專利名稱：一種開關(guān)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電路領(lǐng)域，特別涉及一種開關(guān)電路。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有開關(guān)電路的反應(yīng)敏感性和結(jié)構(gòu)簡化性的結(jié)合度尚有改善的空間。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了克服以上技術(shù)的不足，提供了一種簡單有效的開關(guān)電路。
本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的
一種開關(guān)電路，包括兩個開關(guān)、兩個三極管、一個MOS管、五個電阻及三個電容，
MOS管的柵極與第一三極管的集電極相接，第一三極管的集電極串接二極管、第二電阻和第三電阻后接負載的供電電壓端；第一三極管的發(fā)射極接地；第一三極管的基極與第二三極管的集電極相連，第二三極管的發(fā)射極接地，第二三極管的基極串接第四電阻、第一開關(guān)、第一電阻后接在第一三極管的集電極，第二開關(guān)與第一開關(guān)并聯(lián)；
MOS管的漏極與第二三極管的基極之間串接第五電阻；同時，MOS管的漏極直接接負載后接供電電壓；
MOS管的源極接地。
進一步的，所述二極管的負極接第一電容后接地。
進一步的，所述第一開關(guān)串接第一電阻的一端接第二電容后接地。
進一步的，所述第一三極管的集電極接在第二電阻和第三電阻之間。
優(yōu)選的，包括兩個開關(guān)、兩個三極管、一個MOS管，五個電阻及三個電容，
MOS管的柵極與第一三極管的集電極相接，三極管Ql的集電極串接二極管D、電阻 R2和電阻R3后接負載的供電電壓端；三極管Ql的發(fā)射極接地；三極管Ql的基極與三極管 Q2的集電極相連，三極管Q2的發(fā)射極接地，三極管Q2的基極串接電阻R4、開關(guān)Tl、電阻Rl 后接在三極管Ql的集電極，開關(guān)T2與開關(guān)Tl并聯(lián)；
MOS管的漏極與三極管Q2的基極之間串接第五電阻；且皿)5管的漏極直接接負載后接供電電壓；
MOS管的源極接地。
本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明的開關(guān)電路，適用于大電流，具有防抖動功能，結(jié)構(gòu)簡單，功能實用，適于市場化推廣。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段， 并可依照說明書的內(nèi)容予以實施，以下本發(fā)明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。本發(fā)明的具體實施方式
由以下實施例及其附圖詳細給出。


圖I為本發(fā)明的開關(guān)電路的電路原理圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作具體的說明。本實施例的開關(guān)電路的電路原理圖一種開關(guān)電路，包括兩個開關(guān)、兩個三極管、一個MOS管、五個電阻及三個電容，MOS管的柵極與第一三極管的集電極相接，第一三極管的集電極串接二極管、第二電阻和第三電阻后接負載的供電電壓端；第一三極管的發(fā)射相接地；第一三極管的基極與第二三極管的集電極相連，第二三極管的發(fā)射極接地，第二三極管的基極串接第四電阻、第一開關(guān)、第一電阻后接在第一三極管的集電極，第二開關(guān)與第一開關(guān)并聯(lián)；MOS管的漏極與第二三極管的基極之間串接第五電阻；同時，MOS管的漏極直接接負載后接供電電壓；MOS管的源極接地。進一步的，所述二極管的負極接第一電容后接地。進一步的，所述第一開關(guān)串接第一電阻的一端接第二電容后接地。進一步的，所述第一三極管的集電極接在第二電阻和第三電阻之間。實施例I結(jié)合圖I所示，一種開關(guān)電路，包括兩個開關(guān)、兩個三極管、一個MOS管，五個電阻及三個電容，MOS管的柵極與第一三極管的集電極相接，三極管Ql的集電極串接二極管D、電阻R2和電阻R3后接負載的供電電壓端；三極管Ql的發(fā)射極接地；三極管Ql的基極與三極管Q2的集電極相連，三極管Q2的發(fā)射極接地，三極管Q2的基極串接電阻R4、開關(guān)Tl、電阻Rl后接在三極管Ql的集電極，開關(guān)T2與開關(guān)Tl并聯(lián)；MOS管的漏極與三極管Q2的基極之間串接第五電阻；同時，MOS管的漏極直接接負載后接供電電壓；MOS管的源極接地。