專利名稱：級(jí)聯(lián)數(shù)字信號(hào)修復(fù)模塊、傳輸系統(tǒng)及修復(fù)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及數(shù)字信號(hào)通信領(lǐng)域，尤其涉及一種級(jí)聯(lián)數(shù)字信號(hào)修復(fù)模塊、傳輸系統(tǒng)及修復(fù)方法。
背景技術(shù)：
隨著信息化社會(huì)的日益推進(jìn)，數(shù)字信號(hào)逐漸取代了模擬信號(hào)的傳輸，其應(yīng)用越來(lái)越廣泛。數(shù)字信號(hào)有高低電平組成，高電平時(shí)通常用“1”表示，低電平時(shí)通常用“0”表示， 數(shù)字信號(hào)由一連串的“ 1 ”和“ 0 ”組成?，F(xiàn)有技術(shù)中，需要實(shí)時(shí)傳輸大量的數(shù)字信號(hào)的數(shù)據(jù)時(shí)，各節(jié)點(diǎn)之間不會(huì)對(duì)信號(hào)進(jìn)行處理，而是采用直通的方式進(jìn)行傳輸(如圖1)，這里每個(gè)節(jié)點(diǎn)看到的數(shù)據(jù)是一樣的，采用直通方式進(jìn)行傳輸，每個(gè)節(jié)點(diǎn)只截取自己的數(shù)據(jù)不會(huì)對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，因?yàn)槊恳还?jié)點(diǎn)都用了緩沖單元加強(qiáng)，因此圖1的情況可以等效為圖2，這種級(jí)聯(lián)數(shù)很大用緩沖單元進(jìn)行加強(qiáng)的傳輸方式。但是由于CMOS管工藝實(shí)際生產(chǎn)存在的誤差，P型MOS管和N型MOS管的上升、下降時(shí)間帶來(lái)誤差，使每級(jí)的緩沖單元上升時(shí)間和下降時(shí)間不相等，而且這種誤差會(huì)隨著緩沖單元的級(jí)聯(lián)數(shù)增大不斷累積，以下降時(shí)間減少為例如3所示這種下降時(shí)間減少的積累會(huì)使高電平脈沖不斷變窄，如果我們傳輸?shù)氖窍衤兴固鼐幋a這樣的對(duì)高低脈沖敏感的信號(hào)那么會(huì)帶來(lái)負(fù)面影響。以曼切斯特編碼數(shù)據(jù)為例主要會(huì)出現(xiàn)以下兩種情況的衰減。如圖 4 圖6所示，圖4為正常的波形，圖5為高電平衰減的波形，圖6為低電平衰減的波形，當(dāng)信號(hào)衰減到一定程度就會(huì)使數(shù)據(jù)出錯(cuò)，這會(huì)很大程度上影響信號(hào)的傳輸能力。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要解決的技術(shù)問(wèn)題是由于CMOS管的生產(chǎn)工藝存在誤差而使級(jí)聯(lián)緩沖單元中數(shù)字信號(hào)波形的上升時(shí)間和下降時(shí)間不相等影響數(shù)字信號(hào)的傳輸，提供一種級(jí)聯(lián)數(shù)字信號(hào)的修復(fù)模塊、傳輸系統(tǒng)及修復(fù)方法。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是提供一種級(jí)聯(lián)數(shù)字信號(hào)修復(fù)模塊，包括檢測(cè)控制單元、緩沖單元、反相器；所述檢測(cè)控制單元包括用于檢測(cè)數(shù)字信號(hào)衰減程度的檢測(cè)器、用于根據(jù)數(shù)字信號(hào)衰減程度判斷數(shù)字信號(hào)衰減電平類型的第一判斷器和用于根據(jù)數(shù)字信號(hào)衰減電平類型產(chǎn)生修復(fù)信號(hào)的控制器，所述控制器包括輸入端、第一輸出端、第二輸出端；所述反相器包括P型MOS管和N型MOS管，所述P型MOS管的源極連接電源，所述P型MOS管的漏極與所述N型MOS管的漏極相連接，所述N型MOS管的源極接地；所述緩沖單元的輸入端用于外接輸入數(shù)字信號(hào)，所述緩沖單元的輸出端連接至所述反相器中P型MOS管漏極與N型MOS管漏極連接的公共接點(diǎn)；所述檢測(cè)器的輸入端用于外接輸入數(shù)字信號(hào)，所述檢測(cè)器的輸出端連接至所述第一判斷器的輸入端，所述第一判斷器的輸出端連接至所述控制單元的輸入端，所述控制器的第一輸出端連接至所述反相器中P型 MOS管的柵極，所述控制器的第二輸出端連接至所述反相器中N型MOS管的柵極。
