振動(dòng)元件及其制造方法、振子、電子器件、電子設(shè)備的制作方法
【專(zhuān)利摘要】振動(dòng)元件及其制造方法、振子、電子器件、電子設(shè)備。本發(fā)明的課題是提供在高頻（200MHz以上）時(shí)實(shí)現(xiàn)振動(dòng)部的平行度的改善、抑制CI和電容比（γ）的劣化、等效串聯(lián)電感（L1）和等效串聯(lián)電容（C1）的偏差較小且抑制了諧振頻率附近的寄生的振動(dòng)元件及其制造方法。振動(dòng)元件具有基板，該基板包含：振動(dòng)部，其進(jìn)行厚度剪切振動(dòng)；以及激勵(lì)電極，其形成于所述振動(dòng)部的正反主面上，在設(shè)根據(jù)所述振動(dòng)部的多個(gè)區(qū)域的各個(gè)板厚值求出的平均板厚值為H、所述振動(dòng)部的多個(gè)區(qū)域的各個(gè)板厚值中的最大值與最小值之差即板厚差為△H時(shí)，所述H與所述△H之間的關(guān)系處于0%＜△H／H≤0.085%的范圍內(nèi)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】振動(dòng)元件及其制造方法、振子、電子器件、電子設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及激勵(lì)出厚度剪切振動(dòng)模式的振動(dòng)元件、振子、電子器件、電子設(shè)備以及振動(dòng)元件的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]使用了以厚度剪切振動(dòng)模式為主振動(dòng)而進(jìn)行激勵(lì)的AT切石英振動(dòng)元件的石英振子適于小型化、高頻化，并且頻率溫度特性呈現(xiàn)出優(yōu)異的三次曲線(xiàn)，因此在壓電振蕩器、電子設(shè)備等多個(gè)方面得到利用。尤其是，近年來(lái)，隨著傳輸通信設(shè)備和OA設(shè)備的處理速度的高速化、或者通信數(shù)據(jù)和處理量的大容量化得到發(fā)展，對(duì)于作為其使用的基準(zhǔn)頻率信號(hào)源的石英振子，強(qiáng)烈要求實(shí)現(xiàn)高頻化。以厚度剪切振動(dòng)進(jìn)行激勵(lì)的AT切石英振子的頻率與振動(dòng)部的板厚成反比的關(guān)系，因此一般通過(guò)減薄振動(dòng)部的板厚來(lái)實(shí)現(xiàn)高頻化。因此，在從單面或兩面通過(guò)干蝕刻或濕蝕刻在石英基板的中央部形成的凹陷部的底部，設(shè)置較薄的振動(dòng)部，在石英基板的兩面形成用于在振動(dòng)部的正反主面上激勵(lì)振動(dòng)部的主電極和設(shè)置成向外周方向延伸出的引線(xiàn)電極，實(shí)現(xiàn)了高頻化。
[0003]但是，存在當(dāng)石英振動(dòng)元件的振動(dòng)部的平行度劣化時(shí)等效電路常數(shù)的等效串聯(lián)電感LI變大的關(guān)系，在變?yōu)橹C振頻率IOOMHz以上的高頻的石英振動(dòng)元件時(shí)，位于凹陷部底部的振動(dòng)部的板厚非常薄，為16.7 μ m以下，平行度相對(duì)于振動(dòng)部板厚的劣化程度變大，因此伴隨于此，對(duì)等效串聯(lián)電感LI的影響也非常大。因此，即使是在低頻的石英振動(dòng)元件中不會(huì)成為問(wèn)題的振動(dòng)部的平行度，在變?yōu)楦哳l的石英振動(dòng)元件時(shí)，等效串聯(lián)電感LI大于設(shè)計(jì)值，其偏差也增大，因此存在使石英振動(dòng)元件的成品率顯著降低的問(wèn)題。
[0004]在專(zhuān)利文獻(xiàn)I中公開(kāi)了如下的制造方法:將形成于凹陷部的振動(dòng)部分割為3個(gè)區(qū)域，并在測(cè)定各個(gè)區(qū)域的板厚后，將抗蝕劑作為保護(hù)膜實(shí)施局部蝕刻，從而改善平行度。
[0005]【專(zhuān)利文獻(xiàn)I】日本特開(kāi)2005-72710號(hào)公報(bào)
[0006]但是，在專(zhuān)利文獻(xiàn)I所公開(kāi)的制造方法中，在對(duì)形成于大型石英基板的多個(gè)振動(dòng)部同時(shí)進(jìn)行局部蝕刻的情況下，為了形成保護(hù)膜，需要與各個(gè)振動(dòng)部的板厚對(duì)應(yīng)的光掩模，在批量生產(chǎn)時(shí)需要按照每個(gè)大型石英基板準(zhǔn)備與振動(dòng)部的板厚對(duì)應(yīng)的光掩模，因此光掩模制作費(fèi)用等的制造成本增大，低成本化成為問(wèn)題。此外，在諧振頻率200MHz以上的高頻石英振動(dòng)元件的情況下，伴隨振動(dòng)部的薄板化，電極也變得小型，因此僅將振動(dòng)部分割為3個(gè)區(qū)域無(wú)法改善形成有電極的部分的平行度，所以等效串聯(lián)電感L1、等效串聯(lián)電容Cl的偏差變大、且產(chǎn)生不需要的寄生的情況成為問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明正是為了解決上述課題中的至少一部分而完成的，可作為以下方式或應(yīng)用例來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0008][應(yīng)用例I]本應(yīng)用例的振動(dòng)元件的特征在于，該基板包含:振動(dòng)部，其進(jìn)行厚度剪切振動(dòng)；以及激勵(lì)電極，其形成于所述振動(dòng)部的正反主面上，在設(shè)根據(jù)所述振動(dòng)部的多個(gè)區(qū)域的各個(gè)板厚值求出的平均板厚值為H、所述各個(gè)板厚值中的最大值與最小值之差即板厚差為Δ H時(shí)，所述H與所述Λ H之間的關(guān)系滿(mǎn)足:0% <Λ H / H0.085%。
