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及運(yùn)算放大器，尤其是，本發(fā)明涉及AB類兩級(jí)運(yùn)算放大器。

【背景技術(shù)】
[0002] 在電子設(shè)備尤其是移動(dòng)設(shè)備（例如，手機(jī)）的發(fā)展過(guò)程中，要考慮的一個(gè)方面是電 流消耗。
[0003] 例如，在手機(jī)領(lǐng)域中，為了在不降低電池使用時(shí)間的情況下，創(chuàng)造具有更多功能的 手機(jī)，降低電流消耗是關(guān)鍵點(diǎn)。
[0004] 在手機(jī)中，全差分模擬電路常使用運(yùn)算放大器，在一些情況中，尤其是當(dāng)需要高輸 出電流時(shí)，這些放大器必須實(shí)施為具有AB類輸出級(jí)。
[0005] 遺憾的是，直到現(xiàn)在，沒(méi)有獲得完整的AB類兩級(jí)運(yùn)算放大器的有用的解決方案， 因此，根據(jù)需要，這樣的放大器必須被A類兩級(jí)放大器或AB類三級(jí)放大器代替。然而，上述 兩種解決方案需要更高的電流消耗。
[0006] 圖1、圖2和圖3分別示出了現(xiàn)有技術(shù)的運(yùn)算放大器，該運(yùn)算放大器可以用于需要 高輸出電流的應(yīng)用。
[0007] 圖1示出了用于驅(qū)動(dòng)負(fù)載&的A類兩級(jí)運(yùn)算放大器100。
[0008] 如從圖1中的電路圖中可見(jiàn)，負(fù)載電流込不能超過(guò)通過(guò)基準(zhǔn)偏置電壓VBP確定的 輸出電流I OTT。因此，負(fù)載電流L越高，輸出電流越IOTT越高，因此，運(yùn)算放大器1〇〇的電流 消耗越高。
[0009] 圖2示出了用于驅(qū)動(dòng)負(fù)載&的三級(jí)運(yùn)算放大器200。
[0010] 如已知的，三級(jí)運(yùn)算放大器是固有的AB類型。因此，負(fù)載電流込可以更高于輸出 電厶丨L I〇UT。
[0011] 然而，圖2的運(yùn)算放大器相對(duì)于兩級(jí)運(yùn)算放大器（例如，圖1所示的類型的兩級(jí)運(yùn) 算放大器）的主要缺點(diǎn)是增益帶寬積（Gain Bandwidth Product, GBWP)。
[0012] 通常，如本領(lǐng)域?qū)＜夜?，考慮相同的電流消耗，在三級(jí)運(yùn)算放大器中的增益帶寬 積遠(yuǎn)低于兩級(jí)運(yùn)算放大器的增益帶寬積。
[0013] 圖3示出了在文獻(xiàn)中已知的全差分AB類兩級(jí)運(yùn)算放大器。
[0014] AB類的實(shí)施通過(guò)使用CR高通濾波器使運(yùn)算放大器的輸入級(jí)的輸出信號(hào)0UT1與信 號(hào)0UT1_DEC斷開(kāi)聯(lián)接而獲得。
[0015] 圖3中的運(yùn)算放大器不是真正的AB類運(yùn)算放大器，原因在于AB類僅可以針對(duì)具 有高于1/2 CR的頻率的信號(hào)實(shí)施。
[0016] 鑒于此，對(duì)于必須處理具有低于100Hz的頻率的信號(hào)的應(yīng)用，例如在音頻領(lǐng)域中， 由于在實(shí)際技術(shù)中，CR高通濾波器應(yīng)該占用大的面積，因此圖3中的運(yùn)算放大器不可實(shí)現(xiàn)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0017] 本發(fā)明的目的是，提供克服已知現(xiàn)有技術(shù)中的至少一些缺點(diǎn)和限制的AB類兩級(jí) 運(yùn)算放大器，該AB類兩級(jí)運(yùn)算放大器尤其允許在寬的頻率范圍上獲得受控的輸出電流。 [0018] 根據(jù)本發(fā)明，一種用于驅(qū)動(dòng)負(fù)載的AB類兩級(jí)運(yùn)算放大器，包括：輸入級(jí)，所述輸入 級(jí)包括差分輸入端子、第一差分輸出端子和第二差分輸出端子，所述第一差分輸出端子和 所述第二差分輸出端子分別提供第一差分驅(qū)動(dòng)信號(hào)和第二差分驅(qū)動(dòng)信號(hào)；輸出級(jí)，所述輸 出級(jí)包括第一輸出支路和第二輸出支路，所述第一輸出支路具有與所述輸入級(jí)的所述第一 差分輸出端子可操作地連接的第一差分輸入端子，以接收所述第一差分驅(qū)動(dòng)信號(hào)，所述第 二輸出支路具有與所述輸出級(jí)的所述第二差分輸出端子可操作地連接的第二差分輸入端 子、以接收所述第二差分驅(qū)動(dòng)信號(hào)；控制電路，所述控制電路配置成控制所述輸出級(jí)的所述 第一輸出支路和所述第二輸出支路上的輸出電流，所述控制電路包括：二極管配置的第一 PM0S晶體管，所述第一 PM0S晶體管以電流鏡配置方式可操作地連接至所述輸出級(jí)的所述 第一輸出支路的第二PM0S晶體管；第一 NM0S晶體管，所述第一 NM0S晶體管串聯(lián)連接至所 述第一PM0S晶體管且具有連接至偏置電壓的柵極端子；二極管配置的第三PM0S晶體管，所 述第三PM0S晶體管以電流鏡配置方式可操作地連接至所述輸出級(jí)的所述第二輸出支路的 第四PM0S晶體管；和第二NM0S晶體管，所述第二NM0S晶體管串聯(lián)連接至所述第三PM0S晶 體管且具有連接至所述偏置電壓的柵極端子。所述運(yùn)算放大器的所述控制電路還包括：第 三NM0S晶體管，所述第三NM0S晶體管以并聯(lián)方式可操作地連接至所述第一 NM0S晶體管且 具有布置為接收所述第二差分驅(qū)動(dòng)信號(hào)的柵極端子；和第四NM0S晶體管，所述第四NM0S晶 體管以并聯(lián)方式可操作地連接至所述第二NM0S晶體管且具有布置為接收所述第一差分驅(qū) 動(dòng)信號(hào)的柵極端子。
[0019] 本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式是包括根據(jù)本發(fā)明的AB類兩級(jí)運(yùn)算放大器的模數(shù)轉(zhuǎn)換 器。
[0020] 本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式是包括這樣的模數(shù)轉(zhuǎn)換器和數(shù)字濾波器的便攜式裝置。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0021] 從下面的本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的詳細(xì)描述中將更好地理解本發(fā)明的AB類兩 級(jí)運(yùn)算放大器的特征和優(yōu)點(diǎn)，該實(shí)施方式參照附圖以說(shuō)明性的而非限制性的方式給出，其 中：
[0022] -圖1示出現(xiàn)有技術(shù)的A類兩級(jí)運(yùn)算放大器的電路圖；
[0023] -圖2示出現(xiàn)有技術(shù)的AB類三級(jí)運(yùn)算放大器的電路圖；
[0024] -圖3示出現(xiàn)有技術(shù)的AB類兩級(jí)運(yùn)算放大器的電路圖；
[0025] -圖4示出根據(jù)本發(fā)明的AB類兩級(jí)運(yùn)算放大器的電路圖；和
[0026] -圖5示出根據(jù)本發(fā)明的采用AB類兩級(jí)運(yùn)算放大器的電子裝置的框圖。

【具體實(shí)施方式】
[0027] 可以參考圖4描述本發(fā)明的用于驅(qū)動(dòng)負(fù)載的AB類兩級(jí)運(yùn)算放大器的優(yōu)選實(shí)施方 式的電路圖。