其中，所述檢測(cè)控制單元還包括用于判斷修復(fù)信號(hào)發(fā)送次數(shù)的第二判斷器，所述第二判斷器連接所述控制器。其中，所述緩沖單元包括P型MOS管和N型MOS管；所述P型MOS管的柵極與N型 MOS管的柵極連接的公共接點(diǎn)為緩沖單元的輸入端，所述P型MOS管的源極連接電源，所述 P型MOS管的漏極與N型MOS管的漏極相連接，所述N型MOS管的源極接地，所述緩沖單元中P型MOS管的漏極與N型MOS管漏極連接的公共接點(diǎn)作為緩沖單元的輸出端連接至所述反相器反相作為緩沖單元的輸出端連接至所述反相器。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是提供一種級(jí)聯(lián)數(shù)字信號(hào)傳輸系統(tǒng)，包括多個(gè)依次連接的數(shù)字信號(hào)修復(fù)模塊，所述數(shù)字信號(hào)修復(fù)模塊包括檢測(cè)控制單元、緩沖單元、反相器，所述檢測(cè)控制單元包括用于檢測(cè)數(shù)字信號(hào)衰減程度的檢測(cè)器、用于判斷衰減電平類型的第一判斷器和用于產(chǎn)生修復(fù)信號(hào)的控制器，所述控制器包括輸入端、第一輸出端、第二輸出端；所述反相器包括P型MOS管和N型MOS管，所述P型MOS管的源極連接電源，所述P型MOS管的漏極與所述N型MOS管的漏極相連接，所述N型MOS管的源極接地；所述緩沖單元的輸入端用于外接輸入數(shù)字信號(hào)，所述緩沖單元的輸出端連接至所述反相器中P型MOS管漏極與N型MOS管漏極連接的公共接點(diǎn)；所述檢測(cè)器的輸入端用于外接輸入數(shù)字信號(hào)，所述檢測(cè)器的輸出端連接至所述第一判斷器的輸入端，所述第一判斷器的輸出端連接至所述控制單元的輸入端，所述控制器的第一輸出端連接至所述反相器中P型MOS管的柵極，所述控制器的第二輸出端連接至所述反相器中N型MOS管的柵極。其中，所述檢測(cè)控制單元還包括用于判斷修復(fù)信號(hào)發(fā)送次數(shù)的第二判斷器，所述第二判斷器連接所述控制器。其中，所述緩沖單元包括P型MOS管和N型MOS管；所述P型MOS管的柵極與N型 MOS管的柵極連接的公共接點(diǎn)為緩沖單元的輸入端，所述P型MOS管的源極連接電源，所述 P型MOS管的漏極與N型MOS管的漏極相連接，所述N型MOS管的源極接地，所述緩沖單元中P型MOS管的漏極與N型MOS管漏極連接的公共接點(diǎn)作為緩沖單元的輸出端連接至所述反相器。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明還采用了一個(gè)技術(shù)方案提供了一種級(jí)聯(lián)數(shù)字信號(hào)修復(fù)方法，包括如下步驟Si、輸入數(shù)字信號(hào)；S2、檢測(cè)輸入數(shù)字信號(hào)的衰減情況；S3、判斷輸入數(shù)字信號(hào)衰減類型，若輸入數(shù)字信號(hào)為高電平衰減，則同時(shí)發(fā)送第一修復(fù)信號(hào)和第二修復(fù)信號(hào)，第一修復(fù)信號(hào)使反相器中P型MOS管導(dǎo)通，第二修復(fù)信號(hào)使反相器中N型MOS管截止；若輸入數(shù)字信號(hào)為低電平衰減，則發(fā)送第一修復(fù)信號(hào)和第二修復(fù)信號(hào)，第一修復(fù)信號(hào)使反相器中P型MOS管截止，第二修復(fù)信號(hào)使反相器中N型MOS管導(dǎo)通；S4、輸出修復(fù)后的數(shù)字信號(hào)。其中，步驟1具體為若輸入數(shù)字信號(hào)的波形衰減超過(guò)預(yù)定數(shù)值，則執(zhí)行步驟S3， 反之則重復(fù)步驟S2。其中，步驟S3之后還包括步驟S301判斷發(fā)送修復(fù)信號(hào)的次數(shù)，若修復(fù)信號(hào)發(fā)送的次數(shù)不超過(guò)五次，則重復(fù)發(fā)送修復(fù)信號(hào)；若修復(fù)信號(hào)發(fā)送的次數(shù)超過(guò)五次，則停止發(fā)送修復(fù)信號(hào)。