[0009]根據(jù)本應(yīng)用例，在以基波的厚度剪切振動(dòng)模式進(jìn)行激勵(lì)的高頻的振動(dòng)元件中，通過(guò)將振動(dòng)部的平均板厚值H與板厚差Λ H之間的關(guān)系設(shè)為0% <Λ H / H0.085%，不需要分割激勵(lì)電極來(lái)校正振動(dòng)部的平行度，并且能夠減小與振動(dòng)部的平行度、即板厚差Λ H成比例的等效串聯(lián)電感LI，因此具備能夠得到抑制Cl和電容比Y的劣化、等效串聯(lián)電感LI和等效串聯(lián)電容Cl的偏差較小且抑制了諧振頻率附近的寄生的振動(dòng)元件的效果。
[0010][應(yīng)用例2]在上述應(yīng)用例所述的振動(dòng)元件中，其特征在于，所述基板具有:所述振動(dòng)部；以及厚壁部，其與所述振動(dòng)部的外緣一體化，厚度比所述振動(dòng)部厚。
[0011]根據(jù)本應(yīng)用例，即使是振動(dòng)部非常薄的高頻的振動(dòng)元件，也能夠用與振動(dòng)部一體化的厚壁部進(jìn)行安裝，因此有能夠得到耐沖擊性和耐振動(dòng)性?xún)?yōu)異的高可靠性的振動(dòng)元件的效果。
[0012][應(yīng)用例3]在上述應(yīng)用例所述的振動(dòng)元件中，其特征在于，諧振頻率為200MHz以上。
[0013]根據(jù)本應(yīng)用例，在基波變?yōu)?00MHz以上的高頻時(shí)，板厚非常薄，加工凹陷部狀前的基板的平行度的影響非常大，因此將振動(dòng)部的平均板厚值H與板厚差Λ H之間的關(guān)系收斂于上述范圍內(nèi)具備如下效果:能夠得到等效串聯(lián)電感LI和等效串聯(lián)電容Cl的偏差較小且抑制了諧振頻率附近的寄生的振動(dòng)元件。
[0014][應(yīng)用例4]本應(yīng)用例的振子的特征在于，具有:上述應(yīng)用例所述的振動(dòng)元件；以及收納有所述振動(dòng)元件的封裝。
[0015]根據(jù)本應(yīng)用例，通過(guò)將振動(dòng)元件收納到封裝，能夠防止溫度變化、濕度變化等干擾的影響和污染的影響，因此有能夠得到頻率再現(xiàn)性、頻率溫度特性、Cl溫度特性和頻率時(shí)效特性?xún)?yōu)異、等效串聯(lián)電感LI和等效串聯(lián)電容Cl的偏差較小且抑制了諧振頻率附近的寄生的振子的效果。
[0016][應(yīng)用例5]本應(yīng)用例的電子器件的特征在于，具有:上述應(yīng)用例所述的振動(dòng)元件；以及激勵(lì)該振動(dòng)元件的振蕩電路。
[0017]根據(jù)本應(yīng)用例，采用了等效串聯(lián)電感LI和等效串聯(lián)電容Cl的偏差較小且抑制了諧振頻率附近的寄生的振動(dòng)元件，因此具備能夠得到消除寄生的影響、具有穩(wěn)定的振蕩特性的小型的電子器件的效果。
[0018][應(yīng)用例6]本應(yīng)用例的電子設(shè)備的特征在于，該電子設(shè)備具有上述應(yīng)用例所述的振動(dòng)元件。
[0019]根據(jù)本應(yīng)用例,能夠利用COB (chip on board:板上芯片)技術(shù)將等效串聯(lián)電感LI和等效串聯(lián)電容Cl的偏差較小且抑制了諧振頻率附近的寄生的振動(dòng)元件直接安裝到安裝基板，因此具有能夠構(gòu)成安裝面積小、具有穩(wěn)定的振蕩特性、且具備良好的基準(zhǔn)頻率源的小型的電子設(shè)備的效果。
[0020][應(yīng)用例7]本應(yīng)用例的電子設(shè)備的特征在于，該電子設(shè)備具有上述應(yīng)用例所述的振子。
[0021]根據(jù)本應(yīng)用例，通過(guò)將具有等效串聯(lián)電感LI和等效串聯(lián)電容Cl的偏差較小且抑制了諧振頻率附近的寄生的振動(dòng)元件的振子、電子器件用于電子設(shè)備，具有能夠構(gòu)成頻率、穩(wěn)定性?xún)?yōu)異、且具備良好的基準(zhǔn)頻率源的電子設(shè)備的效果。
[0022][應(yīng)用例8]本應(yīng)用例的振動(dòng)元件的制造方法的特征在于，包含以下工序:準(zhǔn)備在表面形成有具有開(kāi)口部的掩模的基板；將所述基板浸潰到含有表面活性劑的溫水中；以及對(duì)所述基板的從所述掩模的開(kāi)口部露出的區(qū)域進(jìn)行蝕刻，所述進(jìn)行蝕刻的工序包含以下工序:在蝕刻的中途，將所述基板上下反轉(zhuǎn)，浸潰到所述溫水中。
[0023]根據(jù)本應(yīng)用例，在蝕刻凹陷部的工序中，能夠避免使振動(dòng)部的平行度劣化的蝕刻速率的偏差，因此具備能夠制造等效串聯(lián)電感LI和等效串聯(lián)電容Cl的偏差較小且抑制了諧振頻率附近的寄生的振動(dòng)元件的效果。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0024]圖1是示出了本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的壓電振動(dòng)元件的結(jié)構(gòu)的概略圖，Ca)是俯視圖，(b)是P — P劑視圖，(c)是Q — Q首I]視圖。
[0025]圖2是用于說(shuō)明本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的AT切石英基板與晶軸之間的關(guān)系的圖。
[0026]圖3是以往的形成振動(dòng)元件的凹陷部的制造方法的工序剖視圖。
[0027]圖4是示出本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的諧振頻率491MHz頻帶的AT切石英振子的板厚的Λ H / H與電感LI的Λ LI / LI之間的關(guān)系的圖。
[0028]圖5是用于說(shuō)明本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的板厚差Λ H的示意圖。
[0029]圖6是用于說(shuō)明本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的諧振頻率491MHz頻帶的AT切石英振子的諧振特性的圖，Ca)是示出板厚差較大時(shí)的諧振特性的圖，(b)是示出基本沒(méi)有板厚差時(shí)的諧振特性的圖。
