高頻半導(dǎo)體開關(guān)及無線設(shè)備的制作方法
【專利摘要】根據(jù)一個實施方式，提供一種高頻半導(dǎo)體開關(guān)，具備第1端子、多個第2端子、第1直通FET組、多個第2直通FET組及分流FET組。上述第1直通FET組由串聯(lián)連接的多個第1場效應(yīng)晶體管構(gòu)成，一端連接到上述第1端子。上述多個第2直通FET組各自由串聯(lián)連接的多個第2場效應(yīng)晶體管構(gòu)成，各自的一端分別連接到上述多個第2端子，各自的另一端與上述第1直通FET組的另一端共通地連接。上述分流FET組由在上述第2端子和接地端子之間串聯(lián)連接的多個第3場效應(yīng)晶體管構(gòu)成。
【專利說明】高頻半導(dǎo)體開關(guān)及無線設(shè)備
[0001]關(guān)聯(lián)申請的引用
[0002]本申請以2013年2月I日提交的在先日本專利申請第2013-018606號為基礎(chǔ)并要求其優(yōu)先權(quán)，通過引用而包含其全部內(nèi)容。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及高頻半導(dǎo)體開關(guān)及無線設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0004]在便攜式電話這樣的無線設(shè)備中，為了將發(fā)送電路及接收電路與天線連接，使用由形成在SOI (Silicon On Insulator)基板上的MOSFET構(gòu)成的高頻半導(dǎo)體開關(guān)。
[0005]近年來，為了應(yīng)對便攜式電話所使用的通信頻帶的增大和通信標(biāo)準(zhǔn)的增加，高頻半導(dǎo)體開關(guān)逐漸多端口化。為此，作為高頻半導(dǎo)體開關(guān)，使用I輸入η輸出的SPnT(Single-Pole n-Throw)開關(guān)。
[0006]SPnT開關(guān)包括:多級構(gòu)造的η個直通(through)FET組,連接在天線端子和各端口之間；以及多級構(gòu)造的分流(shunt)FET組，連接在各自的端口和接地端子之間。N為正整數(shù)。
[0007]在SPnT開關(guān)中，η個直通FET組之中僅I個直通FET組導(dǎo)通，其他直通FET組為截止(off)狀態(tài)。因此，在因多端口化而端口數(shù)增加時，截止?fàn)顟B(tài)的直通FET組變多，因而截止電容增加，插入損耗有增加傾向。
[0008]于是，提出了如下構(gòu)成:通過在多個直通FET組的一端連接共通的直通FET組，減小截止電容而降低插入損耗。但是，在上述的構(gòu)成中，上述多個直通FET組為非導(dǎo)通狀態(tài)時，在共通的直通FET組的源漏極之間施加的電壓變高，失真電流增大。
[0009]進而，對截止?fàn)顟B(tài)的多個直通FET組施加的電壓較高的情況下，在這些直通FET組中，因截止電容而產(chǎn)生的失真電流增加。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明的實施方式提供一種高頻半導(dǎo)體開關(guān)及無線設(shè)備，能夠降低插入損耗，并且抑制截止?fàn)顟B(tài)失真的增大。
[0011]根據(jù)一個實施方式，提供一種高頻半導(dǎo)體開關(guān)，具備第I端子、多個第2端子、第I直通FET組、多個第2直通FET組及分流FET組。
[0012]上述第I直通FET組由串聯(lián)連接的多個第I場效應(yīng)晶體管構(gòu)成，一端與上述第I端子連接。上述多個第2直通FET組分別由串聯(lián)連接的多個第2場效應(yīng)晶體管構(gòu)成，各自的一端分別與上述多個第2端子連接，各自的另一端共通地與上述第I直通FET組的另一端連接。上述分流FET組由串聯(lián)連接在上述第2端子和接地端子之間的多個第3場效應(yīng)晶體管構(gòu)成。