本發(fā)明的有益效果是區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)中采用直通的方式來(lái)傳輸數(shù)字信號(hào)，而傳輸?shù)倪@些數(shù)字信號(hào)在經(jīng)過(guò)緩沖單元時(shí)會(huì)出現(xiàn)衰減，并且這種衰減在多次傳輸后會(huì)使數(shù)字信號(hào)出現(xiàn)失真，進(jìn)而影響數(shù)字信號(hào)的傳輸質(zhì)量的問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種級(jí)聯(lián)數(shù)字信號(hào)修復(fù)模塊、傳輸系統(tǒng)及修復(fù)方法，能夠解決背景技術(shù)中存在的問(wèn)題。本發(fā)明通過(guò)采用在緩沖單元的前面加入一級(jí)檢測(cè)控制單元，能夠檢測(cè)在數(shù)字信號(hào)的波形存在一定程度的衰減時(shí)，產(chǎn)生修復(fù)信號(hào)；在緩沖單元的后面加入一級(jí)反相器，通過(guò)控制單元產(chǎn)生的修復(fù)信號(hào)來(lái)控制反相器工作。當(dāng)檢測(cè)控制單元檢測(cè)到高電平衰減時(shí)，就會(huì)發(fā)出了兩個(gè)低電平信號(hào)，反相器中的P 型MOS管處于導(dǎo)通狀態(tài)，相當(dāng)于并入一個(gè)P型MOS管，緩沖單元中的MOS管的上拉電阻減小，使得數(shù)字信號(hào)高電平的寬度增加；當(dāng)檢測(cè)控制單元檢測(cè)到低電平失真時(shí)，就會(huì)發(fā)出了兩個(gè)高電平信號(hào)，反相器中的N型MOS管處于導(dǎo)通狀態(tài)，相當(dāng)于并入一個(gè)N型MOS管，緩沖單元中的MOS管的上拉電阻減小，使得數(shù)字信號(hào)低電平的寬度增加。本發(fā)明通過(guò)在節(jié)點(diǎn)處對(duì)數(shù)字信號(hào)的處理，能夠修復(fù)緩沖單元中由于MOS管工藝的不同而對(duì)數(shù)字信號(hào)的衰減，尤其是在級(jí)聯(lián)數(shù)字信號(hào)傳輸時(shí)，對(duì)節(jié)點(diǎn)處的數(shù)字信號(hào)處理能夠減少數(shù)字信號(hào)的衰減，從而保證數(shù)字信號(hào)的傳輸質(zhì)量。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)中數(shù)字信號(hào)的直通傳輸過(guò)程；圖2是現(xiàn)有技術(shù)中數(shù)字信號(hào)的直通傳輸中的緩沖單元加強(qiáng)的過(guò)程；圖3是現(xiàn)有技術(shù)中數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)氖д娌ㄐ?；圖4是現(xiàn)有技術(shù)中數(shù)字信號(hào)采用曼切斯特編碼正常傳輸?shù)牟ㄐ螆D；圖5是現(xiàn)有技術(shù)中數(shù)字信號(hào)高電平的波形失真圖；圖6是現(xiàn)有技術(shù)中數(shù)字信號(hào)低電平的波形失真圖；圖7是本發(fā)明級(jí)聯(lián)數(shù)字信號(hào)修復(fù)模塊的電路圖；圖8是本發(fā)明級(jí)聯(lián)數(shù)字信號(hào)修復(fù)方法的流程圖；圖9是本發(fā)明級(jí)聯(lián)數(shù)字信號(hào)高電平失真補(bǔ)償?shù)木植侩娐穲D；圖10是本發(fā)明級(jí)聯(lián)數(shù)字信號(hào)低電平失真補(bǔ)償?shù)木植侩娐穲D；圖11是本發(fā)明級(jí)聯(lián)數(shù)字信號(hào)高電平失真補(bǔ)償?shù)牟ㄐ螆D；圖12是本發(fā)明級(jí)聯(lián)數(shù)字信號(hào)低電平失真補(bǔ)償?shù)牟ㄐ螆D。標(biāo)號(hào)說(shuō)明1-檢測(cè)控制單元，11-檢測(cè)器，12-第一判斷器，13-控制器，14-第二判斷器，2_緩沖單元，3-反相器。
