一種新型指數(shù)可變?cè)鲆娣糯箅娐返闹谱鞣椒?br> 【專利摘要】本發(fā)明公開了一種新型指數(shù)可變?cè)鲆娣糯箅娐?，由第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七M(jìn)OS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管和第十三MOS管構(gòu)成；所述共模反饋模塊可以自動(dòng)調(diào)節(jié)第七M(jìn)OS7至第十MOS管的柵極電壓，使得第七M(jìn)OS管至第十MOS管構(gòu)成是一個(gè)電流源，該電流大小等于I1+I2；第十一MOS管至第十二MOS管管子是作為共源共柵(cascade),為輸入管M1-M2提供比較穩(wěn)定的漏-源電壓，降低輸入管輸出阻抗的影響。這種新型指數(shù)可變?cè)鲆娣糯箅娐房烧{(diào)范圍大，適合增益范圍大的運(yùn)用，能夠?qū)崿F(xiàn)電壓增益跟隨增益控制的線性變化而指數(shù)變化。
【專利說明】—種新型指數(shù)可變?cè)鲆娣糯箅娐?br> 【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種增益放大電路，尤其涉及一種新型指數(shù)可變?cè)鲆娣糯箅娐贰?br> 【背景技術(shù)】
[0002]放大電路可分為可變?cè)鲆娣糯箅娐泛椭笖?shù)可變?cè)鲆娣糯箅娐?。所述可變?cè)鲆娣糯箅娐肥侵笇?duì)輸入信號(hào)進(jìn)行放大的電路，而且該放大增益可在一定范圍內(nèi)調(diào)節(jié)，一般有個(gè)控制端，用來控制放大的增益。所述指數(shù)可變?cè)鲆娣糯箅娐酚址Q為分貝線性放大電路(linear-1n-dB)，是指對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行可變?cè)鲆娣糯蟮碾娐?，而且該放大增益用分貝表示時(shí)，可在一定范圍線性內(nèi)調(diào)節(jié)；若使用常的輸出電壓幅度除以輸入電壓幅度的增益定義，則增益是指數(shù)變化；當(dāng)控制端電壓或電流線性變化時(shí)，放大電路的增益按指數(shù)變化。
[0003]一般的實(shí)現(xiàn)增益可調(diào)放大的電路如附圖1所示，一個(gè)可變電阻接在兩個(gè)NMOS管Ml和M2的源級(jí)中間，起到負(fù)反饋的作用，使得增益可近似為MOS管漏極和源級(jí)之間的電阻的t匕，這種電路的線性度比較好，特別是輸入信號(hào)大，需要的增益小的時(shí)候；但是，可變電阻的可變范圍很少可以做到幾個(gè)數(shù)量級(jí)以上，導(dǎo)致可調(diào)增益的范圍比較小，不太適合做指數(shù)可變?cè)鲆娣糯箅娐贰?br> [0004]還有一種可變?cè)鲆娴膶?shí)現(xiàn)方式為利用MOS管的比例，如附圖2所示，根據(jù)MOS管的工作原理，圖2所示電路的電壓增益可近似為
其中I，W，L分別為Ml和M2的直流偏置電流，溝道寬度，溝道長(zhǎng)度。其中溝道寬度
【權(quán)利要求】
1.一種新型指數(shù)可變?cè)鲆娣糯箅娐罚涮卣髟谟?由第一 MOS管(I )、第二 MOS管(2)、第三MOS管(3)、第四MOS管(4)、第五MOS管(5)、第六MOS管(6)、第七M(jìn)OS管(7)、第八MOS管(8)、第九MOS管(9)、第十MOS管(10)、第十一 MOS管(11 )、第十二 MOS管(12)和第十三MOS管(13)構(gòu)成；所述第一 MOS管(I)源極連接第十三MOS管(13)的漏極，柵極連接輸入正電壓(Vin+)，漏極連接電流(11);所述第二 MOS管(2)的源極連接第十二 MOS管(12)的漏極，柵極連接輸入負(fù)電壓(Vin-)，漏極連接電流(II);所述第三MOS管(3)的源極和柵極均與第十三MOS管(13)的源極連接，第三MOS管(3)的漏極和第四MOS管(4)的漏極均連接電流(12)，第四MOS管(4)的源極和柵極均與第十二 MOS管(12)的柵極連接；所述第十三MOS管(13)和第十二 MOS管(12)的源極分別與第七M(jìn)OS管(7)和第八MOS管(8)的漏極連接，柵極均連接電壓(Vb3);所述第五MOS管(5)的漏極接在第七M(jìn)OS管(7)的漏極和第十三MOS管(13)的源極之間，所述第六MOS管(6)的漏極接在第八MOS管(8)的漏極和第十二 MOS管(12)的源極之間；其中第五MOS管(5)的源極與第六MOS管(6)的源極連接，柵極與第六MOS管(6)的柵極連接；所述第七M(jìn)OS管(7)的柵極和第八MOS管(8)的柵極均與共模反饋模塊(14)連接，第七M(jìn)OS管(7)的源極連接第九MOS管(9)的漏極，第八MOS管(8)的源極連接連接第十MOS管(10)的漏極；所述第九MOS管(9)和第十MOS管(10)的源極均與第十一 MOS管(11)的漏極連接，柵極均與共模反饋模塊(14)連接，且所述第十一MOS管(11)的柵極也與共模反饋模塊(14)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型指數(shù)可變?cè)鲆娣糯箅娐罚涮卣髟谟?所述第五MOS管 (5)和第六MOS管(6)的源極和柵極之間并接有一電容(Cl)。
【文檔編號(hào)】H03G3/20GK103490737SQ201310381545
【公開日】2014年1月1日 申請(qǐng)日期:2013年8月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月29日
【發(fā)明者】劉雄 申請(qǐng)人:蘇州蘇爾達(dá)信息科技有限公司