[0013]根據(jù)另一個實施方式，提供一種無線設(shè)備，具備多個開關(guān)、天線、發(fā)送電路、接收電路及無線控制電路。
[0014]上述多個開關(guān)分別是實質(zhì)上與上述一個實施方式的高頻半導(dǎo)體開關(guān)相同的構(gòu)成。上述天線與上述多個開關(guān)的多個第I端子連接，放射或接收電波。上述發(fā)送電路與上述多個開關(guān)的一個第2端子連接，經(jīng)由上述天線發(fā)送信號。上述接收電路與上述多個開關(guān)的另一個第2端子連接，對經(jīng)由上述天線接收到的信號進行解調(diào)。上述無線控制電路向上述多個開關(guān)輸出開關(guān)控制信號，該開關(guān)控制信號將上述天線與上述發(fā)送電路或上述接收電路切換地連接。
[0015]根據(jù)上述的高頻半導(dǎo)體開關(guān)及無線設(shè)備，能夠降低插入損耗，并且抑制截止?fàn)顟B(tài)失真的增大。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1是表示實施方式的高頻半導(dǎo)體開關(guān)的構(gòu)成的例子的電路圖。
[0017]圖2是表示使用了上述高頻半導(dǎo)體開關(guān)的SP12T開關(guān)的構(gòu)成的例子的電路圖。
[0018]圖3是圖2所不的SP12T開關(guān)的端子ANT和端子RFl之間導(dǎo)通時的等價電路圖。
[0019]圖4是上述高頻半導(dǎo)體開關(guān)的端子Tl和端子T21之間導(dǎo)通狀態(tài)時的等價電路圖。
[0020]圖5是上述高頻半導(dǎo)體開關(guān)的端子Tl和端子T21?T2x之間為非導(dǎo)通時的等價電路圖。
[0021]圖6是用于說明上述高頻半導(dǎo)體開關(guān)的截止失真的圖。
[0022]圖7是表示上述高頻半導(dǎo)體開關(guān)的插入損耗的頻率特性的例子的圖。
[0023]圖8是表示包含上述高頻半導(dǎo)體開關(guān)的無線設(shè)備的構(gòu)成的例子的框圖。
【具體實施方式】
[0024]以下，一邊參照附圖一邊對實施方式進行說明。在附圖中，同一符號表示同一或類似部分。圖1是表示實施方式的高頻半導(dǎo)體開關(guān)的構(gòu)成的例子的電路圖。
[0025]本實施方式的高頻半導(dǎo)體開關(guān)I具備第I端子Tl、x個第2端子Τ21?Τ2χ、作為第I直通FET組的直通FET組11、作為第2直通FET組的χ個直通FET組21?2χ、以及分流FET組31?3χ。
[0026]第I端子Tl被輸入或輸出高頻信號。第2端子Τ21?Τ2χ被輸入或輸出高頻信號。直通FET組11由相互串聯(lián)連接的η個場效應(yīng)晶體管(以下稱作“MOSFET”)TAl?TAn構(gòu)成。直通FET組11的一端連接至第I端子Tl。
[0027]直通FET組21?2χ分別由相互串聯(lián)連接的m個MOSFET TBl?TBm構(gòu)成。直通FET組21?2x各自的一端連接至第2端子T21?T2x。直通FET組21?2χ各自的另一端共通地連接至直通FET組11的另一端。分流FET組31?3χ分別由相互串聯(lián)連接的k個MOSFET TSl?TSk構(gòu)成。分流FET組31?3x連接在第2端子T21?T2x和接地端子之間。k、x、m、n為正整數(shù)。
[0028]在本實施方式的高頻半導(dǎo)體開關(guān)I中，在第I端子Tl和第2端子T21?T2x之間，連接著由直通FET組11和直通FET組21?2χ形成的2級構(gòu)造。