具體實(shí)施例方式為詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所實(shí)現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實(shí)施方式并配合附圖詳予說(shuō)明。請(qǐng)參閱圖7，本發(fā)明提供了一種級(jí)聯(lián)數(shù)字信號(hào)的修復(fù)模塊，包括檢測(cè)控制單元1、 緩沖單元2、反相器3;所述檢測(cè)控制單元1包括用于檢測(cè)數(shù)字信號(hào)衰減程度的檢測(cè)器11、用于根據(jù)數(shù)字信號(hào)衰減程度判斷數(shù)字信號(hào)衰減電平類型的第一判斷器12和用于根據(jù)數(shù)字信號(hào)衰減電平類型產(chǎn)生修復(fù)信號(hào)的控制器13，所述控制器包括輸入端、第一輸出端、第二輸出端；所述反相器3包括P型MOS管和N型MOS管，所述P型MOS管的源極連接電源，所述P型MOS管的漏極與所述N型MOS管的漏極相連接，所述N型MOS管的源極接地；所述緩沖單元2的輸入端用于外接輸入數(shù)字信號(hào)，所述緩沖單元2的輸出端連接至所述反相器 3中P型MOS管漏極與N型MOS管漏極連接的公共接點(diǎn)；所述檢測(cè)器11的輸入端用于外接輸入數(shù)字信號(hào)，所述檢測(cè)器11的輸出端連接至所述第一判斷器12的輸入端，所述第一判斷器12的輸出端連接至所述控制單元的輸入端，所述控制器13的第一輸出端連接至所述反相器3中P型MOS管的柵極，所述控制器13的第二輸出端連接至所述反相器中N型MOS管的柵極。本發(fā)明區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)中采用直通的方式來(lái)傳輸數(shù)字信號(hào)，而傳輸?shù)倪@些數(shù)字信號(hào)在經(jīng)過(guò)緩沖單元2時(shí)會(huì)出現(xiàn)衰減，并且這種衰減在多次傳輸后會(huì)使數(shù)字信號(hào)出現(xiàn)失真， 進(jìn)而影響數(shù)字信號(hào)的傳輸質(zhì)量的問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種級(jí)聯(lián)數(shù)字信號(hào)的修復(fù)模塊、傳輸系統(tǒng)及修復(fù)方法，能夠解決背景技術(shù)中存在的問(wèn)題。本發(fā)明通過(guò)采用在緩沖單元2的前面加入一級(jí)檢測(cè)控制單元1，能夠檢測(cè)在數(shù)字信號(hào)的波形存在一定程度的衰減時(shí)，產(chǎn)生修復(fù)信號(hào)；在緩沖單元2的后面加入一級(jí)反相器3，通過(guò)控制單元產(chǎn)生的修復(fù)信號(hào)來(lái)控制反相器3 工作。當(dāng)檢測(cè)控制單元1檢測(cè)到高電平衰減時(shí)，就會(huì)發(fā)出了兩個(gè)低電平信號(hào)，反相器3中的 P型MOS管處于導(dǎo)通狀態(tài)，相當(dāng)于并入一個(gè)P型MOS管，緩沖單元2中的MOS管的上拉電阻減小，使得數(shù)字信號(hào)高電平的寬度增加；當(dāng)檢測(cè)控制單元1檢測(cè)到低電平失真時(shí)，就會(huì)發(fā)出了兩個(gè)高電平信號(hào)，反相器3中的N型MOS管處于導(dǎo)通狀態(tài)，相當(dāng)于并入一個(gè)N型MOS管， 緩沖單元2中的MOS管的上拉電阻減小，使得數(shù)字信號(hào)低電平的寬度增加。