[0030]圖7是示出本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的形成振動(dòng)元件的凹陷部的制造方法的一例的工序剖視圖。
[0031]圖8是示出通過(guò)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的制造方法試制的諧振頻率245MHz頻帶的AT切石英振子的板厚的Λ H / H與電感LI的Λ LI / LI之間的關(guān)系的圖。
[0032]圖9是示出通過(guò)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的制造方法試制的諧振頻率368MHz頻帶的AT切石英振子的板厚的Λ H / H與電感LI的Λ LI / LI之間的關(guān)系的圖。
[0033]圖10是示出通過(guò)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的制造方法試制的諧振頻率491MHz頻帶的AT切石英振子的板厚的ΛΗ / H與電感LI的ALl / LI之間的關(guān)系的圖。
[0034]圖11是示出了本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的壓電振子的結(jié)構(gòu)的概略圖，(a)是俯視圖，(b)是縱剖視圖。
[0035]圖12是示出了本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的電子器件的結(jié)構(gòu)的概略圖，Ca)是俯視圖，(b)是縱剖視圖。
[0036]圖13是示出作為具有本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的振動(dòng)元件的電子設(shè)備的移動(dòng)型(或筆記本型)的個(gè)人計(jì)算機(jī)的結(jié)構(gòu)的立體圖。
[0037]圖14是示出作為具有本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的振動(dòng)元件的電子設(shè)備的便攜電話(huà)機(jī)(還包括PHS)的結(jié)構(gòu)的立體圖。
[0038]圖15是示出作為具有本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的振動(dòng)元件的電子設(shè)備的數(shù)字照相機(jī)的結(jié)構(gòu)的立體圖。
[0039]標(biāo)號(hào)說(shuō)明[0040]1:壓電振動(dòng)兀件；2:壓電振子；3:電子器件；10:壓電基板；11:凹陷部；12:振動(dòng)部；13:厚壁部；14 --第I厚壁部；14a --第I厚壁部主體；14b --第I傾斜部；15 --第2厚壁部；15a:第2厚壁部主體；15b --第2傾斜部；16:第3厚壁部；16a --第3厚壁部主體；16b:第3傾斜部；17:縫隙；25a、25b:激勵(lì)電極;27a、27b:引線(xiàn)電極；29a、29b:焊盤(pán)電極；30 --導(dǎo)電性粘接劑；32:基底膜；34:耐蝕膜；36:抗蝕劑；40:封裝主體；41:第I基板；42:第2基板；43:第3基板；44:密封圈；45:安裝端子；46:導(dǎo)體；47:元件安裝焊盤(pán)；48:電極端子；49:蓋部件；50:封裝主體；51:1C部件；52:電子部件；55:電極端子；61:第I基板；62 --第2基板；63 --第3基板；100:顯示部；1100:個(gè)人計(jì)算機(jī)；1102:鍵盤(pán)；1104:主體部；1106:顯示單元；1200:便攜電話(huà)機(jī)；1202:操作按鈕；1204:接聽(tīng)口 ；1206:通話(huà)口 ；1300:數(shù)字照相機(jī)；1302:外殼；1304:受光單元；1306:快門(mén)按鈕；1308:存儲(chǔ)器；1312:視頻信號(hào)輸出端子；1314:輸入輸出端子；1430:電視監(jiān)視器；1440:個(gè)人計(jì)算機(jī)。
【具體實(shí)施方式】
[0041]下面，根據(jù)附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。圖1是示出作為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的振動(dòng)元件的一例的壓電振動(dòng)元件的結(jié)構(gòu)的概略圖，圖1 (a)是壓電振動(dòng)元件的俯視圖，圖1 (b)是圖1 (a)的P — P剖視圖，圖1 (C)是圖1 (a)的Q —Q剖視圖。
[0042](振動(dòng)元件的結(jié)構(gòu))
[0043]壓電振動(dòng)元件I具備:壓電基板10，其具有薄壁的振動(dòng)部12和厚壁部13，該厚壁部13與振動(dòng)部12連接，并且厚度比振動(dòng)部12的厚度厚；分別相對(duì)地形成在振動(dòng)部12的兩個(gè)主面(土Y’方向的正反表面)上的激勵(lì)電極25a、25b ;以及從激勵(lì)電極25a、25b朝向設(shè)置于厚壁部上的焊盤(pán)電極29a、29b分別延伸而形成的引線(xiàn)電極27a、27b。
[0044]壓電基板10具備:厚度固定的振動(dòng)部12，其呈矩形且較薄，與Y’軸垂直；厚壁部13，其由沿著振動(dòng)部12的除一邊以外的三邊而一體化的厚壁的第I厚壁部14、第2厚壁部15和第3厚壁部16 (也稱(chēng)作第1、第2和第3厚壁部14、15、16)構(gòu)成；以及縫隙17，其用于防止在進(jìn)行支承固定時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力傳遞至振動(dòng)部12。
[0045]此外,第I厚壁部主體14a、第2厚壁部主體15a和第3厚壁部主體16a (也稱(chēng)作第1、第2、第3厚壁部主體14a、15a、16a)是指與Y’軸平行、厚度固定的區(qū)域。
[0046]此外，第I傾斜部14b、第2傾斜部15b和第3傾斜部16b (也稱(chēng)作第1、第2和第3傾斜部14b、15b、16b)是指在第1、第2、第3厚壁部主體14a、15a、16a與振動(dòng)部12之間產(chǎn)生的傾斜面。