[0028] 兩級(jí)運(yùn)算放大器可以用在需要放大信號(hào)的任何應(yīng)用中，例如，便攜式設(shè)備，MP3播 放器、蜂窩手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助手（Personal Digital Assistant, PDA)、便攜式電腦、平板電 腦、聲學(xué)傳感器等。
[0029] 下面將描述根據(jù)本發(fā)明的運(yùn)算放大器的應(yīng)用的示例。
[0030] 另外，應(yīng)當(dāng)注意，待驅(qū)動(dòng)的負(fù)載可以是至少電阻式或電阻式和電容式。這樣的負(fù)載 的典型值低于100KQ。
[0031] 參考圖4,現(xiàn)可以描述本發(fā)明的用于驅(qū)動(dòng)負(fù)載的AB類兩級(jí)運(yùn)算放大器400 (或簡(jiǎn)單 運(yùn)算放大器400)。
[0032] 運(yùn)算放大器400包括輸入級(jí)401，該輸入級(jí)401包括：分別接收差分輸入信號(hào) Vin+，的第一差分輸入端子I N和第二差分輸入端子IP、以及用于分別提供第一差分驅(qū)動(dòng) 信號(hào)OutlP和第二差分驅(qū)動(dòng)信號(hào)OutlN的第一差分輸出端子01P和第二差分輸出端子01N。
[0033] 輸入級(jí)401可操作地連接在第一基準(zhǔn)電勢(shì)和第二基準(zhǔn)電勢(shì)Vss之間，第一基準(zhǔn) 電勢(shì)如電源，第二基準(zhǔn)電勢(shì)如接地。電源的值依賴于運(yùn)算放大器的應(yīng)用。由于圖4的實(shí)施 方式的運(yùn)算放大器400在級(jí)聯(lián)配置中不包括M0S晶體管，其甚至可以在非常低的電壓電源 下操作。電源的可能值的示例在1. 2V到3. 3V的范圍內(nèi)。
[0034] 更為詳細(xì)地，輸入級(jí)401包括第一差分輸入PM0S晶體管M1B，該第一差分輸入PM0S 晶體管M 1B具有對(duì)應(yīng)于輸入級(jí)401的第一輸入端子IN的柵極端子、通過(guò)第一電流發(fā)生器MBP1 與第一基準(zhǔn)電壓^?？刹僮鞯剡B接的源極端子、以及通過(guò)第一有源負(fù)載Mub與第二基準(zhǔn)電壓 Vss可操作地連接的漏極端子。第一差分輸入PM0S晶體管M 1B的漏極端子與輸入級(jí)401的 第一差分輸出端子01P對(duì)應(yīng)。
[0035] 此外，輸入級(jí)401包括第二差分輸入PM0S晶體管M1A，該第二差分輸入PM0S晶體管 M 1A具有對(duì)應(yīng)于輸入級(jí)401的第二輸入端子IP的柵極端子、通過(guò)第一電流發(fā)生器MBP1與第一 基準(zhǔn)電壓V。?？刹僮鞯剡B接的源極端子、通過(guò)第二有源負(fù)載M UA與第二基準(zhǔn)電壓Vss可操作 地連接的漏極端子。第二差分輸入PM0S晶體管M1A的漏極端子對(duì)應(yīng)于輸入級(jí)401的第二差 分輸出端子01N。
[0036] 第一電流發(fā)生器MBP1例如是另一 PM0S晶體管，其具有連接至第一基準(zhǔn)電壓Vcc的 源極端子、連接至第一差分輸入PM0S晶體管M 1B的源極端子和第二差分輸入PM0S晶體管M1A 的源極端子的漏極端子、連接至第一偏置電壓VBP的柵極端子。第一偏置電壓VBP的值約是 V CC-VTH(MPB1)，其中，VTH(MPB1)是對(duì)應(yīng)于第一電流發(fā)生器的PM0S晶體管M BP1的閾值電壓。
[0037] 第一有源負(fù)載MUB例如是NM0S晶體管，其具有連接至第一差分輸入PM0S晶體管 M 1B的漏極端子的漏極端子、連接至第二基準(zhǔn)電壓Vss的源極端子、和連接至第二偏置電壓 V BN1的柵極端子。第二偏置電壓VBN1的值大約為VTH(mB)，即，對(duì)應(yīng)于第一有源負(fù)載的NM0S晶 體管m ub的閾值電壓。