本發(fā)明通過(guò)在節(jié)點(diǎn)處對(duì)數(shù)字信號(hào)的處理，能夠修復(fù)緩沖單元2中由于MOS管工藝的不同而對(duì)數(shù)字信號(hào)的衰減，尤其是在級(jí)聯(lián)數(shù)字信號(hào)傳輸時(shí)，對(duì)節(jié)點(diǎn)處的數(shù)字信號(hào)處理能夠減少數(shù)字信號(hào)的衰減， 從而保證數(shù)字信號(hào)的傳輸質(zhì)量。參閱圖7，在一具體的實(shí)施例中，本發(fā)明一種級(jí)聯(lián)數(shù)字信號(hào)修復(fù)模塊包括檢測(cè)控制單元1、緩沖單元2、反相器3 ；所述檢測(cè)控制單元1包括用于檢測(cè)數(shù)字信號(hào)衰減程度的檢測(cè)器11、用于判斷衰減電平類型的第一判斷器12、用于產(chǎn)生修復(fù)信號(hào)的控制器13和用于判斷修復(fù)信號(hào)發(fā)送次數(shù)的第二判斷器14 ；所述反相器3包括P型MOS管和N型MOS管，P型MOS 管的源極連接高電平或電源(VCC)，所述P型MOS管的漏極連接N型MOS管的漏極，所述N 型MOS管的源極連接低電平或接地；所述緩沖單元2包括P型MOS管和N型MOS管；所述P 型MOS管的柵極與N型MOS管的柵極連接的公共接點(diǎn)為緩沖單元2的輸入端，所述P型MOS 管的源極連接電源，所述P型MOS管的漏極與N型MOS管的漏極相連接，所述N型MOS管的源極接地，所述緩沖單元2中P型MOS管的漏極與N型MOS管漏極連接的公共接點(diǎn)作為緩沖單元2的輸出端連接至所述反相器3。所述檢測(cè)控制單元1還包括用于判斷修復(fù)信號(hào)發(fā)送次數(shù)的第二判斷器14，所述第二判斷器14連接所述控制器13。本發(fā)明提供了一種級(jí)聯(lián)數(shù)字信號(hào)傳輸系統(tǒng)，包括多個(gè)依次連接的數(shù)字信號(hào)修復(fù)模塊，所述數(shù)字信號(hào)修復(fù)模塊包括檢測(cè)控制單元、緩沖單元、反相器，所述檢測(cè)控制單元包括用于檢測(cè)數(shù)字信號(hào)衰減程度的檢測(cè)器、用于判斷衰減電平類型的第一判斷器和用于產(chǎn)生修復(fù)信號(hào)的控制器，所述控制器包括輸入端、第一輸出端、第二輸出端；所述反相器包括P型 MOS管和N型MOS管，所述P型MOS管的源極連接電源，所述P型MOS管的漏極與所述N型MOS管的漏極相連接，所述N型MOS管的源極接地；所述緩沖單元的輸入端用于外接輸入數(shù)字信號(hào)，所述緩沖單元的輸出端連接至所述反相器中P型MOS管漏極與N型MOS管漏極連接的公共接點(diǎn)；所述檢測(cè)器的輸入端用于外接輸入數(shù)字信號(hào)，所述檢測(cè)器的輸出端連接至所述第一判斷器的輸入端，所述第一判斷器的輸出端連接至所述控制單元的輸入端，所述控制器的第一輸出端連接至所述反相器中P型MOS管的柵極，所述控制器的第二輸出端連接至所述反相器中N型MOS管的柵極。在一具體實(shí)施例中，所述緩沖單元包括P型MOS管和N型MOS管；所述P型MOS管的柵極與N型MOS管的柵極連接的公共接點(diǎn)為緩沖單元的輸入端，所述P型MOS管的源極連接電源，所述P型MOS管的漏極與N型MOS管的漏極相連接，所述N型MOS管的源極接地， 所述緩沖單元中P型MOS管的漏極與N型MOS管漏極連接的公共接點(diǎn)與反相器中P型MOS 管的漏極與N型MOS管漏極連接的公共接點(diǎn)相連接；所述檢測(cè)控制單元還包括用于判斷修復(fù)信號(hào)發(fā)送次數(shù)的第二判斷器，所述第二判斷器連接所述控制器。參閱圖8，本發(fā)明級(jí)聯(lián)數(shù)字信號(hào)修復(fù)方法，包括如下步驟Si、輸入數(shù)字信號(hào)；S2、檢測(cè)輸入數(shù)字信號(hào)的衰減情況；S3、判斷輸入數(shù)字信號(hào)衰減類型，若輸入數(shù)字信號(hào)為高電平衰減，則同時(shí)發(fā)送第一修復(fù)信號(hào)和第二修復(fù)信號(hào)，第一修復(fù)信號(hào)使反相器中P型MOS管導(dǎo)通，第二修復(fù)信號(hào)使反相器中N型MOS管截止；若輸入數(shù)字信號(hào)為低電平衰減，則發(fā)送第一修復(fù)信號(hào)和第二修復(fù)信號(hào)，第一修復(fù)信號(hào)使反相器中P型MOS管截止，第二修復(fù)信號(hào)使反相器中N型MOS管導(dǎo)通；S4、輸出修復(fù)后的數(shù)字信號(hào)。