[0047]振動(dòng)部12的一個(gè)主面與第1、第2、第3厚壁部14、15、16各自的一個(gè)面處于同一平面上，即處于圖1所示的坐標(biāo)軸的X — Z’平面上，將該面(處于圖1 (b)的一 Y’方向的下表面?zhèn)?稱(chēng)作平坦(flat)面，將具有凹陷部11的相反側(cè)的面(處于圖1 (b)的+Y’方向的上表面?zhèn)?稱(chēng)作凹陷面。
[0048]驅(qū)動(dòng)壓電基板10的激勵(lì)電極24a、25b分別相對(duì)地形成在振動(dòng)部12的大致中央部的主面。
[0049]從形成于凹陷面?zhèn)鹊募?lì)電極25a延伸出的引線(xiàn)電極27a從振動(dòng)部12上經(jīng)由第3傾斜部16b和第3厚壁部主體16a，與形成于第2厚壁部主體15a的凹陷面上的焊盤(pán)電極29a導(dǎo)通連接。[0050]此外，從形成于平坦面?zhèn)鹊募?lì)電極25b延伸出的引線(xiàn)電極27b經(jīng)由壓電基板10的平坦面的端緣部，與形成于第2厚壁部主體15a的平坦面上的焊盤(pán)電極29b導(dǎo)通連接。
[0051]圖1 (a)所示的實(shí)施方式示出了激勵(lì)電極25a、25b的面積不同的矩形的例子，但是不需要限定于此，激勵(lì)電極25a、25b的面積可以相同，形狀也可以是圓形或橢圓形。
[0052]此外，引線(xiàn)電極27a、27b的引出結(jié)構(gòu)只是一例，引線(xiàn)電極27a也可以經(jīng)由其他厚壁部。但是，希望引線(xiàn)電極27a、27b的長(zhǎng)度最短，優(yōu)選的是，通過(guò)以引線(xiàn)電極27a、27b彼此隔著壓電基板10而不交叉的方式進(jìn)行配置，來(lái)抑制靜電電容的增加。
[0053]并且，激勵(lì)電極25a、25b、引線(xiàn)電極27a、27b和焊盤(pán)電極29a、29b是使用蒸鍍裝置或?yàn)R射裝置等，例如在基底形成鎳(Ni)膜，并在其上重疊地形成金(Au)膜。另外，作為電極材料，也可以替代基底的鎳(Ni )而使用鉻(Cr )，并且替代金(Au )而使用銀(Ag)、鉬(Pt)。
[0054]壓電振動(dòng)元件I通過(guò)從焊盤(pán)電極29a和焊盤(pán)電極29b輸入的激勵(lì)電流，在與激勵(lì)電極25a、25b之間的振動(dòng)部12中產(chǎn)生電場(chǎng)，振動(dòng)部12由于壓電效應(yīng)進(jìn)行振動(dòng)。在使用屬于三方晶系壓電材料的石英形成壓電基板10的情況下，如圖2所示，具有相互垂直的晶軸X、Y、Z。將X軸稱(chēng)作電軸、Y軸稱(chēng)作機(jī)械軸、Z軸稱(chēng)作光軸，采用沿著使XZ面繞X軸旋轉(zhuǎn)預(yù)定角度Θ后的平面切出的平板作為壓電基板10。
[0055]例如，在AT切石英基板的情況下，角度Θ為35.25° (35° 15')。此處，在使Y軸和Z軸繞X軸旋轉(zhuǎn)角度Θ而設(shè)為Y’軸和Z’軸時(shí)，AT切石英基板具有垂直的晶軸X、Y’、Ζ’。因此，對(duì)于AT切石英基板，厚度方向是Y’軸，包含與Y’軸垂直的X軸和Ζ’軸的面是主面,在主面激勵(lì)出厚度剪切振動(dòng)作為主振動(dòng)。由這樣形成的AT切石英基板形成壓電基板
10。另外，本實(shí)施方式的壓電基板10不限于圖2所示的角度Θ為35.25°的AT切石英基板，例如也可以是激勵(lì)出厚度剪切振動(dòng)的BT切等的石英基板。
[0056](凹陷部的以往的制造方法)
[0057]接著，用圖3所示的振動(dòng)元件的凹陷部加工的工序剖視圖對(duì)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的振動(dòng)元件的凹陷部的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
[0058]首先，用純水清洗壓電基板10 (ST11)，接著，在壓電基板10的正反主面設(shè)置基底膜32。設(shè)置基底膜32是為了彌補(bǔ)作為耐蝕膜34的金(Au)在壓電基板10上的附著性較弱的情況，例如使用蒸鍍裝置或?yàn)R射裝置等形成鉻(Cr)膜作為基底膜32。使用蒸鍍裝置或?yàn)R射裝置等在其上形成金(Au)膜作為耐蝕膜34 (ST12)。
[0059]接著，在耐蝕膜34的表面整體涂覆抗蝕劑36 (ST13)，并通過(guò)曝光/顯影，形成振動(dòng)元件的凹陷部形成掩模(ST14)。
[0060]然后，例如使用碘化鉀溶液對(duì)作為從掩模開(kāi)口露出的耐蝕膜34的金(Au)進(jìn)行蝕亥IJ，進(jìn)而通過(guò)硝酸鈰銨溶液對(duì)作為基底膜32的鉻(Cr)進(jìn)行蝕刻(ST15)。
[0061]接著，例如在石英基板的情況下，使用氟化銨溶液等對(duì)從掩模開(kāi)口露出的壓電基板10進(jìn)行蝕刻(ST16)。由此，在壓電基板10上形成凹陷部11。
[0062]進(jìn)而，剝離抗蝕劑36，使用兩種所述溶液去除所有的耐蝕膜34和基底膜32(ST17)。之后，通過(guò)進(jìn)行外形形成工序和電極形成工序，完成壓電振動(dòng)元件I。
[0063]圖4是用以往的制造方法試制圖1的實(shí)施方式的諧振頻率為491MHz頻帶的AT切石英振子的圖，是不出了該AT切石英振子的振動(dòng)部12中的板厚Λ H / H與等效串聯(lián)電感LI的Λ LI / LI之間的關(guān)系的圖。[0064]此處，關(guān)于平均板厚值H與板厚差Λ H，參照QIAJ(日本石英器件工業(yè)協(xié)會(huì))技術(shù)基準(zhǔn)QIAJ-B-007 “表面聲波器件用單晶-標(biāo)準(zhǔn)和使用指導(dǎo)”3.7.5TotalThicknessVariation(TTV)所記載的TTV測(cè)定(圖5)進(jìn)行定義。關(guān)于平均板厚值H與板厚差Λ H，測(cè)定位于在振動(dòng)部12上形成的激勵(lì)電極25a的外緣的4角的4處、沿著激勵(lì)電極25a的外緣的4角的中間點(diǎn)的4處、激勵(lì)電極25a的中心位置的I處這合計(jì)9處的板厚，利用該9處的板厚計(jì)算平均板厚值H，并將該9個(gè)板厚內(nèi)的最大值與最小值的板厚差定義為ΛΗ。此外，設(shè)ΛΗ / H為0.01%以下的5個(gè)樣本的平均值為L(zhǎng)I，等效串聯(lián)電感的Λ LI表示其差。