[0029]直通FET組11由相互串聯(lián)連接的η個MOSFET TAl?TAn構(gòu)成。經(jīng)由電阻RAl?RAn向MOSFET TAl?TAn的柵極端子輸入開關(guān)控制信號C1A。通過開關(guān)控制信號C1A，控制MOSFET TAl?TAn的導(dǎo)通及非導(dǎo)通。
[0030]直通FET組21?2x分別由m個MOSFET TB I?TBm構(gòu)成。經(jīng)由電阻RB I?RBm向MOSFET TBl?TBm的柵極端子輸入開關(guān)控制信號C1B。通過開關(guān)控制信號C1B，控制MOSFETTBl?TBm的導(dǎo)通及非導(dǎo)通。
[0031]分流FET組31?3x由串聯(lián)連接的k個MOSFET TSl?TSk構(gòu)成。經(jīng)由電阻RSl?RSk MOSFET向TSl?TSk的柵極端子輸入開關(guān)控制信號CIBn。開關(guān)控制信號ClBn是開關(guān)控制信號ClB的極性反轉(zhuǎn)信號。通過開關(guān)控制信號CIBn，控制MOSFET TSl?TSk的導(dǎo)通/非導(dǎo)通。
[0032]優(yōu)選為上述各MOSFET使用在SOI (Silicon On Insulator)上形成的完全耗盡型MOSFET0其理由在于，將高電阻值的電阻連接至MOSFET的柵極端子時，MOSFET的源極、漏極的極性消失，在理論上可以防止偶數(shù)次失真的發(fā)生。
[0033]當(dāng)上述各MOSFET的背柵為電浮置時，有時對背柵施加電壓來電控制背柵。
[0034]在圖2中，示出使用了與高頻半導(dǎo)體開關(guān)I相同構(gòu)造的4個高頻半導(dǎo)體開關(guān)1-1?1-4的SP12T (Single-Polel2-Throw)開關(guān)40的構(gòu)成的例子。在該例子中，各高頻半導(dǎo)體開關(guān)的第2端子的個數(shù)X是3 (X = 3)。
[0035]高頻半導(dǎo)體開關(guān)1-1?1-4各自的第I端子Tl共通地連接到天線端子ANT。高頻半導(dǎo)體開關(guān)1-1?1-4各自的上述第2端子T21?T23分別連接到端子RFl?RF3、端子RF4 ?RF6、端子 RF7 ?RF9、端子 RFlO ?RF12。
[0036]在圖2所示的例子中，例如為了使端子ANT和端子RFl之間導(dǎo)通，使高頻半導(dǎo)體開關(guān)1-1的直通FET組11及直通FET組21導(dǎo)通，而分流FET組31成為非導(dǎo)通。高頻半導(dǎo)體開關(guān)1-1的直通FET組22、23為非導(dǎo)通，分流FET組32、33導(dǎo)通。
[0037]在高頻半導(dǎo)體開關(guān)1-2?1-4中，直通FET組11及直通FET組21?23為非導(dǎo)通，分流FET組31?33導(dǎo)通。
[0038]圖3是SP12T開關(guān)40的等價電路。用導(dǎo)通電阻Ron來表示導(dǎo)通中的FET組，用截止電容Coff來表示非導(dǎo)通的FET組。
[0039]這種情況下，在本實施方式中，具有直通FET組11和直通FET組21?23的2級構(gòu)造，所以在高頻半導(dǎo)體開關(guān)1-2?1-4中，直通FET組11的截止電容Coff和直通FET組21?23的多個截止電容Coff串聯(lián)連接。
[0040]因此，例如在直通FET組11及21?23的截止電容Coff相等時，直通FET組11和直通FET組21?23的總的截止電容為0.75Coff。因此，SPl2T開關(guān)40整體的截止電容為 4.25Coff0
[0041]與之相對，在使直通FET組為I級構(gòu)造的情況下，SP12T開關(guān)整體的截止電容是IlCoff0本實施方式的情況與使直通FET組為I級構(gòu)造的情況相比較，能將SP12T開關(guān)的截止電容削減到大約39%。