在一優(yōu)選的實(shí)施例中，步驟1具體為若輸入數(shù)字信號(hào)的波形衰減的寬度超過(guò)預(yù)定數(shù)值，則執(zhí)行步驟S3，反之則重復(fù)步驟S2，可以根據(jù)實(shí)際的要求來(lái)設(shè)計(jì)該數(shù)值的大小，以保證數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)馁|(zhì)量。在一優(yōu)選的實(shí)施例中，步驟S3之后還包括步驟S301判斷發(fā)送修復(fù)信號(hào)的次數(shù)，若修復(fù)信號(hào)發(fā)送的次數(shù)不超過(guò)五次，則重復(fù)發(fā)送修復(fù)信號(hào)；若修復(fù)信號(hào)發(fā)送的次數(shù)超過(guò)五次， 則停止發(fā)送修復(fù)信號(hào)，能夠避免控制器因單個(gè)或多個(gè)信號(hào)故障進(jìn)入死循環(huán)，保證控制器的正常工作。本發(fā)明級(jí)聯(lián)數(shù)字信號(hào)的修復(fù)模塊的工作過(guò)程為檢測(cè)器檢測(cè)到輸入數(shù)字信號(hào)波寬的衰減超過(guò)預(yù)定數(shù)值(例如數(shù)字信號(hào)波寬衰減為原始波寬1/20)時(shí)，第一判斷器判斷衰減波形的類型，并通過(guò)控制器發(fā)送信號(hào)控制反相器工作；當(dāng)?shù)谝慌袛嗥髋袛噍斎霐?shù)字信號(hào)為低電平衰減時(shí)，控制器產(chǎn)生第一修復(fù)信號(hào)和第二修復(fù)信號(hào)，第一修復(fù)信號(hào)和第二修復(fù)信號(hào)均為低電平修復(fù)信號(hào)，第一修復(fù)信號(hào)控制P型MOS管并使P型MOS管導(dǎo)通，第二修復(fù)信號(hào)控制N型MOS管并使N型MOS管截止，這樣相當(dāng)于P型MOS管接入緩沖單元中(如圖9所示)，這時(shí)緩沖單元上拉管的寬長(zhǎng)比增加，減少了緩沖單元的上拉電阻，使輸入數(shù)字信號(hào)的上升時(shí)間縮短，下降時(shí)間延長(zhǎng)起到增加數(shù)字信號(hào)高電平寬度的作用，圖11是數(shù)字信號(hào)高電平修復(fù)的波形仿真圖，從圖中可以看出數(shù)字信號(hào)波形上升時(shí)間大概延長(zhǎng)了 0. ^s，其中右邊的曲線為緩沖單元加了上拉PMOS管的波形圖；當(dāng)?shù)谝慌袛嗥髋袛噍斎氲臄?shù)字信號(hào)為高電平衰減時(shí)，控制器產(chǎn)生第一修復(fù)信號(hào)和第二修復(fù)信號(hào)，第一修復(fù)信號(hào)和第二修復(fù)信號(hào)均為高電平修復(fù)信號(hào)，第一修復(fù)信號(hào)控制P
8型MOS管并使P型MOS管截止，第二修復(fù)信號(hào)控制N型MOS管并使N型MOS管導(dǎo)通，這樣相當(dāng)于N型MOS管接入緩沖單元中，(如圖10所示)，這時(shí)buffer下拉管的寬長(zhǎng)比增加，減少了緩沖單元的下拉電阻，使輸入數(shù)字信號(hào)的上升時(shí)間延長(zhǎng)，下降時(shí)間縮短起到增加數(shù)字信號(hào)低電平寬度的作用，圖12是數(shù)字信號(hào)低電平修復(fù)的波形仿真圖，從圖中可以看出數(shù)字信號(hào)波形下降時(shí)間大概延長(zhǎng)了 Hns，其中右邊的曲線為緩沖單元加了下拉NMOS管的波形圖。本發(fā)明的技術(shù)方案作用于單獨(dú)傳輸單元時(shí)效果不是很明顯，因?yàn)樵黾拥臄?shù)字信號(hào)寬度有限，但是作用于相當(dāng)級(jí)聯(lián)數(shù)量的傳輸單元時(shí)就能把增加的下降時(shí)間逐漸累加把衰減信號(hào)修復(fù)過(guò)來(lái)。