[0065]圖4中示出了如下趨勢(shì):伴隨振動(dòng)部12的平行度即板厚差Λ H變大，等效串聯(lián)電感LI變大，其偏差也變大。此外，與電容比Y (=CO / Cl)關(guān)聯(lián)的等效串聯(lián)電容Cl和等效串聯(lián)電感LI成反比，因此變小，等效并聯(lián)電容CO是與正反的激勵(lì)電極25a、25b的相對(duì)面積對(duì)應(yīng)的靜電電容，因此保持恒定，所以電容比Y增大。在將電容比Y增大的石英振子用于壓控型石英振蕩器(VCXO)的情況下，頻率可變特性的頻率可變范圍變窄，并且在電容比Y的偏差較大時(shí)，頻率可變范圍的偏差也變大，從而成為特性上的缺點(diǎn)。
[0066]因此，在考慮到制造成品率而想要將壓控型石英振蕩器的頻率可變范圍的偏差抑制在20%以下時(shí)，需要將石英振子的等效串聯(lián)電感LI的偏差(ALl / LI)設(shè)為20%以下，根據(jù)圖4，可以說(shuō)希望將振動(dòng)部12中的Λ H / H抑制為0% <Λ H / H<0.085%。
[0067]圖6是不出了諧振頻率491MHz頻帶的AT切石英振子的諧振特性的圖，圖6 (a)示出了Λ H / H = 0.13%時(shí)的諧振特性，圖6 (b)示出了Λ H /H = 0.01%時(shí)的諧振特性。此處，AT切石英振子的諧振頻率大約為491MHz,振動(dòng)部12的尺寸為長(zhǎng)邊方向(X軸方向)是0.3mm、短邊方向(Z軸方向)是0.23mm,正反的激勵(lì)電極25a、25b的膜厚分別將7nm的鎳(Ni)作為基底，在其上為90nm的金(Au)。
[0068]根據(jù)圖6 (&)，在厶!1 / H較大的情況下，主振動(dòng)的振動(dòng)分布從中心向板厚較厚的方向移動(dòng)，因此電荷的產(chǎn)生位置從激勵(lì)電極25a向無(wú)電極部移動(dòng)，損失電荷，從而主振動(dòng)的Cl劣化。因此，不需要的寄生的Cl比主振動(dòng)小，在安裝到振蕩電路的情況下，會(huì)以寄生的諧振頻率進(jìn)行振蕩而成為問(wèn)題。此外，振動(dòng)位移分布是不對(duì)稱(chēng)的，由此通常還容易產(chǎn)生電荷被抵消而不會(huì)被激勵(lì)出的傾斜對(duì)稱(chēng)模式的非諧波寄生。但是，在圖6 (10的八!1 / H較小的情況下，相對(duì)于主振動(dòng)充分抑制了寄生，不會(huì)以寄生的諧振頻率進(jìn)行振蕩。因此，減小振動(dòng)部12的Λ H / H在抑制不需要的寄生的方面也非常有效。
[0069]考慮到批量生產(chǎn)性和制造成本，一般以批處理方式從大型的石英基板中制造出具有凹陷部11的AT切石英基板。因此，大型的石英基板中的平行度非常重要，在當(dāng)前的拋光加工技術(shù)中，在板厚70 μ m、且40mmX 40mm左右的石英基板中，將石英基板內(nèi)的平行度加工為0.2 μ m左右。如果假定為在維持平行度的狀態(tài)同時(shí)蝕刻到491MHz的板厚3.4μπι時(shí)，在
0.3mmX0.3mm左右的振動(dòng)部12的區(qū)域內(nèi)形成為Λ H / H為0.044%。因此，根據(jù)圖4，可認(rèn)為石英振子的等效串聯(lián)電感LI的偏差大約在12%以下。但是，現(xiàn)狀是等效串聯(lián)電感LI的偏差(ALl / LI)劣化至接近大約40%，因此調(diào)查了其主要原因。
[0070]其結(jié)果，可知在形成凹陷部11的石英蝕刻工藝中存在問(wèn)題。第I主要原因是，在蝕刻凹陷部11時(shí)，在露出石英的凹陷部11上附著氣泡，從而產(chǎn)生了蝕刻速率的偏差，第2主要原因是，為了使蝕刻槽內(nèi)的液溫均勻，上下擺動(dòng)了石英基板保持夾具，但在蝕刻槽內(nèi)的上下方向產(chǎn)生溫度差，從而蝕刻速率發(fā)生了變化。[0071]因此，查明氣泡附著是由于石英表面的疏水性，為了提高石英表面的親水性，在即將放到石英蝕刻槽之前，追加了浸潰到含有表面活性劑的溫水的工藝。此外，在使得蝕刻速率在蝕刻槽內(nèi)的上下方向均勻時(shí)，還包含裝置的改造，從而非常困難，因此在石英蝕刻的中間時(shí)刻追加了將設(shè)置于蝕刻槽內(nèi)的石英基板上下反轉(zhuǎn)的工藝。其結(jié)果，能夠防止氣泡的附著，并且抑制蝕刻槽內(nèi)的上下方向的蝕刻速率的變化，實(shí)現(xiàn)凹陷部11中的蝕刻速率的均勻，防止平行度的劣化。
[0072](凹陷部的制造方法)
[0073]圖7是示出本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的振動(dòng)元件的凹陷部的制造方法的工序剖視圖。
[0074]與圖3所示的以往的制造方法在以下工序方面相同:從壓電基板10的清洗(STll)起到在形成振動(dòng)元件的凹陷部形成掩模(ST14)后對(duì)耐蝕膜34的金(Au)和基底膜34的鉻(Cr)進(jìn)行蝕刻(ST15)的工序?yàn)橹埂?br> [0075]之后，將壓電基板10的X軸方向或Z’軸方向設(shè)為上下方向來(lái)安裝到基板保持夾具，也用純水清洗基板保持夾具，進(jìn)行下一工序即浸潰到含有與蝕刻槽內(nèi)的液溫大致相同溫度的表面活性劑的溫水中(ST15-1)。這是為了通過(guò)加熱基板保持夾具和壓電基板10來(lái)將蝕刻槽內(nèi)的液溫保持為恒定，從而防止蝕刻速率的變化。
[0076]接著，將從掩模開(kāi)口露出的壓電基板10放入到蝕刻槽中進(jìn)行蝕刻(ST16)。
[0077]然后，在振動(dòng)部12變?yōu)槠谕陌搴裰暗奈g刻加工時(shí)間的中間時(shí)刻，從蝕刻槽提起基板保持夾具和壓電基板10，反轉(zhuǎn)壓電基板10的X軸方向或Z’軸方向的上下方向，然后，安裝到所述基板保持夾具并浸潰到所述溫水中，蝕刻至振動(dòng)部12變?yōu)槠谕陌搴駷橹?ST16-1)。由此，在壓電基板10上形成凹陷部11。
