一種開關(guān)電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種開關(guān)電路。該開關(guān)電路包括P型的第一MOS管（M1）和第二MOS管（M2），NPN型的第一雙極型晶體管（N1）、第二雙極型晶體管（N2）、第三雙極型晶體管（N3）、第四雙極型晶體管（N4）、第五雙極型晶體管（N5和第六雙極型晶體管（N6），參數(shù)相同的第一電阻（R1）、第二電阻（R2）、第三電阻（R3）和恒流源（JI）和電壓源（JV）。本發(fā)明的有益效果是：該開關(guān)電路采用Bi-COMS結(jié)構(gòu)，其電路結(jié)構(gòu)簡單，在集成電路中所占面積較小，開關(guān)特性好。
【專利說明】—種開關(guān)電路【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種開關(guān)電路，特別是一種采用B1-COMS結(jié)構(gòu)的開關(guān)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]開關(guān)電路是應(yīng)用電子及集成電路中經(jīng)常用到的電路單元。在某些集成電路中，目前大多還采用雙極性晶體管技術(shù)實現(xiàn)開關(guān)，該種技術(shù)的開關(guān)電路的由于雙極性晶體管的特性決定了該種電路的開與關(guān)的閾值區(qū)域較大，速度也不高，在集成電路中所占面積較大，制作工藝也復雜。還有采用全MOS管的集成電路的開關(guān)電路，這種全MOS管的電路雖然面積小，工藝簡單，但是其開關(guān)特性還是滿足不了一些要求較高的電路中。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的發(fā)明目的在于:針對上述存在的問題，提供一種采用B1-COMS結(jié)構(gòu)的開關(guān)電路。
[0004]本發(fā)明采用的技術(shù)方案是這樣的:一種開關(guān)電路，該開關(guān)電路包括第一 MOS管、第二 MOS管、第一雙極型晶體管、第二雙極型晶體管、第三雙極型晶體管、第四雙極型晶體管、第五雙極型晶體管、第六雙極型晶體管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、恒流源和電壓源。其中
上述的恒流源串接與雙極型正電壓源和第六雙極型晶體管的集電極之間；
上述的第六雙極型晶體管 的源極通過第三電阻接地，基極分別與第三雙極型晶體管的基極、第四雙極型晶體管的基極和第五雙極型晶體管的源極連接；
上述的第五雙極型晶體管的集電極連接雙極型正電壓源，基極與第六雙極型晶體管的集電極連接；
上述的第一 MOS管的源極與MOS電壓源連接，柵極與第一控制輸入端連接，漏極分別與第一雙極型晶體管的源極和第三雙極型晶體管的集電極連接；
上述的第二 MOS管的源極與MOS電壓源連接，柵極與第二控制輸入端連接，漏極分別與第二雙極型晶體管的源極和第四雙極型晶體管的集電極連接；
上述的電壓源的負極端接地，正極端分別與第一雙極型晶體管的基極和第二雙極型晶體管的基極連接；
上述的第一雙極型晶體管的集電極連接第一控制輸出端；第二雙極型晶體管的集電極連接第二控制輸出端；第三雙極型晶體管的源極通過第一電阻接地；第四雙極型晶體管的源極通過第二電阻接地。
[0005]作為優(yōu)選，所述第一 MOS管和第二 MOS管均為P型MOS管。
[0006]作為優(yōu)選，所述第一 MOS管和第二 MOS管為參數(shù)相同的MOS管。
[0007]作為優(yōu)選，所述第一雙極型晶體管、第二雙極型晶體管、第三雙極型晶體管、第四雙極型晶體管、第五雙極型晶體管、第六雙極型晶體管均為NPN型雙極性晶體管。
[0008]作為優(yōu)選，所述第一雙極型晶體管、第二雙極型晶體管、第三雙極型晶體管、第四雙極型晶體管的為參數(shù)相同的雙極性晶體管。
[0009]作為優(yōu)選，所述第五雙極型晶體管、第六雙極型晶體管為參數(shù)相同的晶體管。
[0010]作為優(yōu)選，所述第一電阻、第二電阻和第三電阻為參數(shù)相同的電阻。。
[0011]綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本發(fā)明的有益效果是:該B1-COMS結(jié)構(gòu)的開關(guān)電路，其電路結(jié)構(gòu)簡單，在集成電路中所占面積較小，開關(guān)特性好。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1是本發(fā)明開關(guān)電路的電路原理圖。
【具體實施方式】
[0013]下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明作詳細的說明。
[0014]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應(yīng)當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0015]如圖1所示，本發(fā)明開關(guān)電路的電路原理圖。一種開關(guān)電路，其采用B1-COMS結(jié)構(gòu)，該電路中包括第一 MOS管Ml、第二 MOS管M2、第一雙極型晶體管N1、第二雙極型晶體管N2、第三雙極型晶體管N3、第四雙極型晶體管N4、第五雙極型晶體管N5、第六雙極型晶體管N6、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、恒流源JI和電壓源JV。