[0038] 第二有源負(fù)載MUA例如是NM0S晶體管，其具有連接至第二差分輸入PM0S晶體管 M 1A的漏極端子的漏極端子、連接至第二基準(zhǔn)電壓Vss的源極端子、和連接至的第二偏置電壓 V BN1的柵極端子。
[0039] 總體上，參考圖4的放大器400,該放大器400還包括輸出級(jí)402,該輸出級(jí)402 包括第一輸出支路403和第二輸出支路404,其中，第一輸出支路403具有與輸入級(jí)401的 第一差分輸出端子01P可操作地連接的第一差分輸入端子I1P，以接收第一差分驅(qū)動(dòng)信號(hào) 0UT1P，第二輸出支路404具有與輸入級(jí)401的第二差分輸出端子01N可操作連接的第二差 分輸入端子I1N，以接收第二差分驅(qū)動(dòng)信號(hào)OutlN。
[0040] 在下面的本發(fā)明的說(shuō)明中，將更詳細(xì)地描述放大器400的輸出級(jí)402。
[0041] 轉(zhuǎn)向圖4的放大器400,該放大器400還包括控制電路405,該控制電路405配置 成控制輸出級(jí)402的第一輸出支路403上的第一輸出電流I QUTPB和輸出級(jí)402的第二輸出 支路404上的第二輸出電流IQUTPA。
[0042] 更詳細(xì)地，控制電路405包括二極管配置的第一 PM0S晶體管MBP2B，該第一 PM0S晶 體管MBP2B以電流鏡配置方式可操作地連接至輸出級(jí)402的第一輸出支路403的第二PM0S 晶體管1%。
[0043] 此外，控制電路405還包括與第一 PM0S晶體管MBP2B串聯(lián)連接的第一 NM0S晶體管 MBNB，該第一 NM0S晶體管MBNB具有連接至第三偏置電壓VBN2的柵極端子。第三偏置電壓VBN2 的值約是第一 PM0S晶體管MBP2B的閾值電壓。
[0044] 另外，控制電路405包括二極管配置的第三PM0S晶體管MBP2A，該第三PM0S晶體管 M BP2A以電流鏡配置方式可操作地連接至輸出級(jí)402的第二輸出支路404的第四PM0S晶體 管 ML2A。
[0045] 此外，控制電路405包括與第三PM0S晶體管MBP2A串聯(lián)連接的第二NM0S晶體管M bna， 該第二NM0S晶體管Mbna具有連接至第三偏置電壓VBN2的柵極端子。
[0046] 參考圖4的實(shí)施方式，有利地，控制電路405還包括與第一 NM0S晶體管MBNB可操 作地并聯(lián)連接的第三NM0S晶體管MN3B，該第三NM0S晶體管M N3B具有布置為接收輸入級(jí)401 提供的第二差分驅(qū)動(dòng)信號(hào)OutlN的柵極端子。
[0047] 另外，控制電路405包括與第二NM0S晶體管MBNA可操作地并聯(lián)連接的第四NM0S 晶體管M N3A，該第四NM0S晶體管MN3A具有布置為接收輸入級(jí)401提供的第一差分驅(qū)動(dòng)信號(hào) Out 1P的柵極端子。
[0048] 更詳細(xì)地，控制電路405的第一 PM0S晶體管MBP2B具有連接至第一基準(zhǔn)電壓的 源極端子、和連接至控制電路405的第一 NM0S晶體管MBNB的漏極端子和控制電路405的第 三NM0S晶體管MN3B的漏極端子的漏極端子。為了呈現(xiàn)二極管配置，第一 PM0S晶體管MBP2B 的漏極端子和柵極端子彼此連接?？刂齐娐?05的第一 NM0S晶體管Mbnb和第三NM0S晶體 管MN3B均具有連接至第二基準(zhǔn)電壓V ss的源極端子。