[0078]之后與以往 的制造方法同樣，剝離抗蝕劑36，使用兩種所述溶液去除所有的耐蝕膜34和基底膜32(ST17)。之后，通過(guò)進(jìn)行外形形成工序和電極形成工序，完成壓電振動(dòng)元件I。
[0079]另外，為了防止振動(dòng)部12的平行度的劣化，在圖7所示的制造方法中示出了在蝕刻中途僅實(shí)施一次壓電基板10的上下反轉(zhuǎn)的方法，但蝕刻中途的壓電基板10的上下反轉(zhuǎn)不限于一次，可以實(shí)施多次。
[0080]圖8~圖10是分別通過(guò)圖7所示的實(shí)施方式的制造方法試制圖1的實(shí)施方式的諧振頻率為245MHz頻帶、368MHz頻帶、491MHz頻帶的AT切石英振子的圖，是關(guān)于這些AT切石英振子的振動(dòng)部12的板厚不出了Λ H / H與等效串聯(lián)電感LI的Λ LI / LI之間的關(guān)系的圖。
[0081 ] 從圖8和圖9可知，在諧振頻率為245MHz頻帶和368MHz頻帶的AT切石英振子中，通過(guò)用圖7所示的制造方法進(jìn)行試制，能夠?qū)⒄駝?dòng)部12中的Λ H / H抑制到0% <ΔΗ /H≤0.085%的范圍，因此能夠?qū)⒌刃Т?lián)電感LI的偏差(Λ LI / LI)抑制到20%以下。
[0082]但是，在圖10所示的491MHz頻帶的AT切石英振子中，無(wú)法將振動(dòng)部12中的所有Λ H / H都抑制到0% <Λ H / H≤0.085%的范圍內(nèi)。但是，在將收斂于0% <Δ H /H≤0.085%的范圍內(nèi)的AT切石英振子作為合格品的情況下，成品率為94%(合格品94個(gè)/總數(shù)100個(gè))，大幅改善了圖4所示的制造方法的成品率80% (合格品80個(gè)/總數(shù)100個(gè))，從而可以說(shuō)圖7所示的制造方法對(duì)成品率改善非常有效。
[0083]在壓電基板10的拋光加工后的平行度提高或制造工序中的凹陷部11的蝕刻時(shí)進(jìn)行多次壓電基板10的X軸方向或Z’軸方向的上下反轉(zhuǎn)，由此能夠進(jìn)一步抑制蝕刻槽內(nèi)的上下方向的液溫變化引起的蝕刻速率的變化，因此可認(rèn)為能夠?qū)崿F(xiàn)將凹陷部11內(nèi)的振動(dòng)部12中的Λ H / H抑制到0% <Λ H / H≤0.085%的范圍內(nèi)的情況。
[0084]關(guān)于在基波的厚度剪切振動(dòng)模式中IOOMHz左右時(shí)影響較小的、石英基板的平行度標(biāo)準(zhǔn)和蝕刻工藝引起的平行度的劣化，在變?yōu)?00MHz以上的高頻時(shí)，由于板厚非常薄，因此對(duì)常數(shù)的偏差產(chǎn)生非常大的影響。因此，在200MHz以上的高頻時(shí)，抑制振動(dòng)部12的平行度的劣化在將常數(shù)的偏差抑制得較小的方面非常有效。此外，可預(yù)計(jì)能夠用現(xiàn)有的設(shè)備進(jìn)行制造的頻率上限為800MHz左右，在考慮到制造成品率時(shí)，可預(yù)計(jì)常數(shù)偏差的界限大約為 20%ο
[0085]圖11是示出作為本發(fā)明實(shí)施方式的振子的一例的壓電振子的結(jié)構(gòu)的概略圖，圖11 (a)是省略蓋部件后的俯視圖，圖11 (b)是縱剖視圖。
[0086]壓電振子2由以下部分構(gòu)成:壓電振動(dòng)元件I ;為了收納壓電振動(dòng)元件I而形成為矩形箱狀的封裝主體40 ;以及由金屬、陶瓷、玻璃等構(gòu)成的蓋部件49。
[0087]如圖11所示，封裝主體40是層疊第I基板41、第2基板42、第3基板43、密封圈44和安裝端子45而形成的。在第I基板41的外部底面形成有多個(gè)安裝端子45。第3基板43是去除了中央部后的環(huán)狀體，在第3基板43的上部周緣處形成有例如鐵鎳鈷合金等的密封圈44。
[0088]由第3基板43和第2基板42形成收納壓電振動(dòng)元件I的凹部(腔室)。在第2基板42的上表面的預(yù)定位置處，設(shè)置有通過(guò)導(dǎo)體46與安裝端子45電導(dǎo)通的多個(gè)元件安裝焊盤(pán)47。元件安裝焊盤(pán)47以在載置壓電振動(dòng)元件I時(shí)與形成于第2厚壁部主體15a上的焊盤(pán)電極29a對(duì)應(yīng)的方式進(jìn)行配置。
[0089]在支承固定壓電振動(dòng)元件I時(shí)，首先反轉(zhuǎn)(翻轉(zhuǎn))壓電振動(dòng)元件I而將焊盤(pán)電極29a載置到涂覆有導(dǎo)電性粘接劑30的元件安裝焊盤(pán)47而施加負(fù)荷。關(guān)于導(dǎo)電性粘接劑30，考慮到時(shí)效變化而采用了脫氣少的聚酰亞胺類(lèi)粘接劑。
[0090]接著，為了使導(dǎo)電性粘接劑30硬化，將其放入到預(yù)定溫度的高溫爐中預(yù)定時(shí)間。在使導(dǎo)電性粘接劑30硬化后，用接合線(xiàn)BW對(duì)反轉(zhuǎn)成為上表面?zhèn)鹊暮副P(pán)電極29b和封裝主體40的電極端子48進(jìn)行導(dǎo)通連接。如圖11 (b)所示，將壓電振動(dòng)元件I支承固定到封裝主體40上的部分為一處(一點(diǎn))，因此能夠減小因支承固定產(chǎn)生的應(yīng)力的大小。
[0091]在實(shí)施了退火處理后，對(duì)第2激勵(lì)電極25b附加質(zhì)量、或減小質(zhì)量來(lái)進(jìn)行頻率調(diào)整。之后，在形成于封裝主體40的第3基板43的上表面的密封圈44上，載置蓋部件49，在真空中或氮?dú)猸h(huán)境中對(duì)蓋部件49進(jìn)行縫焊密封，從而完成壓電振子2。或者，還有如下方法:在封裝主體40的上表面上涂覆的低熔點(diǎn)玻璃上載置蓋部件49，進(jìn)行熔化來(lái)實(shí)現(xiàn)緊貼。在該情況下，封裝的腔室內(nèi)也成為真空、或填充氮?dú)獾榷栊詺怏w，完成壓電振子2。
[0092]也可以構(gòu)成在Z’軸方向上隔著焊盤(pán)電極29a、29b的間隔而形成的壓電振動(dòng)元件