[0042]在多端口開關(guān)中，總截止電容大時反射損耗增大，超過2GHz的頻帶下的插入損耗大大增加。但是，在本實施方式中，如上述那樣，能夠減小總截止電容，所以能大幅減小超過2GHz的頻帶下的插入損耗。
[0043]這樣，直通FET組11及直通FET組21?23的截止電容越小，插入損耗就越小。使直通FET組11的MOSFET TAl?TAn的柵極寬度WgA及直通FET組21?23的MOSFETTBl?TBm的柵極寬度WgB越小，該截止電容就越降低。但是，當(dāng)減小柵極寬度WgA、WgB時，直通FET組11及直通FET組21?23的導(dǎo)通電阻增加。當(dāng)導(dǎo)通電阻增加時，SP12T開關(guān)40的傳送損耗增加。
[0044]例如，在便攜式電話中，由于輸入到RF端口的電力為35dBm這樣的大電力，所以當(dāng)電阻性的傳送損耗增加時，在高頻半導(dǎo)體開關(guān)內(nèi)部發(fā)生的熱量增加。例如，傳送損耗是
0.5dB的情況下，電力損耗約為340mW,而傳送損耗是IdB的情況下，電力損耗約為650mW。當(dāng)電力損耗變大時，開關(guān)的插入損耗和失真特性劣化。
[0045]因此，不能使直通FET組11的MOSFET TAl?TAn的柵極寬度WgA及直通FET組21?23的MOSFET TBl?TBm的柵極寬度WgB為一定以下的值，優(yōu)選為同等程度的大小(WgA=WgB)ο
[0046]在本實施方式的高頻半導(dǎo)體開關(guān)I中，通過像上述那樣降低插入損耗，并且適當(dāng)?shù)卦O(shè)定直通FET組21?23的MOSFET的個數(shù)m及直通FET組11的MOSFET的個數(shù)n，能將截止失真抑制在所要求的水準(zhǔn)以下。
[0047]以下，具體說明用于將截止失真抑制在所要求的水準(zhǔn)以下的、直通FET組的M0SFET21?23的個數(shù)m和直通FET組11的MOSFET的個數(shù)η的設(shè)定。
[0048]參照圖4，說明直通FET組21?23的MOSFET的個數(shù)m的設(shè)定。
[0049]圖4是高頻半導(dǎo)體開關(guān)I的Tl端子和T21端子之間為導(dǎo)通狀態(tài)時的等價電路圖。
[0050]這種情況下，與端子T21連接的直通FET組21的MOSFET TBl?TBm (圖1所示)用非線性電阻RonB表示，直通FET組11的MOSFET TAl?TAn (圖1所示)用非線性電阻RonA表示。與端子T21連接的分流FET組31的M0SFETTS1?TSk (圖1所示)用非線性電容CoffS表示。
[0051]另一方面，與端子T22?T2x連接的直通FET組22?2χ的MOSFET TBl?TBm(圖1所示)用非線性電容CoffB表示。由于截止端口所表現(xiàn)出的電壓振幅極小，所以分流FET組32?3χ的MOSFET TSl?TSk (圖1所示)用線性電阻RonS表示。
[0052]這種情況下，端子Τ22?Τ2χ通過分流FET組32?3χ而與接地電位連接，所以在與端子Τ22?Τ2χ連接的直通FET組22?2χ上，施加與輸入到端子Τ21的電壓Vin相同的電壓。
[0053]此時，直通FET組22?2χ在輸入了高頻信號的情況下維持關(guān)斷狀態(tài)，需要將截止失真抑制在所要求的水準(zhǔn)(例如70dBc)以下。因此，需要使在直通FET組21的MOSFETTBl?TBm (圖1所示)的源漏極之間施加的電壓VdsB小于擊穿電壓Vbk。因此，需要使VdsB = y.Vbk (O < y < I)。
[0054]由于VdsB = Vin/m,所以表示為Vin/m = y *Vbk。因此,需要使直通FET組21?2x 的 MOSFET 的個數(shù) m 為 m = Vin/ (y.Vbk)。