[0049] 另外，控制電路405的第二PM0S晶體管MBP2A具有連接至第一基準(zhǔn)電壓V。。的源極 端子、和連接至第二NM0S晶體管M BNA的漏極端子和第四NM0S晶體管MN3A的漏極端子的漏極 端子。為了呈現(xiàn)二極管配置，第二PM0S晶體管M BP2A的漏極端子和柵極端子彼此連接。第二 NM0S晶體管MBNA和第四NM0S晶體管M N3A均具有連接至第二基準(zhǔn)電壓Vss的源極端子。
[0050] 更詳細(xì)地參照放大器400的輸出級(jí)402,第一輸出支路403包括在第一基準(zhǔn)電壓 和第二基準(zhǔn)電壓V ss之間彼此串聯(lián)連接的第二PM0S晶體管和第五NM0S晶體管M2B。 第一輸出支路403的第二PM0S晶體管與控制電路405的第一 PM0S晶體管MBP2B以電流 鏡配置連接。
[0051] 具體地，第二PM0S晶體管具有連接至第一基準(zhǔn)電壓L的源極端子、連接至控 制電路405的第一 PM0S晶體管MBP2B的柵極端子的柵極端子、和連接至第五NM0S晶體管M2B 的漏極端子的漏極端子，以定義與第一負(fù)載Ru可操作地連接的第一差分輸出節(jié)點(diǎn)01。
[0052] 第一負(fù)載Rib例如為電阻式并具有包括在前述取值范圍內(nèi)（小于100K Q)的第一 值。
[0053] 第五NM0S晶體管M2B具有連接至第二基準(zhǔn)電壓Vss的源極端子、和連接至放大器 400的輸入級(jí)401的第一差分輸出端子01P的柵極端子。第五NMOS晶體管M2B的柵極端子 通過(guò)第一電容器Ca連接至第五NM0S晶體管M2B的漏極端子。第一電容器Ca有利地允許通 過(guò)密勒效應(yīng)（如本領(lǐng)域技術(shù)人員所知）穩(wěn)定放大器400。
[0054] 第一電容器Ca的值取決于放大器400的特性，例如，帶寬和電流消耗。該值的示 例為在從幾百fF到幾十pF的范圍內(nèi)。
[0055] 參照輸出級(jí)402的第二輸出支路404,該第二輸出支路404包括在第一基準(zhǔn)電壓 和第二基準(zhǔn)電壓V ss之間彼此串聯(lián)連接的第四PM0S晶體管Mm和第六NM0S晶體管M2A。 第一輸出支路404的第四PM0S晶體管Mm與控制電路405的第三PM0S晶體管MBP2A以電流 鏡配置連接。
[0056] 具體地，第四PM0S晶體管Mm具有連接至第一基準(zhǔn)電壓Vcc的源極端子、連接至控 制電路405的第三PM0S晶體管M BP2A的柵極端子的柵極端子、和連接至第六NM0S晶體管M2A 的漏極端子的漏極端子，以定義與第二負(fù)載Ru可操作的連接的第二差分輸出節(jié)點(diǎn)〇2。
[0057] 第二負(fù)載1^例如是電阻式并具有包括在前述取值范圍內(nèi)（小于100KQ)的第二 值。第二負(fù)載R u的第二值等于第一負(fù)載Rus的第一值。
[0058] 根據(jù)另一實(shí)施方式（圖中未示出），運(yùn)算放大器可以僅包括一個(gè)負(fù)載，例如，該負(fù) 載為電阻式并電連接在第一差分輸出節(jié)點(diǎn)01和第二差分輸出節(jié)點(diǎn)02之間。
[0059] 第六NM0S晶體管M2A具有連接至第二基準(zhǔn)電壓Vss的源極端子、連接至放大器400 的輸入級(jí)401的第二差分輸出端子01N的柵極端子。第六NM0S晶體管M 2A的柵極端子通過(guò) 第二電容器Ce2與第六NM0S晶體管M2A的漏極端子連接。
[0060] 第二電容器Ce2具有與前述第一電容器Ca相同的功能。在圖4中的實(shí)施方式中， 第二電容器C e2具有與第一電容器Ca相同的值。
[0061] 考慮上面的因素，下面參考圖4中的實(shí)施方式，描述本發(fā)明的運(yùn)算放大器的行為。 應(yīng)當(dāng)注意，運(yùn)算放大器400布置為驅(qū)動(dòng)至少為電阻式或電阻和電容式的負(fù)載。
[0062] 放大器400中執(zhí)行AB類功能的電路部分對(duì)應(yīng)于前述的控制電路405。