以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種級(jí)聯(lián)數(shù)字信號(hào)修復(fù)模塊，其特征在于，包括檢測(cè)控制單元、緩沖單元、反相器；所述檢測(cè)控制單元包括用于檢測(cè)數(shù)字信號(hào)衰減程度的檢測(cè)器、用于根據(jù)數(shù)字信號(hào)衰減程度判斷數(shù)字信號(hào)衰減電平類型的第一判斷器和用于根據(jù)數(shù)字信號(hào)衰減電平類型產(chǎn)生修復(fù)信號(hào)的控制器，所述控制器包括輸入端、第一輸出端、第二輸出端；所述反相器包括P型MOS管和N型MOS管，所述P型MOS管的源極連接電源，所述P型 MOS管的漏極與所述N型MOS管的漏極相連接，所述N型MOS管的源極接地；所述緩沖單元的輸入端用于外接輸入數(shù)字信號(hào)，所述緩沖單元的輸出端連接至所述反相器中P型MOS管漏極與N型MOS管漏極連接的公共接點(diǎn)；所述檢測(cè)器的輸入端用于外接輸入數(shù)字信號(hào)，所述檢測(cè)器的輸出端連接至所述第一判斷器的輸入端，所述第一判斷器的輸出端連接至所述控制單元的輸入端，所述控制器的第一輸出端連接至所述反相器中P型 MOS管的柵極，所述控制器的第二輸出端連接至所述反相器中N型MOS管的柵極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的級(jí)聯(lián)數(shù)字信號(hào)修復(fù)模塊，其特征在于，所述檢測(cè)控制單元還包括用于判斷修復(fù)信號(hào)發(fā)送次數(shù)的第二判斷器，所述第二判斷器連接所述控制器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的級(jí)聯(lián)數(shù)字信號(hào)修復(fù)模塊，其特征在于，所述緩沖單元包括P型 MOS管和N型MOS管；所述P型MOS管的柵極與N型MOS管的柵極連接的公共接點(diǎn)為緩沖單元的輸入端，所述P型MOS管的源極連接電源，所述P型MOS管的漏極與N型MOS管的漏極相連接，所述N型MOS管的源極接地，所述緩沖單元中P型MOS管的漏極與N型MOS管漏極連接的公共接點(diǎn)作為緩沖單元的輸出端連接至所述反相器反相作為緩沖單元的輸出端連接至所述反相器。
4.一種應(yīng)用所述級(jí)聯(lián)數(shù)字信號(hào)修復(fù)模塊的級(jí)聯(lián)數(shù)字信號(hào)傳輸系統(tǒng)，其特征在于，包括多個(gè)依次連接的數(shù)字信號(hào)修復(fù)模塊，所述數(shù)字信號(hào)修復(fù)模塊包括檢測(cè)控制單元、緩沖單元、 反相器，所述檢測(cè)控制單元包括用于檢測(cè)數(shù)字信號(hào)衰減程度的檢測(cè)器、用于判斷衰減電平類型的第一判斷器和用于產(chǎn)生修復(fù)信號(hào)的控制器，所述控制器包括輸入端、第一輸出端、第二輸出端；所述反相器包括P型MOS管和N型MOS管，所述P型MOS管的源極連接電源，所述P型 MOS管的漏極與所述N型MOS管的漏極相連接，所述N型MOS管的源極接地；所述緩沖單元的輸入端用于外接輸入數(shù)字信號(hào)，所述緩沖單元的輸出端連接至所述反相器中P型MOS管漏極與N型MOS管漏極連接的公共接點(diǎn)；所述檢測(cè)器的輸入端用于外接輸入數(shù)字信號(hào)，所述檢測(cè)器的輸出端連接至所述第一判斷器的輸入端，所述第一判斷器的輸出端連接至所述控制單元的輸入端，所述控制器的第一輸出端連接至所述反相器中P型 MOS管的柵極，所述控制器的第二輸出端連接至所述反相器中N型MOS管的柵極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的級(jí)聯(lián)數(shù)字信號(hào)傳輸系統(tǒng)，其特征在于，所述檢測(cè)控制單元還包括用于判斷修復(fù)信號(hào)發(fā)送次數(shù)的第二判斷器，所述第二判斷器連接所述控制器。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的級(jí)聯(lián)數(shù)字信號(hào)傳輸系統(tǒng)，其特征在于，所述緩沖單元包括P型 MOS管和N型MOS管；所述P型MOS管的柵極與N型MOS管的柵極連接的公共接點(diǎn)為緩沖單元的輸入端，所述P型MOS管的源極連接電源，所述P型MOS管的漏極與N型MOS管的漏極相連接，所述N型MOS管的源極接地，所述緩沖單元中P型MOS管的漏極與N型MOS管漏極連接的公共接點(diǎn)作為緩沖單元的輸出端連接至所述反相器。