[0055]如果以便攜式電話為例，則輸入到端子T21的電力最大為35dBm，設(shè)特性阻抗為50 Ω時，電壓振幅的半值幅為17.78V。進而，當(dāng)考慮天線的阻抗變動時，估計輸入電壓Vin=26.6V 左右。
[0056]設(shè)背柵浮置型的MOSFET的柵極氧化膜厚為9nm、柵極長度為0.25 μ m、閾值電壓為OV時，其擊穿電壓Vbk大致為2.5V。
[0057]在此，當(dāng)設(shè)定為y = 0.75時，求出各直通FET組21?2x的MOSFET的個數(shù)m為m=14。
[0058]參照圖5，說明直通FET組11的MOSFET的個數(shù)η的設(shè)定。
[0059]圖5是高頻半導(dǎo)體開關(guān)I的端子Tl和端子Τ21~Τ2χ之間的多個MOSFET全部為非導(dǎo)通狀態(tài)時的高頻半導(dǎo)體開關(guān)I的等價電路圖。這種情況下，全部直通FET用非線性電容表示，全部分流FET用線性電阻表示。
[0060]將輸入到端子Tl的電壓設(shè)為Vin、將直通FET組11的總截止電容設(shè)為Ca、將直通FET組21~2x的各總截止電容設(shè)為Cb時，在直通FET組11的兩端施加的電壓Va如下式所示。
[0061]Va = X.Cb/ (Ca + X.Cb).Vin
[0062]圖6是僅考慮在端子Tl和端子T21~T2x之間施加的電壓比較小的情況下的失真成分時的等價電路模型。
[0063]這種情況下，由多個非線性電容產(chǎn)生的失真成分能夠用電流源111、121~Ι2χ來模型化。另外，上述電壓的振幅較小的情況下，作為失真成分僅考慮最低次、即3次失真即可。 [0064]在這樣的電流源Ill和電流源121~Ι2χ的串聯(lián)電路中，電流值被電流值小的電流源Ill制限。因此，即使在直通FET組11中發(fā)生較大的失真電流，也由于沒有失真電流的其他的通過路徑，結(jié)果不產(chǎn)生大的失真電流。
[0065]這種情況下，當(dāng)直通FET組11的MOSFET的源漏極間電壓超過漏極耐壓時發(fā)生擊穿，而成為不能用電容將MOSFET模型化的狀況。
[0066]因此，在本實施方式中，將直通FET組11的MOSFET的源漏極間電壓設(shè)為VdsAjf直通FET組21~2χ的源漏極間電壓設(shè)為VdsB、將擊穿電壓設(shè)為Vbk時，電壓VdsA需要滿足下式。
[0067]VdsB ≤VdsA ≤ Vbk
[0068]由于VdsA = VA/n, Vbk = (Vin/m) /y，所以電壓Va如下式所示。
[0069]Va ≤ (n/m) X (Vin/y)
[0070]如之前所示，電壓Va如下所示。
[0071]VA = xCB/ (Ca + xCB).Vin
[0072]此時，將MOSFET的每單位柵極寬度的電容設(shè)為Coff、將直通FET組11的MOSFETTAl~TAn的柵極寬度設(shè)為WgA、并將直通FET組21~2x的MOSFET TBl~TBm的柵極寬度設(shè)為WgB時，截止電容CA、Cb用下式表示。
[0073]Ca = (WgA/n).Coff, Cb = (WgB/m).Coff
[0074]因此，需要使直通FET組11的MOSFET的個數(shù)η為，
[0075]n ≥ m.{y-ffgA/ (x.WgB) }。
[0076]例如,在m = 14、X = 3、y = 0.75、WgA = WgB的情況下，需要滿足η≥6。
[0077]通過以上那樣，決定直通FET組11的個數(shù)及直通FET組21~2χ各自的MOSFET的適當(dāng)?shù)膫€數(shù)。
[0078]在圖7中，示出m = 14、n = 6時的高頻半導(dǎo)體開關(guān)的插入損耗的頻率特性。曲線I表示本實施方式的高頻半導(dǎo)體開關(guān)的插入損耗的頻率特性的例子。曲線2作為參考例，表示使直通FET組為I級構(gòu)造的情況下的插入損耗的頻率特性。[0079]如圖7所示，在參考例中，超過2GHz的頻率下的插入損耗為1.3dB以上，與之相對，本實施方式的情況下，超過2GHz的頻率下的插入損耗大幅降低到0.8dB。