[0063] 應(yīng)當(dāng)注意，在圖4中，與放大器400的每一 PM0S晶體管或NM0S晶體管相關(guān)聯(lián)的標(biāo) 記K、M和N中的一者或組合，為PM0S晶體管或NM0S晶體管相應(yīng)的相對(duì)尺寸比（W (寬度）/ L (長(zhǎng)度））相對(duì)于基準(zhǔn)NM0S晶體管MR的尺寸比W/L的倍率的示例，該基準(zhǔn)NM0S晶體管MR 表示電流IBN1驅(qū)動(dòng)的基準(zhǔn)電流像。
[0064] 作為示例，在基準(zhǔn)NM0S晶體管MR具有尺寸比W/L= 10ii/liiM以及第四NM0S晶 體管MN3A具有尺寸比W/L = 40 y m/1 y m的情況中，第四NM0S晶體管MN3A的倍率M等于4。 [0065] 基準(zhǔn)NM0S晶體管MR是放大器400的一部分并可以認(rèn)為連接至電路圖中所有具有 連接至第三偏置電壓VBN2的柵極端子的NM0S晶體管。然而，為了簡(jiǎn)化圖，基準(zhǔn)NM0S晶體管 MR在圖4中放大器400的電路圖的右側(cè)示意性示出。
[0066] 基準(zhǔn)NM0S晶體管MR可以與第一 NM0S晶體管MBNB和第二NM0S晶體管MBNA以電流 鏡配置的方式連接。在這樣的情況下，基準(zhǔn)NM0S晶體管MR具有：漏極端子，該漏極端子連 接至放大器400的電路圖外部的中央偏壓塊所提供的基準(zhǔn)電流；源極端子，該源極端子連 接至第二基準(zhǔn)電壓V ss ;和柵極端子，該柵極端子連接至第三偏置電壓VBN2。
[0067] 在前面定義的倍率的基礎(chǔ)上，可以寫出下面的關(guān)系，其中，每一標(biāo)記I(MX)表示名 為Mx的晶體管所驅(qū)動(dòng)的電流：

【權(quán)利要求】
1. 一種用于驅(qū)動(dòng)負(fù)載（R^RJ的AB類兩級(jí)運(yùn)算放大器（400)，包括： -輸入級(jí)（401)，所述輸入級(jí)包括差分輸入端子（IN、IP)、第一差分輸出端子（01P)和第 二差分輸出端子（01N)，所述第一差分輸出端子和所述第二差分輸出端子分別提供第一差 分驅(qū)動(dòng)信號(hào)（OutlP)和第二差分驅(qū)動(dòng)信號(hào)（OutlN); -輸出級(jí)（402)，所述輸出級(jí)包括第一輸出支路（403)和第二輸出支路（404)，所述第一 輸出支路具有與所述輸入級(jí)（401)的所述第一差分輸出端子（01P)可操作地連接的第一差 分輸入端子（IIP)，以接收所述第一差分驅(qū)動(dòng)信號(hào)（0UT1P)，所述第二輸出支路具有與所述 輸出級(jí)（401)的所述第二差分輸出端子（01N)可操作地連接的第二差分輸入端子（I1N)、以 接收所述第二差分驅(qū)動(dòng)信號(hào)（OutlN); -控制電路（405)，所述控制電路配置成控制所述輸出級(jí)（402)的所述第一輸出支路 (403)和所述第二輸出支路（404)上的輸出電流（IQUTPB、IQUTPA)，所述控制電路（405)包括： 二極管配置的第一 PM0S晶體管（MBP2B)，所述第一 PM0S晶體管以電流鏡配置方式可操作地 連接至所述輸出級(jí)（402)的所述第一輸出支路（403)的第二PM0S晶體管（M_);第一 NM0S 晶體管（MBNB)，所述第一匪0S晶體管串聯(lián)連接至所述第一 PM0S晶體管（MBP2B)且具有連接 至偏置電壓（VBN2)的柵極端子；二極管配置的第三PM0S晶體管（MBP2A)，所述第三PM0S晶體 管以電流鏡配置方式可操作地連接至所述輸出級(jí)（402)的所述第二輸出支路（404)的第四 PM0S晶體管（Mm);和第二NM0S晶體管（MBNA)，所述第二NM0S晶體管串聯(lián)連接至所述第三 