I。在該情況下，也能夠與圖11中說(shuō)明的壓電振子2同樣地構(gòu)成壓電振子2。此外，還可以構(gòu)成在同一平面上隔開(kāi)間隔地形成了焊盤(pán)電極29a、29b的壓電振動(dòng)元件I。在該情況下，壓電振動(dòng)元件I是在兩處(兩點(diǎn))涂覆導(dǎo)電性粘接劑30而實(shí)現(xiàn)了導(dǎo)通和支承固定的結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)是適于低高度化的結(jié)構(gòu)，但是因?qū)щ娦哉辰觿?0引起的應(yīng)力可能會(huì)稍微變大。
[0093]在以上的壓電振子2的實(shí)施方式中，說(shuō)明了封裝主體40采用了層疊板的例子，但也可以是:封裝主體40采用單層陶瓷板，蓋體采用實(shí)施深沖加工而成的帽而構(gòu)成壓電振子2。
[0094]圖12是示出本發(fā)明的實(shí)施方式的電子器件的結(jié)構(gòu)的概略圖，圖12 Ca)是省略蓋部件后的俯視圖，圖12 (b)是縱剖視圖。
[0095]電子器件3具有:封裝主體50 ;蓋部件49 ;壓電振動(dòng)元件I ;IC部件51，其安裝有對(duì)壓電振動(dòng)元件I進(jìn)行激勵(lì)的振蕩電路；電容根據(jù)電壓而變化的可變電容元件、電阻根據(jù)溫度而變化的熱敏電阻、以及電感器等電子部件52中的至少一個(gè)。
[0096]如圖12所示，封裝主體50是層疊第I基板61、第2基板62和第3基板63而形成的。在第I基板61的外部底面形成有多個(gè)安裝端子45。第2基板62和第3基板63由去除中央部后的環(huán)狀體形成。
[0097]由第I基板61、第2基板62和第3基板63形成了收納壓電振動(dòng)元件1、IC部件51和電子部件52等的凹部(腔室)。在第2基板62的上表面的預(yù)定位置處，設(shè)置有通過(guò)導(dǎo)體46與安裝端子45電導(dǎo)通的多個(gè)元件安裝焊盤(pán)47。元件安裝焊盤(pán)47以在載置壓電振動(dòng)元件I時(shí)與形成于第2厚壁部主體15a上的焊盤(pán)電極29a對(duì)應(yīng)的方式進(jìn)行配置。
[0098]將反轉(zhuǎn)后的壓電振動(dòng)元件I的焊盤(pán)電極29a載置到涂覆有導(dǎo)電性粘接劑(聚酰亞胺類(lèi))30的封裝主體50的元件安裝焊盤(pán)47上，實(shí)現(xiàn)焊盤(pán)電極29a和元件安裝焊盤(pán)47的導(dǎo)通。利用接合線(xiàn)BW將反轉(zhuǎn)成為上表面?zhèn)鹊暮副P(pán)電極29b與封裝主體50的電極端子48連接，通過(guò)形成于封裝主體50的基板之間的導(dǎo)體，實(shí)現(xiàn)IC部件51與一個(gè)電極端子55的導(dǎo)通。將IC部件51固定到封裝主體50的預(yù)定位置處，利用接合線(xiàn)BW將IC部件51的端子與封裝主體50的電極端子55連接。并且，將電子部件52載置到封裝主體50的預(yù)定位置處，并使用金屬凸塊等連接到導(dǎo)體46。使封裝主體50成為真空或者用氮等惰性氣體充滿(mǎn)，用蓋部件49對(duì)封裝主體50進(jìn)行密封而完成電子器件3。
[0099]在利用接合線(xiàn)BW將焊盤(pán)電極29b和封裝主體50的電極端子48連接的方法中，支承壓電振動(dòng)元件I的部位為一處(一點(diǎn))，減小了因?qū)щ娦哉辰觿?0產(chǎn)生的應(yīng)力。此外，在收納到封裝主體50時(shí)，反轉(zhuǎn)壓電振動(dòng)元件1，使更大的激勵(lì)電極25b處于上表面，因此電子器件3的頻率調(diào)整比較容易。
[0100]如圖12所示，使用了以基波進(jìn)行激勵(lì)的高頻的壓電振動(dòng)元件1，因此能夠得到抑制對(duì)主振動(dòng)產(chǎn)生影響的不需要的寄生、高頻且頻率溫度特性和Cl溫度特性?xún)?yōu)異的小型的電子器件3。
[0101]此外，作為電子器件3，能夠構(gòu)成高頻且小型的壓電振蕩器、溫度補(bǔ)償型壓電振蕩器、壓控型壓電振蕩器等。
[0102]接著，根據(jù)圖13?圖15，對(duì)應(yīng)用了作為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的振動(dòng)元件的一例的壓電振動(dòng)元件的電子設(shè)備(本發(fā)明的電子設(shè)備)進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0103]圖13是示出作為具有本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的振動(dòng)元件的一例即壓電振動(dòng)元件的電子設(shè)備的移動(dòng)型(或筆記本型)的個(gè)人計(jì)算機(jī)的結(jié)構(gòu)的立體圖。在該圖中，個(gè)人計(jì)算機(jī)1100由具有鍵盤(pán)1102的主體部1104以及具有顯示部100的顯示單元1106構(gòu)成，顯示單元1106通過(guò)鉸鏈構(gòu)造部以能夠轉(zhuǎn)動(dòng)的方式支承在主體部1104上。在這種個(gè)人計(jì)算機(jī)1100中內(nèi)置有作為濾波器、諧振器、基準(zhǔn)時(shí)鐘等發(fā)揮作用的壓電振動(dòng)元件I。
[0104]圖14是示出作為具有本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的振動(dòng)元件的一例即壓電振動(dòng)元件的電子設(shè)備的便攜電話(huà)機(jī)(也包括PHS)的結(jié)構(gòu)的立體圖。在該圖中，便攜電話(huà)機(jī)1200具有多個(gè)操作按鈕1202、接聽(tīng)口 1204以及通話(huà)口 1206，在操作按鈕1202與接聽(tīng)口 1204之間配置有顯示部100。在這種便攜電話(huà)機(jī)1200中內(nèi)置有作為濾波器、諧振器等中的至少一個(gè)發(fā)揮作用的壓電振動(dòng)元件I。