7.一種根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的級(jí)聯(lián)數(shù)字信號(hào)修復(fù)模塊的級(jí)聯(lián)數(shù)字信號(hào)修復(fù)方法，其特征在于，包括如下步驟51、輸入數(shù)字信號(hào)；52、檢測(cè)輸入數(shù)字信號(hào)的衰減情況；53、判斷輸入數(shù)字信號(hào)衰減類型，若輸入數(shù)字信號(hào)為高電平衰減，則同時(shí)發(fā)送第一修復(fù)信號(hào)和第二修復(fù)信號(hào)，第一修復(fù)信號(hào)使反相器中P型MOS管導(dǎo)通，第二修復(fù)信號(hào)使反相器中 N型MOS管截止；若輸入數(shù)字信號(hào)為低電平衰減，則發(fā)送第一修復(fù)信號(hào)和第二修復(fù)信號(hào)，第一修復(fù)信號(hào)使反相器中P型MOS管截止，第二修復(fù)信號(hào)使反相器中N型MOS管導(dǎo)通；54、輸出修復(fù)后的數(shù)字信號(hào)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的級(jí)聯(lián)數(shù)字信號(hào)修復(fù)方法，其特征在于，步驟1具體為若輸入數(shù)字信號(hào)的波形衰減超過(guò)預(yù)定數(shù)值，則執(zhí)行步驟S3，反之則重復(fù)步驟S2。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的級(jí)聯(lián)數(shù)字信號(hào)修復(fù)方法，其特征在于，步驟S3之后還包括步驟S301判斷發(fā)送修復(fù)信號(hào)的次數(shù)，若修復(fù)信號(hào)發(fā)送的次數(shù)不超過(guò)五次，則重復(fù)發(fā)送修復(fù)信號(hào)；若修復(fù)信號(hào)發(fā)送的次數(shù)超過(guò)五次，則停止發(fā)送修復(fù)信號(hào)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種級(jí)聯(lián)數(shù)字信號(hào)修復(fù)模塊、傳輸系統(tǒng)及修復(fù)方法，其中，數(shù)字信號(hào)修復(fù)模塊，包括檢測(cè)控制單元、緩沖單元、反相器；所述檢測(cè)控制單元包括用于檢測(cè)數(shù)字信號(hào)衰減程度的檢測(cè)器、用于根據(jù)衰減程度判斷衰減電平類型的第一判斷器和用于根據(jù)衰減電平類型產(chǎn)生修復(fù)信號(hào)的控制器，所述控制器包括輸入端、第一輸出端、第二輸出端；所述反相器包括P型MOS管和N型MOS管，所述P型MOS管的源極連接電源，所述P型MOS管的漏極與所述N型MOS管的漏極相連接，所述N型MOS管的源極接地；本發(fā)明能夠修復(fù)緩沖單元中由于MOS管工藝的不同而對(duì)數(shù)字信號(hào)的衰減，能夠保證數(shù)字信號(hào)的傳輸質(zhì)量。
文檔編號(hào)H03K5/04GK102571039SQ201210023028
公開(kāi)日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2012年2月2日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月2日
發(fā)明者林豐成, 林喬嵩, 林昕, 沈鎏 申請(qǐng)人:天利半導(dǎo)體(深圳)有限公司