PM0S晶體管（MBP2A)且具有連接至所述偏置電壓（VBN2)的柵極端子， 所述運(yùn)算放大器（400)的特征在于，所述控制電路（405)還包括： -第三NM0S晶體管（MN3B)，所述第三NM0S晶體管以并聯(lián)方式可操作地連接至所述第一 NM0S晶體管（MBNB)且具有布置為接收所述第二差分驅(qū)動(dòng)信號(hào)（OutlN)的柵極端子，和 -第四NM0S晶體管（MN3A)，所述第四NM0S晶體管（MN3A)以并聯(lián)方式可操作地連接至所 述第二NM0S晶體管（MBNA)且具有布置為接收所述第一差分驅(qū)動(dòng)信號(hào)（OutlP)的柵極端子。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的運(yùn)算放大器（400)，其中，所述第一 PM0S晶體管（MBP2B)具有 連接至第一基準(zhǔn)電壓（Vrc)的源極端子、連接至所述第一 NM0S晶體管（M_)的漏極端子和 所述第三NM0S晶體管（MN3B)的漏極端子的漏極端子，所述第一 NM0S晶體管（M_)的源極端 子和所述第三NM0S晶體管（MN3B)的源極端子均連接至第二基準(zhǔn)電壓（Vss)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的運(yùn)算放大器（400)，其中，所述第三PM0S晶體管（MBP2A) 具有連接至所述第一基準(zhǔn)電壓（Vrc)的源極端子、連接至所述第二NM0S晶體管（Mbna)的漏 極端子和所述第四NM0S晶體管（MN3A)的漏極端子的漏極端子，所述第二NM0S晶體管（Mbna) 的源極端子和所述第四NM0S晶體管（MN3A)的源極端子均連接至所述第二基準(zhǔn)電壓（Vss)。
4. 根據(jù)前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的運(yùn)算放大器（400)，其中，所述第一輸出支路（403) 包括彼此串聯(lián)連接在所述第一基準(zhǔn)電壓（Vrc)和所述第二基準(zhǔn)電壓（Vss)之間的所述第二 PM0S晶體管U和第五NM0S晶體管（M2B)，所述第一輸出支路（403)的所述第二PM0S晶 體管（M_)以電流鏡配置方式與所述控制電路（405)的所述第一 PM0S晶體管（MBP2B)連接。
5. 根據(jù)前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的運(yùn)算放大器（400)，其中，所述第二輸出支路（404) 包括彼此串聯(lián)連接在所述第一基準(zhǔn)電壓（Vcc)和所述第二基準(zhǔn)電壓（Vss)之間的第四PM0S 晶體管（Mm)和第六NM0S晶體管（M2A)，所述第一輸出支路（404)的所述第四PM0S晶體管 (Mm)以電流鏡配置方式與所述控制電路（405)的所述第三PM0S晶體管（MBP2A)連接。
6. -種模數(shù)轉(zhuǎn)換器（504)，包括根據(jù)權(quán)利要求1至5所述的AB類兩級(jí)運(yùn)算放大器 (400)。
7. -種便攜式裝置（500)，包括： -根據(jù)權(quán)利要求6所述的模數(shù)轉(zhuǎn)換器（504); -數(shù)字濾波器（505)。
【文檔編號(hào)】H03F3/30GK104428993SQ201380035145
【公開(kāi)日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2013年5月24日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月24日
【發(fā)明者】安德烈·巴比耶里, 杰爾馬諾·尼科利尼 申請(qǐng)人:意法愛(ài)立信有限公司