[0016]所述第一 MOS管Ml和第二 MOS管M2為參數(shù)相同的MOS管。在本發(fā)明中，該第一MOS管Ml和第二 MOS管M2采用P型的MOS管。
[0017]所述第一雙極型晶體管N1、第二雙極型晶體管N2、第三雙極型晶體管N3和第四雙極型晶體管N4的為參數(shù)相同的雙極性晶體管；所述第五雙極型晶體管N5和第六雙極型晶體管N6為參數(shù)相同的晶體管。在本發(fā)明的技術(shù)方案中，上述六個雙極性晶體管均采用NPN型。
[0018]在本發(fā)明的技術(shù)方案中，所述第一電阻R1、第二電阻R2和第三電阻R3也采用參數(shù)相同的電阻。
[0019]所述恒流源JI串接與雙極型正電壓源VCC和第六雙極型晶體管N6的集電極之間；第六雙極型晶體管N6的源極通過第三電阻R3接地，基極分別與第三雙極型晶體管N3的基極、第四雙極型晶體管N4的基極和第五雙極型晶體管N5的源極連接；第五雙極型晶體管N5的集電極連接雙極型正電壓源VCC，基極與第六雙極型晶體管N6的集電極連接；第一MOS管Ml的源極與MOS電壓源Vdd連接，柵極與第一控制輸入端IKl連接，漏極分別與第一雙極型晶體管NI的源極和第三雙極型晶體管N3的集電極連接；第二 MOS管M2的源極與MOS電壓源Vdd連接，柵極與第二控制輸入端IK2連接，漏極分別與第二雙極型晶體管N2的源極和第四雙極型晶體管N4的集電極連接；電壓源JV的負極端接地，正極端分別與第一雙極型晶體管NI的基極和第二雙極型晶體管N2的基極連接；第一雙極型晶體管NI的集電極連接第一控制輸出端OKl ;第二雙極型晶體管N2的集電極連接第二控制輸出端0K2 ;第三雙極型晶體管N3的源極通過第一電阻Rl接地；第四雙極型晶體管N4的源極通過第二電阻R2接地。
[0020]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種開關(guān)電路，其特征在于，包括第一 MOS管(Ml)、第二 MOS管(M2)、第一雙極型晶體管(NI)、第二雙極型晶體管(N2 )、第三雙極型晶體管(N3 )、第四雙極型晶體管(N4 )、第五雙極型晶體管(N5)、第六雙極型晶體管(N6)、第一電阻(R1)、第二電阻(R2)、第三電阻(R3)、恒流源(JI)和電壓源(JV)； 所述恒流源(JI)串接與雙極型正電壓源(VCC)和第六雙極型晶體管(N6)的集電極之間；第六雙極型晶體管(N6)的源極通過第三電阻(R3)接地，基極分別與第三雙極型晶體管(N3)的基極、第四雙極型晶體管(N4)的基極和第五雙極型晶體管(N5)的源極連接；第五雙極型晶體管(N5)的集電極連接雙極型正電壓源(VCC)，基極與第六雙極型晶體管(N6)的集電極連接；第一 MOS管(Ml)的源極與MOS電壓源(Vdd)連接，柵極與第一控制輸入端(IKl) 連接，漏極分別與第一雙極型晶體管(NI)的源極和第三雙極型晶體管(N3)的集電極連接；第二 MOS管(M2)的源極與MOS電壓源(Vdd)連接，柵極與第二控制輸入端(IK2)連接，漏極分別與第二雙極型晶體管(N2)的源極和第四雙極型晶體管(N4)的集電極連接；電壓源(JV)的負極端接地，正極端分別與第一雙極型晶體管(NI)的基極和第二雙極型晶體管(N2)的基極連接；第一雙極型晶體管(NI)的集電極連接第一控制輸出端(OKI);第二雙極型晶體管(N2)的集電極連接第二控制輸出端(0K2);第三雙極型晶體管(N3)的源極通過第一電阻(Rl)接地；第四雙極型晶體管(N4)的源極通過第二電阻(R2)接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關(guān)電路，其特征在于，所述第一MOS管(Ml)和第二 MOS管(M2)均為P型MOS管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的開關(guān)電路，其特征在于，所述第一MOS管(Ml)和第二 MOS管(M2)為參數(shù)相同的MOS管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關(guān)電路，其特征在于，所述第一雙極型晶體管(NI)、第二雙極型晶體管(N2)、第三雙極型晶體管(N3)、第四雙極型晶體管(N4)、第五雙極型晶體管(N5)、第六雙極型晶體管(N6)均為NPN型雙極性晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的開關(guān)電路，其特征在于，所述第一雙極型晶體管(NI)、第二雙極型晶體管(N2 )、第三雙極型晶體管(N3 )、第四雙極型晶體管(N4 )的為參數(shù)相同的雙極性晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的開關(guān)電路，其特征在于，所述第五雙極型晶體管(N5)、第六雙極型晶體管(N6)為參數(shù)相同的晶體管。
7.根據(jù)權(quán)利要求1、2或4所述的開關(guān)電路，其特征在于，所述第一電阻(R1)、第二電阻(R2)和第三電阻(R3)為參數(shù)相同的電阻。
【文檔編號】H03K17/687GK103684376SQ201210340287
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年9月14日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月14日
【發(fā)明者】王曉娟, 王紀云, 吳勇 申請人:鄭州單點科技軟件有限公司