[0080]在這樣的本實施方式中，通過適當(dāng)?shù)卦O(shè)定直通FET組11的MOSFET的個數(shù)及直通FET組21?2x各自的MOSFET的個數(shù)，插入損耗降低，并且能夠抑制截止失真的增大。
[0081]圖8是表示包含本實施方式的高頻半導(dǎo)體開關(guān)I的無線設(shè)備的構(gòu)成的例子的框圖。
[0082]該無線設(shè)備50具備:SP12T開關(guān)40、天線51、發(fā)送電路52a?52f、接收電路53a?53f及無線控制電路54。
[0083]SP12T開關(guān)40具有與聞頻半導(dǎo)體開關(guān)I相同構(gòu)造的聞頻半導(dǎo)體開關(guān)1_1?1-4。天線51與高頻半導(dǎo)體開關(guān)1-1?1-4的多個端子Tl連接，放射或接收電波。發(fā)送電路52a?52f與高頻半導(dǎo)體開關(guān)1-1、1-3的端子T21?T23連接。接收電路53a?53f與高頻半導(dǎo)體開關(guān)1-2、1-4的端子T21?T23連接。無線控制電路54向高頻半導(dǎo)體開關(guān)1_1?1_4提供端子切換信號。
[0084]發(fā)送電路52a?52f對發(fā)送信號進行調(diào)制并經(jīng)由天線51進行發(fā)送。
[0085]接收電路53a?53f對經(jīng)由天線51接收到高頻信號進行解調(diào)。
[0086]無線控制電路54向高頻半導(dǎo)體開關(guān)1-1?1-4分別輸出圖1中所述的開關(guān)控制信號CIA、ClB?CxB及ClBn?CxBn，并切換天線51與發(fā)送電路52a?52f及接收電路53a?53f之間的連接。
[0087]應(yīng)用了本實施方式的高頻半導(dǎo)體開關(guān)的無線設(shè)備50，能降低天線51和發(fā)送電路52a?52f及接收電路53a?53f之間的插入損耗，并且能夠?qū)⒔刂故д嬉种圃谒谕乃疁?zhǔn)以下。
[0088]發(fā)送電路52a?52f和接收電路53a?53f也可以一體化為一個收發(fā)電路。
[0089]以上說明了本發(fā)明的幾個實施方式，但這些實施方式是作為例子而提示的，不意圖限定發(fā)明的范圍。這些新的實施方式能夠以其他各種方式實施，能夠在不脫離發(fā)明主旨的范圍內(nèi)進行各種省略、置換、變更。這些實施方式及其變形包含于發(fā)明的范圍和主旨內(nèi)，也包含于權(quán)利要求書所記載的發(fā)明及其均等5范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種高頻半導(dǎo)體開關(guān)，其特征在于，具備: 第I端子； 多個第2端子； 第I直通FET組，由串聯(lián)連接的多個第I場效應(yīng)晶體管構(gòu)成，一端與上述第I端子連接;多個第2直通FET組，分別由串聯(lián)連接的多個第2場效應(yīng)晶體管構(gòu)成，各自的一端分別與上述多個第2端子連接，各自的另一端共通地與上述第I直通FET組的另一端連接；以及分流FET組，由串聯(lián)連接在上述第2端子和接地端子之間的多個第3場效應(yīng)晶體管構(gòu)成； 將構(gòu)成上述第I直通FET組的上述第I場效應(yīng)晶體管的個數(shù)設(shè)為η、將分別構(gòu)成上述第2直通FET組的上述第2場效應(yīng)晶體管的個數(shù)設(shè)為m、并將上述第2直通FET組的個數(shù)設(shè)為X的情況下， 