進一步的，二極管D的負極接電容Cl后接地；開關(guān)Tl串接電阻Rl的一端接電容C2后接地；三極管Ql的集電極接在電阻R2和電阻R3之間。優(yōu)選的，所述電阻Rl的阻值為500 Ω，電阻R2和電阻R3的阻值為5k Ω，電阻R4的阻值為IlOkQ，電阻R5de阻值為15k Ω，電容Cl的容值為5 μ F，電容C2和電容C3的容值為I μ F，供電電壓VCC為15V。本發(fā)明的開關(guān)電路的具體電路闡述如下本發(fā)明的開關(guān)電路，可設(shè)置多個瞬時開關(guān)或按鈕，并聯(lián)連接，適用于大電流，具有防抖動功能，結(jié)構(gòu)簡單，功能實用。上述實施例只是為了說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點，其目的是在于讓本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實施，并不能以此限制本發(fā)明的保護范圍。凡是根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的實質(zhì)所作出的等效的變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種開關(guān)電路，其特征在于，包括兩個開關(guān)、兩個三極管、一個MOS管，五個電阻及三個電容， MOS管的柵極與第一三極管的集電極相接，第一三極管的集電極串接二極管、第二電阻和第三電阻后接負載的供電電壓端；第一三極管的發(fā)射極接地；第一三極管的基極與第二三極管的集電極相連，第二三極管的發(fā)射極接地，第二三極管的基極串接第四電阻、第一開關(guān)、第一電阻后接在第一三極管的集電極，第二開關(guān)與第一開關(guān)并聯(lián)； MOS管的漏極與第二三極管的基極之間串接第五電阻；同時，MOS管的漏極直接接負載后接供電電壓； MOS管的源極接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的開關(guān)電路，其特征在于，所述二極管的負極接第一電容后接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的開關(guān)電路，其特征在于，所述第一開關(guān)串接第一電阻的一端接第二電容后接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的開關(guān)電路，其特征在于，所述第一三極管的集電極接在第二電阻和第三電阻之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的開關(guān)電路，其特征在于，包括兩個開關(guān)、兩個三極管、一個MOS管，五個電阻及三個電容， MOS管的柵極與第一三極管的集電極相接，三極管Ql的集電極串接二極管D、電阻R2和電阻R3后接負載的供電電壓端；三極管Ql的發(fā)射極接地；三極管Ql的基極與三極管Q2的集電極相連，三極管Q2的發(fā)射極接地，三極管Q2的基極串接電阻R4、開關(guān)Tl、電阻Rl后接在三極管Ql的集電極，開關(guān)T2與開關(guān)Tl并聯(lián)； MOS管的漏極與三極管Q2的基極之間串接第五電阻；同時，MOS管的漏極直接接負載后接供電電壓； MOS管的源極接地。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種開關(guān)電路，包括兩個開關(guān)、兩個三極管、一個MOS管，五個電阻及三個電容；MOS管的柵極與第一三極管的集電極相接，第一三極管的集電極串接二極管、第二電阻和第三電阻后接負載的供電電壓端；第一三極管的發(fā)射極接地；第一三極管的基極與第二三極管的集電極相連，第二三極管的發(fā)射極接地，第二三極管的基極串接第四電阻、第一開關(guān)、第一電阻后接在第一三極管的集電極，第二開關(guān)與第一開關(guān)并聯(lián)；MOS管的漏極與第二三極管的基極之間串接第五電阻；同時，MOS管的漏極直接接負載后接供電電壓；MOS管的源極接地。本發(fā)明的開關(guān)電路，適用于大電流，具有防抖動功能，結(jié)構(gòu)簡單，功能實用，適于市場化推廣。
文檔編號H03K17/687GK102931963SQ20121043592
公開日2013年2月13日 申請日期2012年11月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月6日
發(fā)明者張海虹 申請人:蘇州工業(yè)園區(qū)華銳裝飾工程有限公司