[0105]圖15是示出作為具有本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的振動(dòng)元件的一例即壓電振動(dòng)元件的電子設(shè)備的數(shù)字照相機(jī)的結(jié)構(gòu)的立體圖。另外，在該圖中，還簡(jiǎn)單地示出與外部設(shè)備之間的連接。這里，通常的照相機(jī)是通過(guò)被攝體的光像對(duì)銀鹽膠片進(jìn)行感光，與此相對(duì)，數(shù)字靜態(tài)照相機(jī)1300通過(guò)CCD (Charge Coupled Device:電荷稱(chēng)合器件)等攝像元件對(duì)被攝體的光像進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換而生成攝像信號(hào)(圖像信號(hào))。
[0106]在數(shù)字照相機(jī)1300的外殼(機(jī)身)1302的背面設(shè)置有顯示部100，構(gòu)成為根據(jù)CXD攝像信號(hào)進(jìn)行顯示，顯示部100作為將被攝體顯示為電子圖像的取景器發(fā)揮作用。并且，在外殼1302的正面?zhèn)?圖中反面?zhèn)?設(shè)置有包含光學(xué)鏡頭(攝像光學(xué)系統(tǒng))和CXD等的受光單元 1304。
[0107]攝影者確認(rèn)在顯示部100中顯示的被攝體像，并按下快門(mén)按鈕1306時(shí)，將該時(shí)刻的CCD攝像信號(hào)傳輸?shù)酱鎯?chǔ)器1308內(nèi)進(jìn)行存儲(chǔ)。并且，在該數(shù)字照相機(jī)1300中，在外殼1302的側(cè)面設(shè)置有視頻信號(hào)輸出端子1312和數(shù)據(jù)通信用的輸入輸出端子1314。而且，如圖所示，根據(jù)需要，視頻信號(hào)輸出端子1312與電視監(jiān)視器1430連接，數(shù)據(jù)通信用的輸入輸出端子1314與個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC) 1440連接。而且，構(gòu)成為通過(guò)規(guī)定操作，將存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器1308中的攝像信號(hào)輸出到電視監(jiān)視器1430或個(gè)人計(jì)算機(jī)1440。在這種數(shù)字照相機(jī)1300中內(nèi)置有作為濾波器、諧振器等發(fā)揮作用的壓電振動(dòng)元件I。
[0108]另外，除了圖13的個(gè)人計(jì)算機(jī)(移動(dòng)型個(gè)人計(jì)算機(jī))、圖14的便攜電話(huà)機(jī)、圖15的數(shù)字照相機(jī)以外，具有本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的振動(dòng)元件的一例即壓電振動(dòng)元件的電子設(shè)備例如還可以應(yīng)用于噴墨式排出裝置(例如噴墨打印機(jī))、膝上型個(gè)人計(jì)算機(jī)、電視機(jī)、攝像機(jī)、錄像機(jī)、車(chē)載導(dǎo)航裝置、尋呼機(jī)、電子記事本(也包含通信功能)、電子辭典、計(jì)算器、電子游戲設(shè)備、文字處理器、工作站、視頻電話(huà)、防盜用電視監(jiān)視器、電子雙筒望遠(yuǎn)鏡、POS終端、醫(yī)療設(shè)備(例如電子體溫計(jì)、血壓計(jì)、血糖計(jì)、心電圖計(jì)測(cè)裝置、超聲波診斷裝置、電子內(nèi)窺鏡)、魚(yú)群探測(cè)器、各種測(cè)定設(shè)備、計(jì)量?jī)x器類(lèi)(例如車(chē)輛、飛機(jī)、船舶的計(jì)量?jī)x器類(lèi))、飛行模擬器等。
【權(quán)利要求】
1.一種振動(dòng)元件，其特征在于，該振動(dòng)元件具有基板， 該基板包含: 振動(dòng)部，其進(jìn)行厚度剪切振動(dòng)；以及 激勵(lì)電極，其形成于所述振動(dòng)部的正反主面上， 在設(shè)根據(jù)所述振動(dòng)部的多個(gè)區(qū)域的各個(gè)板厚值求出的平均板厚值為H、所述各個(gè)板厚值中的最大值與最小值之差即板厚差為Λ H時(shí)， 所述H與所述Λ H之間的關(guān)系滿(mǎn)足:
0% <Δ H / H ≤ 0.085%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振動(dòng)元件，其特征在于， 所述基板具有: 所述振動(dòng)部；以及 厚壁部，其與所述振動(dòng)部的外緣一體化，厚度比所述振動(dòng)部厚。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的振動(dòng)元件，其特征在于，諧振頻率為200MHz以上。
4.一種振子,其特征在于,該振子具有: 權(quán)利要求1或2所述的振動(dòng)元件；以及 收納有所述振動(dòng)元件的封裝。
5.一種電子器件，其特征在于，該電子器件具有: 權(quán)利要求1或2所述的振動(dòng)元件；以及 激勵(lì)所述振動(dòng)元件的振蕩電路。
6.一種電子設(shè)備，其特征在于，該電子設(shè)備具有權(quán)利要求1或2所述的振動(dòng)元件。
7.一種電子設(shè)備，其特征在于，該電子設(shè)備具有權(quán)利要求4所述的振子。
8.一種振動(dòng)元件的制造方法，其特征在于，該制造方法包含以下工序: 準(zhǔn)備在表面形成有具有開(kāi)口部的掩模的基板； 將所述基板浸潰到含有表面活性劑的溫水中；以及 對(duì)所述基板的從所述掩模的開(kāi)口部露出的區(qū)域進(jìn)行蝕刻， 所述進(jìn)行蝕刻的工序包含以下工序:在蝕刻的中途，將所述基板上下反轉(zhuǎn)，浸潰到所述溫水中。
【文檔編號(hào)】H03H3/04GK103475329SQ201310221627
【公開(kāi)日】2013年12月25日 申請(qǐng)日期:2013年6月5日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月6日
【發(fā)明者】石井修 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社