上述第2場效應(yīng)晶體管的個數(shù)m被設(shè)定為，在上述第I直通FET組為導(dǎo)通狀態(tài)且多個上述第2直通FET組為非導(dǎo)通狀態(tài)時，多個上述第2直通FET組的上述第2場效應(yīng)晶體管的源漏極間電壓不超過擊穿電壓，而且， 上述第I場效應(yīng)晶體管的個數(shù)η根據(jù)上述X及上述m的值被設(shè)定為，在上述第I直通FET組及上述第2直通FET組為非導(dǎo)通狀態(tài)時，上述第I直通FET組的上述第I場效應(yīng)晶體管的源漏極間電壓不超過擊穿電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的高頻半導(dǎo)體開關(guān),其中， 將在上述第2直通FET組的上述第2場效應(yīng)晶體管的源漏極間施加的最大電壓與擊穿電壓之比設(shè)為y、將上述第I直通FET組的上述第I場效應(yīng)晶體管的柵極寬度設(shè)為WgA、并將上述多個第2直通FET組的上述第2場效應(yīng)晶體管的柵極寬度設(shè)為WgB的情況下， 上述η的值被設(shè)定為滿足下式: n ^ m.{y-ffgA/ (x.WgB) }。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所記載的高頻半導(dǎo)體開關(guān)，其中， 上述第I直通FET組的上述第I場效應(yīng)晶體管的上述柵極寬度和構(gòu)成多個上述第2直通FET組的上述第2場效應(yīng)晶體管的上述柵極寬度相等。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的高頻半導(dǎo)體開關(guān),其中， 上述第I直通FET組的上述第I場效應(yīng)晶體管、多個上述第2直通FET組的上述第2場效應(yīng)晶體管、及多個上述分流FET組的上述第3場效應(yīng)晶體管，是在SOI上形成的完全耗盡型M0SFET，并且背柵被電浮置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的高頻半導(dǎo)體開關(guān),其中， 上述第I直通FET組的上述第I場效應(yīng)晶體管、多個上述第2直通FET組的上述第2場效應(yīng)晶體管、及多個上述分流FET組的上述第3場效應(yīng)晶體管，是在SOI上形成的完全耗盡型M0SFET，并且通過對上述各場效應(yīng)晶體管的背柵施加電壓而被電控制。
6.一種無線設(shè)備，其特征在于，具備: 多個開關(guān)，該多個開關(guān)的構(gòu)成與上述權(quán)利要求1所記載的高頻半導(dǎo)體開關(guān)實質(zhì)上相同； 天線，與上述多個開關(guān)的多個第I端子連接，放射或接收電波；發(fā)送電路，與上述多個開關(guān)的一個第2端子連接，經(jīng)由上述天線發(fā)送信號； 接收電路，與上述多個開關(guān)的另一個第2端子連接，對經(jīng)由上述天線接收到的信號進行解調(diào)；以及 無線控制電路，向上述多個開關(guān)輸出開關(guān)控制信號，該開關(guān)控制信號將上述天線與上述發(fā)送電路或上述接收電路切換地連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所記載的無線設(shè)備，其中， 上述發(fā)送電路及上述接收電路被一體化為收發(fā)電路。
【文檔編號】H03K17/687GK103973280SQ201310351389
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2013年8月13日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月1日
【發(fā)明者】國司侑吾, 瀨下敏樹 申請人:株式會社東芝